JPH02198010A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH02198010A JPH02198010A JP1337126A JP33712689A JPH02198010A JP H02198010 A JPH02198010 A JP H02198010A JP 1337126 A JP1337126 A JP 1337126A JP 33712689 A JP33712689 A JP 33712689A JP H02198010 A JPH02198010 A JP H02198010A
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- Japan
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- magnetic
- permeability
- thin film
- main
- magnetic permeability
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は記録媒体に垂直方向に記録または再生を行う磁
気ヘッドに関するものである。
気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
高密度に磁気記録を行う方式として垂直磁化記録方式が
提案されている（たとえば特開昭６２−１３４７０６号
公報、特開昭５３−３２０９号公報参照）。この方式は
記録された磁化の反磁界が少く、高密度に磁気記録でき
る特徴があるが、垂直異方性を有する記録媒体を必要と
すると共に垂直方向の磁界の強い垂直磁気記録用ヘッド
を必要とする。第１図は従来提案されている垂直磁気記
録用ヘッドの一例である。垂直磁気異方性を有する磁化
層１の下層に媒体高透磁率層２を有する磁気記録媒体３
の磁化層１に近接して、高透磁率薄膜４を非磁性体５で
挟込んだ主磁極６を設け、この主磁極ｅの回りにコイル
７を巻き電気的入力または出力として垂直磁気記録また
は再生を行う。
提案されている（たとえば特開昭６２−１３４７０６号
公報、特開昭５３−３２０９号公報参照）。この方式は
記録された磁化の反磁界が少く、高密度に磁気記録でき
る特徴があるが、垂直異方性を有する記録媒体を必要と
すると共に垂直方向の磁界の強い垂直磁気記録用ヘッド
を必要とする。第１図は従来提案されている垂直磁気記
録用ヘッドの一例である。垂直磁気異方性を有する磁化
層１の下層に媒体高透磁率層２を有する磁気記録媒体３
の磁化層１に近接して、高透磁率薄膜４を非磁性体５で
挟込んだ主磁極６を設け、この主磁極ｅの回りにコイル
７を巻き電気的入力または出力として垂直磁気記録また
は再生を行う。
本構成の従来ヘッドは記録体はコイル７を流れる電流に
より形成された磁気回路８を通る磁束により、磁化層１
の高透磁率薄膜４に近接した部分を磁化して記録する。
より形成された磁気回路８を通る磁束により、磁化層１
の高透磁率薄膜４に近接した部分を磁化して記録する。
また逆に再生時は、磁化層１の高透磁率薄膜４に近接し
た部分の磁化による磁束が磁気回路８を通って流れ、コ
イル７を鎖交することによりコイル了よシミ完信号とし
て出力される。ここで従来の磁気ヘッドは磁気回路８の
磁気抵抗が大きいために、記録時および再生時とも効率
の悪い欠点があった。磁気抵抗が大きくなる原因には３
つあシ、その第１は高透磁率薄膜４が一般に厚みが１μ
ｍ程度で薄い反面数−の長さがあるためパーマロイ等の
高透磁率材料で形成しても磁気抵抗が大きくなってしま
うためである。また第２の原因は高透磁率薄膜４から媒
体高透磁率層２には透磁率が小さい空気中を通って磁気
回路８が形成されるため磁気抵抗が大きくなることであ
る。さらに媒体高透磁率層２の厚みが１μｍ以下で磁気
回路８の一部となる部分の長さが数ｍｍと大きいことに
より磁気抵抗が大きくなってしまうことが第３の原因で
ある。
た部分の磁化による磁束が磁気回路８を通って流れ、コ
イル７を鎖交することによりコイル了よシミ完信号とし
て出力される。ここで従来の磁気ヘッドは磁気回路８の
磁気抵抗が大きいために、記録時および再生時とも効率
の悪い欠点があった。磁気抵抗が大きくなる原因には３
つあシ、その第１は高透磁率薄膜４が一般に厚みが１μ
ｍ程度で薄い反面数−の長さがあるためパーマロイ等の
高透磁率材料で形成しても磁気抵抗が大きくなってしま
うためである。また第２の原因は高透磁率薄膜４から媒
体高透磁率層２には透磁率が小さい空気中を通って磁気
回路８が形成されるため磁気抵抗が大きくなることであ
る。さらに媒体高透磁率層２の厚みが１μｍ以下で磁気
回路８の一部となる部分の長さが数ｍｍと大きいことに
より磁気抵抗が大きくなってしまうことが第３の原因で
ある。
以上述べたように従来の垂直磁気記録用ヘッドは磁気抵
抗が大きい欠点のため、記録または再生の効率が悪い欠
点があった。
抗が大きい欠点のため、記録または再生の効率が悪い欠
点があった。
さらに上記従来例は外部磁界の影響を受けやすい欠点を
有している。この様子を第２図に示す。
有している。この様子を第２図に示す。
図で第１図と同じ部分は同一番号を付けて示した。
外部からの不用なノイズ磁界は磁気回路９を通ってコイ
ル７を鎖交して外部ノイズとしてコイル７より電気信号
ノイズとなる。これは高透磁率薄膜４が外部ノイズ磁界
のアンテナとなるためと考えられる。
ル７を鎖交して外部ノイズとしてコイル７より電気信号
ノイズとなる。これは高透磁率薄膜４が外部ノイズ磁界
のアンテナとなるためと考えられる。
このように従来構成の磁気ヘッドでは記録・再生効率、
外部磁界の影響の点で欠点を有していた。
外部磁界の影響の点で欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、記録または
再生効率を大幅に改善し、外部ノイズ磁界の影響を受け
やすい欠点を除いた磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
再生効率を大幅に改善し、外部ノイズ磁界の影響を受け
やすい欠点を除いた磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するもので、垂直磁気異方性を
有する磁化層の下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体
に近接して高透磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性
薄膜の、前記磁化層に近接する部が少なくとも非磁性体
により挟持されており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的
に接続された第１の高透磁率体を少なくとも有する構造
の主磁極と、前記主磁極に近接または接続して設けられ
た第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前
記主磁極と反対側に設けられた第３の高透磁率体とを具
備し前記第２と第３の前記高透磁率体の対向する部分の
面積をＳｕ、前記第２と第３の高透磁率体間の平均距離
をｕ、前記第１と第２の高透磁率体の対向する部分の面
積をＳｖ、前記第１と第２の高透磁率体間の平均距離を
Ｖとしたとき、ｖ／５ｖ＞ｕ／Ｓｕ となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘッドを
提供するものである。
有する磁化層の下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体
に近接して高透磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性
薄膜の、前記磁化層に近接する部が少なくとも非磁性体
により挟持されており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的
に接続された第１の高透磁率体を少なくとも有する構造
の主磁極と、前記主磁極に近接または接続して設けられ
た第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前
記主磁極と反対側に設けられた第３の高透磁率体とを具
備し前記第２と第３の前記高透磁率体の対向する部分の
面積をＳｕ、前記第２と第３の高透磁率体間の平均距離
をｕ、前記第１と第２の高透磁率体の対向する部分の面
積をＳｖ、前記第１と第２の高透磁率体間の平均距離を
Ｖとしたとき、ｖ／５ｖ＞ｕ／Ｓｕ となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘッドを
提供するものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を周いて説明する。
第３図は本発明の一実施例による磁気ヘッドの断面図を
示すもので、第１図と同一部分には同一番号を付して示
した。
示すもので、第１図と同一部分には同一番号を付して示
した。
本実施例は、磁化層１と媒体高透磁率層２よりなる磁気
記録媒体３に近接して高透磁率薄膜４を設け、その一部
に接続して第１の高透磁率ブロック１ｏを設け、上記高
透磁率薄膜４の磁気記録媒体３に近い部分を非磁性体６
で挟込んだ先端部分１７を含む主砲（Ｍ６を設ける。主
磁極６に近接して第２の高透磁率ブロック１１を磁気記
録媒体３の主磁極６側に設ける。さらに磁気記録媒体３
の主磁極６０反対側に第３の高透磁率ブロック１２を設
ける。主磁極６のまわシにはコイル７が巻かれている。
記録媒体３に近接して高透磁率薄膜４を設け、その一部
に接続して第１の高透磁率ブロック１ｏを設け、上記高
透磁率薄膜４の磁気記録媒体３に近い部分を非磁性体６
で挟込んだ先端部分１７を含む主砲（Ｍ６を設ける。主
磁極６に近接して第２の高透磁率ブロック１１を磁気記
録媒体３の主磁極６側に設ける。さらに磁気記録媒体３
の主磁極６０反対側に第３の高透磁率ブロック１２を設
ける。主磁極６のまわシにはコイル７が巻かれている。
第４図は第３図に示した磁気ヘッドの主磁極先端部１２
の拡大図である。第４図において、第２と第３の高透磁
率体１１．１２の対向する部分の面積をＳｕ、両者の平
均距離をＵとし、第１と第２の高透磁率体１０．１１の
対向する部分の面積をＳｖ、両者の平均距離をＶとした
時に、ｖ ／ Ｓ ｖ ） ｕ ／ Ｓ ｕ となるごとく構成されている。
の拡大図である。第４図において、第２と第３の高透磁
率体１１．１２の対向する部分の面積をＳｕ、両者の平
均距離をＵとし、第１と第２の高透磁率体１０．１１の
対向する部分の面積をＳｖ、両者の平均距離をＶとした
時に、ｖ ／ Ｓ ｖ ） ｕ ／ Ｓ ｕ となるごとく構成されている。
かかる構成による本実施例の効果を述べる。第１の高透
磁率ブロック１０を高透磁率薄膜４に磁気的に接続して
設けたことにより、高透磁率薄膜４の磁気抵抗を大幅に
低下させることができる。
磁率ブロック１０を高透磁率薄膜４に磁気的に接続して
設けたことにより、高透磁率薄膜４の磁気抵抗を大幅に
低下させることができる。
また第２の高透磁率ブロック１１を主磁極６に近接また
は接続して磁気記録媒体３の主磁極ｅ側に設けたことに
より、磁気回路１３が形成され、磁気回路１３が空気中
を通ることがなく、磁気抵抗を大幅に減少させることが
できた。またさらに第３の高透磁率ブロック１２を磁気
記録媒体３の主磁極６の反対側に設けたことにより、磁
気回路１３が媒体高透磁率層２を通る距離を短かくでき
、媒体高透磁率層２の磁気抵抗を大幅に低下させる効果
が得られた。
は接続して磁気記録媒体３の主磁極ｅ側に設けたことに
より、磁気回路１３が形成され、磁気回路１３が空気中
を通ることがなく、磁気抵抗を大幅に減少させることが
できた。またさらに第３の高透磁率ブロック１２を磁気
記録媒体３の主磁極６の反対側に設けたことにより、磁
気回路１３が媒体高透磁率層２を通る距離を短かくでき
、媒体高透磁率層２の磁気抵抗を大幅に低下させる効果
が得られた。
さらに本実施例において外部ノイズ磁界の影響を少くす
るためには第４図中の磁気回路１６の磁気抵抗が磁気回
路１４の磁気抵抗よシ大きく外部磁束の多くが磁気回路
１４を通ることが望ましいが、このためには、第１の高
透磁率ブロック１０と第２の高透磁率ブロック１１の間
の磁気抵抗が、第２の高透磁率ブロック１１と第３の高
透磁率ブロック１２の間の磁気抵抗よシ大きいことが望
ましい。
るためには第４図中の磁気回路１６の磁気抵抗が磁気回
路１４の磁気抵抗よシ大きく外部磁束の多くが磁気回路
１４を通ることが望ましいが、このためには、第１の高
透磁率ブロック１０と第２の高透磁率ブロック１１の間
の磁気抵抗が、第２の高透磁率ブロック１１と第３の高
透磁率ブロック１２の間の磁気抵抗よシ大きいことが望
ましい。
従って第１の高透磁率ブロック１０と第２の高透磁率ブ
ロック１１の間の磁気抵抗を第２の高透磁率ブロック１
１と第３の高透磁率ブロック１２の間の磁気抵抗よシ大
きく設定すればよい。磁気抵抗は面積に反比例し、長さ
に比例するので上記の条件は次式で与えられる。
ロック１１の間の磁気抵抗を第２の高透磁率ブロック１
１と第３の高透磁率ブロック１２の間の磁気抵抗よシ大
きく設定すればよい。磁気抵抗は面積に反比例し、長さ
に比例するので上記の条件は次式で与えられる。
ｖ ／ Ｓ ｖ ） ｕ ／ Ｓ ｕ
すなわち、上記の条件を満足する構成に第１．第２、第
３の高透磁率ブロックを配置した時に、外部ノイズの影
響が少く、またヘッドの記録・再生効率の高いものが得
られる。
３の高透磁率ブロックを配置した時に、外部ノイズの影
響が少く、またヘッドの記録・再生効率の高いものが得
られる。
第６図は本実施例の構成が外部ノイズ磁界の影響が少い
ことを説明するための磁気ヘッドの断面図である。第６
図において、外部からのノイズ磁界は磁気抵抗の少い磁
気回路１４に主に通過し磁気抵抗の大きい磁気回路１５
．１６を通る量が少いため全体として外部ノイズ磁界が
コイル７を鎖交する惜が少くなり、外部ノイズの影響が
大きく減少する。
ことを説明するための磁気ヘッドの断面図である。第６
図において、外部からのノイズ磁界は磁気抵抗の少い磁
気回路１４に主に通過し磁気抵抗の大きい磁気回路１５
．１６を通る量が少いため全体として外部ノイズ磁界が
コイル７を鎖交する惜が少くなり、外部ノイズの影響が
大きく減少する。
なお、具体的には高透磁率薄膜４は従来よく使用される
パーマロイの他にさらに飽和磁化が高く透磁率も大きい
ＣｏとＺｎを主成分とするアモルファス材料、例えばＣ
ｏＺｒＮｂ又はＣｏＦｅＺｒＮｂなどのアモルファス材
料を１μｍ程度スパッタリングで形成し、主磁極先端部
分１７の長さを１００μｍａ度とする。第１の高透磁率
ブロック１０はフェライト材料などで形成し、厚み１０
０μｍ長さ５ｆｆＩＩ１１程度である。第２の高透磁率
ブロック１１はフェライト材料などからなり、第１の高
透磁率ブロック１ｏより十分大きく構成し、空間の磁気
抵抗を減少させる。媒体裏面の第３の高透磁率ブロック
１２も第２の高透磁率ブロック１１と対向する面を大き
くとって磁気抵抗を減少させ、フェライト材料などを使
用する。
パーマロイの他にさらに飽和磁化が高く透磁率も大きい
ＣｏとＺｎを主成分とするアモルファス材料、例えばＣ
ｏＺｒＮｂ又はＣｏＦｅＺｒＮｂなどのアモルファス材
料を１μｍ程度スパッタリングで形成し、主磁極先端部
分１７の長さを１００μｍａ度とする。第１の高透磁率
ブロック１０はフェライト材料などで形成し、厚み１０
０μｍ長さ５ｆｆＩＩ１１程度である。第２の高透磁率
ブロック１１はフェライト材料などからなり、第１の高
透磁率ブロック１ｏより十分大きく構成し、空間の磁気
抵抗を減少させる。媒体裏面の第３の高透磁率ブロック
１２も第２の高透磁率ブロック１１と対向する面を大き
くとって磁気抵抗を減少させ、フェライト材料などを使
用する。
発明の効果
以上要するに本発明は垂直磁気異方性を有する磁化層の
下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体に近接して高透
磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁
化層に近接する部が少なくとも非磁性体により挟持され
ており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された第
１の高透磁率体を少なくとも有する構造の主磁極と、前
記主磁極に近接または接続して設けられた第２の高透磁
率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前記主磁極と反対
側に設けられた第３の高透磁体とを具備し前記第２と第
３の前記高透磁率体の対向する部分の面積をＳｕ、前記
第２と第３の高透磁率体間の平均距離をｕ、前記第１と
第２の高透磁率体の対向する部分の面積をＳｖ、前記第
１と第２の高透磁率体間の平均距離をＶとしたとき、 ｖ ／ Ｓ ｖ ） ｕ ／ Ｓ ｕ となるごを、く構成されたことを特徴とする磁気ヘッド
の磁気回路の抵抗を低下させ、記録または再生の効率を
高くすると共に、外部ノイズ磁界の影響を低下させる利
点を有する。
下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体に近接して高透
磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁
化層に近接する部が少なくとも非磁性体により挟持され
ており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された第
１の高透磁率体を少なくとも有する構造の主磁極と、前
記主磁極に近接または接続して設けられた第２の高透磁
率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前記主磁極と反対
側に設けられた第３の高透磁体とを具備し前記第２と第
３の前記高透磁率体の対向する部分の面積をＳｕ、前記
第２と第３の高透磁率体間の平均距離をｕ、前記第１と
第２の高透磁率体の対向する部分の面積をＳｖ、前記第
１と第２の高透磁率体間の平均距離をＶとしたとき、 ｖ ／ Ｓ ｖ ） ｕ ／ Ｓ ｕ となるごを、く構成されたことを特徴とする磁気ヘッド
の磁気回路の抵抗を低下させ、記録または再生の効率を
高くすると共に、外部ノイズ磁界の影響を低下させる利
点を有する。
第１図は従来の垂直磁気ヘッドの断面図、第２図は外部
ノイズ磁界の影響を示す従来の垂直磁気ヘッドの断面図
、第３図は本発明の一実施例による磁気ヘッドの断面図
、第４図は本発明の磁気ヘッドの主磁極先端部の拡大図
、第６図は本発明の磁気ヘッドの外部磁界の影響を示す
磁気ヘッド断面図である。 １・・・・・・磁化層、２・・・・・・媒体高透磁率層
、３・・・・・・磁気記録媒体、４・・・・・・高透磁
率薄膜、６・・・・・・非磁性体、６・・・・・・主磁
極、７・・・・・・コイル、８ 、９ 、１３゜１４．
１１５．１８・・・・・・磁気回路、１０・・・・・・
第１の高透磁率ブロック、１１・・・・・・第２の高透
磁率プ°ロック、１２・・・・・・第３の高透磁率ブロ
ック、１７・・・・・・主磁極先端部分。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１１
！１ 図 ３−・もｎ艮ｅ虐ネ６１ト ｃ−１硝陽 ７−−−】Ｊル トー碓人コ訃
ノイズ磁界の影響を示す従来の垂直磁気ヘッドの断面図
、第３図は本発明の一実施例による磁気ヘッドの断面図
、第４図は本発明の磁気ヘッドの主磁極先端部の拡大図
、第６図は本発明の磁気ヘッドの外部磁界の影響を示す
磁気ヘッド断面図である。 １・・・・・・磁化層、２・・・・・・媒体高透磁率層
、３・・・・・・磁気記録媒体、４・・・・・・高透磁
率薄膜、６・・・・・・非磁性体、６・・・・・・主磁
極、７・・・・・・コイル、８ 、９ 、１３゜１４．
１１５．１８・・・・・・磁気回路、１０・・・・・・
第１の高透磁率ブロック、１１・・・・・・第２の高透
磁率プ°ロック、１２・・・・・・第３の高透磁率ブロ
ック、１７・・・・・・主磁極先端部分。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１１
！１ 図 ３−・もｎ艮ｅ虐ネ６１ト ｃ−１硝陽 ７−−−】Ｊル トー碓人コ訃
Claims (3)
- （１）垂直磁気異方性を有する磁化層の下層に高透磁率
層を有する磁気記録媒体に近接して高透磁率磁性薄膜を
設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁化層に近接する
部が少なくとも非磁性体により挟持されており、前記高
透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された第１の高透磁率体
を少なくとも有する構造の主磁極と、前記主磁極に近接
して設けられた第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体
を挟んで、前記主磁極と反対側に設けられた第３の高透
磁率体とを具備し、前記第２と第３の前記高透磁率体の
対向する部分の面積をＳｕ、前記第２と第３の高透磁率
体間の平均距離をｕ、前記第１と第２の高透磁率体の対
向する部分の面積をＳｖ、前記第１と第２の高透磁率体
間の平均距離をｖとしたとき、 ｖ／Ｓｖ＞ｕ／Ｓｕ となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘッド。 - （２）高透磁率磁性薄膜が、Ｃｏ、Ｚｒを主成分とする
アモルファス材料よりなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の磁気ヘッド。 - （３）高透磁率磁性薄膜が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｎｂを
含むアモルファス材料よりなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337126A JPH02198010A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337126A JPH02198010A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58161308A Division JPS6052907A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198010A true JPH02198010A (ja) | 1990-08-06 |
| JPH0444803B2 JPH0444803B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18305688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337126A Granted JPH02198010A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198010A (ja) |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1337126A patent/JPH02198010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444803B2 (ja) | 1992-07-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |