JPH02204814A - リセツト信号発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体などから成る、たとえばワンチップマ
イクロコンピュータなどの処理装置へ与えられるリセッ
ト信号を発生するリセット信号発生装置に関する。

従来の技術 一般に、ワンチップマイクロコンピュータなどの半導体
から成る処理回路が駆動するためには、予め定められる
範囲のレベルを有する駆動電圧付勢が必要である。前記
レベルは、各処理回路を構成する半導体組成などによっ
て決定する値であり、前記レベル範囲の下限値（以下、
［最低動作電圧Ｊという、）Ｖｎを下回る駆動電圧が付
勢されると、各処理回路はいわゆる暴走を引き起こし、
不処理状態、どなる。

一般に、自動車内には内燃機関などの制御のために、多
くの処理回路が設置されており、バッテリから生成され
る駆動電圧Ｖｃｃが付勢され、前記処理回路は駆動する
。しかし、バッテリは消費時間や温度変化によって電圧
低下を生じるため、またはいわゆるクランキングと称さ
れ、バッテリが起動用モータなどの大きな負荷に電力付
勢する際には、駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃを低下させる傾向が
ある。

そのため、前述のように、 Ｖ　ｃ　ｃ　（Ｖ　ｎ　　　　　　　　　−−−（１）
の関係を満足すると、制御動作が行われず、しまいには
車両の暴走をも引き起こしてしまう可能性がある。

前記状態を防止するために、駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃが最低
動作電圧Ｖｎへ接近すると、リセット信号を各処理回路
へ与え、初期化動作を行わせるリセット信号発生回路が
前記駆動電圧Ｖｃｃを生成する電源回路内に設けられる
。第１１図は、従来のリセット信号発生装置１の簡略化
した電気的構成を示すブロック図である。

バッテリ２の起電圧（たとえば１２ｖ）から、電源回路
３の定電圧化する直流／直流電圧変喚器（以下、ｒＤＣ
／ＤＣ変換器」と言う、）４を経て駆動電圧Ｖｃｃ（た
とえば５Ｖ）が生成され、ラインｓＺ１を介して複数の
各処理回路５．６へ供給される。駆動電圧Ｖｃｃはまた
演算増幅器から構成されるレベル弁別回路７の正入力端
子へ入力され、他方の負入力端子にはたとえば定電圧ダ
イオードなどから成る基準電圧発生回路８の基準電圧Ｅ
ｌ（たとえば３．７Ｖ）が入力される。前記駆動電圧Ｖ
　ｃ　ｃと基準電圧Ｅ１とが比較され、Ｅ　１　＞　Ｖ
　ｃ　ｃ　　　　　　　　　　・・・（２）の条件を満
足すると、リセット信号Ｒｅ５ｅｔが各処理回路５．６
へ与えられ、初期化動作が行われる。

すなわち、基準電圧Ｅ１がリセットレベルであり、前記
基準電圧Ｅ１を最低動作電圧Ｖ　ｎよりわずかに高く設
定しておくことによって、たとえ駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃが
低下しても、前記暴走を引き起こす前に確実にリセット
することができる。

第１２図は、最低動作電圧Ｖｎの温度特性を示すグラフ
である。最低動作電圧Ｖｎは、通常、温度Ｔに依存して
おり、第１２１２１の実線ｒ１に示されるように温度Ｔ
の上昇とともに最低動作電圧Ｖｎもまた上昇する特性を
有する。一方、基準電圧発生回路８はほとんど温度Ｔに
依存せず、したがって基準電圧Ｅ１は第１２図の実！！
１２で示されるように一定の値である。リセットレベル
である前記基準電圧Ｅ１は処理回路５．６の動作可能な
最大温度Ｔａでの最低動作電圧Ｖ　ｒｉよりもやや高く
選ばれる。したがって、処理回路５，６の動作可能な全
温度範囲において、 Ｅｌｅ・Ｖｎ　　　　　　　　　　　・・・（３）の関
係が成立し、クランキングなどによって駆動電圧Ｖ　ｃ
　ｃが変動しても処理回路が暴走する前に確実にリセッ
トし、初期化することができる。

発明が解決しようとする課題 第１２図に示されるように、温度Ｔが下降するほど処理
回路の最低動作電圧Ｖｎが低下するが、基準電圧Ｅ１は
ほとんど変動しない、すなわち、基準電圧Ｅ１と最低動
作電圧Ｖ　ｒＩどのレベル差ΔＶｔは低温時はど大きく
なる。したがって、低温時においてはより低い駆動電圧
Ｖｃｃであっても、処理回路５，６は動作可能であるに
もかかわらず、リセットレベルＥ１の高レベルのために
、処理回路５，６がリセットされてしまうという不所望
が生じる。上記問題点はリセットレベルである基準電圧
Ｅ１と最低動作電圧Ｖ　ｒＩとが同様な温度特性を有し
ていないことが原因である。

本発明の目的は、上述の問題点を解決するためのもので
あり、処理回路付近の温度に伴って基準電圧を変動させ
、前記処理回路を電力付勢する電圧が処理回路の動作可
能な最低電圧付近まで低下したときにのみリセットを行
って、処理回路の動作可能な駆動電圧範囲を広く取るよ
うにすることができるリセット信号発生装置を提供する
ことにある。

課題を解決するための手段 本発明は、直流電源と、 前記直流電源によって付勢される半導体から成り、リセ
ット信号に応答して初期化動作を行う処理回路と、 前記処理回路付近の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段の出力に応答して、前記処理回路の正
常な動作が可能な最低電圧よりもわずかに高い基準電圧
を発生する基準電圧発生手段と、前記直流電源の出力電
圧と前記基準電圧発生手段の基準電圧とを比較して、前
記直流電源の出力電圧が前記基準電圧未満になったとき
、リセット信号を発生して前記処理回路へ与える比較手
段とを含むことを特徴とするリセット信号発生装置であ
る。

また本発明は、前記基準電圧発生手段が、データ信号に
応答して、そのデータ信号に対応する基準電圧を発生す
る基準電圧出力回路と、温度検出手段からの出力に応答
して、前記基準電圧出力回路から出力される基準電圧が
、前記動作が可能な最低電圧よりもわずかに高い電圧と
して出力するためのデータ信号をストアして導出するメ
モリとを含むことを特徴とする前記リセット信号発生装
置である。

さらに本発明は、直流電源と、 前記直流電源によって付勢される半導体から成り、リセ
ット信号に応答して初期化動作を行う複数の処理回路と
、 前記処理回路付近の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段の出力に応答して、前記各処理回路の
正常な動作が可能な各最低電圧のうちの最大値よりもわ
ずかに高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、 前記直流電源の出力電圧と前記基準電圧発生手段の基準
電圧とを比較して、前記直流電源の出力電圧が前記基準
電圧未満になったとき、リセット信号を発生して前記各
処理回路へそれぞれ与える比較手段とを含むことを特徴
とするリセット信号発生装置である。

さらにまた本発明は、前記複数の処理回路が相互に信号
の授受を行って協働して動作を行うことを特徴とする前
記リセット信号発生装置である。

作　　用 本発明によるリセット信号発生装置によれば、半導体か
ら成る処理回路は直流電源によって付勢されて駆動し、
後述する比較手段からのリセット信号に応答して初期化
動作を行う、前記処理回路付近には温度を検出する温度
検出手段が設けられ、前記温度検出手段の出力に応答し
て基準電圧発生手段が前記処理回路の正常な動作が可能
な最低電圧よりもわずかに高い基準電圧を発生する。前
記処理回路に付勢されている直流電源の出力電圧と前記
基準電圧発生手段の基準電圧とは比較回路において比較
され、前記直流電源の出力電圧が前記基準電圧未満にな
った際に前記リセット信号が発生し、前記処理回路へ与
えられる。

前記基準電圧発生手段は、温度検出手段からの出力に応
答し、前記処理回路の動作が可能な最低電圧よりもわず
かに高い電圧を出力するためのデータ信号をストアして
導出するメモリと、前記デ−タ信号に応答してそのデー
タ信号に対応する基準電圧を発生する基準電圧出力回路
とを含んで構成することができる。

また本発明によれば、複数の処理回路を有し、各処理回
路の前記最低電圧が異なる場合には、前記各最低電圧の
うち最大値よりもわずかに高い基準電圧を前記基準電圧
発生手段は発生する。したがって、前記直流電源の出力
電圧が前記最大値よりもわずかに高い基準電圧未満にな
ったとき、比較手段はリセット信号を発生し、前記各処
理回路へそれぞれ与える。

前記複数の処理回路は、前記直流電源によって付勢され
るとともに、相互に信号の授受を行って協働して動作を
行うように構成してもよい。

実施例 第１図は、本発明の一実施例であるリセット信号発生装
置１０の簡略化した電気的構成を示すブロック図である
１本実施例では、たとえば車載用を想定している。リセ
ット信号発生装置１０はバッテリ１１と、前記バッテリ
１１に接続され、駆動電圧Ｖｃｃおよびリセット信号Ｒ
ｅ５ｅｔを生成する電源回路１２と、半導体から成るワ
ンチップマイクロコンピュータなどの処理回路１３と、
さらに前記処理回路１３付近の温度を検出する温度検出
部１４とを含んで構成する。バッテリ１１の起電圧（た
とえば１２■）から電源回路１２の定電圧化するＤＣ／
ＤＣ変換器１５によつζ、処理回路１３を駆動する駆動
電圧Ｖｃｃ（たとえば５Ｖ）が生成され、ラインｓ１３
を介して処理回路１３および電源回路１２内の後述する
各回路へ供給される。なお、バッテリ１１とＤＣ／ＤＣ
変換器１５とによって前記直流電源が構成されているも
とのとする。またバッテリ１１は温度検出部１４へ接続
されており、前記温度検出部１４によって処理回路１３
付近の温度と相関関係にある電圧信号が出力される。

第１図において、温度検出部１４は直列に接続される抵
抗Ｒとサーミスタ２９とによって構成される。第２図は
、サーミスタ２９の抵抗値Ｒｄｓの温度特性を示すグラ
フである。サーミスタ２９は温度Ｔに依存しており、抵
抗値Ｒｄｓは第３図の実線１３に示されるように変化す
る。したがって、サーミスタ２９はその両端にかかる電
圧が温度Ｔによって変化する温度−電圧変換器として作
用する。前記温度検出部１４は、処理回路１３付近へ配
置されるので、処理回路１３周辺温度に応じて抵抗Ｒと
サーミスタ２９との接続点から検出電圧Ｖｄｓが出力さ
れる。前記検出電圧Ｖｄｓは電源回路１２内の制御部１
６へ与えられる。

制御部１６は、検出された検出電圧Ｖ　ｄ　ｓをデジタ
ル信号へ変換するアナログ／デジタル（以下、ｒ　Ａ／
Ｄ　Ｊという）変換器１７と、前記デジタル信号をアド
レス信号とし、各アドレスに対応して予め設定されるデ
ータを記憶するリードオンリメモリ（Ｒｅａｄ　０ｎｌ
ｙ　Ｍｅｍｏｒｙ、以下ｒＲＯＭＪという。

）１８と、前記ＲＯＭ　１８から読出されるデータであ
るデジタル信号をアナログ信号へ変換するデジタル／ア
ナログ（以下、ｒ　Ｄ／Ａ　Ｊという）変換器１９と、
さらに前記変換器１７．１９およびＲＯＭ　１８を制御
する制御回路２０とを含んで構成している。制御部１６
へ入力された検出電圧■ｄｓは、Ａ／Ｄ変換器１７によ
ってデジタル信号に変換され、アドレス信号としてＲＯ
Ｍ　１８へ与えられる。ＲＯＭ　１８は前記アドレス信
号に基づいて、第１表に示されるように記憶されるスト
ア内容からデータ信号（基準電圧Ｅ）を読出し、Ｄ／Ａ
変換器１９へ送出する。

第　　　　１　　　　表 第３図は、サーミスタ２９の抵抗値Ｒｄｓと基準電圧Ｅ
との関係を示すグラフであり、ＲＯＭ　１８内のストア
内容に対応している。すなわち、横軸はアドレス信号で
ある前記検出電圧Ｖｄｓに対応しており、縦軸はデータ
信号である基準電圧Ｅに対応している。したがって本実
施例のストア内容には、第４図の実線１４と対応して、
大きいアドレス程、小さい基準電圧Ｅを示すデータが記
憶される。上述のストア内容によって、大きい検出電圧
Ｖｄｓ程小さい基準電圧Ｅを示すデータ信号が、また小
さい検出電圧Ｖｄｓ程大きい基準電圧Ｅを示すデータ信
号が読出される。

ＲＯＭ１８から読出されたデータ信号はＤ／Ａ変換器１
９においてアナログ信号に変換される。

前記Ｄ／Ａ変換器１９がデータ信号に基づく基準電圧出
力回路として作動し、変換された電圧が基準電圧Ｅとし
て、演算増幅器などから成るレベル弁別回路２１の負入
力端子へ入力される。また正入力端子には前記駆動電圧
Ｖｃｃが入力される。

レベル弁別回路２１仁よって前記基準電圧Ｅと駆動電圧
Ｖｃｃとの比較の結果、 Ｅ　　’）　　Ｖ　　ｃ　　ｃ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・　　く
　４　）の関係を満足する際に、リセット信号Ｒｅ５ｅ
ｔが発生し、ラインｓ１４を介して処理回路１３へ与え
られ、前記処理回路１３が初期化される。

第４図は、基準電圧Ｅと最低動作電圧Ｖｎとの温度特性
を示すグラフである。上述のように、処理回路１３付近
の温度変化を温度検出部１４で検出し、前記変化に対応
して基準電圧Ｅを設定している。すなわちＲＯＭ１８の
ストア内容をサーミスタ２つの抵抗値Ｒｄｓの温度特性
を考慮して予め設定しておけば、処理回路１３の動作可
能な全温度範囲において、第４図に示されるように最低
動作電圧Ｖ　ｒｉよりわずかに高いレベル（ΔＶｔ）に
前記基準電圧Ｅを設定することができる。したがって、
駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃの低下によって処理回路１３が暴走
する前に、確実にリセットして初期化できることに加え
て、さらにたとえば低温時において、バッテリ電圧が低
下し、駆動電圧Ｖｃｃが低下しても、十分に駆動電圧Ｖ
ｃｃが最低動作電圧Ｖ　ｎ　９接近するまでリセットさ
れることなく、処理回路１３を動作させることができる
。すなわち、処理回路１３が十分動作可能であるバッテ
リ電圧であるにもかかわらず、処理回路１３を初期化し
てしまうようなことはなく、有効に動作させることがで
き、リセット信号発生装置としての性能が非常に高い。

また、ＲＯＭ１８のストア内容において、たとえばアド
レス上位を、ライン５ｆｆｉ５を介して入力される指定
信号によって指定するように構成すれば、前記基準電圧
Ｅの温度特性を複数種類に設定することもできる。

第５図は、他の実施例であるリセット信号発生装置１０
ａの簡略化した電気的構成を示すブロック図である。第
１図と同一もしくは相当部分には同一の参照符を付して
示す、リセット信号発生装置１０との相異点は、温度検
出部である。リセット信号発生装置１０ａの温度検出部
１４ａは、電源口Ｗ＠　１２　ａ内に構成されている。

この場合、前記電源回路１２ａは処理回路１３に近接設
定されていることが望ましい。

温度検出部１４ａは、バッテリ１１から直列に接続され
た定電流回路２５とダイオードＤとによって構成される
。ダイオードＤの順方向降下電圧は温度に依存（約−２
ｍ　Ｖ　／　”Ｃ）する、したがって、前記ダイオード
Ｄの両端にかかる電位差を温度検出部１４ａの検出電圧
Ｖｄとして制御部１６へ与えることによって、前記リセ
ット信号発生装置１０と同様に、基準電圧Ｅを温度Ｔに
応じて設定することができる。

また、前記ダイオードＤはアノードとカソードとの極性
を反転して接続した定電圧ダイオードとし、前記定電圧
ダイオードのツェナー電圧の温度特性を利用してもよい
。

第６図は、さらに他の実施例であるリセット信号発生装
置１０ｂの簡略化した電気的構成を示すブロック図であ
る。第５図と同一もしくは相当部分には同一の参照符を
付して示す。リセット信号発生装置ＬＯａとの相異点は
、温度検出部である。

リセット信号発生装置１０ｂの温度検出部１４ｂでは、
定電流回路２５と直列にｎ　ｐ　ｎ型のトランジスタＱ
が、いわゆるダイオード接続されている。

すなわちトランジスタＱのコレクタとベースが接続され
て定電流回路２５へ接続され、エミッタは接地されてい
る。前記トランジスタＱのベース・エミッタ降下電圧は
温度Ｔに依存するので、前記トランジスタＱのベース電
位を温度検出部１４ｂの検出電圧Ｖ　ｑとして制御部１
６へ与えることによって、上述の実施例と同様に基準電
圧Ｅを温度Ｔに応じて設定することができる。

第７図は５半導体で形成された抵抗の抵抗値Ｒ８の温度
特性を示すグラフである。たとえばシリコンにリンやホ
ウ素などの不純物を拡散して形成した半導体の抵抗値Ｒ
ｓは、温度Ｔに対して第７図の実線１６に示されるよう
な特性を有する。したがって、第１図に示されたサーミ
スタ２つの代わりに前記半導体で形成された抵抗を接続
することによっても、上述の実施例と同様に基準電圧Ｅ
を温度に応じて設定することができる。

第８図はさらにまた他の実施例であるリセット信号発生
装置１０ｃの簡略化した電気的構成を示すブロック図で
ある。第１図と同一および相当部分には同一の参照符を
付して示す、第８図では、複数（本実施例では２つ）の
処理回路１３ａ、１３ｂが設定されており、各処理回路
１３ａ、１３ｂは相互に信号の授受を行い、協働して作
動する。

したがって、一方の処理回路１３ａが停止もしくは暴走
すると、他方の処理回路もまた正常には動作しない。

第９図は各処理回路１３ａ、１３ｂの各最低動作電圧Ｖ
　ｒｒ　ａ　、　Ｖ　ｎ　ｂの温度特性を示すグラフで
ある。たとえば、各処理回路１３ａ、１３ｂがＣ−Ｍ　
　ＯＳ　　（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ−ＭｅＬａｌ
　　ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　）および
Ｎ　−Ｍ　ＯＳ　（Ｎ　ｅｈａｎｎｅｌＨＯＳ）など、
それぞれ異なる特性を有する半導体から構成されている
と、各最低動作電圧Ｖｎａ、Ｖｎｂはそれぞれ異なり、
第９図に示すような温度特性を有する。なお第９図にお
いて、実線！７で示される一方の最低動作電圧Ｖ　ｒｘ
　ａは、処理回路１３ａの特性であり、温度Ｔの上昇と
ともに上昇し、また、破線１８で示される他方の最低動
作電圧Ｖ　ｒｌｂは処理回路１３ｂの特性であり、温度
Ｔの上昇に対して減少する。

前述のように各処理回路１３ａ、１３ｂは協働している
ので、いずれの処理回路をも暴走させないために、前記
リセットレベルである基準電圧Ｅは、全ての温度Ｔにお
いて、いずれの最低動作電圧Ｖｎａ、Ｖｎｂよりも高く
設定されなければならない、したがって、各温度におい
て各最低動作電圧Ｖ　ｒｒ　ａ　、　Ｖ　ｎ　ｂのうち
の最大値よりやや高く〈レベル差ΔＶｔ）基準電圧Ｅを
設定する。すなわち基準電圧Ｅは、第９図において実線
１９で示されるように、大略的に７字状の温度特性を有
して出力される。

第８図では、温度検出部１４は第１図のリセット信号発
生装置１０と同様にサーミスタ２９を用いた構成として
いる。この温度検出部１４は、やはり処理回路１３ａ、
１３ｂに近接して設置される。第８図では、バッテリ１
１の電圧がＤＣ／ＤＣ変換器１５ａを経て生成された駆
動電圧Ｖｃｃが温度検出部１４およびＡ／Ｄ変換器１７
／＼と供給される。前記温度検出部１４とＡ／Ｄ変換器
１７とｌ＼の供給電圧を同一に設定することによって、
ＤＣ／ＤＣ変換器１５ａからの駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃの変
動に依存してＡ／Ｄ変換器１７のデジタル出力が変化し
てしまうことがない、したがって前記Ａ／Ｄ変換器１７
は、確実に温度検出部１４の検出電圧Ｖｄｓの温度に依
存する特性と対応したデジタル値を出力する。

第１０図はＡ／Ｄ変換器１７周辺の簡略化した電気的構
成を示すブロック図である。第１０図において、Ａ／Ｄ
変換器１７はより詳細に示されている。第１０図を参照
してＡ／Ｄ変換器１７の構成を説明する。

複数の分圧抵抗Ｒ１〜Ｒｉには、ＤＣ／ＤＣ変換器１５
ａからの駆動電圧Ｖｃｃが与えられ、前記駆動電圧Ｖｃ
ｃが分圧される。スイッチング回路２６は前記抵抗Ｒ１
〜Ｒｉによって分圧された電圧を順次的に切換えて比較
回路２７の一方の入力端子へ与える。前記比較回路の他
方入力端子には温度検出部１４の検出電圧Ｖｄｓが与え
られる。

比較回路２７は前記分圧電圧が前記検出電圧ＶｄＳ以上
の際にはハイレベルを、一方、検出電圧■ｄｓ以下の際
にはローレベルをラインｓ１６を介して導出する。また
スイッチング回路２６は、分圧抵抗の切換を行うスイッ
チング状態を表わすデジタル信号をラインｓＺ７を介し
て導出する。前記ラインｓ１６．ｓＺ　７の出力はＲＯ
Ｍ３０のストア領域のアドレス指定を行うアドレス信号
として用いられる。

ＲＯＭ１８内のストア内容としては、各アドレス領域毎
に、データ信号として各処理回路１３ａ。

１３ｂの各最低動作電圧Ｖｎａ、Ｖｎｂを考慮した基準
電圧値がそれぞれストアされており、各アドレス信号に
対応していずれか高い電圧値を示すデータ信号をＤ／Ａ
変換器１９へ導出する。また、ストア内容としては、各
処理回路１３ａ、１３ｂの最低動作電圧Ｖ　ｎ　ａ　、
　Ｖ　ｒ＋　ｂを考慮して決定される最大値の基準電圧
値を予めストアさせ、アドレス信号に対応してデータ信
号として送出してもよい。

また第８図では、他の実施例と異なり、Ｄ／Ａ変換器に
は駆動電圧Ｖ　ｃ　ｃを定電圧化するＤＣ／ＤＣ変換器
１５ｔｌ介して供給している。したがって、駆動電圧Ｖ
ｃｃの変動にかかわらず、ＲＯＭ１８のデジタル出力に
対応したアナログ基準電圧Ｅを前記Ｄ／Ａ変換器１７は
出力する。基準電圧ＥおよびＤＣ／ＤＣ変換器１５ｂの
出力電圧■Ｏの関係は、 Ｅ＝ａ・ＶＯ・・・（５） （ａ　＞　１　） （ａはＲＯＭ１８の出力に対応した値であり、第９０の
実線１９の特性に相当する。）さらに、第８図では、レ
ベル弁別回路２１の正入力端子への入力として、駆動電
圧Ｖ　ｃ　ｃを抵抗ＲＱＩ、　ＲＯ２で分圧した比較電
圧Ｖｒを入力している。前記比較電圧はＶｃｃである必
要はなく、ＲＯＭ１８のストア内容と対応させて設定し
てもよい。

上述の構成によって、全温度範囲において、各最低動作
電圧Ｖｎａ、Ｖｎｂの最大値よりもわずかに高く基準電
圧を設定することができる。したがって、複数の協働す
る処理回路であっても、いずれの処理回路が暴走をする
前に確実にリセットすることができ、さらに動作が可能
な駆動電圧の範囲を有効に処理回路の駆動のために利用
することができる。

上述した各実施例においては、検出温度の上昇に対して
検出電圧が下降する性質を有する（負特性）の構成要件
を例に挙げて記載している。他の実施例として、温度に
対して正特性を有する構成要件であっても、ＲＯＭのス
トア内容を前記特性と対応付けて設定することによって
同様の効果を有することができる。

また上述の実施例においては車載用のリセット信号発生
装置に記載している。しかしこのことは制限されること
ではなく、他の温度変化を伴う環境下での処理回路への
リセット信号発生装置としても有利に実施することがで
きる。

上述のように本実ｍ例によれば処理回路付近の温度を検
出し、前記温度に応じてリセットレベルである基準電圧
を変更するので、処理回路が暴走する前に確実にリセッ
トすることができ、かつ最低動作電圧の直前まで有効に
処理回路を正常動作させることができ、す、セット信号
発生装置としての性能が格段に高い。

発明の効果 本発明に従えば処理回路付近の温度に応じて設定される
、前記処理回路の正常な動作が可能な最低電圧よりもわ
ずかに高い基準電圧未満まで直流電圧が低下しない限り
、処理回路Ｉ＼のリセット信号が発生せず、前記処理回
路の正常な動作が可能であるので、有効に処理回路を正
常動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるリセット信号発生装置
１０の簡略化した電気的構成を示すブロック図、第２図
はサーミスタ２９の抵抗値Ｒｄｓの温度特性を示すグラ
フ、第３図はサーミスタ２９の抵抗値Ｒｄｓと基準電圧
Ｅとの関係を示すグラフ、第４図はリセット信号発生装
置における基準電圧Ｅと最低動作電圧Ｖｎとの温度特性
を示すグラフ、第５図は他の実施例であるリセット信号
発生装置１０ａの簡略化した電気的構成を示すブロック
図、第６図はさらに他の実施例であるリセット信号発生
装置１０ｂの簡略化した電気的構成を示すブロック図、
第７図は半導体で形成された抵抗の抵抗値Ｒｓの温度特
性を示すグラフ、第８図はさらにまた他の実施例である
りゼット信号発生装置１０ｃの簡略化した電気的構成を
示すブロック図、第９図は各処理回路１３ａ、１３ｂの
各最低動作電圧Ｖ　ｎ　ａ　、　Ｖ　ｎ　ｂの温度特性
を示すグラフ、第１０図はＡ／Ｄ変換器１７周辺の簡略
化した電気的構成を示すブロック図、第１１図は従来の
リセット信号発生装置１の簡略化した電気的構成を示す
ブロック図、第１２図はリセット信号発生装置１におけ
る基準電圧Ｅ１と最低動作電圧Ｖ　ｒＩとの温度特性を
示すグラフである。 １０．１０ａ、１０ｂ、１０ｃｍ・リセット信号発生装
置、１１・・・バッテリ、１３．１３ａ、１３ｂ・・処
理回路、１４．１４ａ、１４ｂ・・・温度検出部、１５
．１５ａ、１５ｂ−ＤＣ／ＤＣ変換器、１６・・・制御
部、１７・・・Ａ／Ｄ変換器、１８・・・リードオンリ
メモリ（ＲＯＭ）、１９・−・Ｄ／Ａ変換器、２０・・
・制御回路、２１・・・レベル弁別回路、２９・・・サ
ーミスタ、Ｄ・・・ダイオード、Ｅ・・・基準電圧、Ｒ
・・・抵抗、Ｒｅｓｅｔ・・・リセット信号、Ｑ・・・
トランジスタ、Ｖ　ｃ　ｃ−駆動電圧、Ｖ　ｄ　、　Ｖ
　ｄ　ｓ　、　Ｖ　ｑ　＝−検出電圧、Ｖ　ｒＩ、　Ｖ
　ｒｒ　ａ　、　Ｖ　ｒｒ　ｂ−最低動作電圧代理人　
　弁理士　画数　圭一部 第 図 一１二斥　Ｔ 第１０図 第 図 ス 第 図 ″ｊｊＬ屋Ｔ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）直流電源と、 前記直流電源によつて付勢される半導体から成り、リセ
   ット信号に応答して初期化動作を行う処理回路と、 前記処理回路付近の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段の出力に応答して、前記処理回路の正
   常な動作が可能な最低電圧よりもわずかに高い基準電圧
   を発生する基準電圧発生手段と、前記直流電源の出力電
   圧と前記基準電圧発生手段の基準電圧とを比較して、前
   記直流電源の出力電圧が前記基準電圧未満になつたとき
   、リセット信号を発生して前記処理回路へ与える比較手
   段とを含むことを特徴とするリセット信号発生装置。
2. （２）前記基準電圧発生手段は、 データ信号に応答して、そのデータ信号に対応する基準
   電圧を発生する基準電圧出力回路と、温度検出手段から
   の出力に応答して、前記基準電圧出力回路から出力され
   る基準電圧が、前記動作が可能な最低電圧よりもわずか
   に高い電圧として出力するためのデータ信号をストアし
   て導出するメモリとを含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のリセット信号発生装置。
3. （３）直流電源と、 前記直流電源によつて付勢される半導体から成り、リセ
   ット信号に応答して初期化動作を行う複数の処理回路と
   、 前記処理回路付近の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段の出力に応答して、前記各処理回路の
   正常な動作が可能な各最低電圧のうちの最大値よりもわ
   ずかに高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、 前記直流電源の出力電圧と前記基準電圧発生手段の基準
   電圧とを比較して、前記直流電源の出力電圧が前記基準
   電圧未満になつたとき、リセット信号を発生して前記各
   処理回路へそれぞれ与える比較手段とを含むことを特徴
   とするリセット信号発生装置。
4. （４）前記複数の処理回路は、相互に信号の授受を行つ
   て協働して動作を行うことを特徴とする特許請求の範囲
   第３項記載のリセット信号発生装置。