JPH0422340B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0422340B2 JPH0422340B2 JP59204729A JP20472984A JPH0422340B2 JP H0422340 B2 JPH0422340 B2 JP H0422340B2 JP 59204729 A JP59204729 A JP 59204729A JP 20472984 A JP20472984 A JP 20472984A JP H0422340 B2 JPH0422340 B2 JP H0422340B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- oxide film
- heat sink
- exposed portion
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/045—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は樹脂モールド型半導体装置などのリ
ードフレームを使つて製造される電子部品の製造
方法に関する。
ードフレームを使つて製造される電子部品の製造
方法に関する。
従来の技術
トランジスタ等の樹脂モールド型半導体装置は
リードフレームを使つて複数個が一括して製造さ
れ、その製造工程は次の〔Ａ〕〜〔Ｆ〕が一般的
である。
リードフレームを使つて複数個が一括して製造さ
れ、その製造工程は次の〔Ａ〕〜〔Ｆ〕が一般的
である。
〔A〕 リードフレーム主要部に半導体ペレツトを
マウントする工程、 〔B〕 マウントされた半導体ペレツトとリードフ
レームのリードとに金属細線をボンデイングす
る工程、 〔C〕 リードフレームの半導体ペレツトを含む主
要部を樹脂材で被覆外装してから高温保管する
工程、 〔D〕 リードフレームを半導体装置毎に切断分離
する工程、 〔E〕 個々の半導体装置の外観を検査する工程、 〔F〕 外観良品の個々の半導体装置毎に特性検査
する工程。
マウントする工程、 〔B〕 マウントされた半導体ペレツトとリードフ
レームのリードとに金属細線をボンデイングす
る工程、 〔C〕 リードフレームの半導体ペレツトを含む主
要部を樹脂材で被覆外装してから高温保管する
工程、 〔D〕 リードフレームを半導体装置毎に切断分離
する工程、 〔E〕 個々の半導体装置の外観を検査する工程、 〔F〕 外観良品の個々の半導体装置毎に特性検査
する工程。
上記製造工程の具体例を第３図乃至第７図を参
照して説明すると次の通りである。
照して説明すると次の通りである。
例えば先ず第３図及び第４図に示すリードフレ
ーム１を用意する。これは３本一組のリード２，
２…を複数組、タイバ３，３…で一連に連結し、
各組のリード２，２…の中央の１本を先端に１つ
の放熱板４，４…を一体に連結したものであり、
各放熱板４，４…はタイバ５，５…にて一連に連
結されている。次に第５図及び第６図に示すよう
に各放熱板４，４…上のペレツトマウント位置に
半導体ペレツト６，６…をマウントしてから、そ
の各々の表面電極とリード２，２…の各組の両側
の２本の先端部とを金属細線７，７…で接続し、
而る後放熱板４，４…の裏面を露出させて半導体
ペレツト６，６…を含む主要部に外装樹脂材８，
８…にてモールド成形する。次にリードフレーム
１よりタイバ３，３…，５，５…を切断除去して
第７図に示す樹脂モールド型半導体装置９を得
て、外観検査、特性検査の各工程に送り、良品の
みが出荷される。
ーム１を用意する。これは３本一組のリード２，
２…を複数組、タイバ３，３…で一連に連結し、
各組のリード２，２…の中央の１本を先端に１つ
の放熱板４，４…を一体に連結したものであり、
各放熱板４，４…はタイバ５，５…にて一連に連
結されている。次に第５図及び第６図に示すよう
に各放熱板４，４…上のペレツトマウント位置に
半導体ペレツト６，６…をマウントしてから、そ
の各々の表面電極とリード２，２…の各組の両側
の２本の先端部とを金属細線７，７…で接続し、
而る後放熱板４，４…の裏面を露出させて半導体
ペレツト６，６…を含む主要部に外装樹脂材８，
８…にてモールド成形する。次にリードフレーム
１よりタイバ３，３…，５，５…を切断除去して
第７図に示す樹脂モールド型半導体装置９を得
て、外観検査、特性検査の各工程に送り、良品の
みが出荷される。
発明が解決しようとする問題点
ところで、上記のような放熱板を含むリードフ
レームは熱伝導性の良好な鋼板を打抜き成形した
ものが一般的であるが、このようなリードフレー
ムはペレツトマウント工程などで加熱されると酸
化するので、予め金メツキやニツケルメツキをし
てリードフレームの酸化防止や外観劣化防止を図
ることが行われている。しかし、これではリード
フレームに金メツキ、ニツケルメツキを施す工程
が必要でリードフレームがコスト高となる問題が
あり、そこで最近はメツキ処理を行わずにリード
フレームをペレツトマウント工程等に送つて製造
する傾向になつている。
レームは熱伝導性の良好な鋼板を打抜き成形した
ものが一般的であるが、このようなリードフレー
ムはペレツトマウント工程などで加熱されると酸
化するので、予め金メツキやニツケルメツキをし
てリードフレームの酸化防止や外観劣化防止を図
ることが行われている。しかし、これではリード
フレームに金メツキ、ニツケルメツキを施す工程
が必要でリードフレームがコスト高となる問題が
あり、そこで最近はメツキ処理を行わずにリード
フレームをペレツトマウント工程等に送つて製造
する傾向になつている。
酸化防止のメツキ処理をしないリードフレーム
を使つた製造方法として、例えばペレツトマウン
ト工程ではリードフレームのペレツトマウント位
置を半導体ペレツトをマウントする直前に水素ト
ーチで焼いて酸化膜を還元除去することや、金属
細線のボンデイング工程ではリード上の酸化膜を
突き破る程度にボンデイング強度を大きくするこ
とが行われており、このようにすることによりリ
ードフレームに酸化防止のメツキ処理をしなくて
も十分に信頼性の良い半導体装置が得られること
が分かつている。ところが、酸化防止のメツキ処
理をしないリードフレームを使つて製造した半導
体装置においては金属の露呈部分が不均一に形成
されるためこの半導体装置を外部放熱器に取り付
けても放熱性がばらつく上、放熱器に取り付けず
に使用する場合には酸化膜で外観が悪くなること
があつた。例えば第７図の半導体装置９におい
て、外装樹脂材８から突出するリード２は後で半
田メツキされるので外観が悪くなることは無い
が、放熱板４の露呈部分にできる酸化膜はペレツ
トマウント時の部分的な加熱などによつて斑が多
く、特に放熱板４の裏面は各製造工程での搬送時
にレールに擦れて擦り傷などができてこの裏面で
の酸化膜の斑が目立ち、外観を悪くして後の外観
検査で不良品と判定される大きな要因となつてい
た。
を使つた製造方法として、例えばペレツトマウン
ト工程ではリードフレームのペレツトマウント位
置を半導体ペレツトをマウントする直前に水素ト
ーチで焼いて酸化膜を還元除去することや、金属
細線のボンデイング工程ではリード上の酸化膜を
突き破る程度にボンデイング強度を大きくするこ
とが行われており、このようにすることによりリ
ードフレームに酸化防止のメツキ処理をしなくて
も十分に信頼性の良い半導体装置が得られること
が分かつている。ところが、酸化防止のメツキ処
理をしないリードフレームを使つて製造した半導
体装置においては金属の露呈部分が不均一に形成
されるためこの半導体装置を外部放熱器に取り付
けても放熱性がばらつく上、放熱器に取り付けず
に使用する場合には酸化膜で外観が悪くなること
があつた。例えば第７図の半導体装置９におい
て、外装樹脂材８から突出するリード２は後で半
田メツキされるので外観が悪くなることは無い
が、放熱板４の露呈部分にできる酸化膜はペレツ
トマウント時の部分的な加熱などによつて斑が多
く、特に放熱板４の裏面は各製造工程での搬送時
にレールに擦れて擦り傷などができてこの裏面で
の酸化膜の斑が目立ち、外観を悪くして後の外観
検査で不良品と判定される大きな要因となつてい
た。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を鑑みて提案されたもの
で、リードフレーム上に部品本体を固着し、リー
ドフレームを部分的に露呈させて部品本体を含む
主要部を樹脂材にて被覆した電子部品の前記リー
ドフレーム露呈部分の酸化膜を除去する工程と、
この酸化膜除去後に前記リードフレーム露呈部分
を均一に酸化させる工程とを加えることにより上
記問題点を解決したものである。
で、リードフレーム上に部品本体を固着し、リー
ドフレームを部分的に露呈させて部品本体を含む
主要部を樹脂材にて被覆した電子部品の前記リー
ドフレーム露呈部分の酸化膜を除去する工程と、
この酸化膜除去後に前記リードフレーム露呈部分
を均一に酸化させる工程とを加えることにより上
記問題点を解決したものである。
作 用
上記手段によるとリードフレーム露呈部分が製
造工程時に不均一に酸化されていても、これを除
去してから後で積極的に酸化することにより酸化
膜は斑無く均一に形成され、外観が良くなる。
造工程時に不均一に酸化されていても、これを除
去してから後で積極的に酸化することにより酸化
膜は斑無く均一に形成され、外観が良くなる。
実施例
例えば第３図の放熱板付リードフレーム１が酸
化防止のメツキ処理されていないものであつて、
このリードフレーム１を使つて前述〔Ａ〕〜
〔Ｆ〕の工程で第７図の半導体装置９を製造し出
荷する場合、本発明は〔Ｃ〕の樹脂モールド工程
と〔Ｄ〕のリードフレーム切断工程の間に次の酸
化膜除去工程及び酸化工程を追加する。
化防止のメツキ処理されていないものであつて、
このリードフレーム１を使つて前述〔Ａ〕〜
〔Ｆ〕の工程で第７図の半導体装置９を製造し出
荷する場合、本発明は〔Ｃ〕の樹脂モールド工程
と〔Ｄ〕のリードフレーム切断工程の間に次の酸
化膜除去工程及び酸化工程を追加する。
上記酸化膜除去工程はリードフレーム１におけ
る各放熱板４，４…の露呈部分の酸化膜を除去す
る工程で、この酸化膜除去はエツチング法やサン
ドブラスト法などで行われる。この工程をエツチ
ング法で説明すると、例えば第１図に示すように
樹脂モールド工程が完了したリードフレーム１を
放熱板４，４…を下にしてホルダ１０で吊下支持
しておいて、各放熱板４，４…の露呈部分をエツ
チング液１１に浸漬する。エツチング液１１は放
熱板露呈部の酸化膜（CuO2など）を選択的にエ
ツチング除去するものが使用される。放熱板露呈
部分での酸化膜除去が完了すると、その直ぐ後に
リードフレーム１を酸素雰囲気中に配して放熱板
露呈部分に積極的に酸化膜を形成する。例えば第
２図に示すようにリードフレーム１を酸化槽１２
に入れて蓋１３をして内部を酸素含有雰囲気で満
たし一定時間放置すれば、放熱板４，４…の露呈
部分は簡単、確実に均一に酸化される。放熱板
４，４…が銅板の場合は露呈部分全体が均一なエ
ビ茶色に酸化され、外観の良いものが得られる。
る各放熱板４，４…の露呈部分の酸化膜を除去す
る工程で、この酸化膜除去はエツチング法やサン
ドブラスト法などで行われる。この工程をエツチ
ング法で説明すると、例えば第１図に示すように
樹脂モールド工程が完了したリードフレーム１を
放熱板４，４…を下にしてホルダ１０で吊下支持
しておいて、各放熱板４，４…の露呈部分をエツ
チング液１１に浸漬する。エツチング液１１は放
熱板露呈部の酸化膜（CuO2など）を選択的にエ
ツチング除去するものが使用される。放熱板露呈
部分での酸化膜除去が完了すると、その直ぐ後に
リードフレーム１を酸素雰囲気中に配して放熱板
露呈部分に積極的に酸化膜を形成する。例えば第
２図に示すようにリードフレーム１を酸化槽１２
に入れて蓋１３をして内部を酸素含有雰囲気で満
たし一定時間放置すれば、放熱板４，４…の露呈
部分は簡単、確実に均一に酸化される。放熱板
４，４…が銅板の場合は露呈部分全体が均一なエ
ビ茶色に酸化され、外観の良いものが得られる。
発明の効果
本発明によればリードフレームに酸化防止のメ
ツキ処理をしない低コストのものを使用しても、
均一な酸化膜で放熱板露出面が覆われるため、外
部放熱器に取付けた際に、放熱板全面が均一な熱
伝導性を持ち、放熱性が良好となる。また外観も
良好となる。
ツキ処理をしない低コストのものを使用しても、
均一な酸化膜で放熱板露出面が覆われるため、外
部放熱器に取付けた際に、放熱板全面が均一な熱
伝導性を持ち、放熱性が良好となる。また外観も
良好となる。
第１図及び第２図は本発明の方法を説明するた
めの酸化膜除去及び酸化工程での実施装置例の断
面図である。第３図乃至第７図は従来の電子部品
製造方法を説明するためのもので、第３図はリー
ドフレームの平面図、第４図は第３図のＡ−Ａ線
断面図、第５図は樹脂モールド成形後のリードフ
レームの平面図、第６図は第５図のＢ−Ｂ線断面
図、第７図は樹脂モールド型半導体装置の斜視図
である。 １……リードフレーム、６……部品本体〔半導
体ペレツト〕、８……樹脂材、９……電子部品
〔半導体装置〕。
めの酸化膜除去及び酸化工程での実施装置例の断
面図である。第３図乃至第７図は従来の電子部品
製造方法を説明するためのもので、第３図はリー
ドフレームの平面図、第４図は第３図のＡ−Ａ線
断面図、第５図は樹脂モールド成形後のリードフ
レームの平面図、第６図は第５図のＢ−Ｂ線断面
図、第７図は樹脂モールド型半導体装置の斜視図
である。 １……リードフレーム、６……部品本体〔半導
体ペレツト〕、８……樹脂材、９……電子部品
〔半導体装置〕。
Claims (1)
- １ リードフレーム上に部品本体を固着し、リー
ドフレームを部分的に露呈させて部品本体を含む
主要部を樹脂材にて被覆した電子部品の前記リー
ドフレーム露呈部分の酸化膜を除去する工程と、
この酸化膜除去後に前記リードフレーム露呈部分
を均一に酸化させる工程とを含むことを特徴とす
る電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204729A JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204729A JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182452A JPS6182452A (ja) | 1986-04-26 |
| JPH0422340B2 true JPH0422340B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16495342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204729A Granted JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182452A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015106570B4 (de) | 2015-04-28 | 2016-12-15 | AWS Schäfer Technologie GmbH | Verfahren zum Induktionsbiegeumformen eines druckfesten Rohrs mit großer Wandstärke und großem Durchmesser |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59204729A patent/JPS6182452A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6182452A (ja) | 1986-04-26 |
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