JPH02206029A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JPH02206029A JPH02206029A JP1026071A JP2607189A JPH02206029A JP H02206029 A JPH02206029 A JP H02206029A JP 1026071 A JP1026071 A JP 1026071A JP 2607189 A JP2607189 A JP 2607189A JP H02206029 A JPH02206029 A JP H02206029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- light
- thin film
- waveguide
- optical
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は光ピックアップに関し、特に光ディスク等の情
報記録媒体においてレーザー光を記録部に集光し、その
反射光の強度変化にもとづいて光ディスクの記録情報を
読み取るための光ピックアップに関するものである。
報記録媒体においてレーザー光を記録部に集光し、その
反射光の強度変化にもとづいて光ディスクの記録情報を
読み取るための光ピックアップに関するものである。
(ロ)従来の技術
以下、従来の技術を第5図、第6図を参照して説明する
。
。
すなわち、コンパクトディスク等の光情報記録媒体の記
録情報の読み取りは、第5図に示すように、光記録媒体
29にピット30の有無の形で記録されている信号を、
例えば、レーザー光31等を集光した光を記録媒体29
の表面に照射し、その集光点からの反射光のレベル変化
を受光素子である光検出器32a、32bにより検出す
ることにより行われている。
録情報の読み取りは、第5図に示すように、光記録媒体
29にピット30の有無の形で記録されている信号を、
例えば、レーザー光31等を集光した光を記録媒体29
の表面に照射し、その集光点からの反射光のレベル変化
を受光素子である光検出器32a、32bにより検出す
ることにより行われている。
従来の光ピックアップは、このような記録媒体29から
の情報読み取りに使用される半導体レーザー等の光源3
3、レンズ34a 、34b 。
の情報読み取りに使用される半導体レーザー等の光源3
3、レンズ34a 、34b 。
34C1ビームスプリツタ35、ウェッジプリズム36
、受光素子32a、32b等の個別部品をユニット化し
た光学系と、さらに光を所定のピット列(トラック)に
正確に照射させるために電磁式あるいは機械式の方式に
て、上記光学系の焦点位置を光軸と直角方向(Y方向)
に移動させるトラッキング制ti11機構37a、37
bと、光軸方向(Z方向)に移動させるフォーカシング
制御機構38a 、38bとにより構成されている。
、受光素子32a、32b等の個別部品をユニット化し
た光学系と、さらに光を所定のピット列(トラック)に
正確に照射させるために電磁式あるいは機械式の方式に
て、上記光学系の焦点位置を光軸と直角方向(Y方向)
に移動させるトラッキング制ti11機構37a、37
bと、光軸方向(Z方向)に移動させるフォーカシング
制御機構38a 、38bとにより構成されている。
方、近年いわゆる光導波路を用いた第6図に示すような
光ピックアップが提案されている(例エバ電子通信学会
論文誌VolJ69−c 、 N005 。
光ピックアップが提案されている(例エバ電子通信学会
論文誌VolJ69−c 、 N005 。
p610.1981)。
この光ピックアップは、基板39の上に作製された光導
波路40と、半導体レーザー41、導波路40の上に作
製された導波路形ビームスプリッタ−42、導波光を基
板外の自由空間の一点に集光して光デイスク44上のピ
ット45の情報を読み取るためのフォーカシンググレー
ティングカプラ43、光検出器46a、46bにより構
成され、第5図の個別光部品から組み立てられた光ピッ
クアップの光学系と同等の機能を有する。
波路40と、半導体レーザー41、導波路40の上に作
製された導波路形ビームスプリッタ−42、導波光を基
板外の自由空間の一点に集光して光デイスク44上のピ
ット45の情報を読み取るためのフォーカシンググレー
ティングカプラ43、光検出器46a、46bにより構
成され、第5図の個別光部品から組み立てられた光ピッ
クアップの光学系と同等の機能を有する。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかし、上記前者の個別光部品から組み立てられた光ピ
ックアップでは、光源33、レンズ34a 、34b
、34c等を精密組み立て技術により組み立てるため、
複雑な光軸合わせや位置合わゼの作業が必要であるとと
もに、個別部品を組み合わせて作製するので、装置の小
型化が難しい。
ックアップでは、光源33、レンズ34a 、34b
、34c等を精密組み立て技術により組み立てるため、
複雑な光軸合わせや位置合わゼの作業が必要であるとと
もに、個別部品を組み合わせて作製するので、装置の小
型化が難しい。
=3−
一方、光導波路上に個別光部品の機能と同等の機能を有
する導波路型部品を集積化した後者の光ピックアップで
は、上記のような光軸合わ1!等の必要がなく、小型化
も可能である訳であるが、この装置においても、当然ト
ラッキング制御機構、フォーカシング制御機構を必要と
するから、やはり装置の小型化には限界があり、光導波
路型を採用した利点を十分生かすことができない。
する導波路型部品を集積化した後者の光ピックアップで
は、上記のような光軸合わ1!等の必要がなく、小型化
も可能である訳であるが、この装置においても、当然ト
ラッキング制御機構、フォーカシング制御機構を必要と
するから、やはり装置の小型化には限界があり、光導波
路型を採用した利点を十分生かすことができない。
本発明は従来技術の有する上記問題点を解決するため導
波路型光ピックアップに表面弾性波を発生させて平行光
としてグレーティングカプラに向かう導波光を偏向させ
るための表面弾性波発生電極と、集光点可変手段として
の可変焦点機能を有する導波路型レンズとを設けること
によりトラッキング及びフォーカシング機能を有するよ
うにした光導波路型の光ピックアップを提供することに
ある。
波路型光ピックアップに表面弾性波を発生させて平行光
としてグレーティングカプラに向かう導波光を偏向させ
るための表面弾性波発生電極と、集光点可変手段として
の可変焦点機能を有する導波路型レンズとを設けること
によりトラッキング及びフォーカシング機能を有するよ
うにした光導波路型の光ピックアップを提供することに
ある。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明は、基板上に作製した薄膜光導波路と当該光導
波路内に光を入射させるための光源と、上記薄膜光導波
路上に配設され、その光導波路内を伝搬する光源からの
導波光を平行光にするための導波路型レンズと、上記薄
膜光導波路内を伝搬する上記平行光を上記基板外の自由
空間の一点に集光し、それによって基板の外側に光源と
光導波路の対向空間に配設された光記録媒体上のピット
の情報を読み取りその集光点からの反射光を再び上記薄
膜光導波路内に導くためのフォーカシンググレーティン
グカプラと、上記薄膜光導波路内への反射光を検出する
光検出器と、当該光検出器に反射光を導くための導波路
型光ビームスプリッタを備えた光ピックアップにおいて
、 上記1111!光導波路上に表面弾性波を発生させ、そ
れによって光源からの平行光を薄膜光導波路の幅方向に
偏向しうる表面弾性波光偏向手段と、この光偏向手段と
フォーカシンググレーティングカプラとの間の薄膜光導
波路上に設けられ、薄膜光導波路内を伝搬する、上記偏
向された導波光を、薄膜光導波路内の温度分布を上記幅
方向に変化させることにより収束可能に制御し、それに
よってフォーカシンググレーティングカブラを介して集
光される基板外の集光点の位置を光軸方向に調整可能に
しうる集光点可変手段とを有する光ピックアップである
。
波路内に光を入射させるための光源と、上記薄膜光導波
路上に配設され、その光導波路内を伝搬する光源からの
導波光を平行光にするための導波路型レンズと、上記薄
膜光導波路内を伝搬する上記平行光を上記基板外の自由
空間の一点に集光し、それによって基板の外側に光源と
光導波路の対向空間に配設された光記録媒体上のピット
の情報を読み取りその集光点からの反射光を再び上記薄
膜光導波路内に導くためのフォーカシンググレーティン
グカプラと、上記薄膜光導波路内への反射光を検出する
光検出器と、当該光検出器に反射光を導くための導波路
型光ビームスプリッタを備えた光ピックアップにおいて
、 上記1111!光導波路上に表面弾性波を発生させ、そ
れによって光源からの平行光を薄膜光導波路の幅方向に
偏向しうる表面弾性波光偏向手段と、この光偏向手段と
フォーカシンググレーティングカプラとの間の薄膜光導
波路上に設けられ、薄膜光導波路内を伝搬する、上記偏
向された導波光を、薄膜光導波路内の温度分布を上記幅
方向に変化させることにより収束可能に制御し、それに
よってフォーカシンググレーティングカブラを介して集
光される基板外の集光点の位置を光軸方向に調整可能に
しうる集光点可変手段とを有する光ピックアップである
。
一般に誘電体を外部から加熱すると誘電体の屈折率は変
化する。例えば、ガラス、Li Nb O3などでは屈
折率は上昇する。従ってこのような誘電体からなる薄膜
光導波路では光導波路上に発熱部を設けることにより発
熱部下部の屈折率を制御可能であり熱光学効果と言われ
る。
化する。例えば、ガラス、Li Nb O3などでは屈
折率は上昇する。従ってこのような誘電体からなる薄膜
光導波路では光導波路上に発熱部を設けることにより発
熱部下部の屈折率を制御可能であり熱光学効果と言われ
る。
この熱光学効果を積極的に利用し、発熱部の温度分布に
温度勾配を与えると、発熱体直下の光導波路層の屈折率
分布は温度勾配に相当した屈折率勾配を生じこの部分を
通過した光は屈折率の高い方向に偏向される。
温度勾配を与えると、発熱体直下の光導波路層の屈折率
分布は温度勾配に相当した屈折率勾配を生じこの部分を
通過した光は屈折率の高い方向に偏向される。
ずなわら、第3図に示すように、発熱部4の温度分布を
光導波路の幅方向(Y方向)にその中央部が高温に両端
が低温になるように分布させると、発熱体下部の屈折率
変化量の分布も温度分布に対応して上記中央部で大きく
両端に近付くとともに単調に減少した分布となる。
光導波路の幅方向(Y方向)にその中央部が高温に両端
が低温になるように分布させると、発熱体下部の屈折率
変化量の分布も温度分布に対応して上記中央部で大きく
両端に近付くとともに単調に減少した分布となる。
しかも屈折率分布をレンズの等価屈折率分布と同様にす
ることによりこの発熱体9の下部を通過する平行光を収
束、あるいは発散させることができる。また発熱部の温
度分布を変えることにより、収束あるいは発散の度合い
を可変できる。このようにして可変焦点機能を有する可
変焦点レンズが作製される。
ることによりこの発熱体9の下部を通過する平行光を収
束、あるいは発散させることができる。また発熱部の温
度分布を変えることにより、収束あるいは発散の度合い
を可変できる。このようにして可変焦点機能を有する可
変焦点レンズが作製される。
一方、薄膜光導波路上に表面弾性波を発生させ、弾性波
が伝搬している部分に導波光を導くと、音響光学効果に
より、音響光学ブラッグ回折を起こし、導かれた導波光
を表面弾性波発生用駆動電源を制御することでY方向に
任意の偏向角を有して偏向できる。これは、表面弾性波
光偏向器として良く知られている。この表面弾性波光偏
向器と上記の可変焦点レンズを従来の光導波路を用いた
光導波路型光ピックアップに付加することにより本発明
の目的とする光ピックアップが可能となる。
が伝搬している部分に導波光を導くと、音響光学効果に
より、音響光学ブラッグ回折を起こし、導かれた導波光
を表面弾性波発生用駆動電源を制御することでY方向に
任意の偏向角を有して偏向できる。これは、表面弾性波
光偏向器として良く知られている。この表面弾性波光偏
向器と上記の可変焦点レンズを従来の光導波路を用いた
光導波路型光ピックアップに付加することにより本発明
の目的とする光ピックアップが可能となる。
この発明における基板としては、材料がLi Nb O
s 、 Si 、ガラス等のものが好ましい。
s 、 Si 、ガラス等のものが好ましい。
この発明における薄膜光導波路としては、(1)Li
Nb Os 基板を用いた場合ではこの基板上にプロト
ン交換、11拡散等によって形成されたものや、(If
) S iあるいはガラス基板の場合には、その基板上
に1iNb03.Zno等の圧電性を有する誘電体をス
パッタリング等により形成されたものが好ましい。
Nb Os 基板を用いた場合ではこの基板上にプロト
ン交換、11拡散等によって形成されたものや、(If
) S iあるいはガラス基板の場合には、その基板上
に1iNb03.Zno等の圧電性を有する誘電体をス
パッタリング等により形成されたものが好ましい。
この発明における表面弾性波光偏向手段は、例えば第4
図に示すように、圧電性光導波路2上に表面弾性波19
を発生させる表面弾性波発生電極(以下、くし形電極と
いう)20と、その駆動電源24とから構成されている
。
図に示すように、圧電性光導波路2上に表面弾性波19
を発生させる表面弾性波発生電極(以下、くし形電極と
いう)20と、その駆動電源24とから構成されている
。
くし形電極20は本実施例では圧電性光導波路2を使用
してるので通常のへρ等を蒸着し、フォトリソグラフィ
技術によりくし形電極を形成すれば良いが、非圧電性光
導波路を使用した場合は光導波路上に圧電性材料、例え
ば、ZnO等の薄膜を形成し、その上にくし形電極を形
成すれば良い。
してるので通常のへρ等を蒸着し、フォトリソグラフィ
技術によりくし形電極を形成すれば良いが、非圧電性光
導波路を使用した場合は光導波路上に圧電性材料、例え
ば、ZnO等の薄膜を形成し、その上にくし形電極を形
成すれば良い。
そして、表面弾性波19の伝搬領域19aに達した光源
12からの導波光である平行光は、回折偏向により平行
光の進行角が変化され、平行光の進路が導波路2の幅方
向(Y方向)に可変される。
12からの導波光である平行光は、回折偏向により平行
光の進行角が変化され、平行光の進路が導波路2の幅方
向(Y方向)に可変される。
この平行光の進路は、電源24の周波数を変えることに
よりY方向に制御可能である。
よりY方向に制御可能である。
この発明における集光点可変手段は、例えば、第1.4
図に示すように、発熱体9からなる可変焦点レンズ22
と、その発熱体9への印加型8!5とから主としてなる
。
図に示すように、発熱体9からなる可変焦点レンズ22
と、その発熱体9への印加型8!5とから主としてなる
。
以下、具体的に作製法を述べる。
第1図において、LiNbO3基板1上に「熱拡散によ
り導波路2を形成した後、まず、その導波路上にスパッ
タ等によりs; 02 、ガラス等の絶縁物によるバッ
ファ層3を形成し、しかる後そのバッファ層上にニクロ
ム等の抵抗発熱体からなる薄膜電極4を設ける。
り導波路2を形成した後、まず、その導波路上にスパッ
タ等によりs; 02 、ガラス等の絶縁物によるバッ
ファ層3を形成し、しかる後そのバッファ層上にニクロ
ム等の抵抗発熱体からなる薄膜電極4を設ける。
この際、電極4を、導波路2の屈折率の温度係数が正の
場合にはY方向に中央部が高温に、両端部で低温になる
ように粗密化したパターンで形成し、光導波路2の屈折
率の温度係数が負の場合は逆の温度分布にして形成する
。
場合にはY方向に中央部が高温に、両端部で低温になる
ように粗密化したパターンで形成し、光導波路2の屈折
率の温度係数が負の場合は逆の温度分布にして形成する
。
電極4のパターンは、いわゆるフォトリソグラフィ技術
により作製され、例えば、第2図(ay +b>に小す
ように、線状電極4aのパターンが粗密分布をもたせて
形成されたり[i2図(a)参照1゜さらに2つの線状
電極4b、4cを組み合わせた電極パターンとしても良
い。
により作製され、例えば、第2図(ay +b>に小す
ように、線状電極4aのパターンが粗密分布をもたせて
形成されたり[i2図(a)参照1゜さらに2つの線状
電極4b、4cを組み合わせた電極パターンとしても良
い。
このようにして形成された発熱体9の温度変化量TのY
方向分布及び導波路内の屈折率変化ΔnのY方向分布を
第3図に示す。
方向分布及び導波路内の屈折率変化ΔnのY方向分布を
第3図に示す。
すなわち発熱体9の高温部で大ぎな屈折率増加が起き、
導波路レンズの等側屈折率分布と同等の屈折率分布を実
現できる。さらに発熱体9への印加電圧をV□からV2
(Vt <V2 )へ上昇させると温度変化量Δ′
「も増加され、屈折率変化Δnも大きくなる。
導波路レンズの等側屈折率分布と同等の屈折率分布を実
現できる。さらに発熱体9への印加電圧をV□からV2
(Vt <V2 )へ上昇させると温度変化量Δ′
「も増加され、屈折率変化Δnも大きくなる。
このようにして作製された可変焦点レンズは、第1図に
示すように、駆動電源5の印加電圧を変化させることに
より光導波路層2内の幅方向(Y方向)の屈折率を可変
でき、導波光の光路を第1光路6.第2光路7のように
任意の位置で集光可能となる。
示すように、駆動電源5の印加電圧を変化させることに
より光導波路層2内の幅方向(Y方向)の屈折率を可変
でき、導波光の光路を第1光路6.第2光路7のように
任意の位置で集光可能となる。
このように、基板上に作製した薄膜光導波路上に当該光
導波路の幅方向に温度分布を与えるための発熱体部を形
成し、当該発熱体部の発熱量を制御することにより薄膜
光導波路内の温度分布を光導波路の幅方向に変化させ、
それによって薄膜光導波路内を伝搬する導波光を収束制
御可能とした可変焦点レンズ機能を有する可変焦点レン
ズを提供できる。
導波路の幅方向に温度分布を与えるための発熱体部を形
成し、当該発熱体部の発熱量を制御することにより薄膜
光導波路内の温度分布を光導波路の幅方向に変化させ、
それによって薄膜光導波路内を伝搬する導波光を収束制
御可能とした可変焦点レンズ機能を有する可変焦点レン
ズを提供できる。
上記の光導波路及び光導波路上に形成される可変焦点レ
ンズを除く導波路型の光部品の作製技術はすべて公知の
技術であり例えば「光集積回路」西原著、オーム社、
1985年等に詳しく述べられており上記以外の作製方
法も紹介されているのでここでは概略のみ述べた。
ンズを除く導波路型の光部品の作製技術はすべて公知の
技術であり例えば「光集積回路」西原著、オーム社、
1985年等に詳しく述べられており上記以外の作製方
法も紹介されているのでここでは概略のみ述べた。
(ホ)作用
基板上に薄膜光導波路を作製し、当該光導波路内を伝搬
する光を入射させるための光源を導波路端に設け、上記
導波路上に光源からの導波光を平行光にするための導波
路レンズ、光源からの導波光と逆に伝搬する導波光を分
離するためのビームスプリッタと、導波光を偏向するた
めの表面弾性波発生部と、偏向された導波光の収束度合
いを調整するための可変焦点レンズと、導波路内を伝搬
してきた導波光を空間に放射し、かつ空間の一点に焦点
を結ばせるとともに焦点での反射光を再び光導波路内に
導くためのフォーカシンググレーティングカブラ及び上
記の逆の経路でビームスプリッタに伝搬した反射光を検
出するための受光素子を作製する。
する光を入射させるための光源を導波路端に設け、上記
導波路上に光源からの導波光を平行光にするための導波
路レンズ、光源からの導波光と逆に伝搬する導波光を分
離するためのビームスプリッタと、導波光を偏向するた
めの表面弾性波発生部と、偏向された導波光の収束度合
いを調整するための可変焦点レンズと、導波路内を伝搬
してきた導波光を空間に放射し、かつ空間の一点に焦点
を結ばせるとともに焦点での反射光を再び光導波路内に
導くためのフォーカシンググレーティングカブラ及び上
記の逆の経路でビームスプリッタに伝搬した反射光を検
出するための受光素子を作製する。
この光ピックアップが、従来のフォーカシング制御、ト
ラッキング制御可能であることは光源から空間での焦点
位置までの光の伝搬を考えれば理解できる。
ラッキング制御可能であることは光源から空間での焦点
位置までの光の伝搬を考えれば理解できる。
すなわち、光源から出てビームスプリッタを通過した平
行光は、表面弾性波により回折、偏向され、さらに可変
焦点レンズを通ることにより収束された光がフォーカシ
ンググレーティングカブラにより自由空間に焦点を結ぶ
。
行光は、表面弾性波により回折、偏向され、さらに可変
焦点レンズを通ることにより収束された光がフォーカシ
ンググレーティングカブラにより自由空間に焦点を結ぶ
。
ここで、偏向角のみを変化させた場合を考えると、可変
焦点レンズ、フォーカシンググレーティングカブラとい
う2次元レンズ系への入射角が変化することになり、空
間での焦点は基板と水平な方向の光導波路の幅方向に移
動することになる。
焦点レンズ、フォーカシンググレーティングカブラとい
う2次元レンズ系への入射角が変化することになり、空
間での焦点は基板と水平な方向の光導波路の幅方向に移
動することになる。
一方、偏向角を一定にし、可変焦点レンズの収束度を変
えるとフォーカシンググレーティングカブラへの入射光
の収束度が変化することから、自由空間での焦点位置は
光軸方向に変化することになる。このようにして従来、
可動コイル等によりレンズ位置を動かして焦点位置を可
変していたアクチュエータ部を光導波路上で実現でき、
小型な光ピックアップヘッドが供給される。
えるとフォーカシンググレーティングカブラへの入射光
の収束度が変化することから、自由空間での焦点位置は
光軸方向に変化することになる。このようにして従来、
可動コイル等によりレンズ位置を動かして焦点位置を可
変していたアクチュエータ部を光導波路上で実現でき、
小型な光ピックアップヘッドが供給される。
(へ)実施例
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。しか
し、これによって本発明が限定されるものではない。
し、これによって本発明が限定されるものではない。
第1図は本発明の可変焦点レンズの一実施例を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
第1図において、LiNb○3基板1上にT1熱拡散に
より薄膜光導波路2を形成する。さらに当該光導波路2
上に例えばスパッター等により8102、ガラス等の絶
縁物によるバッファー層3を設け、バッファー層3上に
例えばニクロム等の抵抗発熱体9からなる薄膜電極4を
設ける。このようにして可変焦点レンズ22が形成され
る。
より薄膜光導波路2を形成する。さらに当該光導波路2
上に例えばスパッター等により8102、ガラス等の絶
縁物によるバッファー層3を設け、バッファー層3上に
例えばニクロム等の抵抗発熱体9からなる薄膜電極4を
設ける。このようにして可変焦点レンズ22が形成され
る。
次に上記可変焦点レンズを応用した光ピックアップの実
施例を図面を参照にして説明する。
施例を図面を参照にして説明する。
第4図は本発明の一実施例の概略斜視図である。
当該光ピックアップは例えばL + Nb Os 、S
ガラス等の基板1上では、例えばLiNbO3、ZnO
等の圧電性をもつ誘電体をスパッタリング等により形成
あるいはLi Nb Oa基板ではプロトン交換、T1
拡散等の技術により薄膜光導波路層2を形成し当該光導
波路上に光源となる半導体レーザー12からの導波光を
平行光とするための導波路型コリメートレンズ13、戻
り光と光源からの導波光を分離するためのビームスプリ
ッタ14、戻り光を受光器17a、17bに導くための
収束レンズ15、ウェッジプリズム16さらに受光器1
7a、17b及びビームスプリッタ−14により反射さ
れた光源からの導波光を反射し表面弾性波19の伝搬領
域に導くためのりフレフタ18、表面弾性波19を発生
させるための電極20、表面弾性波による非回折光(0
次光)をカットするための無反射体21、′上記発熱体
9からなる可変焦点レンズ22及び導波光を空間の一点
に集光し、かつ当該集光点からの反射光を再び導波路内
に伝搬させるフォーカシンググレーティングカブラ23
を形成する。ここでコリメートレンズ13、収束レンズ
15、ウェッジプリズム16は光導波路層上2に例えば
St a N4等をスパッタリング等のCVD法で堆積
させ、電子ビーム又は光学的なりソグラフィ技術により
作製される。
ガラス等の基板1上では、例えばLiNbO3、ZnO
等の圧電性をもつ誘電体をスパッタリング等により形成
あるいはLi Nb Oa基板ではプロトン交換、T1
拡散等の技術により薄膜光導波路層2を形成し当該光導
波路上に光源となる半導体レーザー12からの導波光を
平行光とするための導波路型コリメートレンズ13、戻
り光と光源からの導波光を分離するためのビームスプリ
ッタ14、戻り光を受光器17a、17bに導くための
収束レンズ15、ウェッジプリズム16さらに受光器1
7a、17b及びビームスプリッタ−14により反射さ
れた光源からの導波光を反射し表面弾性波19の伝搬領
域に導くためのりフレフタ18、表面弾性波19を発生
させるための電極20、表面弾性波による非回折光(0
次光)をカットするための無反射体21、′上記発熱体
9からなる可変焦点レンズ22及び導波光を空間の一点
に集光し、かつ当該集光点からの反射光を再び導波路内
に伝搬させるフォーカシンググレーティングカブラ23
を形成する。ここでコリメートレンズ13、収束レンズ
15、ウェッジプリズム16は光導波路層上2に例えば
St a N4等をスパッタリング等のCVD法で堆積
させ、電子ビーム又は光学的なりソグラフィ技術により
作製される。
又ビームスプリッタ−14、リフレクタ18、フォーカ
シンググレーティングカブラ23は上記と同様にスパッ
タリング等によりSi 3 N4等を堆積接電子ビーム
リソグラフィー等の微細加工技術によりいわゆるグレー
ティング回折格子を形成することにより作製される。無
反則体21は導波路層2を直角にエツチングし溝を形成
することにより作製される。
シンググレーティングカブラ23は上記と同様にスパッ
タリング等によりSi 3 N4等を堆積接電子ビーム
リソグラフィー等の微細加工技術によりいわゆるグレー
ティング回折格子を形成することにより作製される。無
反則体21は導波路層2を直角にエツチングし溝を形成
することにより作製される。
受光器17a、17bは導波路」二に形成されたa−3
ipinダイオードからなるものが使用されるが、端面
に受光素子を設けても良い。
ipinダイオードからなるものが使用されるが、端面
に受光素子を設けても良い。
次にこの光ピックアップの動作について説明する。
光源である半導体レーザー12から出た光はコリメート
レンズ13により平行光となり、ビームスプリッタ14
により反射されリフレクタ18を通り表面弾性波19の
伝搬領域に達する。ここで光源からの光は表面弾性波1
9によりY方向に回折偏向され可変焦点レンズ22に向
かう。このとき、非回折光(0次光)は無反射体21で
伝搬しなくなる。
レンズ13により平行光となり、ビームスプリッタ14
により反射されリフレクタ18を通り表面弾性波19の
伝搬領域に達する。ここで光源からの光は表面弾性波1
9によりY方向に回折偏向され可変焦点レンズ22に向
かう。このとき、非回折光(0次光)は無反射体21で
伝搬しなくなる。
そして可変焦点レンズ22内で平行光はやや収束しフォ
ーカシンググレーティングカブラ23により空間26に
焦点を結ぶ。今表面弾性波発生電極20の駆動電源24
の周波数を変えると可変焦点レンズ22に伝搬してゆく
平行光の進行角がY方向に変化し、フォーカシンググレ
ーティングカブラ−23により先はどと違う位置27に
焦点を結ぶ。つまり表面弾性波発生電極20の駆動電源
24の周波数を変えることにより焦点をY方向にスキャ
ン可能となる。
ーカシンググレーティングカブラ23により空間26に
焦点を結ぶ。今表面弾性波発生電極20の駆動電源24
の周波数を変えると可変焦点レンズ22に伝搬してゆく
平行光の進行角がY方向に変化し、フォーカシンググレ
ーティングカブラ−23により先はどと違う位置27に
焦点を結ぶ。つまり表面弾性波発生電極20の駆動電源
24の周波数を変えることにより焦点をY方向にスキャ
ン可能となる。
次に可変焦点レンズ22の駆動電[5の電圧を変え、当
該レンズを通過する平行光の収束を強めた場合を考える
とフォーカシンググレーティングカブラ23へより収束
した光が入るから空間での焦点は基板1よりの28に移
る。このように可変焦点レンズ22の焦点位置を変える
ことにより7方向のスキャンが可能となる。ここでY方
向のスキャンは従来のピックアップのトラッキング制御
機構に相当し、Z方向のスキャンが)A−カシング制御
機構に相当することは言うまでもない。
該レンズを通過する平行光の収束を強めた場合を考える
とフォーカシンググレーティングカブラ23へより収束
した光が入るから空間での焦点は基板1よりの28に移
る。このように可変焦点レンズ22の焦点位置を変える
ことにより7方向のスキャンが可能となる。ここでY方
向のスキャンは従来のピックアップのトラッキング制御
機構に相当し、Z方向のスキャンが)A−カシング制御
機構に相当することは言うまでもない。
(ト)発明の効果
以上述べてきたようにこの発明によれば、可変焦点レン
ズ、表面弾性波発生電極を薄膜光導波路上に形成した光
導波路型ピックアップを作製することにより、表面弾性
波による光の回折を利用して導波光を光導波路の幅方向
に偏向でき、さらに、基板外の集光点の位置を上記幅方
向及び焦点方向の2軸で可変調整可能にでき、これによ
り、従来、個別物品で作製された光ピックアップのフォ
ーカシング及びトラッキング制御機構を光導波路上に組
込んでこれと一体化できるものであり、その結果、小型
軽量で高信頼性を有する光ピックアップを提供できる効
果がある。
ズ、表面弾性波発生電極を薄膜光導波路上に形成した光
導波路型ピックアップを作製することにより、表面弾性
波による光の回折を利用して導波光を光導波路の幅方向
に偏向でき、さらに、基板外の集光点の位置を上記幅方
向及び焦点方向の2軸で可変調整可能にでき、これによ
り、従来、個別物品で作製された光ピックアップのフォ
ーカシング及びトラッキング制御機構を光導波路上に組
込んでこれと一体化できるものであり、その結果、小型
軽量で高信頼性を有する光ピックアップを提供できる効
果がある。
第1図は本発明の一実施例における可変焦点レンズを示
す概略斜視図、第2図(ωおよび+b>はそれぞれ上記
可変焦点レンズの発熱体部電極パターンを示す構成説明
図、第3図(ωおよび(l))はそれぞれ上記実施例に
おける可変焦点レンズの要部構成説明図および発熱体の
温度変化および屈折率変化を示1特性図、第4図は本発
明の一実施例を示す光ピックアップの概略斜視図、第5
図および第6図はそれぞれ光ピックアップの従来技術例
を示す構成説明図および概略斜視図である。 1・・・・・・基板、 2・・・・・・光導波路、3
・・・・・・バッファー層、 4・・・・・・抵抗発熱体薄膜電極、 4a、4b、4c・・・・・・抵抗発熱体薄膜電極、5
・・・・・・可変焦点レンズの駆動電源、6.7・・・
・・・光路、9・・・・・・発熱体、12・・・・・・
半導体レーザー 13・・・・・・コリメートレンズ、 14・・・・・・ビームスプリッタ、 15・・・・・・収束レンズ、 16・・・・・・ウェッジプリズム、 17a、17b・・・・・・受光素子、18・・・・・
・リフレクタ−19・・・・・・表面弾性波、20・・
・・・・表面弾性波発生電極、21・・・・・・無反射
体、22・・・・・・可変焦点レンズ、23・・・・・
・フォーカシンググレーティングカブラ、24・・・・
・・表面弾性波発生用駆動電源、26.27.28・・
・・・・焦点。 ヘー 第3図 (a) (b) 4丁 Δn 第5図
す概略斜視図、第2図(ωおよび+b>はそれぞれ上記
可変焦点レンズの発熱体部電極パターンを示す構成説明
図、第3図(ωおよび(l))はそれぞれ上記実施例に
おける可変焦点レンズの要部構成説明図および発熱体の
温度変化および屈折率変化を示1特性図、第4図は本発
明の一実施例を示す光ピックアップの概略斜視図、第5
図および第6図はそれぞれ光ピックアップの従来技術例
を示す構成説明図および概略斜視図である。 1・・・・・・基板、 2・・・・・・光導波路、3
・・・・・・バッファー層、 4・・・・・・抵抗発熱体薄膜電極、 4a、4b、4c・・・・・・抵抗発熱体薄膜電極、5
・・・・・・可変焦点レンズの駆動電源、6.7・・・
・・・光路、9・・・・・・発熱体、12・・・・・・
半導体レーザー 13・・・・・・コリメートレンズ、 14・・・・・・ビームスプリッタ、 15・・・・・・収束レンズ、 16・・・・・・ウェッジプリズム、 17a、17b・・・・・・受光素子、18・・・・・
・リフレクタ−19・・・・・・表面弾性波、20・・
・・・・表面弾性波発生電極、21・・・・・・無反射
体、22・・・・・・可変焦点レンズ、23・・・・・
・フォーカシンググレーティングカブラ、24・・・・
・・表面弾性波発生用駆動電源、26.27.28・・
・・・・焦点。 ヘー 第3図 (a) (b) 4丁 Δn 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に作製した薄膜光導波路と、当該光導波路内
に光を入射させるための光源と、上記薄膜光導波路上に
配設され、その光導波路内を伝搬する光源からの導波光
を平行光にするための導波路型レンズと、上記薄膜光導
波路内を伝搬する上記平行光を上記基板外の自由空間の
一点に集光し、それによって基板の外側に光源と光導波
路の対向空間に配設された光記録媒体上のピットの情報
を読み取りその集光点からの反射光を再び上記薄膜光導
波路内に導くためのフオーカシンググレーティングカプ
ラと、上記薄膜光導波路内への反射光を検出する光検出
器と、当該光検出器に反射光を導くための導波路型光ビ
ームスプリッタを備えた光ピックアップにおいて、 上記薄膜光導波路上に表面弾性波を発生させ、それによ
つて光源からの平行光を薄膜光導波路の幅方向に偏向し
うる表面弾性波光偏向手段と、この光偏向手段とフォー
カシンググレーティングカプラとの間の薄膜光導波路上
に設けられ、薄膜光導波路内を伝搬する、上記偏向され
た導波光を、薄膜光導波路内の温度分布を上記幅方向に
変化させることにより収束可能に制御し、それによつて
フォーカシンググレーティングカプラを介して集光され
る基板外の集光点の位置を光軸方向に調整可能にしうる
集光点可変手段とを有する光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026071A JPH02206029A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026071A JPH02206029A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02206029A true JPH02206029A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12183438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026071A Pending JPH02206029A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02206029A (ja) |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1026071A patent/JPH02206029A/ja active Pending
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