JPH02199891A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH02199891A JPH02199891A JP1913589A JP1913589A JPH02199891A JP H02199891 A JPH02199891 A JP H02199891A JP 1913589 A JP1913589 A JP 1913589A JP 1913589 A JP1913589 A JP 1913589A JP H02199891 A JPH02199891 A JP H02199891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mesa
- buried
- stripe
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 101001072765 Homo sapiens Neutral alpha-glucosidase AB Proteins 0.000 description 1
- 102100036592 Neutral alpha-glucosidase AB Human genes 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信等に用いられる半導体レーザに関する。
光ファイバ道信用光源として広く用いられている波長１
．３なしい１．５５ミクロンのＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ？
半導体レーザ（ＬＤ）の構造としては、屈折率導波型が
よく用いられている。特に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰダ
ブルへテロ構造を成長した後、メサストライプを形成し
、５ｉ０２などを選択マスクとして用いて電流ブロック
層を埋め込み成長する埋め込みへテロ構造（ＢＨ）が一
般的である。ＢＨ−ＬＤでは電流が効率よく活性層内に
注入されやすく、また基本モード特性にすぐれるといっ
た特徴がある。メサストライプ両側の電流ブロック層に
はｐ型およびｎ型りｎ？層を用いてサイリスタ構造を形
成し、ブレークダウン電圧以下に保って漏れ電流を防ぐ
方法が一般的である。しかし、その漏れ電流も全くは無
視できないこと、またｐｎ接合界面に容量が存在し、高
速変調時に変調効率が低下することなどから高抵抗Ｉｎ
Ｐ層を電流ブロック層として用いることが考え出された
。高抵抗層なら漏れ電流は非常に小さいし、素子容量も
大幅に低減することができる。
．３なしい１．５５ミクロンのＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ？
半導体レーザ（ＬＤ）の構造としては、屈折率導波型が
よく用いられている。特に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰダ
ブルへテロ構造を成長した後、メサストライプを形成し
、５ｉ０２などを選択マスクとして用いて電流ブロック
層を埋め込み成長する埋め込みへテロ構造（ＢＨ）が一
般的である。ＢＨ−ＬＤでは電流が効率よく活性層内に
注入されやすく、また基本モード特性にすぐれるといっ
た特徴がある。メサストライプ両側の電流ブロック層に
はｐ型およびｎ型りｎ？層を用いてサイリスタ構造を形
成し、ブレークダウン電圧以下に保って漏れ電流を防ぐ
方法が一般的である。しかし、その漏れ電流も全くは無
視できないこと、またｐｎ接合界面に容量が存在し、高
速変調時に変調効率が低下することなどから高抵抗Ｉｎ
Ｐ層を電流ブロック層として用いることが考え出された
。高抵抗層なら漏れ電流は非常に小さいし、素子容量も
大幅に低減することができる。
高抵抗層を得る手段としては、Ｆｅをドーピングするこ
とが一般的である。結晶成長方法としては液相エピタキ
シャル成長法（ＬＰＥ） 、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＶＰＥ） 、気相成長法（ＶＰＥ）が実際に用いられて
いる。各成長法ともそれぞれ長所はあるが、ＭＯＶＰＥ
法は大面積均一成長や膜厚の微細な制御が可能であり、
活性層厚の薄いＢＨ−ＬＤや量子井戸構造ＬＤの作製な
どに適している。
とが一般的である。結晶成長方法としては液相エピタキ
シャル成長法（ＬＰＥ） 、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＶＰＥ） 、気相成長法（ＶＰＥ）が実際に用いられて
いる。各成長法ともそれぞれ長所はあるが、ＭＯＶＰＥ
法は大面積均一成長や膜厚の微細な制御が可能であり、
活性層厚の薄いＢＨ−ＬＤや量子井戸構造ＬＤの作製な
どに適している。
高抵抗ＩｎＰ層を電流ブロック層として用いたＢＨ−Ｌ
Ｄの従来例を第３図に示す、第３図（ａ）は（００１）
方位のｎ型１ｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、
ｐ型１ｏＰクラッド層３およびｐ型ｒｎＧａ＾ｓＰキャ
ップ層５をまず成長し、（１１１）Ａ面が出るように逆
メサ状にエツチングしてメサストライプを形成した後、
高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１をメサストライプの両側に
埋め込み成長し、最後にｐ側電極２・１およびｎ側電極
２２を形成してＢＨ−ＬＤとする。第１図（ｂ）の方は
（１１０）面が出るように垂直にメサエッチングを行な
っている。また、３回目の成長として第２のｐ型ＩｎＰ
クラッド層４とｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５を全面
に成長している。
Ｄの従来例を第３図に示す、第３図（ａ）は（００１）
方位のｎ型１ｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、
ｐ型１ｏＰクラッド層３およびｐ型ｒｎＧａ＾ｓＰキャ
ップ層５をまず成長し、（１１１）Ａ面が出るように逆
メサ状にエツチングしてメサストライプを形成した後、
高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１をメサストライプの両側に
埋め込み成長し、最後にｐ側電極２・１およびｎ側電極
２２を形成してＢＨ−ＬＤとする。第１図（ｂ）の方は
（１１０）面が出るように垂直にメサエッチングを行な
っている。また、３回目の成長として第２のｐ型ＩｎＰ
クラッド層４とｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５を全面
に成長している。
ＭＯＶＰＥ法で埋め込み成長を良好に行なうためにはメ
サストライプの形状に制約が出てくる。
サストライプの形状に制約が出てくる。
第３図（ａ）のような逆メサは一般にメサの高さが１ミ
クロン以下でないと平坦に埋め込めず、メサ側面に沿っ
て多結晶が盛りあがるように成長しやすい、メサ高さが
１ミクロンでは光のフィールドの一部が半導体からはみ
出してしまい、特性の悪化を招く、また高抵抗１ｎＰ埋
め込み層１１も厚さ１ミクロン程度では耐圧、容量とも
充分な値が取れない懸念が生じる。
クロン以下でないと平坦に埋め込めず、メサ側面に沿っ
て多結晶が盛りあがるように成長しやすい、メサ高さが
１ミクロンでは光のフィールドの一部が半導体からはみ
出してしまい、特性の悪化を招く、また高抵抗１ｎＰ埋
め込み層１１も厚さ１ミクロン程度では耐圧、容量とも
充分な値が取れない懸念が生じる。
第３図（ｂ）の垂直メサでもメサ高さが高いと良好に埋
め込みにくく、また素子抵抗が高くなってしまう、第３
図（ｂ）のように第２のｐ型１ｎＰクラッド層４を全面
に成長すれば素子抵抗の問題は解決するが、高抵抗層に
Ｆｅを利用した場合、Ｆｅは注入される電子のみをトラ
ップし、ホールはトラップしないので第２のｐ型ＩｎＰ
クラッド層４から大及の漏れ電流が高抵抗１ｎＰ埋め込
み層１１に流れてしまう。
め込みにくく、また素子抵抗が高くなってしまう、第３
図（ｂ）のように第２のｐ型１ｎＰクラッド層４を全面
に成長すれば素子抵抗の問題は解決するが、高抵抗層に
Ｆｅを利用した場合、Ｆｅは注入される電子のみをトラ
ップし、ホールはトラップしないので第２のｐ型ＩｎＰ
クラッド層４から大及の漏れ電流が高抵抗１ｎＰ埋め込
み層１１に流れてしまう。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、量産性にすぐれ
たＭＯＶＰＥにより容易に作製でき、かつ均一性、再現
性にすぐれたＢＨ−ＬＤを提供することにある。
たＭＯＶＰＥにより容易に作製でき、かつ均一性、再現
性にすぐれたＢＨ−ＬＤを提供することにある。
本発明の半導体レーザの製造方法は、第１導電型半導体
基板上に、少なくとも活性層および活性層よりもバンド
ギャップの大きい第２導電型半導体クラッド層を成長し
て積層構造を形成する工程と、前記積層構造を前記活性
層下の第１導電型半導体までメサエッチングしてメサス
トライプを形成する工程と、メサ上部を除く領域〈メサ
ストライプの両側）に高抵抗半導体層を埋め込み成長す
る工程と、全面に第２導電型半導体層を成長する工程と
、前記高抵抗半導体層までメサエッチングして前記メサ
ストライプと中心線がほぼ一致するように新たにメサス
トライプを形成する工程と、メサ上部を除く領域（メサ
ストライプの両側）に新たに高抵抗半導体層を埋め込み
成長する工程とを少くとも含むことを特徴とする半導体
レーザの製造方法である。
基板上に、少なくとも活性層および活性層よりもバンド
ギャップの大きい第２導電型半導体クラッド層を成長し
て積層構造を形成する工程と、前記積層構造を前記活性
層下の第１導電型半導体までメサエッチングしてメサス
トライプを形成する工程と、メサ上部を除く領域〈メサ
ストライプの両側）に高抵抗半導体層を埋め込み成長す
る工程と、全面に第２導電型半導体層を成長する工程と
、前記高抵抗半導体層までメサエッチングして前記メサ
ストライプと中心線がほぼ一致するように新たにメサス
トライプを形成する工程と、メサ上部を除く領域（メサ
ストライプの両側）に新たに高抵抗半導体層を埋め込み
成長する工程とを少くとも含むことを特徴とする半導体
レーザの製造方法である。
本発明では高抵抗１ｎＰ埋め込み層を２回に分けて成長
するので耐圧、容量とも充分な値が取れる。また、メサ
高さもそれほど深くなくてすむので埋め込みも良好に再
現性よく行なえ、活性層幅の制御も容易である。さらに
、ｐ型１ｏＰクラッド層の幅が上の方（電極に近い部分
）で広くできるので素子抵抗も高くならない、ｐ型Ｉｎ
Ｐ層と高抵抗層とが触れる面積が大きくないのでホール
電流も大きくならない。
するので耐圧、容量とも充分な値が取れる。また、メサ
高さもそれほど深くなくてすむので埋め込みも良好に再
現性よく行なえ、活性層幅の制御も容易である。さらに
、ｐ型１ｏＰクラッド層の幅が上の方（電極に近い部分
）で広くできるので素子抵抗も高くならない、ｐ型Ｉｎ
Ｐ層と高抵抗層とが触れる面積が大きくないのでホール
電流も大きくならない。
以下、本発明を用いて実際にＢＨ−ＬＤを作製した結果
について述べる。
について述べる。
第１図は作製したＢＨ−ＬＤの断面図、第２図はその作
製工程を示す図である。結晶成長はすべてＭＯＶＥＰ法
を用いて行なった。まず、（００１）ｎ型１ｎＰ基板１
に第１回目の成長として、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層２（λ、＝１．５５ミクロン、厚さ０．１０ミクロ
ン）とＩｎドープｐ型ＩｏＰクラッド層３（キャリア濃
度ｐ≧７ Ｘ １０１７ａｍ−’厚さ０゜５ミクロン）
を成長して積層構造を形成した。次に＜１１０＞方向に
幅２ミクロン、間隔３００ミクロンの５ｉ０２ストライ
プ３１を形成し、塩酸系エツチング液により積層構造を
深さ約１ミクロンに垂直エツチングし、メサストライプ
を形成した。そして前記の５ｉ０２ストライブを選択マ
スクとしてＦｅドープ高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１をメ
サストライプの両側に埋め込み成長したく第２図（ａ）
）、表面はほぼ完全に平坦化された０次にＳｉＯ□スト
ライプ３１をはく離し、第３回目の成長としてＺｎドー
プの第２のｐ型ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度ｐ％
Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’、厚さ１ミクロン） 、ｌ
ｒｒドープｐ型１ｎＧａＡｓＰキー’ｔ”ｙブ層５（λ
、＝１ｊミクロン、キャリア濃度ｐ〜１×１０１９ｃ＋
ａ−’、厚さ０．３ミクロン）を全面に成長した（第２
図（ｂ））。さらに、ＳｉＯ□ストライプ３１を幅５ミ
クロンで中央が第１のメサと一致するように形成し、塩
酸系エツチング液で垂直エツチングを再度行なった（第
２図（Ｃ））。エツチング深さは約１．５ミクロンで、
前記高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１の一部にまでおよんで
いる。そして再びＦｅドープ高抵抗１ｎＰ埋め込みＪｉ
１２を埋め込み成長し、表面を平坦化した。Ｓ ｉ０２
ストライプ３１をはく離しく第２図（ｄ）） 、後は両
面に電極２１．２２をそれぞれ形成し、へき開により共
振器長３００ミクロンのＬＤとした（第１図）。
製工程を示す図である。結晶成長はすべてＭＯＶＥＰ法
を用いて行なった。まず、（００１）ｎ型１ｎＰ基板１
に第１回目の成長として、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層２（λ、＝１．５５ミクロン、厚さ０．１０ミクロ
ン）とＩｎドープｐ型ＩｏＰクラッド層３（キャリア濃
度ｐ≧７ Ｘ １０１７ａｍ−’厚さ０゜５ミクロン）
を成長して積層構造を形成した。次に＜１１０＞方向に
幅２ミクロン、間隔３００ミクロンの５ｉ０２ストライ
プ３１を形成し、塩酸系エツチング液により積層構造を
深さ約１ミクロンに垂直エツチングし、メサストライプ
を形成した。そして前記の５ｉ０２ストライブを選択マ
スクとしてＦｅドープ高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１をメ
サストライプの両側に埋め込み成長したく第２図（ａ）
）、表面はほぼ完全に平坦化された０次にＳｉＯ□スト
ライプ３１をはく離し、第３回目の成長としてＺｎドー
プの第２のｐ型ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度ｐ％
Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’、厚さ１ミクロン） 、ｌ
ｒｒドープｐ型１ｎＧａＡｓＰキー’ｔ”ｙブ層５（λ
、＝１ｊミクロン、キャリア濃度ｐ〜１×１０１９ｃ＋
ａ−’、厚さ０．３ミクロン）を全面に成長した（第２
図（ｂ））。さらに、ＳｉＯ□ストライプ３１を幅５ミ
クロンで中央が第１のメサと一致するように形成し、塩
酸系エツチング液で垂直エツチングを再度行なった（第
２図（Ｃ））。エツチング深さは約１．５ミクロンで、
前記高抵抗１ｎＰ埋め込み層１１の一部にまでおよんで
いる。そして再びＦｅドープ高抵抗１ｎＰ埋め込みＪｉ
１２を埋め込み成長し、表面を平坦化した。Ｓ ｉ０２
ストライプ３１をはく離しく第２図（ｄ）） 、後は両
面に電極２１．２２をそれぞれ形成し、へき開により共
振器長３００ミクロンのＬＤとした（第１図）。
なお、Ｆｅのトラップ濃度は約３ Ｘ １０ ”ｃｍ−
’であった。
’であった。
作製したＢＨ−ＬＤはｐ側を下にして（ｐ−ｓｉｄｅ
ｄｏｗｎ）Ｓｔヒートシクに融着して特性を評価しな
。２５℃でのしきい値電流は３０個のＢＨ−ＬＤの平均
で１５．１ｍＡであり、効率は平均０．１９Ｗ／Ａ、最
大０．２３Ｗ／Ａであった。また最大出力は４０ｍＷが
得られた。これらの静特性は従来のＢＨ−ＬＤと比べて
同等以上であり高抵抗埋め込み層を流れるリーク電流が
少ないことを示している。また素子間の特性のばらつき
も小さく、これは本発明の作製方法ではメサ高さが１〜
１．５ミクロンであるためメサ幅の制御がしやすく、ま
た再現性よく平坦に埋め込み成長できるためである。ま
た高抵抗埋め込み層の膜厚がトータル２．３ミクロンと
充分に厚いため、電流狭窄が充分行なわれ、素子容量も
６ｐＦと低かった。また、ｐ −１ｎＰクラッド層の幅
が狭い部分が活性層の直上０．５ミクロンしかなく、そ
の上部は幅５ミクロンと広いため、素子抵抗も５オーム
と低かった。変調特性も良好で、８ｍＷ出力時の３ｄＢ
ダウン帯域周波数は１２ＧＨ２であった。
ｄｏｗｎ）Ｓｔヒートシクに融着して特性を評価しな
。２５℃でのしきい値電流は３０個のＢＨ−ＬＤの平均
で１５．１ｍＡであり、効率は平均０．１９Ｗ／Ａ、最
大０．２３Ｗ／Ａであった。また最大出力は４０ｍＷが
得られた。これらの静特性は従来のＢＨ−ＬＤと比べて
同等以上であり高抵抗埋め込み層を流れるリーク電流が
少ないことを示している。また素子間の特性のばらつき
も小さく、これは本発明の作製方法ではメサ高さが１〜
１．５ミクロンであるためメサ幅の制御がしやすく、ま
た再現性よく平坦に埋め込み成長できるためである。ま
た高抵抗埋め込み層の膜厚がトータル２．３ミクロンと
充分に厚いため、電流狭窄が充分行なわれ、素子容量も
６ｐＦと低かった。また、ｐ −１ｎＰクラッド層の幅
が狭い部分が活性層の直上０．５ミクロンしかなく、そ
の上部は幅５ミクロンと広いため、素子抵抗も５オーム
と低かった。変調特性も良好で、８ｍＷ出力時の３ｄＢ
ダウン帯域周波数は１２ＧＨ２であった。
本実施例は一つの例であり、層構造、メサ形状、エツチ
ング液などは異なるものでもさしつかえない、また他の
材料系、例えばＧＩＩＡ！１ｂＩＧａＡｓ系材料を用い
た半導体レーザにも適用することが可能である。
ング液などは異なるものでもさしつかえない、また他の
材料系、例えばＧＩＩＡ！１ｂＩＧａＡｓ系材料を用い
た半導体レーザにも適用することが可能である。
以上述べてきたように、本発明によってＭＯＶＰＥ法を
用いた高抵抗埋め込みＬＤが充分厚い埋め込み層厚と充
分狭い活性層幅を有し、かつ素子抵抗も高くならず、再
現性よく作製できる。なお、本発明では成長回数が４回
となるが、ＭＯＶＰＥ成長はＬＰＥ成長と違って成長回
数の場加による製作工数の増大はそれほど問題にはなら
ない。
用いた高抵抗埋め込みＬＤが充分厚い埋め込み層厚と充
分狭い活性層幅を有し、かつ素子抵抗も高くならず、再
現性よく作製できる。なお、本発明では成長回数が４回
となるが、ＭＯＶＰＥ成長はＬＰＥ成長と違って成長回
数の場加による製作工数の増大はそれほど問題にはなら
ない。
第１図は本発明による半導体レーザの構造を表わす断面
図、２図は本発明による半導体レーザの製造方法を表わ
す工程図、第３図は従来例を表わす半導体レーザの断面
図である。 １−・−ｎ型１ｎ？基板、２−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、
３・・・ｐ型１ｎＰクラッド層、４・・・第２のｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５・・・ｐ型１ｏＧａＡｓＰキャップ
層、１１・・・高抵抗１ｎＰ埋め込み層、１２・・・高
抵抗１ｎＰ埋め込み層（２） 、 ２１・・・ｐ側電極
、２２・・・ｎ側電極、３１・・・５ｉ０２ストライブ
。 代理人 弁理士 内 原 晋 り１因
図、２図は本発明による半導体レーザの製造方法を表わ
す工程図、第３図は従来例を表わす半導体レーザの断面
図である。 １−・−ｎ型１ｎ？基板、２−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、
３・・・ｐ型１ｎＰクラッド層、４・・・第２のｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５・・・ｐ型１ｏＧａＡｓＰキャップ
層、１１・・・高抵抗１ｎＰ埋め込み層、１２・・・高
抵抗１ｎＰ埋め込み層（２） 、 ２１・・・ｐ側電極
、２２・・・ｎ側電極、３１・・・５ｉ０２ストライブ
。 代理人 弁理士 内 原 晋 り１因
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板上に、少なくとも活性層および
活性層よりもバンドギャップの大きい第２導電型半導体
クラッド層を成長して積層構造を形成する工程と、前記
積層構造を前記活性層下の第１導電型半導体までメサエ
ッチングしてメサストライプを形成した後、メサ上部を
除く領域（メサストライプの両側）に高抵抗半導体層を
埋め込み成長する工程と、全面に第２導電型半導体層を
成長する工程と、前記高抵抗半導体層までメサエッチン
グして前記メサストライプと中心線がほぼ一致するよう
に新たにメサストライプを形成した後、メサ上部を除く
領域（メサストライプの両側）に新たに高抵抗半導体層
を埋め込み成長する工程とを少くとも含むことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1913589A JPH02199891A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1913589A JPH02199891A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199891A true JPH02199891A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11991018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1913589A Pending JPH02199891A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199891A (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1913589A patent/JPH02199891A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61190993A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPS61284987A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP7145936B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH02199891A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6318874B2 (ja) | ||
| JP2873462B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH06104527A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6237913B2 (ja) | ||
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2550718B2 (ja) | 高抵抗埋め込み半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS58131787A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6292385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62259490A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPH03120775A (ja) | 埋め込み構造半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS6241437B2 (ja) | ||
| JPS622718B2 (ja) | ||
| JPH01166592A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS622720B2 (ja) | ||
| JPH0350885A (ja) | 埋め込み型半導体光素子 | |
| JPS6241436B2 (ja) | ||
| JPH01185988A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS61104687A (ja) | 埋込み型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0433387A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |