JPH0219961Y2 - - Google Patents

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JPH0219961Y2
JPH0219961Y2 JP1982156029U JP15602982U JPH0219961Y2 JP H0219961 Y2 JPH0219961 Y2 JP H0219961Y2 JP 1982156029 U JP1982156029 U JP 1982156029U JP 15602982 U JP15602982 U JP 15602982U JP H0219961 Y2 JPH0219961 Y2 JP H0219961Y2
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JP
Japan
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shaft
vertical
base
lamp
infrared radiation
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JP1982156029U
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JPS5961530U (ja
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  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置の製造過程に使用する熱処
理炉の加熱装置に関するものである。さらに詳し
くは、熱処理炉の外部に設けた赤外線放射装置に
より加熱する急熱急冷炉に使用する加熱装置に関
するものである。
従来赤外線を使用する熱処理炉の赤外線放射装
置(以下ランプユニツトという)は炉内に組み込
まれている場合が多く、この場合、ランプユニツ
トは炉体にネジなどで固定されているので、赤外
線放射器(以下ランプという)の交換にはランプ
ユニツトを取りはずして炉外に取り出し、ランプ
交換が必要である。しかもこのランプユニツトは
被加熱物を極めて高い温度にするためには大形で
ある必要があり、狭い炉内での取はずし、取付け
作業は特殊治具が必要であるばかりでなく、作業
自体も極めて困難である。
また長い熱処理炉の場合には炉内組込みは出来
ないので、石英などの透明な炉体の外部にランプ
ユニツトを並べる方法がとられている。これらの
ランプユニツトはその内部にランプのほかに水冷
リフレクタ、冷却水配管、排風管などが組み込ま
れているために、前記のような大形の場合には10
Kgないし20Kg位の重いものとなつてしまう。しか
も外熱形といえども炉体外部は必ずしも広くはな
く、上記のような重量物の取り付け、取りはずし
作業は極めて困難である。
本考案はこれらの問題を解決するためになされ
たもので、ランプユニツトはすべて炉体外部の下
側もしくは上下両側に複数個並設し、それぞれに
上下方向および水平方向の移動装置を設けたもの
である。以下図面により詳細に説明する。
第1図はランプユニツトを炉体の下端のみに配
設した場合の一部断面図である。図において1は
透明石英製の炉体、2はランプユニツトで、この
中に熱源となるランプのほかに水冷リフレクタ、
冷却水配管、排風管などが設けられており、炉体
1に対向する面は透明石英板の窓2−1があけら
れている。3は前記ランプユニツトを保持するス
ライドシヤフト、4はシヤフト軸受でスラスト軸
受を構成している。5はシヤフト軸受取付台、6
はジヤツキで、この実施例では菱形ジヤツキを使
用している。7は水平移動ベース、8は熱処理炉
基台9に取付けられた水平移動用のレール、10
は外側ストツパ、11は内側ストツパである。第
2図は本考案の加熱装置の外観図である。
次に本考案の加熱装置の操作について説明す
る。第1図は正規の位置に挿入された状態であ
る。この状態でランプユニツト2の内部のランプ
に通電すると、ランプから放射される赤外線は炉
体1に対向する面に設けられた透明石英板の窓2
−1を透過し、透明石英の炉体1の壁面を透過し
て炉体の内容物を加熱する。このランプは一般の
ランプと同様に使用時間により赤外線の放射効率
が劣化し、やがては断線する。この場合ランプ交
換のためにランプユニツト2を取はずす必要はな
く、ジヤツキ6でランプユニツト2を炉体1より
引きはなし、水平移動ベースごとレール8にそつ
て引き出せばランプユニツト2の上面を取はずし
てランプ交換を行うことが出来る。
ランプ交換の終了したランプユニツト2は上記
説明の引き出しの場合と逆の手順で挿入すれば良
い。この場合、水平移動ベース7が内側ストツパ
11に突当るまで挿入すれば炉体1に対するラン
プユニツト2の位置が定まるので、あとはジヤツ
キ6で所定の高さにまで持上げれば良い。
なお、炉体1に対して上下両側から加熱する場
合、上側の加熱装置は第1図の加熱装置が炉体1
の上面に対向して吊下るように熱処理炉基台9に
取付ければ良い。この場合には第1図のように水
平移動ベース7がレール8の上側に載置されてい
るだけでなく、炉体1の上側に設けられたレール
8の上側に載置された水平移動ベース7よりなる
水平移動装置に吊下つた状態でジヤツキ6、シヤ
フト軸受取付台5、シヤフト軸受4、スライドシ
ヤフト3よりなる上下移動装置およびランプユニ
ツト2が取付けられていることはもちろんであ
る。
以上のように重いランプユニツト2を容易に引
出してランプ交換をすることが出来るので、特別
な治具を必要としない。また炉体1に対するラン
プユニツト2の水平方向の位置は内側ストツパ1
1で規制されるので、ジヤツキ6による上下方向
の位置のみを注意すれば良いので、ランプ交換の
操作も極めて容易となるなど、実用効果は極めて
大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の加熱装置の側面図(一部分断
面)、第2図は本考案の加熱装置の斜視図である。 図において、2はランプユニツト、3はスライ
ドシヤフト、4はシヤフト軸受、6はジヤツキ、
7は水平移動ベース、8はレールである。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体装置の熱処理炉の炉体の外部に設けた赤
    外線放射装置と、この赤外線放射装置を保持しか
    つ上下方向に移動させる上下移動装置と、上記赤
    外線放射装置および上記上下移動装置を水平方向
    に移動させる水平移動装置とよりなり、 上記上下移動装置は、上記赤外線放射装置を保
    持して上下方向に延びるシヤフトと、このシヤフ
    トを上下摺動自在に支持する軸受を取付けたシヤ
    フト軸受取付台と、上記シヤフトを上下動させる
    機構を備えており、 上記水平移動装置は、上記シヤフト軸受取付台
    および上記シヤフト上下動機構を支持する水平移
    動ベースと、この水平移動ベースを水平方向に案
    内するレールと、上記水平移動ベースを所定位置
    に位置決めするストツパとを備えていることを特
    徴とする半導体装置の熱処理炉の加熱装置。
JP15602982U 1982-10-15 1982-10-15 半導体装置の熱処理炉の加熱装置 Granted JPS5961530U (ja)

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JP15602982U JPS5961530U (ja) 1982-10-15 1982-10-15 半導体装置の熱処理炉の加熱装置

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JP15602982U JPS5961530U (ja) 1982-10-15 1982-10-15 半導体装置の熱処理炉の加熱装置

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Publication Number Publication Date
JPS5961530U JPS5961530U (ja) 1984-04-23
JPH0219961Y2 true JPH0219961Y2 (ja) 1990-05-31

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ID=30344415

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JP15602982U Granted JPS5961530U (ja) 1982-10-15 1982-10-15 半導体装置の熱処理炉の加熱装置

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JP7433936B2 (ja) * 2020-01-31 2024-02-20 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5633566Y2 (ja) * 1977-08-17 1981-08-08

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JPS5961530U (ja) 1984-04-23

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