JPH02202042A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

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JPH02202042A
JPH02202042A JP1021136A JP2113689A JPH02202042A JP H02202042 A JPH02202042 A JP H02202042A JP 1021136 A JP1021136 A JP 1021136A JP 2113689 A JP2113689 A JP 2113689A JP H02202042 A JPH02202042 A JP H02202042A
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JP
Japan
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pad
board
resin
wiring board
semiconductor device
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Application number
JP1021136A
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Japanese (ja)
Inventor
Kojiro Shibuya
渋谷　幸二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1021136A priority Critical patent/JPH02202042A/en
Publication of JPH02202042A publication Critical patent/JPH02202042A/en
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    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To give a superior heat dissipation efficiency, to eliminate the generation of crack and to inhibit the movement of a wiring board and a substrate pad at the time of resin sealing by a method wherein a semiconductor pellet is inserted in the opening part of the board to bond on the pad, through holes to penetrate the board and the pad are provided and stoppers are provided on the upper surface of the board and the lower surface of the pad. CONSTITUTION:A semiconductor pellet 1 is bonded on a substrate pad 3, the pad 3 is coupled with a lead frame 16 by 4 suspension leads 4 and the frame 16 is superior in thermal conductivity. Moreover, through holes 8a and 8b to penetrate a wiring board 2 and the pad 3 are provided and a sealing resin is filled in the interiors of these holes 8a and 8b as well. Moreover, stoppers 9a and 9b are respectively provided on the upper surface of the board 2 and the lower surface of the pad 3 and if the board 2 and the pad 3 are inclined to move by the locally cured resin, the stoppers 9a and 9b butt against a die of a molding device. Thereby, the temperature rise of the pellet is inhibited, the generation of crack is avoided and the movement of the board 2, the pad 3 and the like at the time of resin sealing is inhibited.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体ペレットと外部リードとがボンディング
ワイヤ及びプリント配線を介して相互に電気的に接続さ
れた樹脂封止型半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor pellet and an external lead are electrically connected to each other via bonding wires and printed wiring.

［従来の技術］ 第６図は従来の樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を
示す平面図、第７図は同じくその樹脂封止後の半導体装
置を示す断面図である。[Prior Art] FIG. 6 is a plan view of a conventional resin-sealed semiconductor device before encapsulation, and FIG. 7 is a sectional view of the semiconductor device after encapsulation with resin.

リードフレーム１６は中央部に４本の吊りり−ド４で支
持された基板パッド２３を有し、この基板パッド２３の
周囲には複数個の内部リード５及びこの内部リード５に
接続した複数個の外部り−ド６が形成されている。そし
て、樹脂封止前は、各内部リード５及び外部リード６は
タイバー７により相互に接続されている。The lead frame 16 has a board pad 23 supported by four hanging boards 4 in the center, and around the board pad 23 are a plurality of internal leads 5 and a plurality of leads connected to the internal leads 5. An external board 6 is formed. Before resin sealing, each internal lead 5 and external lead 6 are connected to each other by a tie bar 7.

基板パッド２３上には、この基板パッド２３と略々同一
の寸法の配線基板２２が接着剤等により固着されている
。そして、この配線基板２２の中央部には半導体ペレッ
ト１が接着剤により固着されており、また、この基板２
２の周縁部には所定の形状のプリント配線２０が形成さ
れている。A wiring board 22 having substantially the same dimensions as the board pad 23 is fixed onto the board pad 23 with an adhesive or the like. The semiconductor pellet 1 is fixed to the center of this wiring board 22 with an adhesive, and this board 2
A printed wiring 20 having a predetermined shape is formed on the periphery of 2.

半導体ペレット１の上面の周縁部には電極が設けられて
おり、この電極はプリント配線２ｏの端部とボンディン
グワイヤ１１により接続されている。また、プリント配
線２０の他方の端部は内部リード５とボンディングワイ
ヤ１２により接続されている。An electrode is provided on the periphery of the upper surface of the semiconductor pellet 1, and this electrode is connected to the end of the printed wiring 2o by a bonding wire 11. Further, the other end of the printed wiring 20 is connected to the internal lead 5 by a bonding wire 12.

このリードフレーム１６を樹脂でモールド成形して樹脂
封止部２４を形成し、その後、タイバーカット及びリー
ドカットを行うことにより、第７図に示す樹脂封止型半
導体装置が完成する。The resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 7 is completed by molding this lead frame 16 with resin to form a resin-sealed portion 24, and then cutting tie bars and leads.

［発明が解決しようとする課Ｎ］ しかしながら、上述の如く、従来の樹脂封止型半導体装
置は基板パッド２３に比して熱伝導率が低い配線基板２
２上に半導体ペレット１が固着されているため、発熱量
が多い多ビンの半導体装置においては、半導体ペレット
１から発生した熱の放散が不十分であり、半導体装置の
電気的特性が変動する等の不都合が発生し、半導体装置
の信頼性が阻害されるという問題点がある。[Problem N to be solved by the invention] However, as described above, the conventional resin-sealed semiconductor device has a wiring board 2 that has a lower thermal conductivity than the board pad 23.
Since the semiconductor pellet 1 is fixed on the semiconductor pellet 2, in a multi-bin semiconductor device that generates a large amount of heat, the heat generated from the semiconductor pellet 1 is not sufficiently dissipated, causing fluctuations in the electrical characteristics of the semiconductor device, etc. There is a problem that the reliability of the semiconductor device is impaired due to the following inconveniences.

また、通常、樹脂封止部２４の平面形状の面積に占める
配線基板２２又は基板パッド２３の面積の比率は約６５
乃至７０％と高いため、配線基板２２及び基板パッド２
３の上方の樹脂と下方の樹脂との間の結合力が弱く、樹
脂部２４と配線基板２２又は基板パッド２３との界面に
クラックが発生しやすいという欠点もある。Further, normally, the ratio of the area of the wiring board 22 or the board pad 23 to the planar area of the resin sealing part 24 is about 65.
Since the wiring board 22 and the board pad 2 are as high as 70%
Another disadvantage is that the bonding force between the upper resin and the lower resin of 3 is weak, and cracks are likely to occur at the interface between the resin part 24 and the wiring board 22 or the board pad 23.

更に、樹脂封止工程において、溶融していた樹脂が硬化
するのに伴い局部的に硬化した樹脂が配線基板２２及び
基板パッド２３を押し上げ又は押し下げるため、配線基
板２２と外部リード６とを接続しているボンディングワ
イヤ１２が変形又は切断されることがある。また、半導
体ペレット１と配線基板２２とを接続するボンディング
ワイヤ１１が樹脂封止部２４の上面に露出したり、基板
パッド２３が樹脂封止部２４の下面に露出することもあ
る。Furthermore, in the resin sealing process, as the melted resin hardens, the locally hardened resin pushes up or down the wiring board 22 and the board pads 23, so the wiring board 22 and the external leads 6 are not connected. The bonding wire 12 may be deformed or cut. Further, the bonding wire 11 connecting the semiconductor pellet 1 and the wiring board 22 may be exposed on the upper surface of the resin sealing part 24, and the substrate pad 23 may be exposed on the lower surface of the resin sealing part 24.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
放熱性能が優れており、クラックの発生が回避できると
共に、樹脂封止時における配線基板及び基板パッドの移
動を抑制した樹脂封止型半導体装置を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of such problems, and includes:
It is an object of the present invention to provide a resin-sealed semiconductor device that has excellent heat dissipation performance, can avoid the occurrence of cracks, and suppresses movement of a wiring board and board pads during resin-sealing.

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、基板パッドと、
この基板パッド上に接合されその中央部が開孔された配
線基板と、この配線基板の開孔部に嵌入して前記基板パ
ッド上に接合された半導体ペレットと、前記配線基板及
び前記基板パッドを貫通する貫通孔と、前記配線基板及
び基板パッドから夫々それらの上方及び下方に突出した
ストッパーと、前記貫通孔を埋め込むと共に前記半導体
ペレットを封止する樹脂封止部とを有することを特徴と
する。[Means for Solving the Problems] A resin-sealed semiconductor device according to the present invention includes a substrate pad;
A wiring board bonded onto the board pad and having a hole in its center, a semiconductor pellet fitted into the opening of the wiring board and bonded onto the board pad, and the wiring board and the board pad. It is characterized by having a through hole passing through, a stopper projecting above and below from the wiring board and the board pad, respectively, and a resin sealing part that fills the through hole and seals the semiconductor pellet. .

［作用］ 本発明においては、半導体ペレットは基板パッドに接合
されている。これにより、半導体ペレットから発生した
熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して迅速に放散され
るため半導体ペレットの温度上昇を抑制できる。[Function] In the present invention, the semiconductor pellet is bonded to the substrate pad. As a result, heat generated from the semiconductor pellet is quickly dissipated through the substrate pad having high thermal conductivity, so that a rise in temperature of the semiconductor pellet can be suppressed.

また、本発明においては、配線基板及び基板パッドを貫
通する貫通孔が設けられている。そして、この貫通孔を
介して配線基板の上部の樹脂と基板パッドの下部の樹脂
とが接続されることにより、上部の樹脂と下部の樹脂と
の接合面積が増大して結合力が高くなるため、クラック
の発生を回避できる。Further, in the present invention, a through hole is provided that penetrates the wiring board and the board pad. Then, by connecting the resin on the top of the wiring board and the resin on the bottom of the board pad through this through hole, the bonding area between the top resin and the bottom resin increases and the bonding strength increases. , the occurrence of cracks can be avoided.

更に、本発明においては、配線基板の上面及び基板パッ
ドの下面にストッパーが設けられている。Furthermore, in the present invention, stoppers are provided on the upper surface of the wiring board and the lower surface of the board pad.

これにより、樹脂注入時にこのストッパーが金型内面に
突き当たって配線基板及び基板パッドの移動を抑制する
ため、ボンディングワイヤの変形及び切断並びにボンデ
ィングワイヤ及び配線基板の露出を回避できる。This allows the stopper to abut against the inner surface of the mold and suppress movement of the wiring board and board pads during resin injection, thereby avoiding deformation and cutting of the bonding wire and exposure of the bonding wire and the wiring board.

［実施例］ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第１図は本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。FIG. 1 is a plan view showing the state before sealing of a resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view similarly showing the state after sealing.

基板パッド３は矩形に形成されており、その四隅から導
出した４本の吊りリード４によりリードフレーム１６と
連結されている。この基板パッド３の上面の中央部には
半導体ペレット１が接着剤で固着されている。また、基
板パッド３の上面の周縁部には、基板パッド３と略々同
一外形寸法を有する配線基板２が接着剤等で固着されて
いる。The substrate pad 3 is formed in a rectangular shape and is connected to a lead frame 16 by four hanging leads 4 led out from its four corners. A semiconductor pellet 1 is fixed to the center of the upper surface of the substrate pad 3 with an adhesive. Furthermore, a wiring board 2 having approximately the same external dimensions as the board pad 3 is fixed to the peripheral edge of the upper surface of the board pad 3 with an adhesive or the like.

この配線基板２の中央には半導体ペレット１が嵌入され
る孔１７が設けられている。配線基板２の上面には孔１
７の近傍から外周縁部まで延出した複数本のプリント配
線１０が放射状に配列されて形成されている。A hole 17 into which the semiconductor pellet 1 is inserted is provided in the center of the wiring board 2. A hole 1 is provided on the top surface of the wiring board 2.
A plurality of printed wiring lines 10 extending from the vicinity of 7 to the outer peripheral edge are arranged radially.

半導体ペレット１の上面の周縁部には複数個の電極が形
成されており、これらの電極とプリント配線１０とはボ
ンディングワイヤ１１により接続されている。A plurality of electrodes are formed on the periphery of the upper surface of the semiconductor pellet 1, and these electrodes and the printed wiring 10 are connected by bonding wires 11.

リードフレーム１６の基板パッド３の近傍の領域には各
プリント配線１０に整合する複数個の内部リード５が設
けれらており、各プリント配線１０は夫々整合する内部
リード５とボンディングワイヤ１２により接続されてい
る。A plurality of internal leads 5 matching each printed wiring 10 are provided in the area near the substrate pad 3 of the lead frame 16, and each printed wiring 10 is connected to the matching internal lead 5 by a bonding wire 12. has been done.

リードフレーム１６の内部リード５の延長上には外部リ
ード６が形成されており、各内部リード５及び各外部リ
ード６はタイバー７により連結されている。External leads 6 are formed on extensions of the internal leads 5 of the lead frame 16, and each internal lead 5 and each external lead 6 are connected by tie bars 7.

配線基板２の上面のプリント配線１０が形成されていな
い対角線上の領域には、長円形の４個の貫通孔８ａが設
けられており、この貫通孔８ａと整合する基板パッド３
の領域には貫通孔８ｂが設けられている。Four oval through holes 8a are provided in diagonal areas on the upper surface of the wiring board 2 where the printed wiring 10 is not formed, and the board pads 3 are aligned with the through holes 8a.
A through hole 8b is provided in the region.

また、配線基板２の対向する２辺の中央部を結ぶ線上の
各辺の中央部の近傍には絶縁性物質を円柱状に成形した
４本のストッパー９ａが接着剤により固着されている。Furthermore, near the center of each side on a line connecting the center of two opposing sides of the wiring board 2, four stoppers 9a formed of an insulating material into a cylindrical shape are fixed with adhesive.

また、基板パッド３の下面にはストッパー９ａと整合す
る位置に同様のストッパー９ｂが固着されている。Further, a similar stopper 9b is fixed to the lower surface of the substrate pad 3 at a position aligned with the stopper 9a.

本実施例に係る樹脂封止型半導体装置においては、半導
体ペレット１等が搭載されているリードフレーム１６の
外部リード６を除くその内側の領域を樹脂により封止し
て樹脂封止部１３が設けられている。In the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment, a resin-sealed portion 13 is provided by sealing with resin the inner region of the lead frame 16 on which the semiconductor pellet 1 and the like are mounted, except for the external leads 6. It is being

本実施例においては、半導体ペレット１は基板パッド３
に接合されている０通常、配線基板２にはガラスエポキ
シ板が使用されており、この配線基板２の熱伝導率は約
３Ｘ１０−’乃至５×１０−　’ｃａｌ／　ｃｍ−秒・
’Ｃである。一方、リードフレーム１６には銅又は銅合
金材が使用されており、このリードフレーム１６の熱伝
導率は約０．４ｃａｔ／ｃｍ・秒・℃と極めて熱伝導性
が優れている。In this embodiment, the semiconductor pellet 1 is the substrate pad 3.
Normally, a glass epoxy board is used for the wiring board 2, and the thermal conductivity of the wiring board 2 is approximately 3 x 10-' to 5 x 10-' cal/cm-sec.
'C. On the other hand, copper or a copper alloy material is used for the lead frame 16, and the lead frame 16 has an extremely excellent thermal conductivity of approximately 0.4 cat/cm·sec·°C.

このため、本実施例に係る樹脂封止型半導体装置は、半
導体ペレットが配線基板に接合されている従来の半導体
装置に比して極めて優れた放熱性能を有している。−例
として、１６０ピンのフラットパッケージ型半導体装置
について説明すると、従来の構造の樹脂封止型半導体装
置における熱抵抗は約６０乃至８０℃／Ｗである。これ
に対し、本実施例に係る樹脂封止型半導体装置の熱抵抗
は２０乃至２５℃／Ｗであり、従来に比して約１７３と
極めて小さい。従って、本実施例に係る半導体装置の信
頼性は極めて高い。なお、この効果は多ビンの半導体装
置はど明確に現れる。Therefore, the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment has extremely superior heat dissipation performance compared to the conventional semiconductor device in which a semiconductor pellet is bonded to a wiring board. - As an example, in the case of a 160-pin flat package semiconductor device, the thermal resistance of a resin-sealed semiconductor device with a conventional structure is about 60 to 80° C./W. On the other hand, the thermal resistance of the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment is 20 to 25° C./W, which is extremely small at about 173° C. compared to the conventional device. Therefore, the reliability of the semiconductor device according to this example is extremely high. Note that this effect appears more clearly in multi-bin semiconductor devices.

また、本実施例においては、配線基板２及び基板パッド
３の対角線上の領域に４個の長円形の貫通孔８ａ、８ｂ
が開孔されており、封止用の樹脂はこの貫通孔８ａ、８
ｂの内部にも充填される。In addition, in this embodiment, four oval through holes 8a and 8b are provided in diagonal areas of the wiring board 2 and the board pad 3.
are opened, and the sealing resin is applied to these through holes 8a, 8.
The inside of b is also filled.

これにより、配線基板２及び基板パッド３の上方の樹脂
と下方の樹脂との間の結合力が増大するため、クラック
の発生を回避できる。なお、この貫通孔８ａ、８ｂの大
きさ、位置及び数量等は上述の実施例により限定される
ものではない。This increases the bonding force between the resin above the wiring board 2 and the board pad 3 and the resin below, so that cracks can be avoided. Note that the size, position, number, etc. of the through holes 8a, 8b are not limited to the above-mentioned embodiments.

更に、本実施例においては、配線基板２の上面及び基板
パッドの下面に、夫々４本のストッパー９ａ、９ｂが固
着されている。これにより、樹脂が硬化するときに、配
線基板２及び基板パッド３が局部的に硬化した樹脂によ
り押し上げ又は押し下げられて移動しようとすると、こ
のストッパー９ａ、９ｂがモールド装置の金型に突き当
なり、それ以上の移動が抑制される。従って、配線基板
２及び基板パッド３は実質的に所定の位置に止まり、こ
の位置から移動することなく樹脂封止される。このスト
ッパー９ａ、９ｂの長さは、所望の樹脂封止部の上面又
は下面とストッパー９ａ又は９ｂの上面又は下面との距
離が０．１ｍ＋ａとなるようにすることが好ましい、こ
のようにすることにより、樹脂封止工程の準備の際にモ
ールド装置の上型と下型でリードフレーム１６を挟持し
たときに、ストッパー９ａ、９ｂが金型の内面に当たっ
て樹脂封止ができなくなることを防止できる。Furthermore, in this embodiment, four stoppers 9a and 9b are fixed to the upper surface of the wiring board 2 and the lower surface of the board pad, respectively. As a result, when the resin hardens, if the wiring board 2 and board pad 3 are pushed up or down by the locally hardened resin and try to move, the stoppers 9a and 9b will hit the mold of the molding device. , further movement is suppressed. Therefore, the wiring board 2 and the board pads 3 substantially remain at a predetermined position and are sealed with resin without moving from this position. The length of the stoppers 9a, 9b is preferably such that the distance between the top or bottom surface of the desired resin-sealed part and the top or bottom surface of the stopper 9a or 9b is 0.1 m+a. Therefore, when the lead frame 16 is held between the upper and lower molds of the molding device in preparation for the resin sealing process, it is possible to prevent the stoppers 9a and 9b from hitting the inner surface of the mold and making resin sealing impossible.

なお、このストッパー９ａ、９ｂの材質としては、熱膨
張係数が樹脂封止部材の熱膨張係数（約１．６Ｘ１０−
５／’Ｃ）と同一の絶縁物質が好ましい、これは、樹脂
封止部材の熱膨張係数とストッパー９ａ、９ｂの熱膨張
係数が大きく異なると、温度衝撃が繰り返されることに
より、封止部材とストッパー９ａ、９ｂとの界面に隙間
が形成され、この隙間を介して半導体装置の内部に水分
が侵入することがあり、半導体装置の耐湿性を損なうこ
とがある。The material of the stoppers 9a and 9b has a thermal expansion coefficient that is approximately 1.6X10-
It is preferable to use the same insulating material as 5/'C). This is because if the coefficient of thermal expansion of the resin sealing member and the coefficient of thermal expansion of the stoppers 9a and 9b are significantly different, repeated temperature shocks may cause the sealing member to A gap is formed at the interface with the stoppers 9a, 9b, and moisture may enter the inside of the semiconductor device through this gap, which may impair the moisture resistance of the semiconductor device.

第３図は本発明の第２の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第４図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。FIG. 3 is a plan view showing the state before sealing of a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view similarly showing the state after sealing.

本実施例が第１の実施例と異なる点はストッパー１４ａ
、１４ｂの形状が異なることにあり、その他の構造は基
本的には第１の実施例と同様であるので、第３図及び第
４図において第１図及び第２図と同一物には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the stopper 14a
, 14b are different in shape, and the other structures are basically the same as those in the first embodiment. A detailed explanation thereof will be omitted with reference numerals.

本実施例に使用するストッパー１４ａ、１４ｂは、第１
の実施例のストッパー９ａ、９ｂと同様の材質の絶縁物
により、第５図に示すように枠組状の形状に成形されて
いる。そして、このスト・ンバー１４ａ、１４ｂの四隅
には切欠き部１５が設けられている。The stoppers 14a and 14b used in this example are the first
The stoppers 9a and 9b of the embodiment are made of an insulating material similar to that of the stoppers 9a and 9b, and are formed into a framework shape as shown in FIG. Cutouts 15 are provided at the four corners of the striker bars 14a, 14b.

ストッパー１４ａは配線基板２ａ上の外周縁部に接着剤
で固定されており、ストッパー１４ｂは基板パッド３ａ
の下面の周縁部でスト・ｙパー１４ａと整合する位置に
接着剤により固定されている。The stopper 14a is fixed to the outer peripheral edge of the wiring board 2a with adhesive, and the stopper 14b is fixed to the outer peripheral edge of the wiring board 2a.
It is fixed with adhesive at a position aligned with the stopper 14a at the peripheral edge of the lower surface of the holder.

ストッパー１４ａ、１４ｂには切欠き部１５が設けられ
ているため、樹脂封止の際に溶融している樹脂の流動が
ストッパー１４ａ、１４ｂにより阻害されることはない
。Since the stoppers 14a, 14b are provided with the cutout portions 15, the flow of the melted resin during resin sealing is not inhibited by the stoppers 14a, 14b.

本実施例においては、半導体ペレット１が基板パッド３
ａに直接固定されており、また、配線基板２ａ及び基板
パッド３ａに４個の貫通孔が設けられていると共に、ス
トッパー１４ａ、１４ｂが配線基板２ａの上面又は基板
パッドの下面に固定されているから、第１の実施例と同
様の効果を得ることができる。また、ストッパー１４ａ
、１４ｂが夫々一体形に成形されており、強固な構造と
なっているため、第１の実施例に比して配線基板２又は
基板パッド３への取付けが容易である。更に、樹脂封止
後の樹脂封止部１３の反りが抑制されるため、外部リー
ド６の先端の平坦度が著しく向上するという効果もある
。In this embodiment, the semiconductor pellet 1 is the substrate pad 3.
In addition, four through holes are provided in the wiring board 2a and the board pad 3a, and stoppers 14a and 14b are fixed to the top surface of the wiring board 2a or the bottom surface of the board pad. Therefore, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, the stopper 14a
, 14b are each integrally molded and have a strong structure, so that attachment to the wiring board 2 or board pad 3 is easier than in the first embodiment. Furthermore, since warpage of the resin-sealed portion 13 after resin-sealing is suppressed, there is also the effect that the flatness of the tips of the external leads 6 is significantly improved.

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体ペレットは
配線パッドに接合されているから、半導体ペレットから
発生する熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して効率良
く放散されるため、半導体ペレットの温度上昇が抑制さ
れる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, since the semiconductor pellet is bonded to the wiring pad, the heat generated from the semiconductor pellet is efficiently dissipated through the substrate pad having high thermal conductivity. Therefore, the temperature rise of the semiconductor pellet is suppressed.

また、本発明によれば、配線基板及び基板パッドを貫通
する貫通孔が設けられているから、配線基板上方の封止
樹脂部と基板パッド下方の封止樹脂部との結合力が向上
するため、従来配線基板又は基板パッドと封止樹脂部と
の界面に発生していたクラックを回避できる。Further, according to the present invention, since the through hole passing through the wiring board and the board pad is provided, the bonding force between the sealing resin part above the wiring board and the sealing resin part below the board pad is improved. Therefore, cracks that conventionally occur at the interface between the wiring board or the board pad and the sealing resin part can be avoided.

更に、本発明によれば、配線基板及び基板パッドに接合
されて配線基板の上方及び下方に突出したストッパーを
有しているから、樹脂封止時における配線基板及び基板
パッド等の移動を抑制できるため、ボンディングワイヤ
の変形及び切断並びにボンディングワイヤ及び配線基板
の露出を回避できる。Further, according to the present invention, since the stopper is bonded to the wiring board and the board pad and protrudes above and below the wiring board, movement of the wiring board, board pad, etc. during resin sealing can be suppressed. Therefore, deformation and cutting of the bonding wire and exposure of the bonding wire and the wiring board can be avoided.

従って、本発明によれば樹脂封止型半導体装置の信頼性
を著しく向上できるという効果を奏する。Therefore, according to the present invention, the reliability of the resin-sealed semiconductor device can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図、第３図は本発明の第２の実
施例に係る樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す
平面図、第４図は同じくその封止後の状態を示す断面図
、第５図はストッパーの形状を示す斜視図、第６図は従
来の樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す平面図
、第７図は同じくその封止後の状態を示す断面図である
。 １；半導体ペレット、２，２２；配線基板、３゜２３；
基板パッド、４；吊りリード、５；内部リード、６；外
部リード、７；タイバー、８ａ、８ｂ；貫通孔、９ａ、
９ｂ、１４ａ、１４ｂ；ストッパー、１０；プリント配
線、１１，１２；ボンディングワイヤ、１３，２４．樹
脂封止部、１５；切欠き部、１６；リードフレーム、１
７；孔１４０１ストッ／（−FIG. 1 is a plan view showing the state before sealing of a resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing the state after sealing, and FIG. 4 is a plan view showing the state before sealing of a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing the state after sealing, and FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the shape, FIG. 6 is a plan view showing the state of a conventional resin-sealed semiconductor device before sealing, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing the state after sealing. 1; Semiconductor pellet, 2, 22; Wiring board, 3゜23;
Substrate pad, 4; Hanging lead, 5; Internal lead, 6; External lead, 7; Tie bar, 8a, 8b; Through hole, 9a,
9b, 14a, 14b; stopper, 10; printed wiring, 11, 12; bonding wire, 13, 24. Resin sealing part, 15; Notch part, 16; Lead frame, 1
7; Hole 1401st/(-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）基板パッドと、この基板パッド上に接合されその
中央部が開孔された配線基板と、この配線基板の開孔部
に嵌入して前記基板パッド上に接合された半導体ペレッ
トと、前記配線基板及び前記基板パッドを貫通する貫通
孔と、前記配線基板及び基板パッドから夫々それらの上
方及び下方に突出したストッパーと、前記貫通孔を埋め
込むと共に前記半導体ペレットを封止する樹脂封止部と
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。(1) A substrate pad, a wiring board bonded onto the substrate pad and having a hole in its center, a semiconductor pellet fitted into the opening of the wiring board and bonded onto the substrate pad, and the semiconductor pellet bonded onto the substrate pad. a through hole penetrating the wiring board and the board pad; a stopper projecting above and below from the wiring board and the board pad, respectively; and a resin sealing part that fills the through hole and seals the semiconductor pellet. A resin-sealed semiconductor device characterized by having the following.
JP1021136A 1989-01-31 1989-01-31 Resin-sealed semiconductor device Pending JPH02202042A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517056A (en) * 1993-09-30 1996-05-14 Motorola, Inc. Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
WO1998002920A1 (en) * 1996-07-16 1998-01-22 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor module
JP2009290182A (en) * 2008-05-30 2009-12-10 Powertech Technology Inc Lead frame package structure, and method for manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517056A (en) * 1993-09-30 1996-05-14 Motorola, Inc. Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
WO1998002920A1 (en) * 1996-07-16 1998-01-22 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor module
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