JPH02203556A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、樹脂モールド型半導体装置の製造方；去に間
する。

［従来技術］ 第５図に示すように、被覆樹脂１外に複数本のノード２
が導出する樹脂モールド型半導体装置は、各リード２の
半田付は性を良くするために、リード２表面に半田めフ
きを施すのが普通である。このような半導体装置は、樹
脂モールド工程後に、被覆樹脂１外に導出する各リード
２を連結したタイバー３を切除して各リード２に分割し
、各り−ド２にフラックス処理を施し、溶融半田内に各
リード２を漫積して半田めりきを施している。

上記めっき工程では、被覆樹脂面ｌａ外に導出する各リ
ード基８β２ａまて半田めっきを施す必要があるため、
フラックス処理時には、第６図に示すように、被覆樹脂
面１ａとフラックス液面とが所定の間ｔｌ　Ｈとなるよ
うに、フラックス液４内に各リード２を浸積してフラッ
クス処理を１テっでいろ。そして、同様に図示していな
い溶融半田内に被覆樹脂面１ａと溶融半田面とが所定の
間隔Ｈとなるように各リード２をｖｉＪ融半田に浸積し
て半田めっきを施している。このように、フラックス処
理し・てからＮ８触半田に漫積すると、昇温によって活
性化するフラックスが各リード基部２ａにまてはい上が
るので、各リード基部２ａまで半田めっきが施される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のり一部２めっき工程では、次のよ
うな問題があった。即ち、各リード２にフラックス処理
を施す場合に、それぞれの半導体装置の被覆樹脂面１ａ
とフラックス液面との間隔Ｈをばらつきなく一定するこ
とが困難であった。そのため、第６図に一点鎖線で示す
ように、フラックス液４面と被覆樹脂面１ａとが所定間
隔Ｈより狭い間ＵＮ　ｈになると、各リード２にはフラ
ックスが付き過ぎてしまい、この状態で（盲融半田内に
浸積して半田めっきを施すと、活性化するフラックスが
各リード基部２ａ間をはい上がり、隣接するり一ト基部
２ａ間がこのフラックスてつながることが多々あった。

このように、リード基部２ａ間がフラックスでつながる
と、該フラックスの吸湿等ここよって各リード２間にリ
ーク電流が生し、半導体装置に誤動作等が生じたり、半
田めっき時に、隣接するリード基部２ａ間に半田がはい
上がって短絡するという問題があった。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、被覆樹脂外に導出する複数のリード基部間に樹
脂薄膜を上記被覆樹脂と一体に形成する樹脂モールド工
程と、上記各リードに半田めっきを施すめっき工程と、
各リード基部間の上記樹脂薄膜を除去する工程とを含む
ことを特徴とする。

［作用］ 本発明の半導体装置の製造方法では、樹脂モールト工程
において、被覆樹脂外に導出する複数のリード基部間に
それぞれ樹脂薄膜を被覆樹脂゛と一体に形成するため、
半田めっき工程；仁おいてリード基部間の樹脂薄膜にフ
ラックス５αが付いたり、半田めっきされても樹脂薄膜
の除去工程で該樹脂薄膜を除去することにより、各リー
ド基部間にフラックスや半田等が残ることがない。

［実施例コ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第１１！Ｉから第４図は本発明の一実ｆ＃！、例にかか
る半導体装置の製造方法の順を追った説明図である。

本実ｔＩｆ、例による樹脂モールド工程は、図示してい
ないが半導体ペレットをマウントしてリード２とワイヤ
ボンディングしてなるリードフレーム５を上下金型内に
装着し、樹脂モールド部分をキャビティに位置させて、
溶融した樹脂をランナーを介し、てゲートより注入し、
エアベントよりキャビティ内の空スを排出しながら樹脂
モールドを行ない、主要部分を樹脂被覆するものである
。上下金型はこのとき、タイバー３と該タイバー３で連
結された各リード２と被覆された樹脂面１ａとで挟まれ
る各リード基部２ａ間に対応する部分を加工して隙間を
形成したもので、この隙間に被覆樹脂１の一部が注入さ
れて樹脂薄膜６がリード基部２ａ間に被覆Ｆｌ脂ｌと一
体に形成されろ。この樹脂薄膜６は、リード基部２ａの
ほぼ板厚中央部分に形成されおり、その厚みは、あまり
薄ければ剥がれて脱落し易く、・厚すぎると、後述する
樹脂膜１１１６の除去工程で取り除き難くなるので、リ
ード２の板厚に対して１／２から１／３程度の厚みとす
ることが好ましい。尚、リード基部２８間に比較的大き
なエアベントが形成されていて各リード基部２ａ間に上
記した程度の樹脂膜が形成されるようであれば、上下金
型を加工する必要はない。

上記樹脂モールド工程が終了すると、第２図に示すよう
に、各リード基部２ａ間に樹脂薄膜６を残して、各リー
ド２を連結したタイバー３の不要部分だけを切除し、各
リード２に分割する。

各リード基部２ａにそれぞれ樹！ＩｉＩ薄膜６を残した
状態で各リード２に分割すると、次に、各り−ド２の半
田付は性を良くするため、それぞれのり一部２に半田め
っきを施す。このめっき工程；よ、まず、各リード２に
油分や錆等が付着していても活性化されて半田めっきさ
れ易いようにフラックス処理を行なう。該フラックス処
理は、第３図に示すように、フラックス液４内に被覆樹
脂面１ａとフラッフスミα面とが所定の間隔Ｈとなるよ
うに、各リード２をフラックス液４内に４積してフラッ
クスを付着させる。ついで、溶融半田に被覆樹脂面１ａ
と溶融半田濠面とが所定間隔となるように、各リード２
を溶融半田に４積する。すると、り一部２の昇温によっ
てフラックスが活性化され、該−ノラ・ソクスが各リー
ド基部３ａ間にまではいとがり、リ　ド基部２ａまＣ半
田めっきが施される。

各り−・ド２表面に半Ｅ１１めつきが施されると、次に
、各リード基部２８間に形成されでいる名樹脂誦膜６を
除去する除去工程に送られ、各樹脂薄膜〔六を打ち抜く
等によって除去し５　第４図に示すような（Ｍ脂モール
ド型の半導（本装置が繋１遺されろ。

」二記の製造方法によれば、被覆樹脂面１ａより導出ｒ
る各り−１・−？の半田めっき工程で、フラックス処理
におけろ被覆樹脂面１ａとフラックス液面とが所定の間
隔Ｈより侠くなろと、各リード基部２ａ及び各リード基
部′、２ａ間に形成されている（■１膜６にまでフラッ
クスが付着し、次：こ、溶融゛１り川内に／！積するど
、リード基部２ａ間に４１’田がブリッジすることがあ
る。しかし・、樹脂薄膜６にフラックスが付いたり、半
田がブリッジしノでも、めっき工程１表にリード基部２
ａ間の樹脂薄膜６を除去工程で除去することにより、リ
ード基部間のフラックスや半田を取り除くことができる
。泥って、フラックスの吸湿などにより各リード２間に
リーク電流が発生し・たり、ブリッジした半田て各リー
ド２が短絡することが防止され、信頼性の高い半導体装
置が得られる。

［発明の効果］ 以Ｊ二の説明から明かなように、本発明の゛Ｉ’導体装
置の製造方法では、半導体装置の被覆樹脂夕日こ導出す
る各リード基部間にフラックスや半田等が残ることなく
各リード表面に半田めっきを施すことがてき、信頼性の
高い半導体装置を得ることがでさるといった効果を奏す
る。

４゜図面のｌｉｉ’ｌ牛な説明 第１図から第４図は本発明の−・実施例における半導体
装置の製造方法の１１１頁を追・−）た説明図゛Ｃあり
、第１図は樹脂モールド且稈１尚の状態を示す↑１１間
で、第２図は被覆樹脂外に導出する各り−１−を分割し
た状Ｕ、を示ず斜視図で、第：３図はめつき１稈のフラ
ックス処理状態を示す側面図で、第４図は除去工程後の
半導体装＃を示す斜視図であり、第５図は従来の製造方
法による被覆樹脂外に導出νろ各リードを分割した状態
を示す斜視図、第６図はｉに来の製造方法によるめフき
工程のフラックス処理状態を示す側面図である。

１・・・被覆樹脂、 ：２・・・リー　ド、 ２ａ・・・リード基部５ ６・・・樹脂薄膜。

第１図 特　　許　　出　　願　　人 閏西日本電気株式会社 第２図 第３図 Ｍ４図 第５図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被覆樹脂外に導出する複数のリード基部間に樹脂
   薄膜を上記被覆樹脂と一体に形成する樹脂モールド工程
   と、 上記各リードに半田めっきを施すめっき工程と、各リー
   ド基部間の上記樹脂薄膜を除去する工程とを含むことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。