JPH02204940A - フリーマン型イオン源 - Google Patents
フリーマン型イオン源Info
- Publication number
- JPH02204940A JPH02204940A JP1025076A JP2507689A JPH02204940A JP H02204940 A JPH02204940 A JP H02204940A JP 1025076 A JP1025076 A JP 1025076A JP 2507689 A JP2507689 A JP 2507689A JP H02204940 A JPH02204940 A JP H02204940A
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- JP
- Japan
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- filament
- area
- thermoelectrons
- generated
- ions
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- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置などの不純物ドーピングに用いる
イオン注入装置のフリーマン型イオン源に関する。
イオン注入装置のフリーマン型イオン源に関する。
従来の技術としては第２図に示すようなものがある。イ
オン化室２の中心部にフィラメント１があり、フィラメ
ントから発生した熱電子に、不純物ガス導入口３から導
入された不純物ガスと衝突することによりイオンが発生
する。
オン化室２の中心部にフィラメント１があり、フィラメ
ントから発生した熱電子に、不純物ガス導入口３から導
入された不純物ガスと衝突することによりイオンが発生
する。
しかし、かかるイオン源は、発生したイオンにより、フ
ィラメント自身がスパッタされ、フィラメント寿命が短
いという問題点を有していた。
ィラメント自身がスパッタされ、フィラメント寿命が短
いという問題点を有していた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、フィラメントの長寿命化を図ることを目的とする。
め、フィラメントの長寿命化を図ることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のイオン源はフィラメ
ントから熱電子を発生させるエリアと熱電子が不純物ガ
スと衝突しイオンを発生させるエリアを分離したことを
特徴とする。
ントから熱電子を発生させるエリアと熱電子が不純物ガ
スと衝突しイオンを発生させるエリアを分離したことを
特徴とする。
上記の様に構成されたイオン源では、発生したイオンは
ほとんどフィラメントに衝突することがないため、フィ
ラメント寿命を大＋ｌ＋に延ばすことができるのである
。
ほとんどフィラメントに衝突することがないため、フィ
ラメント寿命を大＋ｌ＋に延ばすことができるのである
。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図において、フィラメント１を通電加熱することによ
り熱電子が発生する。この熱電子はりフレフタ電極５に
印加されるリフレクタ電源９及びアーク電源８により、
熱電子発生エリア４からイオン発生エリア２に移動する
。この時、不純物導入口３から導入されているガスと衝
突しイオンを発生する。このイオンは、引出し電極６に
印加される引出し電源７により引出される。
１図において、フィラメント１を通電加熱することによ
り熱電子が発生する。この熱電子はりフレフタ電極５に
印加されるリフレクタ電源９及びアーク電源８により、
熱電子発生エリア４からイオン発生エリア２に移動する
。この時、不純物導入口３から導入されているガスと衝
突しイオンを発生する。このイオンは、引出し電極６に
印加される引出し電源７により引出される。
以上のような実施例において、イオン発生エリア２で発
生するイオンはフィラメント１にほとんど衝突すること
なく、スパッタされずフィラメントは細くならない。
生するイオンはフィラメント１にほとんど衝突すること
なく、スパッタされずフィラメントは細くならない。
本発明のフリーマン型イオン源は、以上説明したように
、熱電子を発生するエリアとイオン化するエリアと分離
したことにより、フィラメント寿命を大＋１月こ延ばす
効果がある。
、熱電子を発生するエリアとイオン化するエリアと分離
したことにより、フィラメント寿命を大＋１月こ延ばす
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のフリーマン型イオン源の断面図。
第２図は、従来のフリーマン型イオン源の断面図。
１ ・ ・
２ φ ・
３ ・ ・
５ ・ ・
６ ・ ・
７ ・ ・
８ ・ ・
９ ・ ・
１０ ・ ・
・フィラメント
・イオン発生エリア
・不純物ガス導入口
・熱電子発生エリア
・リフレクタ電極
・引出し電極
・引出し電源
・アーク電源
・リフレクタ電源
・フィラメント電源
以
上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）第２−ｒｉ
ｌ 屍１図
ｌ 屍１図
Claims (1)
- フィラメントに電流を流し、発生する熱電子に運動エネ
ルギを与え、不純物ガスと衝突することにより、イオン
を発生するフリーマン型イオン源において、熱電子を発
生するエリアとイオン化するエリアを分離したことを特
徴とするフリーマン型イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025076A JPH02204940A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フリーマン型イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025076A JPH02204940A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フリーマン型イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204940A true JPH02204940A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12155835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025076A Pending JPH02204940A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フリーマン型イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02204940A (ja) |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025076A patent/JPH02204940A/ja active Pending
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