JPH02202773A - マルチチップ・ラインセンサの残光補正回路 - Google Patents

マルチチップ・ラインセンサの残光補正回路

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Publication number
JPH02202773A
JPH02202773A JP1023422A JP2342289A JPH02202773A JP H02202773 A JPH02202773 A JP H02202773A JP 1023422 A JP1023422 A JP 1023422A JP 2342289 A JP2342289 A JP 2342289A JP H02202773 A JPH02202773 A JP H02202773A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
line
signal string
picture element
pixel signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP1023422A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Urano
一郎 浦野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、文字読取り装置などを構成するマルチチップ
・ラインセンサに利用される残光補正回路に関するもの
である。
(従来の技術) 文字読取り装置などに使用されるマルチチップ・ライン
センサでは、チップごとの空間的ずれを補正するために
複数段のアナログ・ラインメモリが内蔵されている。
(発明が解決しようとする課題) 上記従来のマルチチップ・ラインセンサでは、内蔵のア
ナログ・ラインメモリの転送効率が不十分なため、読取
った光信号のレベルが1ライン前の光信号のレベルの影
響を受ける現象、いわゆる残光の現象が発生するという
問題がある。この残光のもとでは、文字認識用などの高
品位のイメージ情報を得ることが困難になる。
(課題を解決するための手段) 本発明に係わるマルチチップ・ラインセンサの残光補正
回路は、アナログ・ラインメモリとアナログ・シフトレ
ジスタとを経て1ライン分の画素信号を直列形式で出力
するマルチチップ・ラインセンサの各チップに対応して
設置され、1ライン分のアナログ画素信号をサンプル・
ホールドしディジタル画素信号列に変換する変換手段と
、このディジタル画素信号列を1ライン分遅延させ、係
数を乗じる遅延・係数手段と、この遅延され係数の乗じ
られたディジタル画素信号列を上記変換手段の出力であ
るディジタル画素信号列から減算する減算手段とを備え
、簡易な構成のもとて残光を十分に低減できるように構
成されている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
(実施例) 第1図は、本発明の一実施例に係わるマルチチップ・ラ
インセンサの残光補正回路を1チップ分について示すブ
ロック図であり、INは残光補正対象のアナログ画素信
号の入力端子、11はサンプル・ホールド回路、12は
A/D変換回路、13は減算回路、14は1ライン遅延
回路、15は係数回路、OUTは残光補正済みのディジ
タル画素信号列の出力端子である。
この残光補正回路10は、前段に設置されるマルチチッ
プ・ラインセンサのチップごとに設置されており、対応
のチップのラインセンサLSから入力端子INに供給さ
れるアナログ画素信号に残光補正を施して出力端子OU
Tに出力する。
各チップ内のラインセンサは、第2図に示すように、受
光素子列21と、空間的なずれを罪整するための4段接
続のアナログ・ラインメモリ22〜24と、並列/直列
変換用のアナログ・シフトレジスタ25とを備え、転送
効率の低さのために比較的大きな残光成分を含むアナロ
グ画素信号を出力端子26に出力する。
第3図の波形図に示すように、残光補止回路IOの入力
端子INに供給される1ライン周期のアナログ画素信号
(B)は、ラインセンサの近傍に設置されている照明用
の発恍ダイオード・アレイ(図示せず)に対する動作開
始指令(A)の立上りと同時に立上がる。1947分の
アナログ画素信号(B)は、サンプル・ホールド回路1
1でサンプル・ホールドされて階段状波形の画素信号(
C)となり、後段のA/D変換回路12においてディジ
タル画素信号列(D)に変換される。第5図の例では、
1ライン分がそれぞれ「50」や「601などの10進
数で表示されるレベルを有する10個の画素信号で構成
されている。
このディジタル画素信号列(D)は、減算回路13の加
算側入力端子に供給されると共に、1ライン遅延回路I
4にも供給される。1ライン遅延回路14から出力され
る1ライン前のディジタル画素信号列(E)は、ROM
などで構成される係数回路15において残光特性に合わ
せて設定された適宜な係数、(第3図の例では0.2)
が乗ぜられ、ディジタル画素信号列(F)となって減算
回路13の減算側入力端子に供給される。減算回路13
において、残光補正前のディジタル画素信号列(D)か
ら残光補正用のディジタル画素信号列(F)が減算され
、残光補正済みのディジタル画素信号列(G)が出力端
子OUTに出力される。
第3図の例では、直前のラインの各画素信号のレベルの
20%が残光として直後のラインの対応の画素信号のレ
ベルに漏れ込んでいると見做される。このため、■ライ
ン遅延回路14と係数回路15とによって直前のライン
の各画素信号のレベルの20%か疑似残光レベルとして
作成され、これが減算回路の加算端子に供給される現ラ
インの画素信号レベルから減算されることにより、残光
の補正が行われる。
係数回路15の係数価を残光の発生状況に応じて外部か
ら調整可能としてもよい。
また、ディジタル画素信号列に対する1ライン分の遅延
、係数の乗算及びライン間の減算は、専用のハードウェ
アで実現してもよいし、マイクロプロセッサなどを用い
て汎用のソフトウェアで実現してもよい。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明の残光補正回路によ
れば、1ライン分のアナログ画素信号をサンプル・ホー
ルドしディジタル画素信号列に変換する変換手段と、こ
のディジタル画素信号列を1ライン分遅延させ、係数を
乗じる遅延・係数手段と、この遅延され係数の乗じられ
たディジタル画素信号列を上記変換手段の出力であるデ
ィジタル画素信号列から減算する減算手段とを備える構
成であるから、簡易な構成のもとて残光の影響を十分に
低減でき、文字認識用など高品位のイメージ情報を得る
ことができるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係わるマルチチップ・ライ
ンセンサの残光補正回路の構成を1チップ分のラインセ
ンサについて示すブロック図、第2図は残光補正対象の
アナログ画素信号を出力するlチン1分のラインセンサ
の構成を例示するブロック図、第3図は第1図の残光補
正回路の動作を説明するための波形図である。 IN・・・入力端子、11・・・サンプル・ホールド回
路、12・・・A/D変換回路、13・・・減算回路、
14・・・1ライン遅延回路、15・・・係数回路、0
tJT・・・出力端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 アナログ・ラインメモリとアナログ・シフトレジスタと
    を経て1ライン分の画素信号列を直列形式で出力するマ
    ルチチップ・ラインセンサの各チップに対応して設置さ
    れ、対応のチップから出力される1ライン分の画素信号
    列に対して残光補正を行う回路であって、 1ライン分のアナログ画素信号をサンプル・ホールドし
    ディジタル画素信号列に変換する変換手段と、 このディジタル画素信号列を1ライン分遅延させ0より
    も大きく1よりも小さな係数を乗じる遅延・係数手段と
    、 この遅延され係数の乗じられたディジタル画素信号列を
    前記変換手段の出力であるディジタル画素信号列から減
    算する減算手段とを備えたことを特徴とするマルチチッ
    プ・ラインセンサの残光補正回路。
JP1023422A 1989-01-31 1989-01-31 マルチチップ・ラインセンサの残光補正回路 Pending JPH02202773A (ja)

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JP (1) JPH02202773A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002019695A1 (fr) * 2000-08-29 2002-03-07 Seiko Epson Corporation Lecteur d'images
EP2582130A2 (en) * 2011-10-14 2013-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Infrared solid state imaging device

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