JPH02202042A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02202042A JPH02202042A JP1021136A JP2113689A JPH02202042A JP H02202042 A JPH02202042 A JP H02202042A JP 1021136 A JP1021136 A JP 1021136A JP 2113689 A JP2113689 A JP 2113689A JP H02202042 A JPH02202042 A JP H02202042A
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- board
- resin
- wiring board
- semiconductor device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体ペレットと外部リードとがボンディング
ワイヤ及びプリント配線を介して相互に電気的に接続さ
れた樹脂封止型半導体装置に関する。
ワイヤ及びプリント配線を介して相互に電気的に接続さ
れた樹脂封止型半導体装置に関する。
［従来の技術］
第６図は従来の樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を
示す平面図、第７図は同じくその樹脂封止後の半導体装
置を示す断面図である。
示す平面図、第７図は同じくその樹脂封止後の半導体装
置を示す断面図である。
リードフレーム１６は中央部に４本の吊りり−ド４で支
持された基板パッド２３を有し、この基板パッド２３の
周囲には複数個の内部リード５及びこの内部リード５に
接続した複数個の外部り−ド６が形成されている。そし
て、樹脂封止前は、各内部リード５及び外部リード６は
タイバー７により相互に接続されている。
持された基板パッド２３を有し、この基板パッド２３の
周囲には複数個の内部リード５及びこの内部リード５に
接続した複数個の外部り−ド６が形成されている。そし
て、樹脂封止前は、各内部リード５及び外部リード６は
タイバー７により相互に接続されている。
基板パッド２３上には、この基板パッド２３と略々同一
の寸法の配線基板２２が接着剤等により固着されている
。そして、この配線基板２２の中央部には半導体ペレッ
ト１が接着剤により固着されており、また、この基板２
２の周縁部には所定の形状のプリント配線２０が形成さ
れている。
の寸法の配線基板２２が接着剤等により固着されている
。そして、この配線基板２２の中央部には半導体ペレッ
ト１が接着剤により固着されており、また、この基板２
２の周縁部には所定の形状のプリント配線２０が形成さ
れている。
半導体ペレット１の上面の周縁部には電極が設けられて
おり、この電極はプリント配線２ｏの端部とボンディン
グワイヤ１１により接続されている。また、プリント配
線２０の他方の端部は内部リード５とボンディングワイ
ヤ１２により接続されている。
おり、この電極はプリント配線２ｏの端部とボンディン
グワイヤ１１により接続されている。また、プリント配
線２０の他方の端部は内部リード５とボンディングワイ
ヤ１２により接続されている。
このリードフレーム１６を樹脂でモールド成形して樹脂
封止部２４を形成し、その後、タイバーカット及びリー
ドカットを行うことにより、第７図に示す樹脂封止型半
導体装置が完成する。
封止部２４を形成し、その後、タイバーカット及びリー
ドカットを行うことにより、第７図に示す樹脂封止型半
導体装置が完成する。
［発明が解決しようとする課Ｎ］
しかしながら、上述の如く、従来の樹脂封止型半導体装
置は基板パッド２３に比して熱伝導率が低い配線基板２
２上に半導体ペレット１が固着されているため、発熱量
が多い多ビンの半導体装置においては、半導体ペレット
１から発生した熱の放散が不十分であり、半導体装置の
電気的特性が変動する等の不都合が発生し、半導体装置
の信頼性が阻害されるという問題点がある。
置は基板パッド２３に比して熱伝導率が低い配線基板２
２上に半導体ペレット１が固着されているため、発熱量
が多い多ビンの半導体装置においては、半導体ペレット
１から発生した熱の放散が不十分であり、半導体装置の
電気的特性が変動する等の不都合が発生し、半導体装置
の信頼性が阻害されるという問題点がある。
また、通常、樹脂封止部２４の平面形状の面積に占める
配線基板２２又は基板パッド２３の面積の比率は約６５
乃至７０％と高いため、配線基板２２及び基板パッド２
３の上方の樹脂と下方の樹脂との間の結合力が弱く、樹
脂部２４と配線基板２２又は基板パッド２３との界面に
クラックが発生しやすいという欠点もある。
配線基板２２又は基板パッド２３の面積の比率は約６５
乃至７０％と高いため、配線基板２２及び基板パッド２
３の上方の樹脂と下方の樹脂との間の結合力が弱く、樹
脂部２４と配線基板２２又は基板パッド２３との界面に
クラックが発生しやすいという欠点もある。
更に、樹脂封止工程において、溶融していた樹脂が硬化
するのに伴い局部的に硬化した樹脂が配線基板２２及び
基板パッド２３を押し上げ又は押し下げるため、配線基
板２２と外部リード６とを接続しているボンディングワ
イヤ１２が変形又は切断されることがある。また、半導
体ペレット１と配線基板２２とを接続するボンディング
ワイヤ１１が樹脂封止部２４の上面に露出したり、基板
パッド２３が樹脂封止部２４の下面に露出することもあ
る。
するのに伴い局部的に硬化した樹脂が配線基板２２及び
基板パッド２３を押し上げ又は押し下げるため、配線基
板２２と外部リード６とを接続しているボンディングワ
イヤ１２が変形又は切断されることがある。また、半導
体ペレット１と配線基板２２とを接続するボンディング
ワイヤ１１が樹脂封止部２４の上面に露出したり、基板
パッド２３が樹脂封止部２４の下面に露出することもあ
る。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
放熱性能が優れており、クラックの発生が回避できると
共に、樹脂封止時における配線基板及び基板パッドの移
動を抑制した樹脂封止型半導体装置を提供することを目
的とする。
放熱性能が優れており、クラックの発生が回避できると
共に、樹脂封止時における配線基板及び基板パッドの移
動を抑制した樹脂封止型半導体装置を提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、基板パッドと、
この基板パッド上に接合されその中央部が開孔された配
線基板と、この配線基板の開孔部に嵌入して前記基板パ
ッド上に接合された半導体ペレットと、前記配線基板及
び前記基板パッドを貫通する貫通孔と、前記配線基板及
び基板パッドから夫々それらの上方及び下方に突出した
ストッパーと、前記貫通孔を埋め込むと共に前記半導体
ペレットを封止する樹脂封止部とを有することを特徴と
する。
この基板パッド上に接合されその中央部が開孔された配
線基板と、この配線基板の開孔部に嵌入して前記基板パ
ッド上に接合された半導体ペレットと、前記配線基板及
び前記基板パッドを貫通する貫通孔と、前記配線基板及
び基板パッドから夫々それらの上方及び下方に突出した
ストッパーと、前記貫通孔を埋め込むと共に前記半導体
ペレットを封止する樹脂封止部とを有することを特徴と
する。
［作用］
本発明においては、半導体ペレットは基板パッドに接合
されている。これにより、半導体ペレットから発生した
熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して迅速に放散され
るため半導体ペレットの温度上昇を抑制できる。
されている。これにより、半導体ペレットから発生した
熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して迅速に放散され
るため半導体ペレットの温度上昇を抑制できる。
また、本発明においては、配線基板及び基板パッドを貫
通する貫通孔が設けられている。そして、この貫通孔を
介して配線基板の上部の樹脂と基板パッドの下部の樹脂
とが接続されることにより、上部の樹脂と下部の樹脂と
の接合面積が増大して結合力が高くなるため、クラック
の発生を回避できる。
通する貫通孔が設けられている。そして、この貫通孔を
介して配線基板の上部の樹脂と基板パッドの下部の樹脂
とが接続されることにより、上部の樹脂と下部の樹脂と
の接合面積が増大して結合力が高くなるため、クラック
の発生を回避できる。
更に、本発明においては、配線基板の上面及び基板パッ
ドの下面にストッパーが設けられている。
ドの下面にストッパーが設けられている。
これにより、樹脂注入時にこのストッパーが金型内面に
突き当たって配線基板及び基板パッドの移動を抑制する
ため、ボンディングワイヤの変形及び切断並びにボンデ
ィングワイヤ及び配線基板の露出を回避できる。
突き当たって配線基板及び基板パッドの移動を抑制する
ため、ボンディングワイヤの変形及び切断並びにボンデ
ィングワイヤ及び配線基板の露出を回避できる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。
基板パッド３は矩形に形成されており、その四隅から導
出した４本の吊りリード４によりリードフレーム１６と
連結されている。この基板パッド３の上面の中央部には
半導体ペレット１が接着剤で固着されている。また、基
板パッド３の上面の周縁部には、基板パッド３と略々同
一外形寸法を有する配線基板２が接着剤等で固着されて
いる。
出した４本の吊りリード４によりリードフレーム１６と
連結されている。この基板パッド３の上面の中央部には
半導体ペレット１が接着剤で固着されている。また、基
板パッド３の上面の周縁部には、基板パッド３と略々同
一外形寸法を有する配線基板２が接着剤等で固着されて
いる。
この配線基板２の中央には半導体ペレット１が嵌入され
る孔１７が設けられている。配線基板２の上面には孔１
７の近傍から外周縁部まで延出した複数本のプリント配
線１０が放射状に配列されて形成されている。
る孔１７が設けられている。配線基板２の上面には孔１
７の近傍から外周縁部まで延出した複数本のプリント配
線１０が放射状に配列されて形成されている。
半導体ペレット１の上面の周縁部には複数個の電極が形
成されており、これらの電極とプリント配線１０とはボ
ンディングワイヤ１１により接続されている。
成されており、これらの電極とプリント配線１０とはボ
ンディングワイヤ１１により接続されている。
リードフレーム１６の基板パッド３の近傍の領域には各
プリント配線１０に整合する複数個の内部リード５が設
けれらており、各プリント配線１０は夫々整合する内部
リード５とボンディングワイヤ１２により接続されてい
る。
プリント配線１０に整合する複数個の内部リード５が設
けれらており、各プリント配線１０は夫々整合する内部
リード５とボンディングワイヤ１２により接続されてい
る。
リードフレーム１６の内部リード５の延長上には外部リ
ード６が形成されており、各内部リード５及び各外部リ
ード６はタイバー７により連結されている。
ード６が形成されており、各内部リード５及び各外部リ
ード６はタイバー７により連結されている。
配線基板２の上面のプリント配線１０が形成されていな
い対角線上の領域には、長円形の４個の貫通孔８ａが設
けられており、この貫通孔８ａと整合する基板パッド３
の領域には貫通孔８ｂが設けられている。
い対角線上の領域には、長円形の４個の貫通孔８ａが設
けられており、この貫通孔８ａと整合する基板パッド３
の領域には貫通孔８ｂが設けられている。
また、配線基板２の対向する２辺の中央部を結ぶ線上の
各辺の中央部の近傍には絶縁性物質を円柱状に成形した
４本のストッパー９ａが接着剤により固着されている。
各辺の中央部の近傍には絶縁性物質を円柱状に成形した
４本のストッパー９ａが接着剤により固着されている。
また、基板パッド３の下面にはストッパー９ａと整合す
る位置に同様のストッパー９ｂが固着されている。
る位置に同様のストッパー９ｂが固着されている。
本実施例に係る樹脂封止型半導体装置においては、半導
体ペレット１等が搭載されているリードフレーム１６の
外部リード６を除くその内側の領域を樹脂により封止し
て樹脂封止部１３が設けられている。
体ペレット１等が搭載されているリードフレーム１６の
外部リード６を除くその内側の領域を樹脂により封止し
て樹脂封止部１３が設けられている。
本実施例においては、半導体ペレット１は基板パッド３
に接合されている０通常、配線基板２にはガラスエポキ
シ板が使用されており、この配線基板２の熱伝導率は約
３Ｘ１０−’乃至５×１０− ’ｃａｌ／ ｃｍ−秒・
’Ｃである。一方、リードフレーム１６には銅又は銅合
金材が使用されており、このリードフレーム１６の熱伝
導率は約０．４ｃａｔ／ｃｍ・秒・℃と極めて熱伝導性
が優れている。
に接合されている０通常、配線基板２にはガラスエポキ
シ板が使用されており、この配線基板２の熱伝導率は約
３Ｘ１０−’乃至５×１０− ’ｃａｌ／ ｃｍ−秒・
’Ｃである。一方、リードフレーム１６には銅又は銅合
金材が使用されており、このリードフレーム１６の熱伝
導率は約０．４ｃａｔ／ｃｍ・秒・℃と極めて熱伝導性
が優れている。
このため、本実施例に係る樹脂封止型半導体装置は、半
導体ペレットが配線基板に接合されている従来の半導体
装置に比して極めて優れた放熱性能を有している。−例
として、１６０ピンのフラットパッケージ型半導体装置
について説明すると、従来の構造の樹脂封止型半導体装
置における熱抵抗は約６０乃至８０℃／Ｗである。これ
に対し、本実施例に係る樹脂封止型半導体装置の熱抵抗
は２０乃至２５℃／Ｗであり、従来に比して約１７３と
極めて小さい。従って、本実施例に係る半導体装置の信
頼性は極めて高い。なお、この効果は多ビンの半導体装
置はど明確に現れる。
導体ペレットが配線基板に接合されている従来の半導体
装置に比して極めて優れた放熱性能を有している。−例
として、１６０ピンのフラットパッケージ型半導体装置
について説明すると、従来の構造の樹脂封止型半導体装
置における熱抵抗は約６０乃至８０℃／Ｗである。これ
に対し、本実施例に係る樹脂封止型半導体装置の熱抵抗
は２０乃至２５℃／Ｗであり、従来に比して約１７３と
極めて小さい。従って、本実施例に係る半導体装置の信
頼性は極めて高い。なお、この効果は多ビンの半導体装
置はど明確に現れる。
また、本実施例においては、配線基板２及び基板パッド
３の対角線上の領域に４個の長円形の貫通孔８ａ、８ｂ
が開孔されており、封止用の樹脂はこの貫通孔８ａ、８
ｂの内部にも充填される。
３の対角線上の領域に４個の長円形の貫通孔８ａ、８ｂ
が開孔されており、封止用の樹脂はこの貫通孔８ａ、８
ｂの内部にも充填される。
これにより、配線基板２及び基板パッド３の上方の樹脂
と下方の樹脂との間の結合力が増大するため、クラック
の発生を回避できる。なお、この貫通孔８ａ、８ｂの大
きさ、位置及び数量等は上述の実施例により限定される
ものではない。
と下方の樹脂との間の結合力が増大するため、クラック
の発生を回避できる。なお、この貫通孔８ａ、８ｂの大
きさ、位置及び数量等は上述の実施例により限定される
ものではない。
更に、本実施例においては、配線基板２の上面及び基板
パッドの下面に、夫々４本のストッパー９ａ、９ｂが固
着されている。これにより、樹脂が硬化するときに、配
線基板２及び基板パッド３が局部的に硬化した樹脂によ
り押し上げ又は押し下げられて移動しようとすると、こ
のストッパー９ａ、９ｂがモールド装置の金型に突き当
なり、それ以上の移動が抑制される。従って、配線基板
２及び基板パッド３は実質的に所定の位置に止まり、こ
の位置から移動することなく樹脂封止される。このスト
ッパー９ａ、９ｂの長さは、所望の樹脂封止部の上面又
は下面とストッパー９ａ又は９ｂの上面又は下面との距
離が０．１ｍ＋ａとなるようにすることが好ましい、こ
のようにすることにより、樹脂封止工程の準備の際にモ
ールド装置の上型と下型でリードフレーム１６を挟持し
たときに、ストッパー９ａ、９ｂが金型の内面に当たっ
て樹脂封止ができなくなることを防止できる。
パッドの下面に、夫々４本のストッパー９ａ、９ｂが固
着されている。これにより、樹脂が硬化するときに、配
線基板２及び基板パッド３が局部的に硬化した樹脂によ
り押し上げ又は押し下げられて移動しようとすると、こ
のストッパー９ａ、９ｂがモールド装置の金型に突き当
なり、それ以上の移動が抑制される。従って、配線基板
２及び基板パッド３は実質的に所定の位置に止まり、こ
の位置から移動することなく樹脂封止される。このスト
ッパー９ａ、９ｂの長さは、所望の樹脂封止部の上面又
は下面とストッパー９ａ又は９ｂの上面又は下面との距
離が０．１ｍ＋ａとなるようにすることが好ましい、こ
のようにすることにより、樹脂封止工程の準備の際にモ
ールド装置の上型と下型でリードフレーム１６を挟持し
たときに、ストッパー９ａ、９ｂが金型の内面に当たっ
て樹脂封止ができなくなることを防止できる。
なお、このストッパー９ａ、９ｂの材質としては、熱膨
張係数が樹脂封止部材の熱膨張係数（約１．６Ｘ１０−
５／’Ｃ）と同一の絶縁物質が好ましい、これは、樹脂
封止部材の熱膨張係数とストッパー９ａ、９ｂの熱膨張
係数が大きく異なると、温度衝撃が繰り返されることに
より、封止部材とストッパー９ａ、９ｂとの界面に隙間
が形成され、この隙間を介して半導体装置の内部に水分
が侵入することがあり、半導体装置の耐湿性を損なうこ
とがある。
張係数が樹脂封止部材の熱膨張係数（約１．６Ｘ１０−
５／’Ｃ）と同一の絶縁物質が好ましい、これは、樹脂
封止部材の熱膨張係数とストッパー９ａ、９ｂの熱膨張
係数が大きく異なると、温度衝撃が繰り返されることに
より、封止部材とストッパー９ａ、９ｂとの界面に隙間
が形成され、この隙間を介して半導体装置の内部に水分
が侵入することがあり、半導体装置の耐湿性を損なうこ
とがある。
第３図は本発明の第２の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第４図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。
装置の封止前の状態を示す平面図、第４図は同じくその
封止後の状態を示す断面図である。
本実施例が第１の実施例と異なる点はストッパー１４ａ
、１４ｂの形状が異なることにあり、その他の構造は基
本的には第１の実施例と同様であるので、第３図及び第
４図において第１図及び第２図と同一物には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
、１４ｂの形状が異なることにあり、その他の構造は基
本的には第１の実施例と同様であるので、第３図及び第
４図において第１図及び第２図と同一物には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
本実施例に使用するストッパー１４ａ、１４ｂは、第１
の実施例のストッパー９ａ、９ｂと同様の材質の絶縁物
により、第５図に示すように枠組状の形状に成形されて
いる。そして、このスト・ンバー１４ａ、１４ｂの四隅
には切欠き部１５が設けられている。
の実施例のストッパー９ａ、９ｂと同様の材質の絶縁物
により、第５図に示すように枠組状の形状に成形されて
いる。そして、このスト・ンバー１４ａ、１４ｂの四隅
には切欠き部１５が設けられている。
ストッパー１４ａは配線基板２ａ上の外周縁部に接着剤
で固定されており、ストッパー１４ｂは基板パッド３ａ
の下面の周縁部でスト・ｙパー１４ａと整合する位置に
接着剤により固定されている。
で固定されており、ストッパー１４ｂは基板パッド３ａ
の下面の周縁部でスト・ｙパー１４ａと整合する位置に
接着剤により固定されている。
ストッパー１４ａ、１４ｂには切欠き部１５が設けられ
ているため、樹脂封止の際に溶融している樹脂の流動が
ストッパー１４ａ、１４ｂにより阻害されることはない
。
ているため、樹脂封止の際に溶融している樹脂の流動が
ストッパー１４ａ、１４ｂにより阻害されることはない
。
本実施例においては、半導体ペレット１が基板パッド３
ａに直接固定されており、また、配線基板２ａ及び基板
パッド３ａに４個の貫通孔が設けられていると共に、ス
トッパー１４ａ、１４ｂが配線基板２ａの上面又は基板
パッドの下面に固定されているから、第１の実施例と同
様の効果を得ることができる。また、ストッパー１４ａ
、１４ｂが夫々一体形に成形されており、強固な構造と
なっているため、第１の実施例に比して配線基板２又は
基板パッド３への取付けが容易である。更に、樹脂封止
後の樹脂封止部１３の反りが抑制されるため、外部リー
ド６の先端の平坦度が著しく向上するという効果もある
。
ａに直接固定されており、また、配線基板２ａ及び基板
パッド３ａに４個の貫通孔が設けられていると共に、ス
トッパー１４ａ、１４ｂが配線基板２ａの上面又は基板
パッドの下面に固定されているから、第１の実施例と同
様の効果を得ることができる。また、ストッパー１４ａ
、１４ｂが夫々一体形に成形されており、強固な構造と
なっているため、第１の実施例に比して配線基板２又は
基板パッド３への取付けが容易である。更に、樹脂封止
後の樹脂封止部１３の反りが抑制されるため、外部リー
ド６の先端の平坦度が著しく向上するという効果もある
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体ペレットは
配線パッドに接合されているから、半導体ペレットから
発生する熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して効率良
く放散されるため、半導体ペレットの温度上昇が抑制さ
れる。
配線パッドに接合されているから、半導体ペレットから
発生する熱は熱伝導率が高い基板パッドを介して効率良
く放散されるため、半導体ペレットの温度上昇が抑制さ
れる。
また、本発明によれば、配線基板及び基板パッドを貫通
する貫通孔が設けられているから、配線基板上方の封止
樹脂部と基板パッド下方の封止樹脂部との結合力が向上
するため、従来配線基板又は基板パッドと封止樹脂部と
の界面に発生していたクラックを回避できる。
する貫通孔が設けられているから、配線基板上方の封止
樹脂部と基板パッド下方の封止樹脂部との結合力が向上
するため、従来配線基板又は基板パッドと封止樹脂部と
の界面に発生していたクラックを回避できる。
更に、本発明によれば、配線基板及び基板パッドに接合
されて配線基板の上方及び下方に突出したストッパーを
有しているから、樹脂封止時における配線基板及び基板
パッド等の移動を抑制できるため、ボンディングワイヤ
の変形及び切断並びにボンディングワイヤ及び配線基板
の露出を回避できる。
されて配線基板の上方及び下方に突出したストッパーを
有しているから、樹脂封止時における配線基板及び基板
パッド等の移動を抑制できるため、ボンディングワイヤ
の変形及び切断並びにボンディングワイヤ及び配線基板
の露出を回避できる。
従って、本発明によれば樹脂封止型半導体装置の信頼性
を著しく向上できるという効果を奏する。
を著しく向上できるという効果を奏する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図、第３図は本発明の第２の実
施例に係る樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す
平面図、第４図は同じくその封止後の状態を示す断面図
、第５図はストッパーの形状を示す斜視図、第６図は従
来の樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す平面図
、第７図は同じくその封止後の状態を示す断面図である
。 １；半導体ペレット、２，２２；配線基板、３゜２３；
基板パッド、４；吊りリード、５；内部リード、６；外
部リード、７；タイバー、８ａ、８ｂ；貫通孔、９ａ、
９ｂ、１４ａ、１４ｂ；ストッパー、１０；プリント配
線、１１，１２；ボンディングワイヤ、１３，２４．樹
脂封止部、１５；切欠き部、１６；リードフレーム、１
７；孔１４０１ストッ／（−
装置の封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくその
封止後の状態を示す断面図、第３図は本発明の第２の実
施例に係る樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す
平面図、第４図は同じくその封止後の状態を示す断面図
、第５図はストッパーの形状を示す斜視図、第６図は従
来の樹脂封止型半導体装置の封止前の状態を示す平面図
、第７図は同じくその封止後の状態を示す断面図である
。 １；半導体ペレット、２，２２；配線基板、３゜２３；
基板パッド、４；吊りリード、５；内部リード、６；外
部リード、７；タイバー、８ａ、８ｂ；貫通孔、９ａ、
９ｂ、１４ａ、１４ｂ；ストッパー、１０；プリント配
線、１１，１２；ボンディングワイヤ、１３，２４．樹
脂封止部、１５；切欠き部、１６；リードフレーム、１
７；孔１４０１ストッ／（−
Claims (1)
- （１）基板パッドと、この基板パッド上に接合されその
中央部が開孔された配線基板と、この配線基板の開孔部
に嵌入して前記基板パッド上に接合された半導体ペレッ
トと、前記配線基板及び前記基板パッドを貫通する貫通
孔と、前記配線基板及び基板パッドから夫々それらの上
方及び下方に突出したストッパーと、前記貫通孔を埋め
込むと共に前記半導体ペレットを封止する樹脂封止部と
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021136A JPH02202042A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021136A JPH02202042A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202042A true JPH02202042A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12046482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1021136A Pending JPH02202042A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517056A (en) * | 1993-09-30 | 1996-05-14 | Motorola, Inc. | Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same |
| WO1998002920A1 (de) * | 1996-07-16 | 1998-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-modul |
| JP2009290182A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Powertech Technology Inc | リードフレームパッケージ構造とその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1021136A patent/JPH02202042A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517056A (en) * | 1993-09-30 | 1996-05-14 | Motorola, Inc. | Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same |
| WO1998002920A1 (de) * | 1996-07-16 | 1998-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-modul |
| JP2009290182A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Powertech Technology Inc | リードフレームパッケージ構造とその製造方法 |
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