JPH02202040A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02202040A JPH02202040A JP2169189A JP2169189A JPH02202040A JP H02202040 A JPH02202040 A JP H02202040A JP 2169189 A JP2169189 A JP 2169189A JP 2169189 A JP2169189 A JP 2169189A JP H02202040 A JPH02202040 A JP H02202040A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- semiconductor element
- wire
- container
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置に関し、特に電子計算機などに実
装する半導体装置に関するものである。
装する半導体装置に関するものである。
［従来の技術］
以下、従来の半導体装置について第１０図および第１１
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
図に示す従来の半導体装置は、上表面の周辺近傍にワイ
ヤボンドパッド１を形成した半導体素子２がダイボンド
によって容器３の収納開口部に収納固着されている。こ
の容器３の一部を構成する多層配線基板上に形成された
インナーリード５はワイヤボンドパッド１とワイヤ６で
連結されている。また、多層配線基板に接合された外部
電極７は多層配線基板内の多層配線（図示せず）を介し
てインナーリード５と接続されている。容器３の半導体
素子２を収納する収納開口はＭ８で覆われている。容器
３のＭ８と当接する部分にはシールリング９が形成され
蓋８はそのシールリング９との接触面に塗布されたはん
だによってシールリング９上にはんだ付けされる。さら
に、蓋８には位置決め用窪み１０が形成されており、蓋
８をシールリング９の上にはんだ付けする際に、この位
置決め用窪み１０の外縁によって容器３に概略位置決め
される。
ヤボンドパッド１を形成した半導体素子２がダイボンド
によって容器３の収納開口部に収納固着されている。こ
の容器３の一部を構成する多層配線基板上に形成された
インナーリード５はワイヤボンドパッド１とワイヤ６で
連結されている。また、多層配線基板に接合された外部
電極７は多層配線基板内の多層配線（図示せず）を介し
てインナーリード５と接続されている。容器３の半導体
素子２を収納する収納開口はＭ８で覆われている。容器
３のＭ８と当接する部分にはシールリング９が形成され
蓋８はそのシールリング９との接触面に塗布されたはん
だによってシールリング９上にはんだ付けされる。さら
に、蓋８には位置決め用窪み１０が形成されており、蓋
８をシールリング９の上にはんだ付けする際に、この位
置決め用窪み１０の外縁によって容器３に概略位置決め
される。
なお容器３の材質としては通常アルミナが用いられ、こ
の場合の蓋８の材質は、熱応力発生による破壊防止のた
め、アルミナと線膨張係数が略等しい金属であるコバー
ルなどが用いられる。
の場合の蓋８の材質は、熱応力発生による破壊防止のた
め、アルミナと線膨張係数が略等しい金属であるコバー
ルなどが用いられる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、以上のように構成された従来の半導体装
置では、たとえ位置決め用窪み１０をより深く形成して
その裏面をできるだけ半導体素子２の表面に近づけよう
としても、周辺のワイヤ６に当接するとショートとして
しまう。したがって位置決め用窪み１０はワイヤ６の高
さよりも十分上の位置までしか深くすることができない
。その結果蓋８の中央部裏面をワイヤ６の高さよりも低
く半導体素子２の表面に近接させることができないこと
になり、蓋８の中央部裏面と半導体素子２の表面との間
隙は少なくともワイヤの高さ以上、すなわち通常半導体
素子２の厚み程度以上になる。
置では、たとえ位置決め用窪み１０をより深く形成して
その裏面をできるだけ半導体素子２の表面に近づけよう
としても、周辺のワイヤ６に当接するとショートとして
しまう。したがって位置決め用窪み１０はワイヤ６の高
さよりも十分上の位置までしか深くすることができない
。その結果蓋８の中央部裏面をワイヤ６の高さよりも低
く半導体素子２の表面に近接させることができないこと
になり、蓋８の中央部裏面と半導体素子２の表面との間
隙は少なくともワイヤの高さ以上、すなわち通常半導体
素子２の厚み程度以上になる。
これでは半導体素子２から発生した熱が蓋８に伝わりに
くくて半導体素子２の放熱が十分に行なわれない。した
がって多量の発熱をする高集積度の論理素子などを収納
するためには、蓋８あるいは容器３の外側に放熱フィン
などの放熱体を配設する必要があるという問題点があっ
た。
くくて半導体素子２の放熱が十分に行なわれない。した
がって多量の発熱をする高集積度の論理素子などを収納
するためには、蓋８あるいは容器３の外側に放熱フィン
などの放熱体を配設する必要があるという問題点があっ
た。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
ものであって、特別な放熱体を配設することなく、多量
の発熱をする高集積度の論理素子などを収納することを
可能にする半導体装置を提供することを目的とする。
ものであって、特別な放熱体を配設することなく、多量
の発熱をする高集積度の論理素子などを収納することを
可能にする半導体装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明にかかる半導体装置は、収納開口を有する容器と
、前記収納開口内に配置される半導体素子と、その裏面
を前記半導体素子に対向させた状態で前記収納開口を上
から覆うことによって前記半導体素子の収納空間を封止
する蓋とを備え、前記半導体素子の表面の周辺に形成さ
れたワイヤボンドパッドと前記容器の収納開口の底部周
辺に形成されたインナーリードとをワイヤで接続した半
導体装置におけるものである。そして前記蓋の裏面に段
差部を設けて、前記ワイヤが存在する位置よりも内方に
位置する当該蓋の裏面の中央部分を前記ワイヤの前記半
導体素子表面からの高さよりも低い位置まで前記半導体
素子表面に近接させたことを特徴とする。
、前記収納開口内に配置される半導体素子と、その裏面
を前記半導体素子に対向させた状態で前記収納開口を上
から覆うことによって前記半導体素子の収納空間を封止
する蓋とを備え、前記半導体素子の表面の周辺に形成さ
れたワイヤボンドパッドと前記容器の収納開口の底部周
辺に形成されたインナーリードとをワイヤで接続した半
導体装置におけるものである。そして前記蓋の裏面に段
差部を設けて、前記ワイヤが存在する位置よりも内方に
位置する当該蓋の裏面の中央部分を前記ワイヤの前記半
導体素子表面からの高さよりも低い位置まで前記半導体
素子表面に近接させたことを特徴とする。
［作用］
本発明における蓋は、その裏面において、ワイヤが存在
する領域よりも内方に位置する領域に段差部を設けるこ
とによって、その中央部をワイヤの高さより低い位置ま
で半導体素子の表面に近接させているため、半導体素子
から発生した熱を蓋が容易に吸収し、その熱をさらに蓋
の外表面から半導体装置外部に放散する。
する領域よりも内方に位置する領域に段差部を設けるこ
とによって、その中央部をワイヤの高さより低い位置ま
で半導体素子の表面に近接させているため、半導体素子
から発生した熱を蓋が容易に吸収し、その熱をさらに蓋
の外表面から半導体装置外部に放散する。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。当
実施例における半導体装置は第１図から第３図に示すよ
うに、上表面の周辺近傍にワイヤボンドパッド１を形成
した半導体素子２がダイボンドによって容器３の収納開
口部に収納固着されている。この容器３の一部を構成す
る多層配線基板上に形成されたインナーリード５はワイ
ヤボンドパッド１とワイヤ６で連結されている。また、
多層配線基板に接合された外部電極７は多層配線基板内
の多層配線（図示せず）を介してインナーリード５と接
続されている。容器３の半導体素子２を収納する収納開
口は蓋１８で覆われており容器３の蓋１８と当接する部
分にはシールリング９が形成され、Ｍ２Ｓはそのシール
リング９との接触面に塗布されたはんだによってシール
リング９上にはんだ付けされる。さらに、蓋１８には位
置決め用窪み１０が形成されており、蓋１８をシールリ
ング９上にはんだ付けする際に、この位置決め用窪み１
０の外縁によって容器３に概略位置決めされる。
実施例における半導体装置は第１図から第３図に示すよ
うに、上表面の周辺近傍にワイヤボンドパッド１を形成
した半導体素子２がダイボンドによって容器３の収納開
口部に収納固着されている。この容器３の一部を構成す
る多層配線基板上に形成されたインナーリード５はワイ
ヤボンドパッド１とワイヤ６で連結されている。また、
多層配線基板に接合された外部電極７は多層配線基板内
の多層配線（図示せず）を介してインナーリード５と接
続されている。容器３の半導体素子２を収納する収納開
口は蓋１８で覆われており容器３の蓋１８と当接する部
分にはシールリング９が形成され、Ｍ２Ｓはそのシール
リング９との接触面に塗布されたはんだによってシール
リング９上にはんだ付けされる。さらに、蓋１８には位
置決め用窪み１０が形成されており、蓋１８をシールリ
ング９上にはんだ付けする際に、この位置決め用窪み１
０の外縁によって容器３に概略位置決めされる。
位置決め用窪み１０の内側には、さらに内方段差部１１
が形成され、それによってワイヤ６が存在する部分の内
方に対応する蓋１８の裏面は、第３図に拡大して示すよ
うに、半導体素子２の表面にワイヤ６の高さ（Ｈ）より
も低い位置（ｈ）まで近接している。
が形成され、それによってワイヤ６が存在する部分の内
方に対応する蓋１８の裏面は、第３図に拡大して示すよ
うに、半導体素子２の表面にワイヤ６の高さ（Ｈ）より
も低い位置（ｈ）まで近接している。
本実施例によれば上記のように半導体素子２表面のワイ
ヤ６よりも内方の領域に対向する蓋１８の裏面の中央部
分を半導体素子２表面にワイヤ６の高さより低い位置ま
で近接させたことにより、半導体素子２表面と蓋１８の
裏面との間隙をワイヤの高さ（通常０．５ミリメートル
程度）よりも小さな値に設定できる。よって半導体素子
２で発生した熱は半導体素子２表面から放散されて蓋１
８の裏面に容易に吸収され、蓋１８の表面から半導体装
置外部へ放散される。その結果、半導体装置の放熱特性
が向上し、発熱量の多い高集積度の論理素子を収納する
ことが可能になる。またこの効果は、部品点数を増すこ
となく、Ｍ２Ｓの形状の変更のみによって実現している
ものであり、この形状も通常のプレス加工などで容易に
行ない得るため、製造コストが上昇することもない。
ヤ６よりも内方の領域に対向する蓋１８の裏面の中央部
分を半導体素子２表面にワイヤ６の高さより低い位置ま
で近接させたことにより、半導体素子２表面と蓋１８の
裏面との間隙をワイヤの高さ（通常０．５ミリメートル
程度）よりも小さな値に設定できる。よって半導体素子
２で発生した熱は半導体素子２表面から放散されて蓋１
８の裏面に容易に吸収され、蓋１８の表面から半導体装
置外部へ放散される。その結果、半導体装置の放熱特性
が向上し、発熱量の多い高集積度の論理素子を収納する
ことが可能になる。またこの効果は、部品点数を増すこ
となく、Ｍ２Ｓの形状の変更のみによって実現している
ものであり、この形状も通常のプレス加工などで容易に
行ない得るため、製造コストが上昇することもない。
次に本発明の他の実施例について、図面を参照して説明
する。上記実施例の蓋１８が板金をプレス成形などによ
って加工したものであるのに対して、本実施例では、第
４図および第５図に示すように、切削加工や研削加工で
製作した蓋２８を用いている。このＭ２Ｒには、上記実
施例における１Ｅ１８の位置決め用窪み１０に対応する
ものとして位置決め用突起１２を設けている。また位置
決め用突起１２の内側の、ワイヤ６が存在する部分の内
方に対応する領域には内方段差部２１が形成され、それ
によって蓋２８の裏面は半導体素子２の表面に、ワイヤ
６の高さよりも低い位置まで近接している。
する。上記実施例の蓋１８が板金をプレス成形などによ
って加工したものであるのに対して、本実施例では、第
４図および第５図に示すように、切削加工や研削加工で
製作した蓋２８を用いている。このＭ２Ｒには、上記実
施例における１Ｅ１８の位置決め用窪み１０に対応する
ものとして位置決め用突起１２を設けている。また位置
決め用突起１２の内側の、ワイヤ６が存在する部分の内
方に対応する領域には内方段差部２１が形成され、それ
によって蓋２８の裏面は半導体素子２の表面に、ワイヤ
６の高さよりも低い位置まで近接している。
本実施例の蓋２８は、上記実施例の蓋１８と比べてその
厚みが増すことになるため、単体での放熱特性の向上の
ためには必ずしも好ましい形状ではない。しかしながら
、上面が平坦になるため、第６図から第８図に示すよう
に放熱用フィン１３を熱伝導性接着剤（図示せず）を介
して設置することができ、これによって放熱効果をさら
に高めることが可能となる。
厚みが増すことになるため、単体での放熱特性の向上の
ためには必ずしも好ましい形状ではない。しかしながら
、上面が平坦になるため、第６図から第８図に示すよう
に放熱用フィン１３を熱伝導性接着剤（図示せず）を介
して設置することができ、これによって放熱効果をさら
に高めることが可能となる。
なお上記各実施例において、！１８．２８を容器３に対
して概略の位置決めを行なうために、蓋１８．２８の側
に段差を形成したが、さらに他の実施例として、第９図
に示すように容器３の側の蓋３８の外周に対応する位置
に凹部１４を形成して位置決め用の段差を設けても同様
の作用を得ることができる。この場合、ワイヤ６が存在
する部分の内方に対応する領域において蓋３８の裏面を
半導体素子２の表面に近接させるためには、１段の段差
部３１を設けるだけでよい。
して概略の位置決めを行なうために、蓋１８．２８の側
に段差を形成したが、さらに他の実施例として、第９図
に示すように容器３の側の蓋３８の外周に対応する位置
に凹部１４を形成して位置決め用の段差を設けても同様
の作用を得ることができる。この場合、ワイヤ６が存在
する部分の内方に対応する領域において蓋３８の裏面を
半導体素子２の表面に近接させるためには、１段の段差
部３１を設けるだけでよい。
さらに、上記各実施例ではビングリッドアレイパッケー
ジに本発明を適用した例を示したが、デュアルインライ
ンパッケージ、リーデツドチップキャリア、リードレス
チップキャリア、フラットパッケージなどにも同様に適
用することができ、同様の効果を奏する。
ジに本発明を適用した例を示したが、デュアルインライ
ンパッケージ、リーデツドチップキャリア、リードレス
チップキャリア、フラットパッケージなどにも同様に適
用することができ、同様の効果を奏する。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、蓋の裏面を半導体素子の
表面にワイヤの高さよりも低い位置まで近接させたので
、部品点数を増加することなくかつ蓋のみの形状の簡単
な変更で、多量の発熱を伴なう高集積度の論理素子など
をも収納することのできる放熱効果の優れた半導体装置
を得ることができるという効果がある。
表面にワイヤの高さよりも低い位置まで近接させたので
、部品点数を増加することなくかつ蓋のみの形状の簡単
な変更で、多量の発熱を伴なう高集積度の論理素子など
をも収納することのできる放熱効果の優れた半導体装置
を得ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す分解
斜視図、第２図はその蓋付は後の様子を示す断面図、第
３図は同要部拡大図、第４図は本発明の他の実施例を示
す分解斜視図、第５図はその蓋付は後の様子を示す断面
図、第６図は同実施例の蓋に放熱フィンを取付ける場合
を示す分解斜視図、第７図はその組立後の様子を示す斜
視図、第８図は第７図のＡ−Ａ断面を示す図、第９図は
本発明のさらに他の実施例を示す図である。 また第１０図は従来の半導体装置を示す分解斜視図、第
１１図はその蓋付は後の様子を示す断面図である。 図において、１はワイヤボンドパッド、２は半導体素子
、３は容器、５はインナーリード、６はワイヤ、１８．
２８．３８は蓋、１１．２１は内方段差部（段差部）、
３１は段差部である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大音 増 雄 簗２図 第３図 第１０ ５：インナーリード ８４図 第Ｓ図 萬６図 第１図 第ｒ７図 萬８図 簗１０図 第１１の
斜視図、第２図はその蓋付は後の様子を示す断面図、第
３図は同要部拡大図、第４図は本発明の他の実施例を示
す分解斜視図、第５図はその蓋付は後の様子を示す断面
図、第６図は同実施例の蓋に放熱フィンを取付ける場合
を示す分解斜視図、第７図はその組立後の様子を示す斜
視図、第８図は第７図のＡ−Ａ断面を示す図、第９図は
本発明のさらに他の実施例を示す図である。 また第１０図は従来の半導体装置を示す分解斜視図、第
１１図はその蓋付は後の様子を示す断面図である。 図において、１はワイヤボンドパッド、２は半導体素子
、３は容器、５はインナーリード、６はワイヤ、１８．
２８．３８は蓋、１１．２１は内方段差部（段差部）、
３１は段差部である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大音 増 雄 簗２図 第３図 第１０ ５：インナーリード ８４図 第Ｓ図 萬６図 第１図 第ｒ７図 萬８図 簗１０図 第１１の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 収納開口を有する容器と、 前記収納開口内に配置される半導体素子と、その裏面を
前記半導体素子に対向させた状態で前記収納開口を上か
ら覆うことによって前記半導体素子の収納空間を封止す
る蓋とを備え、 前記半導体素子の表面の周辺に形成されたワイヤボンド
パッドと前記容器の収納開口の底部周辺に形成されたイ
ンナーリードとをワイヤで接続した半導体装置において
、 前記蓋の裏面に段差部を設けて、前記ワイヤが存在する
位置よりも内方に位置する当該蓋の裏面の中央部分を前
記ワイヤの前記半導体素子表面からの高さよりも低い位
置まで前記半導体素子表面に近接させたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169189A JPH02202040A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169189A JPH02202040A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202040A true JPH02202040A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12062094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169189A Pending JPH02202040A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690497A3 (en) * | 1994-06-30 | 1997-06-11 | Motorola Inc | Semiconductor device and manufacturing method |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2169189A patent/JPH02202040A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690497A3 (en) * | 1994-06-30 | 1997-06-11 | Motorola Inc | Semiconductor device and manufacturing method |
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