JPH0444803B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は記録媒体に垂直方向に記録または再生
を行う磁気ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 高密度に磁気記録を行う方式として垂直磁化記
録方式が提案されている（たとえば特開昭52−
134706号公報、特開昭53−3209号公報参照）。こ
の方式は記録された磁化の反磁界が少く、高密度
に磁気記録できる特徴があるが、垂直異方性を有
する記録媒体を必要とすると共に垂直方向の磁界
の強い垂直磁気記録用ヘツドを必要とする。第１
図は従来提案されている垂直磁気記録用ヘツドの
一例である。垂直磁気異方性を有する磁化層１の
下層に媒体高透磁率層２を有する磁気記録媒体３
の磁化層１に近接して、高透磁率薄膜４を非磁性
体５で挟込んだ主磁極６を設け、この主磁極６の
回りにコイル７を巻き電気的入力または出力とし
て垂直磁気記録または再生を行う。本構成の従来
ヘツドは記録体はコイル７を流れる電流により形
成された磁気回路８を通る磁束におり、磁化層１
の高透磁率薄膜４に近接した部分を磁化して記録
する。また逆に再生時は、磁化層１の高透磁率薄
膜４に近接した部分の磁化による磁束が磁気回路
８を通つて流れ、コイル７を鎖交することにより
コイル７より電気信号として出力される。ここで
従来の磁気ヘツドは磁気回路８の磁気抵抗が大き
いために、記録時および再生時とも効率の悪い欠
点があつた。磁気抵抗が大きくなる原因には３つ
あり、その第１は高透磁率薄膜４が一般に厚みが
1μm程度で薄い反面数mmの長さがあるためパーマ
ロイ等の高透磁率材料で形成しても磁気抵抗が大
きくなつてしまうためである。また第２の原因は
高透磁率薄膜４から媒体高透磁率層２には透磁率
が小さい空気中を通つて磁気回路８が形成される
ため磁気抵抗が大きくなることである。さらに媒
体高透磁率層２の厚みが1μm以下で磁気回路８の
一部となる部分の長さが数mmと大きいことにより
磁気抵抗が大きくなつてしまうことが第３の原因
である。

以上述べたように従来の垂直磁気記録用ヘツド
は磁気抵抗が大きい欠点のため、記録または再生
の効率が悪い欠点があつた。

さらに上記従来例は外部磁界の影響を受けやす
い欠点を有している。この様子を第２図に示す。
図で第１図と同じ部分は同一番号を付けて示し
た。外部からの不用なノイズ磁界は磁気回路９を
通つてコイル７を鎖交して外部ノイズとしてコイ
ル７より電気信号ノイズとなる。これは高透磁率
薄膜４が外部ノイズ磁界のアンテナとなるためと
考えられる。

このように従来構成の磁気ヘツドでは記録・再
生効率、外部磁界の影響の点で欠点を有してい
た。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、記
録または再生効率を大幅に改善し、外部ノイズ磁
界の影響を受けやすい欠点を除いた磁気ヘツドを
提供することを目的とするものである。

発明の構成 本発明は上記目的を達成するもので、垂直磁気
異方性を有する磁化層の下層に高透磁率層を有す
る磁気記録媒体に近接して高透磁率磁性薄膜を設
け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁化層に近接
する部が少なくとも非磁性体により挟持されてお
り、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された
第１の高透磁率体を少なくとも有する構造の主磁
極と、前記主磁極に近接または接続して設けられ
た第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟ん
で、前記主磁極と反対側に設けられた第３の高透
磁率体とを具備し前記第２と第３の前記高透磁率
体の対向する部分の面積をSu、前記第２と第３
の高透磁率体間の平均距離をｕ、前記第１と第２
の高透磁率体の対向する部分の面積をSv、前記
第１と第２の高透磁率体間の平均距離をｖとした
とき、 ｖ／Sv＞ｕ／Su となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
ツドを提供するものである。

実施例の説明 以下に本発明の実施例を図面を周いて説明す
る。

第３図は本発明の一実施例による磁気ヘツドの
断面図を示すもので、第１図と同一部分には同一
番号を付して示した。

本実施例は、磁化層１と媒体高透磁率層２より
なる磁気記録媒体３に近接して高透磁率薄膜４を
設け、その一部に接続して第１の高透磁率ブロツ
ク１０を設け、上記高透磁率薄膜４の磁気記録媒
体３に近い部分を非磁性体５で挟込んだ先端部分
１７を含む主磁極６を設ける。主磁極６に近接し
て第２の高透磁率ブロツク１１を磁気記録媒体３
の主磁極６側に設ける。さらに磁気記録媒体３の
主磁極６の反対側に第３の高透磁率ブロツク１２
を設ける。主磁極６のまわりにコイル７が巻かれ
ている。

第４図は第３図に示した磁気ヘツドの主磁極先
端部１２の拡大図である。第４図において、第２
と第３の高透磁率体１１，１２の対向する部分の
面積をSu、両者の平均距離をｕとし、第１と第
２の高透磁率体１０，１１の対向する部分の面積
をSv、両者の平均距離をｖとした時に、 ｖ／Sv＞ｕ／Su となるごとく構成されている。

かかる構成による本実施例の効果を述べる。第
１の高透磁率ブロツク１０を高透磁率薄膜４に磁
気的に接続して設けたことにより、高透磁率薄膜
４の磁気抵抗を大幅に低下させることができる。
また第２の高透磁率ブロツク１１を主磁極６に近
接または接続して磁気記録媒体３の主磁極６側に
設けたことにより、磁気回路１３が形成され、磁
気回路１３が空気中を通ることがなく、磁気抵抗
を大幅に減少させることができた。またさらに第
３の高透磁率ブロツク１２を磁気記録媒体３の主
磁極６の反対側に設けたことにより、磁気回路１
３が媒体高透磁率層２を通る距離を短かくでき、
媒体高透磁率層２の磁気抵抗を大幅に低下させる
効果が得られた。

さらに本実施例において外部ノイズ磁界の影響
を少なくするためには第４図中の磁気回路１６の
磁気抵抗が磁気回路１４の磁気抵抗より大きく外
部磁束の多くが磁気回路１４を通ることが望まし
いが、このためには、第１の高透磁率ブロツク１
０と第２の高透磁率ブロツク１１の間の磁気抵抗
が、第２の高透磁率ブロツク１１と第３の高透磁
率ブロツク１２の間の磁気抵抗より大きいことが
望ましい。

従つて第１の高透磁率ブロツク１０と第２の高
透磁率ブロツク１１の間の磁気抵抗を第２の高透
磁率ブロツク１１と第３の高透磁率ブロツク１２
の間の磁気抵抗より大きく設定すればよい。磁気
抵抗は面積に反比例し、長さに比例するので上記
の条件は次式で与えられる。

ｖ／Sv＞ｕ／Su すなわち、上記の条件を満足する構成に第１、
第２、第３の高透磁率ブロツクを配置した時に、
外部ノイズの影響が少く、またヘツドの記録・再
生効率の高いものが得られる。

第５図は本実施例の構成が外部ノイズ磁界の影
響が少いことを説明するため磁気ヘツドの断面図
である。第５図において、外部からのノイズ磁界
は磁気抵抗の少い磁気回路１４に主に通過し磁気
抵抗の大きい磁気回路１５，１６を通る量が少い
ため全体として外部ノイズ磁界がコイル７を鎖交
する量が少くなり、外部ノイズの影響を大きく減
少する。

なお、具体的には高透磁率薄膜４は従来よく使
用されるパーマロイの他にさらに飽和磁化が高く
透磁率も大きいCoとZuを主成分とするアモルフ
アス材料、例えばCoZrNb又はCoFeZrNbなどの
アモルフアス材料を1μm程度スパツタリングで形
成し、主磁極先端部分１７の長さを100μm程度と
する。第１の高透磁率ブロツク１０はフエライト
材料などで形成し、厚み100μm長さ５mm程度であ
る。第２の高透磁率ブロツク１１はフエライト材
料などからなり、第１の高透磁率ブロツク１０よ
り十分大きく構成し、空間の磁気抵抗を減少させ
る。媒体裏面の第３の高透磁率ブロツク１２も第
２の高透磁率ブロツク１１と対向する面を大きく
とつて磁気抵抗を減少させ、フエライト材料など
を使用する。

発明の効果 以上要するに本発明は垂直磁気異方性を有する
磁化層の下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体
に近接して高透磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁
率磁性薄膜の、前記磁化層に近接する部が少なく
とも非磁性体により挟持されており、前記高透磁
率磁性薄膜と磁気的に接続された第１の高透磁率
体を少なくとも有する構造の主磁極と、前記主磁
極に近接または接続して設けられた第２の高透磁
率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前記主磁極
と反対側に設けられた第３の高透磁率体とを具備
し前記第２と第３の前記高透磁率体の対向する部
分の面積をSu、前記第２と第３の高透磁率体間
の平均距離をｕ、前記第１と第２の高透磁率体の
対向する部分の面積をSv、前記第１と第２の高
透磁率体間の平均距離をｖとしたとき、 ｖ／Sv＞ｕ／Su となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
ツドの磁気回路の抵抗を低下させ、記録または再
生の効率を高くすると共に、外部ノイズ磁界の影
響を低下させる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁気ヘツドの断面図、第２
図は外部ノイズ磁界の影響を示す従来の垂直磁気
ヘツドの断面図、第３図は本発明の一実施例によ
る磁気ヘツドの断面図、第４図は本発明の磁気ヘ
ツドの主磁極先端部の拡大図、第５図は本発明の
磁気ヘツドの外部磁界の影響を示す磁気ヘツド断
面図である。 １……磁化層、２……媒体高透磁率層、３……
磁気記録媒体、４……高透磁率薄膜、５……非磁
性体、６……主磁極、７……コイル、８，９，１
３，１４，１５，１６……磁気回路、１０……第
１の高透磁率ブロツク、１１……第２の高透磁率
ブロツク、１２……第３の高透磁率ブロツク、１
７……主磁極先端部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁気異方性を有する磁化層の下層に高透
   磁率層を有する磁気記録媒体に近接して高透磁率
   磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記
   磁化層に近接する部が少なくとも非磁性体により
   挟持されており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的
   に接続された第１の高透磁率体を少なくとも有す
   る構造の主磁極と、前記主磁極に近接して設けら
   れた第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟
   んで、前記主磁極と反対側に設けられた第３の高
   透磁率体とを具備し、前記第２と第３の前記高透
   磁率体の対向する部分の面積をSu、前記第２と
   第３の高透磁率体間の平均距離をｕ、前記第１と
   第２の高透磁率体の対向する部分の面積をSv、
   前記第１と第２の高透磁率体間の平均距離をｖと
   したとき、 ｖ／Sv＞ｕ／Su となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
   ツド。 ２ 高透磁率磁性薄膜が、Co，Zrを主成分とす
   るアモルフアス材料よりなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 ３ 高透磁率磁性薄膜が、Co，Fe，Zr，Nbを含
   むアモルフアス材料よりなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。