JPH02198131A - 基板に付着した不要なレジストの除去方法及びスピンコート装置 - Google Patents
基板に付着した不要なレジストの除去方法及びスピンコート装置Info
- Publication number
- JPH02198131A JPH02198131A JP1016481A JP1648189A JPH02198131A JP H02198131 A JPH02198131 A JP H02198131A JP 1016481 A JP1016481 A JP 1016481A JP 1648189 A JP1648189 A JP 1648189A JP H02198131 A JPH02198131 A JP H02198131A
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- Japan
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- resist
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- gas
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液晶パネル等の大型ガラス基板を用いて大面積
薄膜デバイスを形成する際、フォトリソグラフィ工程に
おいてスピンコート装置でレジストを塗布した後、基板
に付着する不要なレジストを除去する方法及びこの機能
を有するスビンコト装置に関する。
薄膜デバイスを形成する際、フォトリソグラフィ工程に
おいてスピンコート装置でレジストを塗布した後、基板
に付着する不要なレジストを除去する方法及びこの機能
を有するスビンコト装置に関する。
（従来の技術）
ガラス基板上に薄膜トランジスタを二次元的に集積して
アクティブマトリクスにまとめ、これと液晶等の光学的
活性物質等を組み合わぜなパネル型デイスプレィ等、大
型ガラス基板を用いたデバイスが近年注目されている。
アクティブマトリクスにまとめ、これと液晶等の光学的
活性物質等を組み合わぜなパネル型デイスプレィ等、大
型ガラス基板を用いたデバイスが近年注目されている。
大面積デバイスを作製する工程中において、フォトリソ
グラフィ法を用いて微細パターンを形成している。すな
わち、電極材料等が着膜されたガラス基板上にレジスト
を塗布し、露光、現像してレジストパターンを形成し、
所望のガスや液体でエツチングを行ない前記電極材料を
微細加工する。
グラフィ法を用いて微細パターンを形成している。すな
わち、電極材料等が着膜されたガラス基板上にレジスト
を塗布し、露光、現像してレジストパターンを形成し、
所望のガスや液体でエツチングを行ない前記電極材料を
微細加工する。
前記レジストは被塗布部材の表面に薄くかつ均一の厚さ
にする必要があるなめ、一般にスピンコート法とよばれ
る方法によって塗布されている。
にする必要があるなめ、一般にスピンコート法とよばれ
る方法によって塗布されている。
このスピンコート法は、被塗布部材の表面の中心部にレ
ジスト液を滴下し、この被塗布部材を高速で回転させて
遠心力によりレジストを広がらせて被塗布部材の表面全
体に塗布するようにしたものである。このスピンコート
法によるレジストの塗布は、基板を支持してこれを回転
させるステージと、前記基板の表面の中心部にレジスト
を滴下するレジスト供給手段とを備えたスピンコート装
置によって行われる。
ジスト液を滴下し、この被塗布部材を高速で回転させて
遠心力によりレジストを広がらせて被塗布部材の表面全
体に塗布するようにしたものである。このスピンコート
法によるレジストの塗布は、基板を支持してこれを回転
させるステージと、前記基板の表面の中心部にレジスト
を滴下するレジスト供給手段とを備えたスピンコート装
置によって行われる。
上記のように被塗布部材の表面全体にレジストを塗布す
る際、レジストは遠心力により広がり、第３図に示す基
板３１の端面３２及び基板３１の裏面端部３３にもレジ
ストが付着してしまう。レジストを塗布した後、ブリベ
ーク工程でレジストを硬化させ、その後露光、現像工程
を施すが、１リベータ後に基板３１を次工程に搬送する
際、基板３１の端面３２や裏面端部３３を搬送用ローラ
等で支持して行なうので、ここにレジストが付着してい
るとレジスト粉が発生し、これらが基板表面に付着し、
露光、現像工程でのパターン形成で支障をきたし、デバ
イスに欠陥を生じさせる原因の一つになっていた。
る際、レジストは遠心力により広がり、第３図に示す基
板３１の端面３２及び基板３１の裏面端部３３にもレジ
ストが付着してしまう。レジストを塗布した後、ブリベ
ーク工程でレジストを硬化させ、その後露光、現像工程
を施すが、１リベータ後に基板３１を次工程に搬送する
際、基板３１の端面３２や裏面端部３３を搬送用ローラ
等で支持して行なうので、ここにレジストが付着してい
るとレジスト粉が発生し、これらが基板表面に付着し、
露光、現像工程でのパターン形成で支障をきたし、デバ
イスに欠陥を生じさせる原因の一つになっていた。
そこで従来、基板の裏面にレジストを溶かず溶剤をノズ
ル等から噴射させ、基板の裏面に付着したレジストを除
去することが行われていた。
ル等から噴射させ、基板の裏面に付着したレジストを除
去することが行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記レジスト除去方法によると、基板裏面
のレジス１−は除去できても、基板端面に塗布されたレ
ジストは除去することができず、これによりレジスト粉
が発生し、上記同様デバイスに欠陥を生じさせるという
問題点がなお存在する。
のレジス１−は除去できても、基板端面に塗布されたレ
ジストは除去することができず、これによりレジスト粉
が発生し、上記同様デバイスに欠陥を生じさせるという
問題点がなお存在する。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、基板の裏面
のみならず端面に塗布されたレジストを除去することが
できるレジスト除去方法及びこの機能を有するスピンコ
ート装置を提供することを目的とする。
のみならず端面に塗布されたレジストを除去することが
できるレジスト除去方法及びこの機能を有するスピンコ
ート装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため請求項１の発明方法
は、基板裏面に向けて溶剤を噴射させるとともに前記基
板を回転させ、前記溶剤を遠心力により基板裏面端部に
導くとともに、気流発生手段で発生させた気流により前
記溶剤を基板端面に沿って下方から上方へ導き、基板裏
面及び基板端面に付着したレジストを除去することを特
徴としている。
は、基板裏面に向けて溶剤を噴射させるとともに前記基
板を回転させ、前記溶剤を遠心力により基板裏面端部に
導くとともに、気流発生手段で発生させた気流により前
記溶剤を基板端面に沿って下方から上方へ導き、基板裏
面及び基板端面に付着したレジストを除去することを特
徴としている。
また、請求項２の発明装置は、基板を支持し回転可能と
したステージと、基板裏面に溶剤を噴射させる溶剤噴射
ノズルと、基板端面の下方から上方へ気流を発生させる
気流発生手段とを具備することを特徴としている。
したステージと、基板裏面に溶剤を噴射させる溶剤噴射
ノズルと、基板端面の下方から上方へ気流を発生させる
気流発生手段とを具備することを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、基板端面に下方から上方へ気流を発生
させることにより、基板裏面から基板端面に沿って溶剤
を流すことができる。
させることにより、基板裏面から基板端面に沿って溶剤
を流すことができる。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
装置本体１は、下方の円筒状部１ａと、上方のドーム状
部１ｂとから成る。この装置本体１内は仕切り板２によ
り上下に二つに室に仕切られ、仕切り板２の下方の室の
中央に駆動モータ３を配置している。駆動モータ３の回
転軸４は、仕切り板２の中央に設けた孔２ａを貫通して
、その先端を仕切り板２の上方に臨ませている６回転軸
４の先端には、小円板状のステージ５が水平に位置する
ように固定されている。従って、ステージ５は、駆動モ
ータ３により高速回転（１０００〜３０００ｒｐｍ）可
能になっている。
部１ｂとから成る。この装置本体１内は仕切り板２によ
り上下に二つに室に仕切られ、仕切り板２の下方の室の
中央に駆動モータ３を配置している。駆動モータ３の回
転軸４は、仕切り板２の中央に設けた孔２ａを貫通して
、その先端を仕切り板２の上方に臨ませている６回転軸
４の先端には、小円板状のステージ５が水平に位置する
ように固定されている。従って、ステージ５は、駆動モ
ータ３により高速回転（１０００〜３０００ｒｐｍ）可
能になっている。
ステージ５上には、基板６が支持されている。
この基板６は、その中心をステージ５の回転中心と一致
させてステージ５上に載置され、ステージ５に設けた真
空吸着等の適宜手段（図示せず）でステージ５に固定さ
れている。また、ステージ５は、基板６の大きさに対し
て小さく形成しているので、基板６の裏面の中央部分の
みがステージ５上に載置するようになっている。基板６
は、例えば液晶表示素子用電極基板となるもので、電極
基板数検分の大きさの正方形または円形のガラス基板に
電極材料が着膜されている。
させてステージ５上に載置され、ステージ５に設けた真
空吸着等の適宜手段（図示せず）でステージ５に固定さ
れている。また、ステージ５は、基板６の大きさに対し
て小さく形成しているので、基板６の裏面の中央部分の
みがステージ５上に載置するようになっている。基板６
は、例えば液晶表示素子用電極基板となるもので、電極
基板数検分の大きさの正方形または円形のガラス基板に
電極材料が着膜されている。
また、装置本体１のドーム状部１ｂの中央には、基板６
の表面中心部にノボラック系感光材を土成分とするレジ
ストを滴下するレジスト供給装置７が設けられている。
の表面中心部にノボラック系感光材を土成分とするレジ
ストを滴下するレジスト供給装置７が設けられている。
装置本体１内を区画する切り板２には、基板６の裏面に
溶剤を噴射させる溶剤噴射ノズル８が固定されている。
溶剤を噴射させる溶剤噴射ノズル８が固定されている。
溶剤噴射ノズル８は、垂直方向若しくは若干外側方向に
傾斜させ、その先端から噴出された溶剤が基板６の裏面
外側方向に流れ易くしている。溶剤１噴射ノズル８から
は、前記レジストを溶かすアセトン等が噴出するように
なっている。
傾斜させ、その先端から噴出された溶剤が基板６の裏面
外側方向に流れ易くしている。溶剤１噴射ノズル８から
は、前記レジストを溶かすアセトン等が噴出するように
なっている。
また、装置本体１には、基板６の端面の下方から上方へ
気流を発生させる気流発生手段を設けている。この気流
発生手段は、仕切り板２に垂直に固定された気体噴射ノ
ズル９と、ドーム状部１ｂに吸引口１０を有する排気手
段とから成る。気体噴射ノズル９は、噴出口を上方に向
けて前記溶剤噴射ノズル８より外側位置に配置され、前
記噴出口からは基板６の端面近傍にＮ、カスが噴出する
ようになっている。レジスト及び溶剤は揮発性を有する
ため、Ｎ、雰囲気中で塗布等が行われるので、気体噴射
ノズル９から噴出するガスとしては安全性を考慮してＮ
、ガスを使用する。吸引口１０は排出管１１を介して吸
引装置（図示せず）に連結され、この吸引装置の作動に
より排出管１１内を負圧にするとともに吸引口１０から
装置本体１内の気体を吸い込むようになっている。また
、吸引口１０は、ステージ５上に載置された基板６の表
面より上方で、かつ基板６の端面より外側位置に形成さ
れている。
気流を発生させる気流発生手段を設けている。この気流
発生手段は、仕切り板２に垂直に固定された気体噴射ノ
ズル９と、ドーム状部１ｂに吸引口１０を有する排気手
段とから成る。気体噴射ノズル９は、噴出口を上方に向
けて前記溶剤噴射ノズル８より外側位置に配置され、前
記噴出口からは基板６の端面近傍にＮ、カスが噴出する
ようになっている。レジスト及び溶剤は揮発性を有する
ため、Ｎ、雰囲気中で塗布等が行われるので、気体噴射
ノズル９から噴出するガスとしては安全性を考慮してＮ
、ガスを使用する。吸引口１０は排出管１１を介して吸
引装置（図示せず）に連結され、この吸引装置の作動に
より排出管１１内を負圧にするとともに吸引口１０から
装置本体１内の気体を吸い込むようになっている。また
、吸引口１０は、ステージ５上に載置された基板６の表
面より上方で、かつ基板６の端面より外側位置に形成さ
れている。
従って、気体噴射ノズル９の噴出口から噴射されたＮ２
ガスが吸引口１０から吸い込まれることにより、基板６
の端面にその下方から上方へ気流Ａを発生させる。なお
、基板６を載置したステージ５は回転するので基板６を
正方形状とした場合、ステージ５の中心位置に対して基
板６の端面の位置が変化する。そこで、気体噴射ノズル
９から噴射するＮ２ガスの噴射範囲を第２図に示す点線
で囲んだ範囲Ｂ程度に広く設定し、ステージ５の中心位
置に対する基板６の端面の位置にかかわらず、基６板の
端面に気流が発生するようにしている。
ガスが吸引口１０から吸い込まれることにより、基板６
の端面にその下方から上方へ気流Ａを発生させる。なお
、基板６を載置したステージ５は回転するので基板６を
正方形状とした場合、ステージ５の中心位置に対して基
板６の端面の位置が変化する。そこで、気体噴射ノズル
９から噴射するＮ２ガスの噴射範囲を第２図に示す点線
で囲んだ範囲Ｂ程度に広く設定し、ステージ５の中心位
置に対する基板６の端面の位置にかかわらず、基６板の
端面に気流が発生するようにしている。
次に上記のようなスピンコート装置を用いたレジストの
塗布について説明する。
塗布について説明する。
ステージ５上に載置された基板６の表面中心部に、レジ
スト供給装置７からレジストを滴下する。
スト供給装置７からレジストを滴下する。
ステージ５を高速回転させて遠心力によりレジストを基
板６の表面全体に広げる。この際、基板６の端面及び裏
面端部にもレジストが付着する。
板６の表面全体に広げる。この際、基板６の端面及び裏
面端部にもレジストが付着する。
次に、溶剤噴射ノズル８から溶剤を基板６の裏面に向け
て噴出するとともに、気体噴射ノズル９からＮ２ガスを
噴出させ、吸引装置の作動により吸引口１０から装置本
体１内の気体を吸い込み、基板６の端面に気流Ａを生じ
させる。
て噴出するとともに、気体噴射ノズル９からＮ２ガスを
噴出させ、吸引装置の作動により吸引口１０から装置本
体１内の気体を吸い込み、基板６の端面に気流Ａを生じ
させる。
溶剤噴射ノズル８から噴出された溶剤は、基板６の裏面
を外側方向へ流れ、基板６の端面でＮ。
を外側方向へ流れ、基板６の端面でＮ。
ガスの気流Ａにより基板６の端面に沿って流れ、この゛
部分に付着したレジストを溶かして除去する。
部分に付着したレジストを溶かして除去する。
本実施例では、一対の気体噴射ノズル９と吸引口１０と
により基板６の端面に気流を生じさせたが、複数の気体
噴射ノズル及び吸引口を配置するようにしてもよい。ま
た、吸引口１０を装置本体１の側面に形成したが、基板
６の端面近傍に吸引手段を形成してもよい。
により基板６の端面に気流を生じさせたが、複数の気体
噴射ノズル及び吸引口を配置するようにしてもよい。ま
た、吸引口１０を装置本体１の側面に形成したが、基板
６の端面近傍に吸引手段を形成してもよい。
また本実施例では、気体噴射ノズルから噴出するガスを
Ｎ２ガスとしたが、これに限定する必要はなく気流を発
生させるものであればよい。
Ｎ２ガスとしたが、これに限定する必要はなく気流を発
生させるものであればよい。
（発明の効果）
上述したように本発明によれば、基板端面に下方から上
方へ気流を発生させることができ、基板裏面から基板端
面に沿って溶剤を流すことにより、基板裏面及び基板端
面に塗布された不要なレジストを除去することができる
。
方へ気流を発生させることができ、基板裏面から基板端
面に沿って溶剤を流すことにより、基板裏面及び基板端
面に塗布された不要なレジストを除去することができる
。
第１図は本発明の一実施例を示すスピンコート装置の断
面説明図、第２図は同上の■−■線断面説明図、第３図
は基板の斜視説明図である。 １・・・・・・装置本体 ３・・・・・・駆動モータ ５・・・・・・ステージ ６・・・・・・基板 ８・・・・・・溶剤噴射ノズル ・・・・・気体噴射ノズル ０・・・・・・吸引口 第 図 第２図
面説明図、第２図は同上の■−■線断面説明図、第３図
は基板の斜視説明図である。 １・・・・・・装置本体 ３・・・・・・駆動モータ ５・・・・・・ステージ ６・・・・・・基板 ８・・・・・・溶剤噴射ノズル ・・・・・気体噴射ノズル ０・・・・・・吸引口 第 図 第２図
Claims (2)
- （１）基板裏面に向けて溶剤を噴射させるとともに前記
基板を回転させ、前記溶剤を遠心力により基板裏面端部
に導くとともに、気流発生手段で発生させた気流により
前記溶剤を基板端面に沿って下方から上方へ導き、基板
裏面及び基板端面に付着したレジストを除去することを
特徴とした基板に付着する不要なレジストの除去方法。 - （２）基板を支持し回転可能としたステージと、基板裏
面に溶剤を噴射させる溶剤噴射ノズルと、基板端面の下
方から上方へ気流を発生させる気流発生手段とを具備す
るスピンコート装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016481A JPH02198131A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 基板に付着した不要なレジストの除去方法及びスピンコート装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016481A JPH02198131A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 基板に付着した不要なレジストの除去方法及びスピンコート装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198131A true JPH02198131A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11917479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016481A Pending JPH02198131A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 基板に付着した不要なレジストの除去方法及びスピンコート装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198131A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487774U (ja) * | 1990-12-12 | 1992-07-30 | ||
| US5312487A (en) * | 1991-09-20 | 1994-05-17 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Coating apparatus |
| US5972078A (en) * | 1997-07-31 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus |
| US6395086B1 (en) * | 1993-04-08 | 2002-05-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Shield for wafer station |
| US7632358B2 (en) | 2005-06-01 | 2009-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method and a cleaning device for cleaning an edge portion and back face of a wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110118A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法および装置 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1016481A patent/JPH02198131A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110118A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法および装置 |
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