JPH02199889A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH02199889A JPH02199889A JP1778389A JP1778389A JPH02199889A JP H02199889 A JPH02199889 A JP H02199889A JP 1778389 A JP1778389 A JP 1778389A JP 1778389 A JP1778389 A JP 1778389A JP H02199889 A JPH02199889 A JP H02199889A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
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- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ヘテロ接合構造を有する半導体レーザの改良
に係わり、特に出射ビームの広がり角度を制御する機能
を備えた半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
に係わり、特に出射ビームの広がり角度を制御する機能
を備えた半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）の結晶成長
技術の向上に伴い、１ｌｃ−Ｎｃレーザと同程度の発振
波長が得られるＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ系化合物半導体を
使用した半導体レーザが実現されるようになっている（
日経マイクロデバイス１９８５年ｉｔ月号）。これらの
半導体レーザを、最近注目されているビデオディスク等
の光源として使用する場合、ディスクからの戻り光等に
強く、ビームを小さく絞り込めるような構造にする必要
がある。
技術の向上に伴い、１ｌｃ−Ｎｃレーザと同程度の発振
波長が得られるＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ系化合物半導体を
使用した半導体レーザが実現されるようになっている（
日経マイクロデバイス１９８５年ｉｔ月号）。これらの
半導体レーザを、最近注目されているビデオディスク等
の光源として使用する場合、ディスクからの戻り光等に
強く、ビームを小さく絞り込めるような構造にする必要
がある。
ディスクからの戻り光等に強いレーザ構造としては、ダ
ブルヘテロ（ＤＢ）構造の活性層の厚みを厚くし、自励
発振させることにより実現する方法がある（１９８８年
春季応用物理学講演会講演予稿集３１Ｐ−ＺＰ−１２等
）。また、１μｍオーダの微小スポット光に絞り込、む
レーザ構造としては、リッジ埋込み型等の屈折率導波型
レーザとすることにより実現されている（第３３回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集４ｐｋ−に−１４ｐ−
１７３等）。
ブルヘテロ（ＤＢ）構造の活性層の厚みを厚くし、自励
発振させることにより実現する方法がある（１９８８年
春季応用物理学講演会講演予稿集３１Ｐ−ＺＰ−１２等
）。また、１μｍオーダの微小スポット光に絞り込、む
レーザ構造としては、リッジ埋込み型等の屈折率導波型
レーザとすることにより実現されている（第３３回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集４ｐｋ−に−１４ｐ−
１７３等）。
しかしながら、この種のレーザ構造にあっては次のよう
な問題があった。即ち、活性層を厚くすると、活性層に
導波される光のクラッド層への滲み出しが少なくなるた
め、活性層に垂直な方向のスポット径が小さく、共振器
端面（光出射端面）から放射されるビームの放射角度が
広くなってしまう。このため、開口率（Ｎ Ａ）の小さ
なレンズでは、光出射端面からのレーザ光を有効に集光
できないという問題が生じる。
な問題があった。即ち、活性層を厚くすると、活性層に
導波される光のクラッド層への滲み出しが少なくなるた
め、活性層に垂直な方向のスポット径が小さく、共振器
端面（光出射端面）から放射されるビームの放射角度が
広くなってしまう。このため、開口率（Ｎ Ａ）の小さ
なレンズでは、光出射端面からのレーザ光を有効に集光
できないという問題が生じる。
また、ビデオディスクの他にレーザプリンタ等への用途
があるが、これには高光出力及び狭いビーム放射角が必
要といわれている。高光出力発振では、自ら出した光に
より共振器端面の破壊を起こす。このため、活性層の厚
みを薄くし、光のり、ラッド層への滲み出しを多くして
、活性層に垂直な方向のスポット径を大きくする等の方
法が取られる。しかし、活性層の厚みを薄くし過ぎると
、発振閾値電流が高くなってしまう。このため、活性層
の厚みには、ある限界値があり、垂直方向のビーム放射
角制御にも限界があった。
があるが、これには高光出力及び狭いビーム放射角が必
要といわれている。高光出力発振では、自ら出した光に
より共振器端面の破壊を起こす。このため、活性層の厚
みを薄くし、光のり、ラッド層への滲み出しを多くして
、活性層に垂直な方向のスポット径を大きくする等の方
法が取られる。しかし、活性層の厚みを薄くし過ぎると
、発振閾値電流が高くなってしまう。このため、活性層
の厚みには、ある限界値があり、垂直方向のビーム放射
角制御にも限界があった。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来、ビデオディスクやレーザプリンタ等の
光源として使用するためには、光出射端面からのビーム
放射角度を制御する必要があるが、これを活性層の厚み
を可変して行うには限度がある。また、活性層には他の
要因で決まる最適膜厚があり、活性層の膜厚をこの最適
膜厚から外すことは望ましくなかった。
光源として使用するためには、光出射端面からのビーム
放射角度を制御する必要があるが、これを活性層の厚み
を可変して行うには限度がある。また、活性層には他の
要因で決まる最適膜厚があり、活性層の膜厚をこの最適
膜厚から外すことは望ましくなかった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、活性層の厚みに関係なくビーム放射
角度を制御することができ、ビデオディスクやレーザプ
リンタ等への光源として用いるのに有効な半導体レーザ
装置及びその製造方法を提供することにある。
的とするところは、活性層の厚みに関係なくビーム放射
角度を制御することができ、ビデオディスクやレーザプ
リンタ等への光源として用いるのに有効な半導体レーザ
装置及びその製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、ダブルヘテロ構造部の光出射端面にお
いて、クラッド層に対し活性層を突出若しくは後退させ
ることにより、光出射端面からのビーム放射角度を制御
することにある。
いて、クラッド層に対し活性層を突出若しくは後退させ
ることにより、光出射端面からのビーム放射角度を制御
することにある。
即ち本発明は、活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテ
ロ構造部を有する半導体レーザ装置において、ダブルヘ
テロ構造部の光出射端面で、活性層をクラッド層よりも
光出射方向に対して前方又は後方に位置させるようにし
たものである。
ロ構造部を有する半導体レーザ装置において、ダブルヘ
テロ構造部の光出射端面で、活性層をクラッド層よりも
光出射方向に対して前方又は後方に位置させるようにし
たものである。
また本発明は、上記半導体レーザ装置の製造方法におい
て、化合物半導体基板上に、活性層をクラッド層で挟ん
だダブルヘテロ構造部を形成したのち、ダブルヘテロ構
造部の光出射端面を、活性層とクラッド層とでエツチン
グ速度の異なるエツチング液を用いて所定量エツチング
するようにした方法である。
て、化合物半導体基板上に、活性層をクラッド層で挟ん
だダブルヘテロ構造部を形成したのち、ダブルヘテロ構
造部の光出射端面を、活性層とクラッド層とでエツチン
グ速度の異なるエツチング液を用いて所定量エツチング
するようにした方法である。
（作用）
本発明によれば、光出射端面においてクラッド層に対し
活性層を突出させることにより、自励発振を起こすよう
な厚い活性層を持つレーザでも、ビーム放射角度を狭く
することが′できる。
活性層を突出させることにより、自励発振を起こすよう
な厚い活性層を持つレーザでも、ビーム放射角度を狭く
することが′できる。
また、逆に活性層を後退させることにより、ビーム放射
角度を広くすることができる。つまり、活性層の突出度
（又は後退度）により、光出射端面から放射されるビー
ムの放射角度をある程度自由に変えることが可能となる
。
角度を広くすることができる。つまり、活性層の突出度
（又は後退度）により、光出射端面から放射されるビー
ムの放射角度をある程度自由に変えることが可能となる
。
（実施ｆ！’４’）
以下、本発明の詳細を図示の実施例°によって説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの製造
工程を示す斜視図である。まず、第１図（ａ）に示す如
く、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、厚さ ０，８μｍの ｎ−１ｎｏ、Ｓ （Ｇａｏ、３Ａ１０．７ ） ｏ、
ｓ Ｐクラッド層１２．厚さ０．０６μｍのＩｎＧａＰ
活性層１３及び厚さ ０．８μｍの ｐ −１ｎｏ、ｓ （Ｇ ａｏ、ｉ Ａ ｌ ０．７
） ｏ、ｓ Ｐクラッド層１４を成長し、ダブルヘテ
ロ構造部を形成する。次いで、図示しない５ｉｎ２膜を
マスクにクラッド層１４の途中まで熱硫酸を用いてエツ
チングし、ストライブ状のメサを形成する。
工程を示す斜視図である。まず、第１図（ａ）に示す如
く、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、厚さ ０，８μｍの ｎ−１ｎｏ、Ｓ （Ｇａｏ、３Ａ１０．７ ） ｏ、
ｓ Ｐクラッド層１２．厚さ０．０６μｍのＩｎＧａＰ
活性層１３及び厚さ ０．８μｍの ｐ −１ｎｏ、ｓ （Ｇ ａｏ、ｉ Ａ ｌ ０．７
） ｏ、ｓ Ｐクラッド層１４を成長し、ダブルヘテ
ロ構造部を形成する。次いで、図示しない５ｉｎ２膜を
マスクにクラッド層１４の途中まで熱硫酸を用いてエツ
チングし、ストライブ状のメサを形成する。
その後、この５ｉｎ２膜を選択成長のマスクとして減圧
ＣＶＤ法を用いた選択成長により、Ｓｉｎ、マスクのあ
る部分を除いて厚さ１μｍのｎ ＧａＡｓ＠流阻止層
１５を成長し、メサ側部を電流阻止層１５で埋め込む。
ＣＶＤ法を用いた選択成長により、Ｓｉｎ、マスクのあ
る部分を除いて厚さ１μｍのｎ ＧａＡｓ＠流阻止層
１５を成長し、メサ側部を電流阻止層１５で埋め込む。
続いて、Ｓｔ、２Ｉｌｉを除去した後、露出したクラッ
ド層１４及び電流阻止層１５上に厚さ３μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓオーミックコンタクト層１６を成長形成する。
ド層１４及び電流阻止層１５上に厚さ３μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓオーミックコンタクト層１６を成長形成する。
ここまでの工程で、従来−船釣な埋込み型半導体レーザ
が得られるが、本実施例ではこれに続き光出射端面の選
択エツチングを行っている。
が得られるが、本実施例ではこれに続き光出射端面の選
択エツチングを行っている。
即ち、光出射端面となる共振器端面の一方を、ＳＨエッ
チャント（Ｈ２ＳＯ４： Ｈ２（ｈ ： Ｈ２Ｏ−３：
ｌ：ｌ）を用いて、２０℃で１分間エツチングする。こ
のＳＨエツｆ、ヤントによる各結晶のエツチング後度は
、ＩｎＧａＰに対しては略０で、 ＩｎＧａＡＩＰに対しては約１０ｒｖ／ｌｌ１ｉｎ 。
チャント（Ｈ２ＳＯ４： Ｈ２（ｈ ： Ｈ２Ｏ−３：
ｌ：ｌ）を用いて、２０℃で１分間エツチングする。こ
のＳＨエツｆ、ヤントによる各結晶のエツチング後度は
、ＩｎＧａＰに対しては略０で、 ＩｎＧａＡＩＰに対しては約１０ｒｖ／ｌｌ１ｉｎ 。
ＧａＡｓに対しては約２μｍ／ｓ＋Ｉｎである。その結
果、第１図（ｂ）に示す如く、活性層１３は殆どエツチ
ングされず、クラッド層１２．１４は端面より約１０ｎ
ｍｓ埋込み層１５及びコンタクト層１６は約２μｍエツ
チングされ、活性層１３→クラッド層１２．１４→電流
阻止層１５及びコンタクト層１６の順に前方（光出射方
向）へ突出した構造となった。
果、第１図（ｂ）に示す如く、活性層１３は殆どエツチ
ングされず、クラッド層１２．１４は端面より約１０ｎ
ｍｓ埋込み層１５及びコンタクト層１６は約２μｍエツ
チングされ、活性層１３→クラッド層１２．１４→電流
阻止層１５及びコンタクト層１６の順に前方（光出射方
向）へ突出した構造となった。
なお、ＳＨエッチャントの代わりに熱燐酸又は熱硫酸を
用いた場合は、活性層１３．電流阻止層１５及びコンタ
クト層１６は殆どエツチングされず、クラッド層１２．
１４のみエツチングされた構造となった。また、この光
出射端面のエツチングは、２倍の共振器長を持つバーの
状態で行い、その後にへき開により２分割して通常の共
振器長にした。
用いた場合は、活性層１３．電流阻止層１５及びコンタ
クト層１６は殆どエツチングされず、クラッド層１２．
１４のみエツチングされた構造となった。また、この光
出射端面のエツチングは、２倍の共振器長を持つバーの
状態で行い、その後にへき開により２分割して通常の共
振器長にした。
かくして得られる半導体レーザの作用を第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
まず、第１図（ａ）に示す構造では、第２図（ａ）に示
す如く、ビームウェスト位置が光出射端面より後方とな
り、ビーム広がり角度θが大きくなる。これに対し、第
１図（ｂ）に示す構造では、第２図（ｂ）に示す如く、
ビームウェスト位置が光出射端面より前方となり、ビー
ム広がり角度θが小さくなる。
す如く、ビームウェスト位置が光出射端面より後方とな
り、ビーム広がり角度θが大きくなる。これに対し、第
１図（ｂ）に示す構造では、第２図（ｂ）に示す如く、
ビームウェスト位置が光出射端面より前方となり、ビー
ム広がり角度θが小さくなる。
このメカニズムを第３図を参照してより詳しく説明する
。
。
まず、第１図（ａ）に示す構造では、第３図（ａ）に示
す如くレーザチップ内での位相が図のようになっている
とすると、レーザチップ内で距＃ａだけ進む間に空中で
はｂ（屈折率に反比例）だけ進む。従って、光出射端面
近傍の等位相面は図中太線破線で示す如く曲率の小さな
円弧となる。その点からの回折パターンは図のようにか
なり中心から離れた位置Ｘでも強度の強い（位相差が揃
う）ものになる。
す如くレーザチップ内での位相が図のようになっている
とすると、レーザチップ内で距＃ａだけ進む間に空中で
はｂ（屈折率に反比例）だけ進む。従って、光出射端面
近傍の等位相面は図中太線破線で示す如く曲率の小さな
円弧となる。その点からの回折パターンは図のようにか
なり中心から離れた位置Ｘでも強度の強い（位相差が揃
う）ものになる。
これに対し、第１図（ｂ）に示す構造では、第３図（ｂ
）に示す如く光出射端面近傍の等位相面は図中太線破線
で示す如く曲率の大きな円弧となる。なお、ここでは活
性層１３の突出長を上記距、Ｉｌａと等しくしている。
）に示す如く光出射端面近傍の等位相面は図中太線破線
で示す如く曲率の大きな円弧となる。なお、ここでは活
性層１３の突出長を上記距、Ｉｌａと等しくしている。
従って、上記Ｘに対応する位置Ｙでも、強度は光路差ｄ
があるため位相遅れを生じて暗くなる。つまり、活性層
１３を突出させることにより出射ビームの半値幅を小さ
くすることができ、光ビームの放射角度θを小さくする
ことができる。
があるため位相遅れを生じて暗くなる。つまり、活性層
１３を突出させることにより出射ビームの半値幅を小さ
くすることができ、光ビームの放射角度θを小さくする
ことができる。
ｔ５４図は遠視野像を示すもので、第４図（ａ）は第１
図（ａ）の構造（端面エツチング前）、第４図（ｂ）は
第１図（ｂ）の構造（端面エツチング後）に対応してい
る。半値幅となる放射角度は端面エツチング前のもので
は５０ｄｅｇに対し端面エツチング後のものでは４５ｄ
ｅｇとなっており、端面エツチングにより５ ｄｅｇの
狭小化が見られた。また、端面エツチング前とエツチン
グ後とで、戻り光に対する雑音特性には大きな変化は認
められなかった。さらに、レーザの諸特性（閾値電流１
反射率、信頼性）に変動は全く見られず、問題なく動作
することが確認された。
図（ａ）の構造（端面エツチング前）、第４図（ｂ）は
第１図（ｂ）の構造（端面エツチング後）に対応してい
る。半値幅となる放射角度は端面エツチング前のもので
は５０ｄｅｇに対し端面エツチング後のものでは４５ｄ
ｅｇとなっており、端面エツチングにより５ ｄｅｇの
狭小化が見られた。また、端面エツチング前とエツチン
グ後とで、戻り光に対する雑音特性には大きな変化は認
められなかった。さらに、レーザの諸特性（閾値電流１
反射率、信頼性）に変動は全く見られず、問題なく動作
することが確認された。
かくして本実施例によれば、光出射端面を選択エツチン
グして活性層をクラッド層に対して突出させているので
、ビーム放射角度θを小さくすることができる。このた
め、ビームを小さく絞り込むことが可能となり、ビデオ
ディスク等の光源として極めて有効である。さらに、活
性層１３の膜厚により放射角度をルリ御するものとは異
なり、活性層１３の膜厚は最適膜厚のまま放射角度θを
所望する角度に設定することが可能となり、その有用性
は絶大である。また、従来装置に端面エツチングを施す
のみで簡易に実現し得る等の利点もある。
グして活性層をクラッド層に対して突出させているので
、ビーム放射角度θを小さくすることができる。このた
め、ビームを小さく絞り込むことが可能となり、ビデオ
ディスク等の光源として極めて有効である。さらに、活
性層１３の膜厚により放射角度をルリ御するものとは異
なり、活性層１３の膜厚は最適膜厚のまま放射角度θを
所望する角度に設定することが可能となり、その有用性
は絶大である。また、従来装置に端面エツチングを施す
のみで簡易に実現し得る等の利点もある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記エツチング液としては硫酸、燐酸、又
はこれらと過酸化水素水及び水との混合液に限るもので
はなく、活性層とクラッド層とでエツチング速度が異な
るものであればよい。また、クラッド層に対し活性層を
突出させる代わりに、活性層を後退させることによりビ
ーム放射角度を大きくすることも可能である。また、実
施例ではりッジ導波型の屈折率導波構造レーザについて
述べたが、利得導波型のレーザでもよく、さらにＩｎＧ
ａＡＩＰ系レーザに限らず、ＧａＡｌＡｓレーザにおい
ても適用できることは勿論である。この場合、ＨＦ系エ
ッチャント又は燐酸を使用することにより活性層を前方
に、アンモニア系エッチャントを使用することにより活
性層を後方に位置させることが可能である。また、端面
のエツチングはチップの状態で行ってもよく、端面をエ
ツチング後Ａｔ２０．等のコーティングを行ってもよい
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
い。例えば、前記エツチング液としては硫酸、燐酸、又
はこれらと過酸化水素水及び水との混合液に限るもので
はなく、活性層とクラッド層とでエツチング速度が異な
るものであればよい。また、クラッド層に対し活性層を
突出させる代わりに、活性層を後退させることによりビ
ーム放射角度を大きくすることも可能である。また、実
施例ではりッジ導波型の屈折率導波構造レーザについて
述べたが、利得導波型のレーザでもよく、さらにＩｎＧ
ａＡＩＰ系レーザに限らず、ＧａＡｌＡｓレーザにおい
ても適用できることは勿論である。この場合、ＨＦ系エ
ッチャント又は燐酸を使用することにより活性層を前方
に、アンモニア系エッチャントを使用することにより活
性層を後方に位置させることが可能である。また、端面
のエツチングはチップの状態で行ってもよく、端面をエ
ツチング後Ａｔ２０．等のコーティングを行ってもよい
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、ダブルヘテロ構造
部の光出射端面において、クラッド層に対し活性層を突
出若しくは後退させることにより、光ビームの放射角度
を制御することができる。従って、活性層の厚みに関係
なく光出射端面からの光ビームの放射、角度を１１制御
することができ、ビデオディスクやレーザプリンタ等へ
の光源として適した半導体レーザ装置を実現することが
可能となる。
部の光出射端面において、クラッド層に対し活性層を突
出若しくは後退させることにより、光ビームの放射角度
を制御することができる。従って、活性層の厚みに関係
なく光出射端面からの光ビームの放射、角度を１１制御
することができ、ビデオディスクやレーザプリンタ等へ
の光源として適した半導体レーザ装置を実現することが
可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ装置の
製造工程を示す斜視図、第２図乃至第４図は上記実施例
の作用を説明するためのもので、第２図は光出射端面の
状態とビーム放射角度との関係を示す模式図、第３図は
光出射端面の違いによる光強度の変化を示す模式図、第
４図は光出射端面の違いによる遠視野像の違いを示す模
式図である。 １１−−− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１２−ｎ −
１ｎＧａＡ Ｉ Ｐクラッド層、１３−１ ｎ Ｇ ａ
Ｐ活性層、 １４−ｐ −１ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラッド層、１
５−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層、１６・・・ｐ−
ＧａＡｓコンタクト層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 図
製造工程を示す斜視図、第２図乃至第４図は上記実施例
の作用を説明するためのもので、第２図は光出射端面の
状態とビーム放射角度との関係を示す模式図、第３図は
光出射端面の違いによる光強度の変化を示す模式図、第
４図は光出射端面の違いによる遠視野像の違いを示す模
式図である。 １１−−− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１２−ｎ −
１ｎＧａＡ Ｉ Ｐクラッド層、１３−１ ｎ Ｇ ａ
Ｐ活性層、 １４−ｐ −１ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラッド層、１
５−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層、１６・・・ｐ−
ＧａＡｓコンタクト層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 図
Claims (2)
- （１）活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部
を有する半導体レーザ装置において、前記ダブルヘテロ
構造部の光出射端面で、前記活性層が前記クラッド層よ
りも光出射方向に対して前方又は後方に位置してなるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）化合物半導体基板上に、活性層をクラッド層で挟
んだダブルヘテロ構造部を形成する工程と、前記ダブル
ヘテロ構造部の光出射端面を、活性層とクラッド層とで
エッチング速度の異なるエッチング液を用いて所定量エ
ッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1778389A JPH02199889A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1778389A JPH02199889A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH02199889A true JPH02199889A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11953319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1778389A Pending JPH02199889A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH02199889A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0593031A3 (en) * | 1992-10-14 | 1994-09-07 | Sony Corp | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
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-
1989
- 1989-01-30 JP JP1778389A patent/JPH02199889A/ja active Pending
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