JPH02207414A - 酸化物超電導線 - Google Patents

酸化物超電導線

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JPH02207414A
JPH02207414A JP1026094A JP2609489A JPH02207414A JP H02207414 A JPH02207414 A JP H02207414A JP 1026094 A JP1026094 A JP 1026094A JP 2609489 A JP2609489 A JP 2609489A JP H02207414 A JPH02207414 A JP H02207414A
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Japan
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oxide superconducting
stabilized zirconia
superconducting wire
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oxide
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Satoru Takano
悟 高野
Noriki Hayashi
憲器 林
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、超電導コイル、超電導ケーブル等に使用さ
れ得る酸化物超電導線に関するものである。
[従来の技術] 従来から超電導体として、金属系のもの、化合物系のも
のおよびセラミックス系のものが知られており、種々の
用途への適用が研究されている。
すなわち、超電導体は、臨界温度以下の温度に保持され
ることにより電気抵抗が零の状態になるのであるが、こ
の特性を利用して高磁界の発生、大容量の電流の高密度
伝送等が試みられている。
最近、超電導材料として、セラミックス系のものが超電
導現象を示す臨界温度を高くできる点で脚光を浴びつつ
ある。このような超電導材料は、たとえば長尺の線状体
とすることによって、送配電、各種機器または素子間の
電気的接続、交流用巻線等の用途に用いることができる
セラミックス系の超電導材料、すなわち酸化物系の超電
導材料を線材化する方法としては、従来より金属バイブ
内に酸化物超電導体の粉末を充填しこれを減面加工する
方法や、あるいは長尺の基材の上に酸化物超電導材料の
層を形成し線材化する方法などが知られている。酸化物
単結晶ファイバ上に、酸化物超電導体の層を形成した超
電導線は、たとえば特開昭63−271816号公報に
開示されている。酸化物超電導層を形成する方法として
は、蒸着、スパッタリング、CVD等の気相薄膜形成方
法が適用し得る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような超電導線において高い臨界電
流密度を得るためには、通常高い熱処理を施す必要があ
る。結晶性の優れた膜が得られるMgOおよびS r 
T i Os等の単結晶上に酸化物超電導体の層を形成
させた場合にも、成膜中の基板温度を600〜700℃
とし、成膜後にさらに900℃以上の温度で熱処理を行
なう必要がある。
可撓性を有する金属、セラミックスおよびガラス等の基
板の上に酸化物超電導体の層を形成した場合には、結晶
性が劣るため、さらに高温でしかも長時間の熱処理が必
要となる。しかしながらこのような高温かつ長時間の熱
処理を行なうと、基板との間での拡散反応が生じ、形成
した酸化物超電導体の層の超電導特性が劣化してしまう
。このような拡散反応を防止するため、基板と酸化物超
電導体層との間に中間層を形成することが考えられるが
、高温で長時間の熱処理に耐えるようにするためには、
1μm以上の厚い中間層が必要となり、中間層形成のた
めのコストが大きくなる。
この発明の目的は、かかる従来の問題点を解消し、拡散
反応による影響が少なく、超電導特性に優れた酸化物超
電導線を提供することにある。
[課題を解決するための手段] この発明の酸化物超電導線は、可撓性を有し、かつAl
l不純物量が0.1重量%未満であるイツトリア安定化
ジルコニア基村上に、酸化物超電導層を形成したことを
特徴としている。
この発明において、基材として用いられるイツトリア安
定化ジルコニアのAm不純物量は0.1重量%未満であ
るが、さらに好ましくは0.05重量%未満である。な
お、この明細書においてA之不純物量はA’120aと
しての不純物量をいう。
[作用] この発明において、基材として用いるイツトリア安定化
ジルコニアのAl不純物量を0.1重量%未満としてい
るのは、イツトリア安定化ジルコニア中に含まれる不純
物の内で、Afiが最も拡散しやすく、このAllの拡
散反応を少なくすることにより、超電導特性、特に臨界
温度(Tc)の低減を抑制することができるからである
Al不純物量が0.1重量%以上のイツトリア安定化ジ
ルコニア基材上にYBaCuO系酸化物超電導層を形成
した場合には、特にY2Ba、Cu10.の組成の酸化
物を形成しやすい。この組成の酸化物の存在により、臨
界温度(Tc)および臨界電流密度(J c)等の超電
導特性が低下する。この発明は、このようにAl不純物
量が0゜1重量%以上になると、Y2 BaI Cut
 o、などの異相を形成しやすいという現象を見出すこ
とによって達成されたものである。
[実施例] 表1に示すような異なるAn不純物濃度を有する厚さ0
.1mmのイツトリア安定化ジルコニア(Y含有量3重
量%)のテープ状体の上に、Y−Ba−Cu−0系酸化
物超電導層をRFマグネトロンスパッタリング法により
形成した。成膜条件は以下のとおりである。
ターゲット: Y、Ba2 Cu3,10xターゲット
直径:100mm 基板温度:680℃ RFパワー:100ワツト ガス圧: 50mTor r 酸素分圧(02/ (02+Ar)): 50%ターゲ
ット−基板間距離:45mm 成膜時間=6時間 膜厚:0.8〜1,2μm 以上のようにして酸化物超電導層を形成した後、酸素中
で950℃、0.5時間熱処理を行なった。
各酸化物超電導層について、抵抗Rが0となる臨界電流
密度(Tc)を測定し、表1に示した。
(以下余白) 表 の断面形状は特に限定されるものではない。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明の酸化物超電導線では、
Ai不純物量が0.1重量%未満のイツトリア安定化ジ
ルコニアの基材の上に酸化物超電導層を形成している。
このようにこの発明では、最も拡散しゃすいA!Lの含
有量が少ない基材を用いているため、熱処理における拡
散反応を抑制することができ、熱処理による超電導特性
の低下を少なくすることができる。
表1から明らかなように、この発明に従う実施例1〜5
の酸化物超電導層では、高いTcを示したが、この発明
の範囲よりもA【不純物量の多い比較例1〜3は、実施
例1〜5に比べ著しく低いTcとなった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)可撓性を有し、かつAl不純物量が0.1重量%
    未満であるイットリア安定化ジルコニアの基材上に、酸
    化物超電導層を形成したことを特徴とする、酸化物超電
    導線。
  2. (2)Al不純物量が0.05重量%未満であることを
    特徴とする、請求項1記載の酸化物超電導線。
JP1026094A 1989-02-04 1989-02-04 酸化物超電導線 Expired - Lifetime JP2734596B2 (ja)

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CA002008310A CA2008310C (en) 1989-02-04 1990-02-02 Superconducting wire
EP92113673A EP0528332B1 (en) 1989-02-04 1990-02-05 Superconducting wire
DE69019376T DE69019376T2 (de) 1989-02-04 1990-02-05 Supraleitender Draht.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63224270A (ja) * 1987-11-11 1988-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 超伝導コイルの作製方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63224270A (ja) * 1987-11-11 1988-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 超伝導コイルの作製方法

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