JPH0433387A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH0433387A JPH0433387A JP2141085A JP14108590A JPH0433387A JP H0433387 A JPH0433387 A JP H0433387A JP 2141085 A JP2141085 A JP 2141085A JP 14108590 A JP14108590 A JP 14108590A JP H0433387 A JPH0433387 A JP H0433387A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は長距離光フアイバー通信における光源として必
須である長波長帯大出力半導体レーザに関すも 従来の技術 光通信の長距離化にともない大出力・高温特性の良好な
半導体レーザの開発か重要となってき旭光通信に用いら
れる半導体レーザは光ファイバーの低損失領域に適合す
る発振波長を有するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系が主に用
いられている。この系での半導体レーザζよ 基本横モ
ード発振 低しきい４Ｌ 高効率発振が容易に得られ
る埋め込み構造が主に用いられている力（この中で第３
図に示す構造はＤＣ−ＰＢＨ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎ
ｎｅｌ−Ｐｌａｒａｒ Ｂｕｒｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ
）型ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）と呼ばれ高温・高
出力動作の点で有利な構造である（例えば０ＱＥ８２−
９８）。ここで１はｎ−ＩｎＰ基板、 ２はｎ−Ｉｒ＋
Ｐバッファ＃ ３はＩｎＧａＡｓＰ活性層（バンドギャ
ップ波長λｇ＝１．３μｍ）、 ４はＰ−ＩｎＰクラッ
ド恩 ５はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ６は７ｌ−Ｉ７１Ｐ埋込
凰 ７はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ８はＰ−ＩｎＧａＡｓＰＤ
ンタクト層（２ｇ−１，３μｍ）である。この構造の特
徴は通常の埋込型ＬＤが発光部となるメサストライプ９
以外の活性層３をすべて除去したのち埋込層（５〜８）
を形成するのに対し メサストライプ９に隣接したダブ
ルチャンネル領域１０のみの活性層３を除去してその外
側の埋込領域に活性層３と同じ四元層を残しておく点で
ある。この結果電流挟挿領域を構成するＰｎＰｎ型サイ
リスタ構造のベース層の一部がＩｎＧａＡｓＰで構成さ
れるためにブレーク・オーバー電圧が高く、ベーカ電流
に対する電流増幅率も１ｎＰのみで構成されるサイリス
タよりも小さいので、大電流を流してもサイリスタ動作
を起こしにくく、埋込リーク電流による光出力飽和が小
さし見従って大出力動作および高温動作が可能となもこ
のレーザを作製するには通常ｎ−ＩｎＰ基板ｌ上にｎＩ
ｎＰバッファ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、およびＰ
−ＩｎＰクラッド層を順次エピタキシャル成長したのち
ダブルチャンネル領域１０以外をマスクして、この領域
を活性層３の下までエツチングしたの板 マスク材を除
去したのち液相エピタキシャル成長法によりＰ−ＩｎＦ
３． ｎ−ＩｎＦ３． ｎ−ＩｎＦ３． Ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ８を成長させも 液相成長の場合メサストライプ
幅が細く （５μｍ以下）、メサの段差が十分高い（２
μｍ以上）場合はメサストライプの上には成長層は積層
しないので、埋込第１層であるＰ−ＩｎＰ埋込層５、第
２層であるｎ−ＩｎＰ埋込層はメサストライプ上には成
長しないので自動的に電流挟挿構造が形成され第３図に
示す構造を得ることができる。ところでここで問題とな
るのはこのタプルチャンネルのエツチングの方法である
カミ ストライプ方向を＜０１１＞方向とし マスク材
としてネガレジストを用いエツチング液としてＢｒ−メ
タノールを用いた時は第３図に示すようにダブルチャン
ネルの側面は主面（１００）面に対して鈍角をなすいわ
ゆる順メサ形状となる。
須である長波長帯大出力半導体レーザに関すも 従来の技術 光通信の長距離化にともない大出力・高温特性の良好な
半導体レーザの開発か重要となってき旭光通信に用いら
れる半導体レーザは光ファイバーの低損失領域に適合す
る発振波長を有するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系が主に用
いられている。この系での半導体レーザζよ 基本横モ
ード発振 低しきい４Ｌ 高効率発振が容易に得られ
る埋め込み構造が主に用いられている力（この中で第３
図に示す構造はＤＣ−ＰＢＨ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎ
ｎｅｌ−Ｐｌａｒａｒ Ｂｕｒｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ
）型ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）と呼ばれ高温・高
出力動作の点で有利な構造である（例えば０ＱＥ８２−
９８）。ここで１はｎ−ＩｎＰ基板、 ２はｎ−Ｉｒ＋
Ｐバッファ＃ ３はＩｎＧａＡｓＰ活性層（バンドギャ
ップ波長λｇ＝１．３μｍ）、 ４はＰ−ＩｎＰクラッ
ド恩 ５はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ６は７ｌ−Ｉ７１Ｐ埋込
凰 ７はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ８はＰ−ＩｎＧａＡｓＰＤ
ンタクト層（２ｇ−１，３μｍ）である。この構造の特
徴は通常の埋込型ＬＤが発光部となるメサストライプ９
以外の活性層３をすべて除去したのち埋込層（５〜８）
を形成するのに対し メサストライプ９に隣接したダブ
ルチャンネル領域１０のみの活性層３を除去してその外
側の埋込領域に活性層３と同じ四元層を残しておく点で
ある。この結果電流挟挿領域を構成するＰｎＰｎ型サイ
リスタ構造のベース層の一部がＩｎＧａＡｓＰで構成さ
れるためにブレーク・オーバー電圧が高く、ベーカ電流
に対する電流増幅率も１ｎＰのみで構成されるサイリス
タよりも小さいので、大電流を流してもサイリスタ動作
を起こしにくく、埋込リーク電流による光出力飽和が小
さし見従って大出力動作および高温動作が可能となもこ
のレーザを作製するには通常ｎ−ＩｎＰ基板ｌ上にｎＩ
ｎＰバッファ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、およびＰ
−ＩｎＰクラッド層を順次エピタキシャル成長したのち
ダブルチャンネル領域１０以外をマスクして、この領域
を活性層３の下までエツチングしたの板 マスク材を除
去したのち液相エピタキシャル成長法によりＰ−ＩｎＦ
３． ｎ−ＩｎＦ３． ｎ−ＩｎＦ３． Ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ８を成長させも 液相成長の場合メサストライプ
幅が細く （５μｍ以下）、メサの段差が十分高い（２
μｍ以上）場合はメサストライプの上には成長層は積層
しないので、埋込第１層であるＰ−ＩｎＰ埋込層５、第
２層であるｎ−ＩｎＰ埋込層はメサストライプ上には成
長しないので自動的に電流挟挿構造が形成され第３図に
示す構造を得ることができる。ところでここで問題とな
るのはこのタプルチャンネルのエツチングの方法である
カミ ストライプ方向を＜０１１＞方向とし マスク材
としてネガレジストを用いエツチング液としてＢｒ−メ
タノールを用いた時は第３図に示すようにダブルチャン
ネルの側面は主面（１００）面に対して鈍角をなすいわ
ゆる順メサ形状となる。
これはレジストマスクの場合半導体層との密着が悪いた
めにサイドエッチが大きいために順メサ形状になるもの
である。しかしながら活性層を含むメサストライプが順
メサの場合、活性層３の幅を１μｍ程度に制御するのは
難しい。というのはこの場合メサストライプの上辺の幅
は０．５〜０．７μｍ程度となりマスクのはがれや制御
性の点で問題となってくム 一方マスク材として５ｉＯ
ａを用ｕＸ、エツチング液としてＢｒメタノールを用い
た場合は第４図に示すようにメサ側面と主面となす角度
は鋭角すなわち逆メサ形状となる。この場合マスク材と
半導体層との密着も良好であり活性層幅を制御性良く挟
挿化することに関しては問題はないカミ ダブルチャン
ネルの外側の側面も鋭角となるために２回目の埋込成長
の際この部分でＰ−ＩｎＰ埋込層５、ｎ−１ｎＰ埋込層
６が薄くなったり段切れをおこしたりすも この様な段
切れや薄層化はこの領域での埋込リーク電流の原因とな
り、 ＬＤのしきい値電流の上昇の原因となるものであ
る。
めにサイドエッチが大きいために順メサ形状になるもの
である。しかしながら活性層を含むメサストライプが順
メサの場合、活性層３の幅を１μｍ程度に制御するのは
難しい。というのはこの場合メサストライプの上辺の幅
は０．５〜０．７μｍ程度となりマスクのはがれや制御
性の点で問題となってくム 一方マスク材として５ｉＯ
ａを用ｕＸ、エツチング液としてＢｒメタノールを用い
た場合は第４図に示すようにメサ側面と主面となす角度
は鋭角すなわち逆メサ形状となる。この場合マスク材と
半導体層との密着も良好であり活性層幅を制御性良く挟
挿化することに関しては問題はないカミ ダブルチャン
ネルの外側の側面も鋭角となるために２回目の埋込成長
の際この部分でＰ−ＩｎＰ埋込層５、ｎ−１ｎＰ埋込層
６が薄くなったり段切れをおこしたりすも この様な段
切れや薄層化はこの領域での埋込リーク電流の原因とな
り、 ＬＤのしきい値電流の上昇の原因となるものであ
る。
発明が解決しようとする課題
以上述べてきたように 従来の作製法においてはダブル
チャンネルの形状が順メサの場合 活性層幅の挟挿化・
制御性ということで問題があり、また逆メサ形状にした
場合はチャンネル外側の段差領域での埋込ブロック層の
段切れや薄層化か生じやすくなり、ひいては埋込り〜り
によるＬＤ特性の劣化を来たすことになるという問題が
あっ九課題を解決するための手段 上述の問題点を克服すべく、本発明はダブルチャンネル
の外側の側面は順メサであり、内側すなわち発光部とな
るメサストライプは垂直もしくは逆メサ形状であるダブ
ルチャンネル埋込型半導体レーザであり、ダブルチャン
ネルを形成すべく領域の外側の領域ではＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層上に 内側の領域すなわち発生メサストライ
プにおいてはＩｎＰクラッド層上に絶縁膜マスクを形成
し ダブルチャンネル領域を塩酸と過酸化水素水を含む
混合液でエツチングすることを特徴とする半導体レーザ
の製造方法である。
チャンネルの形状が順メサの場合 活性層幅の挟挿化・
制御性ということで問題があり、また逆メサ形状にした
場合はチャンネル外側の段差領域での埋込ブロック層の
段切れや薄層化か生じやすくなり、ひいては埋込り〜り
によるＬＤ特性の劣化を来たすことになるという問題が
あっ九課題を解決するための手段 上述の問題点を克服すべく、本発明はダブルチャンネル
の外側の側面は順メサであり、内側すなわち発光部とな
るメサストライプは垂直もしくは逆メサ形状であるダブ
ルチャンネル埋込型半導体レーザであり、ダブルチャン
ネルを形成すべく領域の外側の領域ではＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層上に 内側の領域すなわち発生メサストライ
プにおいてはＩｎＰクラッド層上に絶縁膜マスクを形成
し ダブルチャンネル領域を塩酸と過酸化水素水を含む
混合液でエツチングすることを特徴とする半導体レーザ
の製造方法である。
作用
上記手段により、発光メサストライプは垂直もしくは逆
メサ形状であるので活性層幅の挟挿化や制御性が良好と
なり、外側の領域は順メサであるので埋込エピの際 リ
ーク電流の原因となるブロッキング層の段切れや薄層化
は生じなしも また塩酸と過酸化水素を含むエツチング
液はＩｎＰに直接絶縁膜をマスクした時は逆メサ形状と
なるのに対しＩｎＧａＡｓＰ層を最上層とする場合は順
テーパとなるためこのような非対象ダブルチャンネル構
造を１回のエツチングで形成できるものである。
メサ形状であるので活性層幅の挟挿化や制御性が良好と
なり、外側の領域は順メサであるので埋込エピの際 リ
ーク電流の原因となるブロッキング層の段切れや薄層化
は生じなしも また塩酸と過酸化水素を含むエツチング
液はＩｎＰに直接絶縁膜をマスクした時は逆メサ形状と
なるのに対しＩｎＧａＡｓＰ層を最上層とする場合は順
テーパとなるためこのような非対象ダブルチャンネル構
造を１回のエツチングで形成できるものである。
実施例
以下本発明の実施例について記載する。第１図は本発明
による半導体レーザの埋込断面構造図である。ここで第
３図と同じく、 ｌはｎ−ＩｎＰ基板、 ２はｎ−Ｉｎ
ＰバッフｙＭ！、３はＩｎＧａＡｓＰ活性Ｎ、４はＰ−
ＩｎＰクラッド［５はＰ−ＩｎＰ埋込ＪｉｉＬ６はＰ−
ＩｎＰ埋込服 ７はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ８はＰ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ：＋ ＞タクト層であム 従来例（第３図・４
図）との違いはダブルチャンネル１００の側面形状が内
側すなわちメサストライプ９側では逆テーパ形状である
のに対し外側は順テーパという非対称構造である点であ
ム発光領域となるメサストライプは逆メサ形状であるの
で横モード単一化に必要な１μｍ程度の活性層幅を制御
性良好に形成することができも また外側の側面が順テ
ーパであるので埋込エピタキシャル層５，６の段切れや
細りが生じにくく、この領域での埋込リークは生じにく
く、高歩留で低しきい値単一横モード発振を得ることが
できも また従来例と同じくダブルチャンネル１００の
外側の電流ブロッキング領域には活性層３と同じＩｎＧ
ａＡｓＰ層が存在するのでサイリスタのターン・オーバ
ーによるリーク電流が生じにくく大出力動作・高温動作
が可能であることは本実施例でも同様であム 次に本実
施例の構造方法について第２図に記載す４まず第１のエ
ピタキシャル成長においてｎ−ＩｎＰ基板ｌ上にｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層（厚さｄ＝５μｍ）２、 ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層（ｄ＝０．１ μｍ） ３、Ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層（ｄ＝１μｍ）４、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
（ｄ＝０．１μｍ）２０を成長しタッチ〈０１１〉方向
への幅１２μｍのストライプ状領域を除いてマスキング
し この領域のＰ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層をＨ２Ｓ
Ｏ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝ １ ： ｌ ： ５のエツ
チング液を用いて除去したのちマスク材をとり除き第２
図（ａ）の構造を得る。次に全面にＳｉＮ膜２１を堆積
したのち通常のフォトリソグラフィーにより、Ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ２０を除去した領域に幅５μｍ間隔２μｍの
１対のストライプ拡きパターンを形成したの＆ ＣＦ
−系のドライエツチングによりＳｉＮ膜２１を除去した
のちレジストを除去し第２図（ｂ）に示す構造を得る。
による半導体レーザの埋込断面構造図である。ここで第
３図と同じく、 ｌはｎ−ＩｎＰ基板、 ２はｎ−Ｉｎ
ＰバッフｙＭ！、３はＩｎＧａＡｓＰ活性Ｎ、４はＰ−
ＩｎＰクラッド［５はＰ−ＩｎＰ埋込ＪｉｉＬ６はＰ−
ＩｎＰ埋込服 ７はＰ−ＩｎＰ埋込恩 ８はＰ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ：＋ ＞タクト層であム 従来例（第３図・４
図）との違いはダブルチャンネル１００の側面形状が内
側すなわちメサストライプ９側では逆テーパ形状である
のに対し外側は順テーパという非対称構造である点であ
ム発光領域となるメサストライプは逆メサ形状であるの
で横モード単一化に必要な１μｍ程度の活性層幅を制御
性良好に形成することができも また外側の側面が順テ
ーパであるので埋込エピタキシャル層５，６の段切れや
細りが生じにくく、この領域での埋込リークは生じにく
く、高歩留で低しきい値単一横モード発振を得ることが
できも また従来例と同じくダブルチャンネル１００の
外側の電流ブロッキング領域には活性層３と同じＩｎＧ
ａＡｓＰ層が存在するのでサイリスタのターン・オーバ
ーによるリーク電流が生じにくく大出力動作・高温動作
が可能であることは本実施例でも同様であム 次に本実
施例の構造方法について第２図に記載す４まず第１のエ
ピタキシャル成長においてｎ−ＩｎＰ基板ｌ上にｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層（厚さｄ＝５μｍ）２、 ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層（ｄ＝０．１ μｍ） ３、Ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層（ｄ＝１μｍ）４、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
（ｄ＝０．１μｍ）２０を成長しタッチ〈０１１〉方向
への幅１２μｍのストライプ状領域を除いてマスキング
し この領域のＰ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層をＨ２Ｓ
Ｏ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝ １ ： ｌ ： ５のエツ
チング液を用いて除去したのちマスク材をとり除き第２
図（ａ）の構造を得る。次に全面にＳｉＮ膜２１を堆積
したのち通常のフォトリソグラフィーにより、Ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ２０を除去した領域に幅５μｍ間隔２μｍの
１対のストライプ拡きパターンを形成したの＆ ＣＦ
−系のドライエツチングによりＳｉＮ膜２１を除去した
のちレジストを除去し第２図（ｂ）に示す構造を得る。
次にＨＣＩ・Ｈ２Ｏ２：ＣｈＣＯＯＨ＝ ３ ： ｌ
：３６の混合液で活性層３の下３μｍまでエツチングし
第２図（Ｃ）に示すように幅１μｍの活性層を含むメ
サストライプ９とその両側にダブルチャンネル１００が
形成される。
：３６の混合液で活性層３の下３μｍまでエツチングし
第２図（Ｃ）に示すように幅１μｍの活性層を含むメ
サストライプ９とその両側にダブルチャンネル１００が
形成される。
ここでダブルチャンネル１００の中央に位置するメサス
トライプ９はＰ−ＩｎＰクラッド４上に直接マスクとな
る５ｉＮ２１が堆積しているのに対し ダブルチャンネ
ルの外側ではＰ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０上にＳ
ｉＮ膜マスク２１が存在す４ ここで塩酸士過酸化水素
系のエツチング液に対しＩｎＰ／ＳｉＮの密着は良好で
サイドエッチは少なく中央のメサストライプ９は逆メサ
形状となる力＜、 ＩｎＧａＡｓＰ層２０を介してい
る領域はＩｎＧａＡｓＰのエツチング速度がＩｎＰに対
して速いためダブルチャンネルの外側の側面は順テーパ
とな４次にＳｉＮ膜２１とＩｎＧａＡｓＰキャップ層２
０を除去したのち埋込エピタキシャル成長を行な１．＜
Ｐ−ＩｎＰ埋込層５、ｎ−ＩｎＰ埋込層６、Ｐ−Ｉ
ｎＰ埋込層７、Ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層８を形
成し第１図の構造を得ることができも このように本発
明の半導体レーザの製造方法においては１回のダブルチ
ャンネルエツチングという簡単な方法により第１図に示
すよう非対称な構造のチャンネルを得ることができ、プ
ロセスの複雑化による歩留の低下、特性の劣化はほとん
ど無Ｌ％ ｋ 本実施例において活性層の上下はＩ
ｎＰ層クワクラッドるカミ 活性層／クラッド層間にＩ
ｎＧａＡｓＰ光導波層が介する構造でも同様であり、活
性層の上もしくは下に回折格子を内含するＤＦＢ形ＬＤ
にも適用することができも さらにダブルチャンネルの
工・ソチングはＨＣ１＋Ｈ２０ａ＋ＣＨｓＣＯＯＨ系と
したがＨＣ１＋Ｈ２（ｈ＋Ｈ３ＰＯ４等でも良（ＨＣ１
＋Ｈ２Ｏ１！を含むエツチング液であればこれに限定さ
れることはなく、エツチング液組成もこれに限定される
ものでなしも 発明の効果 以上本発明の半導体レーザ（友 内側が逆テーパで外側
が順テーパという非対称構造の溝から成るダブルチャン
ネル埋込型半導体レーザであり、活性層幅を制御良く挟
挿することができ、また埋込エピ層の際の段切れや細り
等による埋込リーク等による歩留低下を抑えることがで
きる大出力 高温動作型半導体レーザを提供できるもの
である。
トライプ９はＰ−ＩｎＰクラッド４上に直接マスクとな
る５ｉＮ２１が堆積しているのに対し ダブルチャンネ
ルの外側ではＰ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０上にＳ
ｉＮ膜マスク２１が存在す４ ここで塩酸士過酸化水素
系のエツチング液に対しＩｎＰ／ＳｉＮの密着は良好で
サイドエッチは少なく中央のメサストライプ９は逆メサ
形状となる力＜、 ＩｎＧａＡｓＰ層２０を介してい
る領域はＩｎＧａＡｓＰのエツチング速度がＩｎＰに対
して速いためダブルチャンネルの外側の側面は順テーパ
とな４次にＳｉＮ膜２１とＩｎＧａＡｓＰキャップ層２
０を除去したのち埋込エピタキシャル成長を行な１．＜
Ｐ−ＩｎＰ埋込層５、ｎ−ＩｎＰ埋込層６、Ｐ−Ｉ
ｎＰ埋込層７、Ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層８を形
成し第１図の構造を得ることができも このように本発
明の半導体レーザの製造方法においては１回のダブルチ
ャンネルエツチングという簡単な方法により第１図に示
すよう非対称な構造のチャンネルを得ることができ、プ
ロセスの複雑化による歩留の低下、特性の劣化はほとん
ど無Ｌ％ ｋ 本実施例において活性層の上下はＩ
ｎＰ層クワクラッドるカミ 活性層／クラッド層間にＩ
ｎＧａＡｓＰ光導波層が介する構造でも同様であり、活
性層の上もしくは下に回折格子を内含するＤＦＢ形ＬＤ
にも適用することができも さらにダブルチャンネルの
工・ソチングはＨＣ１＋Ｈ２０ａ＋ＣＨｓＣＯＯＨ系と
したがＨＣ１＋Ｈ２（ｈ＋Ｈ３ＰＯ４等でも良（ＨＣ１
＋Ｈ２Ｏ１！を含むエツチング液であればこれに限定さ
れることはなく、エツチング液組成もこれに限定される
ものでなしも 発明の効果 以上本発明の半導体レーザ（友 内側が逆テーパで外側
が順テーパという非対称構造の溝から成るダブルチャン
ネル埋込型半導体レーザであり、活性層幅を制御良く挟
挿することができ、また埋込エピ層の際の段切れや細り
等による埋込リーク等による歩留低下を抑えることがで
きる大出力 高温動作型半導体レーザを提供できるもの
である。
また本発明の半導体レーザの製造法はダブルチャンネル
の内側はＩｎＰＦＬ 外側はＩｎＧａＡｓＰ層を最上
層として絶縁膜でマスクし 塩酸と過酸化水素を含むエ
ツチング液でエツチングすることにより、このような非
対称構造を非常に容易なプロセスで安定に得ることがで
きるものである。
の内側はＩｎＰＦＬ 外側はＩｎＧａＡｓＰ層を最上
層として絶縁膜でマスクし 塩酸と過酸化水素を含むエ
ツチング液でエツチングすることにより、このような非
対称構造を非常に容易なプロセスで安定に得ることがで
きるものである。
第１図は本発明の一実施例のレーザの構造は第２図（ａ
）〜（ｃ）は第１図のレーザの製造工程医第３図、第４
図は従来のレーザの構造図であも１・・・・ｎ−１ｎＰ
基楓 ２・・・・ｎ−１ｎＰバツフア［３＝ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性＃４−・・Ｐ−ＩｎＰクラッド＃ ５．７・・
・・Ｐ−ＩｎＰ埋込層、 ６・・・・ｎ−ＩｎＰ埋込＃
８・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト＃ ９・・
・・メサストライプ１００・・・・ダブルチャンネル、
２０・・・・ＩｎＧａＡｓＰキャップ＃２１・・・・Ｓ
ｉＮ風 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名菓！図 第２０ （の） ＺりＩｆＬｋＡｓｆ’やイノ７１層 ／ Ｃ′ｂ） ｚＨ・〜榎 ／ ｌθθダブルテインキ）Ｖ
）〜（ｃ）は第１図のレーザの製造工程医第３図、第４
図は従来のレーザの構造図であも１・・・・ｎ−１ｎＰ
基楓 ２・・・・ｎ−１ｎＰバツフア［３＝ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性＃４−・・Ｐ−ＩｎＰクラッド＃ ５．７・・
・・Ｐ−ＩｎＰ埋込層、 ６・・・・ｎ−ＩｎＰ埋込＃
８・・・・Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト＃ ９・・
・・メサストライプ１００・・・・ダブルチャンネル、
２０・・・・ＩｎＧａＡｓＰキャップ＃２１・・・・Ｓ
ｉＮ風 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名菓！図 第２０ （の） ＺりＩｆＬｋＡｓｆ’やイノ７１層 ／ Ｃ′ｂ） ｚＨ・〜榎 ／ ｌθθダブルテインキ）Ｖ
Claims (2)
- （１）第１の導電型の半導体基板上もしくは第１の導電
型の半導体層を有する半導体基板上に活性層および第２
の導電型のクラッド層を含むストライプ状の第１の領域
、前記第１の領域の両側に隣接して形成された前記基板
もしくは前記第１の導電型の半導体層に達するストライ
プ状溝内に異種導電型層より成る電流ブロッキング層を
含む一対のストライプ状の第２の領域、および前記第２
の領域の両側に位置し前記活性層および電流ブロッキン
グ層を含む第３の領域を備え、前記第２の領域内に有す
る溝側面の形状が前記第１の領域境界においては垂直も
しくは逆テーパであり、第３の領域境界側においては順
テーパであることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）（１００）面を主面とするＩｎＰ基板上にＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、ＩｎＰクラッド層および最上層にＩｎ
ＧａＡｓＰキャップ層を積層する工程と、＜０１１＞方
向へのストライプ状の第１の領域と前記第１の領域の両
側に隣接する＜０１１＞方向への１対のストライプの第
２の領域の前記ＩｎＧａＡｓＰキャップ層を除去する工
程と、前記第１の領域と、前記第２の領域の外側に位置
する第３の領域を絶縁膜でマスクして第２の領域の半導
体層を塩酸と過酸化水素水を含む混合液でエッチングす
る工程と、前記絶縁膜を除去した後に前記第２・第３の
領域に異種導電型から成る電流ブロック層を積層する工
程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141085A JPH0433387A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141085A JPH0433387A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0433387A true JPH0433387A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15283859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2141085A Pending JPH0433387A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0433387A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2141085A patent/JPH0433387A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
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