JPH02207526A - 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
枚葉式洗浄装置及び洗浄方法Info
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- JPH02207526A JPH02207526A JP2841689A JP2841689A JPH02207526A JP H02207526 A JPH02207526 A JP H02207526A JP 2841689 A JP2841689 A JP 2841689A JP 2841689 A JP2841689 A JP 2841689A JP H02207526 A JPH02207526 A JP H02207526A
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- processing tank
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- chemical
- tank
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3942—Inorganic per-compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、例えば半導体ウェハの製造工程における洗
浄に用いて最適な枚葉式洗浄方法に関する。
浄に用いて最適な枚葉式洗浄方法に関する。
半導体素子、特にＩＣの製造に際し、半導体ウェハの洗
浄は不可欠な作業の一つである。この洗浄に際し、処理
槽内にウェハを所定の間隔で保持するためにボートなど
の治具を使用している。
浄は不可欠な作業の一つである。この洗浄に際し、処理
槽内にウェハを所定の間隔で保持するためにボートなど
の治具を使用している。
このため、ウェハとボートとの接触部分およびその付近
は、洗浄効率が悪く、これがしばしば汚れを残す原因に
なっている。またボートにも汚物が残存することになり
、ボートなどから次に処理するウェハに対する逆汚染の
可能性が無視できない。 １つの処理槽内に多数のウェハを収納して洗浄を行なう
と、薬液循環系を使用して薬液を回流するようにしたと
しても、汚染した薬液がウェハやボートに付着すること
が避けられず、洗浄能力の低下をきたす結果となってい
た。 これらの事項は特に、ＩＭ、４Ｍ、１６Ｍと超集積度の
高い技術開発カイ進むに伴い、無視できないますます重
要な問題になってきている。
は、洗浄効率が悪く、これがしばしば汚れを残す原因に
なっている。またボートにも汚物が残存することになり
、ボートなどから次に処理するウェハに対する逆汚染の
可能性が無視できない。 １つの処理槽内に多数のウェハを収納して洗浄を行なう
と、薬液循環系を使用して薬液を回流するようにしたと
しても、汚染した薬液がウェハやボートに付着すること
が避けられず、洗浄能力の低下をきたす結果となってい
た。 これらの事項は特に、ＩＭ、４Ｍ、１６Ｍと超集積度の
高い技術開発カイ進むに伴い、無視できないますます重
要な問題になってきている。
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
あり、処理槽に被処理体を１枚収納し、この処理槽内の
被処理体に、硫酸および過酸化水素水の水溶液を含む第
１の薬液を接触させたのち、アンモニアおよび過酸化水
素水の水溶液を含む第２の薬液を接触させることを特徴
とする枚葉式洗浄方法である。 また、上記半導体ウェハへの薬液の接触が、超音波振動
を伴って行なわれることをも特徴としている。
あり、処理槽に被処理体を１枚収納し、この処理槽内の
被処理体に、硫酸および過酸化水素水の水溶液を含む第
１の薬液を接触させたのち、アンモニアおよび過酸化水
素水の水溶液を含む第２の薬液を接触させることを特徴
とする枚葉式洗浄方法である。 また、上記半導体ウェハへの薬液の接触が、超音波振動
を伴って行なわれることをも特徴としている。
被処理体の洗浄に際して、第１の薬液により酸化皮膜等
を除去し、第２の薬液によって微細な例えばレジスト残
査やパーティクルを除去することができ、効果的に洗浄
することができる。
を除去し、第２の薬液によって微細な例えばレジスト残
査やパーティクルを除去することができ、効果的に洗浄
することができる。
次にこの発明の枚葉式洗浄方法を、枚葉デイツプ式半導
体ウェハの洗浄に適用した一実施例を第１図および第２
図を参照して説明する。 枚葉デイツプ式半導体ウェハ洗浄装置を示す図において
、密閉型の処理槽２は有底形の箱体で、例えば材質は薬
液Ｌｌ、Ｌ２に対する耐蝕性のよいテフロンや石英でで
きている。 ウェハＷの洗浄処理用の第１の薬液Ｌ１としては、硫酸
（Ｈ２ＳＯ４）および過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の水溶
液が使用され、第２の薬液Ｌ２としては、アンモニア（
ＮＨ４０Ｈ）および過酸化水素水（Ｈ２０□）の水溶液
が採用される。上記薬液Ｌ１において、Ｈ２ＳＯ２とＨ
２０２（７）比は４：１が望ましく、また薬液Ｌ２にお
いて、Ｎ Ｈ４０ＨとＨｚ ０２ 、Ｈ２０の比はｌ：
ｌ：５が望ましい。 装置本体１の内部に設置された処理槽２の内部には、複
数個の個別処理槽２１が所定の間隔で配設されている。 この個別処理槽２１は、第１図に示すように外槽２１Ａ
の内部に、インナ２１Ｂ。 ２ＩＣ，２１Ｄとウェッジ２１Ｅ、２１Ｆとを組み合わ
せてウェハＷの収容空間２１Ｇが設けてあり、インナ２
１ＢにはウェハＷをチャッキングするための切欠き２１
Ｈが設けである。 インナ２１ＤにはウェハＷを収容空間２１Ｇ内に直立保
持するための溝２１Ｍが設けてあり、このインナ２１Ｄ
は１個だけでなく、複数個設けてウェハＷを保持するよ
うにしてもよい。 また外槽２ＬＡには外に向かって４本のバイブ２１ ｒ
、２１Ｊ、２１に、２１Ｌが設けてあり、２１１．２１
Ｊは薬液供給管、２１にはウェハＷをオーバーフロー処
理する場合にオーバーフローした薬液を排出するための
オーバーフロー管、２１ＬはウェハＷを処理した後、薬
液を排出するためのトレーン管として使用される。 各個別処理槽２１の上部間口にはウェハＷの幅にほぼ等
しい長さの棒状キャップ２２が取付けられている。この
キャップ２２は上部開口２３Ａ、下部開口２３Ｂを備え
たカバー２３の、長さ方向両端に立設した側板２３Ｃの
弧状溝２４に両端をはめ込まれ、弧状溝２４の扇状中心
である丸孔２３Ｄに軸着した回転軸２５とアーム２６で
連結して弧状溝２４内をスライドし、回転軸２５にユニ
バーサルジヨイント２７．２８と連結シャフト２９によ
り連結されたモータあるいはエアシリンダ等の駆動源３
０で駆動させ、弧状溝２４下端に位！するようになった
ときに個別処理槽２１の上部開口を閉鎖するようになっ
ている。 個別処理槽２１の上部にはシール３を介して蓋°４が設
けられ、その上にシール５を介して個別処理槽２１が取
付けられる。各個別処理槽２１のドレーン管２１Ｌは処
理槽２を貫」してシール付きのブツシュ６を用いて取付
けられ、その先にトレーンチューブ１４とエア弁１５が
取付けられる。 また処理槽２の下部には、処理槽２内に満たされた純水
をヒートコントロールするためのヒータ７がシール付き
のブツシュ８を用いて取付けられ、底部には超音波振動
子９がシールｌ○を介して取付けられている。処理槽２
には、これ以外に純水供給管、液温センサ、排気管、液
上限レベルセンサ、液下限レベルセンサ（図示せず）が
蓋４の接続孔４Ａに取付けられる。処理槽２の接続孔２
Ａには上記ドレーン管２１Ｌが取付けられ、接続孔２Ｂ
には純水が入りすぎた場合に逃がすためのドレーンチュ
ーブ１３が取付けられている。処理槽２内の純水は個別
処理槽２１の保温と超音波振動子９の保護のために常時
溝たされている。 処理槽２の側部には、３つの薬液供給系および純水供給
系を設けである。薬液供給系１６について第３図に詳細
を示す。貯留槽１６１に貯留された薬液がポンプ１６２
によりフィルタ１６３、エア弁１６４を経て計量槽１６
５に送られる。計量槽１６５からはエア弁１６６を経て
自然落下にて個別処理槽２１に送られる。 通常薬液は、ポンプ１６２によりフィルタ１６３、エア
弁１６７（エア弁１６４は閉じている）を経て貯留槽１
６１に戻され循環しており、計量槽１６５の薬液が下限
レベルまで無くなると、エア弁１６７を閉じ、エア弁１
６４を開けて計量槽１６５に送られる。それぞれの薬液
供給系１６に対応して設けられた３つの貯留槽には、お
のおのＨ２ＳＯ４，Ｈｚ Ｏ□、ＮＨ４０Ｈが別々に貯
留されている。 上記各供給系１６．１７の管路は、その材質として例＾
ばテフロンや石英等が用いられ、前記薬液り、、Ｌ２に
対して耐蝕性の優れたものとなっている。またポンプ１
６２は、その送出能力が１０〜３０Ｉ２／ｍｉｎ程度に
設定され、薬液供給管２１１．２１Ｊから入る薬液Ｌ＋
、Ｌａの流量は３〜１０Ｉ２／ｍｉｎ程度に設定されて
いる。 個別処理槽２１を第２固在からＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄとすると
、ここに使われる処理液は本実施例ではＡに薬液Ｌ＋、
Ｂに純水、Ｃに薬液Ｌ２、Ｄに純水が用いられるが、処
理槽２をさらに増やして２槽にし、第１の処理槽２の個
別処理槽２１にはおのおの薬液Ｌ＋、薬液Ｌｌ、純水、
純水を用い、第２の処理槽２の個別処理槽２１にはおの
おの薬液Ｌ２．薬液Ｌ２．純水、純水を用いてもよく、
これ以外の組み合わせも可能である。 本実施例においてへの個別処理槽２１では薬液Ｌ１が使
用されるが、薬液Ｌ１は個別処理槽２１内において混合
される。すなわち、薬液供給管２１１からＨ＊ Ｓ Ｏ
４が薬液供給管２１ＪからＨ２Ｏ２が供給され個別処理
槽２１内で混合され、はげしく反応して高温（約１５０
℃）の薬液り、になる。Ｃの個別処理槽２１１からＮＨ
，ＯＨが、薬液供給管２１ＪからＨｚＯｚが供給され、
槽内で混合される。ＢとＤの個別処理槽では薬液供給管
２１１，２１Ｊから純水が供給される。 次に上記構成による作用を順次説明する。まずＡの個別
処理槽２１にレジスト塗布あるいはアッシング処理され
たウェハＷを入れる。Ｈ２ＳＯ４の薬液供給系１６のエ
ア弁１６６を一定時間（個別処理槽２１を薬液で満たす
まで）オープンして計量槽１６５からおのおのＨ２ＳＯ
４とＨ２０□とを薬液供給管２１１．２１Ｊから落とし
込むと、置薬液がはげしく化学反応を起こして高温（約
１５０℃）になり、ウェハＷの表面を洗浄する。この間
、超音波振動子９が作動して化学反応を促進しなからウ
ェハＷの両面を効果的に洗浄する。上記洗浄時間は処理
されるウェハＷによって異なるが、約２０秒〜３分であ
る。所定時間経過後エア弁１５を開き、Ａの個別処理槽
２１内の薬液り。 を排液し、ウェハＷを引抜く。次に引抜いたウェハＷを
Ｂの個別処理槽２１に入れ、薬液供給管２１１．２１Ｊ
より純水を純水供給系１７から注入し、純水にて洗浄す
る。純水洗浄の場合は処理時間中純水が供給され、その
間あふれた純水はオーバーフロー管２１により排液され
る。この間も超音波振動子９が作動して洗浄を促進する
。所定時間経過後エア弁１５を開き、Ｂの個別処理槽２
１内の純水を排水し、ウェハＷを引抜き、Ｃの個別処理
槽２１に入れる。Ｃの個別処理槽２１では薬液供給管２
１１，２１ＪよりおのおのＮＨ，ＯＨとＨ２Ｏ２を供給
し、槽内に薬液Ｌ２を満たしてウェハＷの表面を洗浄す
る。この間も超音波振動子９が作動して、化学反応を促
進しながらウェハＷの両面を効果的に洗浄する。上記洗
浄時間は約２０秒〜３分である。所定時間経過後エア弁
１５を開き、Ｃの個別処理槽２１内の薬液Ｌ２を排液し
てウェハＷを引抜き、Ｄの個別処理槽２１に入れる。Ｄ
の個別処理槽２１ではＢと同様に薬液供給管２１１，２
１Ｊより純水を供給してオーバーフローさせ洗浄する。 この間も超音波振動子９が作動して洗浄を促進する。所
定時間経過後エア弁１５を開き、Ｄの個別処理槽２１内
の純水を排水し、ウェハＷを取出すことにより、洗浄工
程が終了する。 次に、第４図にこの発明の枚葉式洗浄方法の他の実施例
を示す。 処理槽４１には、底部に超音波振動子４２を備えた所定
高さのウェハ固定台４３が設けられ、その周囲に石英管
ヒータ４４が配設されている。ウェハ固定台４３は上部
を開口され、その上部には薬液りふき出し用の超音波ノ
ズル４５．４６が取り付けられている。そして、薬液り
、のうちＨ２ＳＯ４は高温ポンプ４７を介して超音波ノ
ズル４５から、またＨ２Ｏ２はポンプ４８を介して超音
波ノズル４６よりふき出されて、ウェハ固定台４３にセ
ットされたウェハＷ表面を洗浄する。 他方、これらの水溶液が処理槽４１と薬液再生処理装置
４９との間で循環することにより再生処理される。すな
わち、薬液再生処理装置４９は排液貯留槽５０と再生液
貯留槽５１とを備え、その間に付設された濾過装置５２
により再生されるようになっている。５３および５４は
それぞれ高温ポンプないしポンプである。そして、処理
槽４１の排液口５５を介して排液貯留槽５０に回送され
た薬液り、は、ポンプ５４で濾過装置５２に送られ、再
生液貯留槽５１に貯留されて必要に応じて高温ポンプ５
３から給液口５６を経て処理槽４１に送り込まれる。 このとき、薬液Ｌ１に浸漬されたウェハＷは、その下面
もウェハ固定台４３の底部に設けた超音波振動子４２に
より洗浄される。 同様の装置が別途設けられており、ＮＨ，ＯＨおよびＨ
ｚＯ２からなる薬液Ｌ２が次にウェハＷの表裏両面に適
用されて洗浄処理を施される。薬液Ｌ１．Ｌ２による洗
浄時間は前記実施例と同様でよい。 ところで、この発明はすでに述べた上記各実施例に限定
されるものではなく、種々の変形例が考えられる。たと
えば、個別処理槽の数や超音波ノズルの数は実施例に限
らず、多くても少なくてもよい、さらに、処理槽２．４
１の形状は、ウェハの形状に合わせて、種々の形態を採
ることができる。 ４゜ 上記実施例では半導体ウェハの洗浄に適用した場合につ
いて説明したが、洗浄処理であれば何でもよく、例えば
ＬＣＤ基板、ＴＰＴ回路の形成される基板などの洗浄な
どいずれでもよい。
体ウェハの洗浄に適用した一実施例を第１図および第２
図を参照して説明する。 枚葉デイツプ式半導体ウェハ洗浄装置を示す図において
、密閉型の処理槽２は有底形の箱体で、例えば材質は薬
液Ｌｌ、Ｌ２に対する耐蝕性のよいテフロンや石英でで
きている。 ウェハＷの洗浄処理用の第１の薬液Ｌ１としては、硫酸
（Ｈ２ＳＯ４）および過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の水溶
液が使用され、第２の薬液Ｌ２としては、アンモニア（
ＮＨ４０Ｈ）および過酸化水素水（Ｈ２０□）の水溶液
が採用される。上記薬液Ｌ１において、Ｈ２ＳＯ２とＨ
２０２（７）比は４：１が望ましく、また薬液Ｌ２にお
いて、Ｎ Ｈ４０ＨとＨｚ ０２ 、Ｈ２０の比はｌ：
ｌ：５が望ましい。 装置本体１の内部に設置された処理槽２の内部には、複
数個の個別処理槽２１が所定の間隔で配設されている。 この個別処理槽２１は、第１図に示すように外槽２１Ａ
の内部に、インナ２１Ｂ。 ２ＩＣ，２１Ｄとウェッジ２１Ｅ、２１Ｆとを組み合わ
せてウェハＷの収容空間２１Ｇが設けてあり、インナ２
１ＢにはウェハＷをチャッキングするための切欠き２１
Ｈが設けである。 インナ２１ＤにはウェハＷを収容空間２１Ｇ内に直立保
持するための溝２１Ｍが設けてあり、このインナ２１Ｄ
は１個だけでなく、複数個設けてウェハＷを保持するよ
うにしてもよい。 また外槽２ＬＡには外に向かって４本のバイブ２１ ｒ
、２１Ｊ、２１に、２１Ｌが設けてあり、２１１．２１
Ｊは薬液供給管、２１にはウェハＷをオーバーフロー処
理する場合にオーバーフローした薬液を排出するための
オーバーフロー管、２１ＬはウェハＷを処理した後、薬
液を排出するためのトレーン管として使用される。 各個別処理槽２１の上部間口にはウェハＷの幅にほぼ等
しい長さの棒状キャップ２２が取付けられている。この
キャップ２２は上部開口２３Ａ、下部開口２３Ｂを備え
たカバー２３の、長さ方向両端に立設した側板２３Ｃの
弧状溝２４に両端をはめ込まれ、弧状溝２４の扇状中心
である丸孔２３Ｄに軸着した回転軸２５とアーム２６で
連結して弧状溝２４内をスライドし、回転軸２５にユニ
バーサルジヨイント２７．２８と連結シャフト２９によ
り連結されたモータあるいはエアシリンダ等の駆動源３
０で駆動させ、弧状溝２４下端に位！するようになった
ときに個別処理槽２１の上部開口を閉鎖するようになっ
ている。 個別処理槽２１の上部にはシール３を介して蓋°４が設
けられ、その上にシール５を介して個別処理槽２１が取
付けられる。各個別処理槽２１のドレーン管２１Ｌは処
理槽２を貫」してシール付きのブツシュ６を用いて取付
けられ、その先にトレーンチューブ１４とエア弁１５が
取付けられる。 また処理槽２の下部には、処理槽２内に満たされた純水
をヒートコントロールするためのヒータ７がシール付き
のブツシュ８を用いて取付けられ、底部には超音波振動
子９がシールｌ○を介して取付けられている。処理槽２
には、これ以外に純水供給管、液温センサ、排気管、液
上限レベルセンサ、液下限レベルセンサ（図示せず）が
蓋４の接続孔４Ａに取付けられる。処理槽２の接続孔２
Ａには上記ドレーン管２１Ｌが取付けられ、接続孔２Ｂ
には純水が入りすぎた場合に逃がすためのドレーンチュ
ーブ１３が取付けられている。処理槽２内の純水は個別
処理槽２１の保温と超音波振動子９の保護のために常時
溝たされている。 処理槽２の側部には、３つの薬液供給系および純水供給
系を設けである。薬液供給系１６について第３図に詳細
を示す。貯留槽１６１に貯留された薬液がポンプ１６２
によりフィルタ１６３、エア弁１６４を経て計量槽１６
５に送られる。計量槽１６５からはエア弁１６６を経て
自然落下にて個別処理槽２１に送られる。 通常薬液は、ポンプ１６２によりフィルタ１６３、エア
弁１６７（エア弁１６４は閉じている）を経て貯留槽１
６１に戻され循環しており、計量槽１６５の薬液が下限
レベルまで無くなると、エア弁１６７を閉じ、エア弁１
６４を開けて計量槽１６５に送られる。それぞれの薬液
供給系１６に対応して設けられた３つの貯留槽には、お
のおのＨ２ＳＯ４，Ｈｚ Ｏ□、ＮＨ４０Ｈが別々に貯
留されている。 上記各供給系１６．１７の管路は、その材質として例＾
ばテフロンや石英等が用いられ、前記薬液り、、Ｌ２に
対して耐蝕性の優れたものとなっている。またポンプ１
６２は、その送出能力が１０〜３０Ｉ２／ｍｉｎ程度に
設定され、薬液供給管２１１．２１Ｊから入る薬液Ｌ＋
、Ｌａの流量は３〜１０Ｉ２／ｍｉｎ程度に設定されて
いる。 個別処理槽２１を第２固在からＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄとすると
、ここに使われる処理液は本実施例ではＡに薬液Ｌ＋、
Ｂに純水、Ｃに薬液Ｌ２、Ｄに純水が用いられるが、処
理槽２をさらに増やして２槽にし、第１の処理槽２の個
別処理槽２１にはおのおの薬液Ｌ＋、薬液Ｌｌ、純水、
純水を用い、第２の処理槽２の個別処理槽２１にはおの
おの薬液Ｌ２．薬液Ｌ２．純水、純水を用いてもよく、
これ以外の組み合わせも可能である。 本実施例においてへの個別処理槽２１では薬液Ｌ１が使
用されるが、薬液Ｌ１は個別処理槽２１内において混合
される。すなわち、薬液供給管２１１からＨ＊ Ｓ Ｏ
４が薬液供給管２１ＪからＨ２Ｏ２が供給され個別処理
槽２１内で混合され、はげしく反応して高温（約１５０
℃）の薬液り、になる。Ｃの個別処理槽２１１からＮＨ
，ＯＨが、薬液供給管２１ＪからＨｚＯｚが供給され、
槽内で混合される。ＢとＤの個別処理槽では薬液供給管
２１１，２１Ｊから純水が供給される。 次に上記構成による作用を順次説明する。まずＡの個別
処理槽２１にレジスト塗布あるいはアッシング処理され
たウェハＷを入れる。Ｈ２ＳＯ４の薬液供給系１６のエ
ア弁１６６を一定時間（個別処理槽２１を薬液で満たす
まで）オープンして計量槽１６５からおのおのＨ２ＳＯ
４とＨ２０□とを薬液供給管２１１．２１Ｊから落とし
込むと、置薬液がはげしく化学反応を起こして高温（約
１５０℃）になり、ウェハＷの表面を洗浄する。この間
、超音波振動子９が作動して化学反応を促進しなからウ
ェハＷの両面を効果的に洗浄する。上記洗浄時間は処理
されるウェハＷによって異なるが、約２０秒〜３分であ
る。所定時間経過後エア弁１５を開き、Ａの個別処理槽
２１内の薬液り。 を排液し、ウェハＷを引抜く。次に引抜いたウェハＷを
Ｂの個別処理槽２１に入れ、薬液供給管２１１．２１Ｊ
より純水を純水供給系１７から注入し、純水にて洗浄す
る。純水洗浄の場合は処理時間中純水が供給され、その
間あふれた純水はオーバーフロー管２１により排液され
る。この間も超音波振動子９が作動して洗浄を促進する
。所定時間経過後エア弁１５を開き、Ｂの個別処理槽２
１内の純水を排水し、ウェハＷを引抜き、Ｃの個別処理
槽２１に入れる。Ｃの個別処理槽２１では薬液供給管２
１１，２１ＪよりおのおのＮＨ，ＯＨとＨ２Ｏ２を供給
し、槽内に薬液Ｌ２を満たしてウェハＷの表面を洗浄す
る。この間も超音波振動子９が作動して、化学反応を促
進しながらウェハＷの両面を効果的に洗浄する。上記洗
浄時間は約２０秒〜３分である。所定時間経過後エア弁
１５を開き、Ｃの個別処理槽２１内の薬液Ｌ２を排液し
てウェハＷを引抜き、Ｄの個別処理槽２１に入れる。Ｄ
の個別処理槽２１ではＢと同様に薬液供給管２１１，２
１Ｊより純水を供給してオーバーフローさせ洗浄する。 この間も超音波振動子９が作動して洗浄を促進する。所
定時間経過後エア弁１５を開き、Ｄの個別処理槽２１内
の純水を排水し、ウェハＷを取出すことにより、洗浄工
程が終了する。 次に、第４図にこの発明の枚葉式洗浄方法の他の実施例
を示す。 処理槽４１には、底部に超音波振動子４２を備えた所定
高さのウェハ固定台４３が設けられ、その周囲に石英管
ヒータ４４が配設されている。ウェハ固定台４３は上部
を開口され、その上部には薬液りふき出し用の超音波ノ
ズル４５．４６が取り付けられている。そして、薬液り
、のうちＨ２ＳＯ４は高温ポンプ４７を介して超音波ノ
ズル４５から、またＨ２Ｏ２はポンプ４８を介して超音
波ノズル４６よりふき出されて、ウェハ固定台４３にセ
ットされたウェハＷ表面を洗浄する。 他方、これらの水溶液が処理槽４１と薬液再生処理装置
４９との間で循環することにより再生処理される。すな
わち、薬液再生処理装置４９は排液貯留槽５０と再生液
貯留槽５１とを備え、その間に付設された濾過装置５２
により再生されるようになっている。５３および５４は
それぞれ高温ポンプないしポンプである。そして、処理
槽４１の排液口５５を介して排液貯留槽５０に回送され
た薬液り、は、ポンプ５４で濾過装置５２に送られ、再
生液貯留槽５１に貯留されて必要に応じて高温ポンプ５
３から給液口５６を経て処理槽４１に送り込まれる。 このとき、薬液Ｌ１に浸漬されたウェハＷは、その下面
もウェハ固定台４３の底部に設けた超音波振動子４２に
より洗浄される。 同様の装置が別途設けられており、ＮＨ，ＯＨおよびＨ
ｚＯ２からなる薬液Ｌ２が次にウェハＷの表裏両面に適
用されて洗浄処理を施される。薬液Ｌ１．Ｌ２による洗
浄時間は前記実施例と同様でよい。 ところで、この発明はすでに述べた上記各実施例に限定
されるものではなく、種々の変形例が考えられる。たと
えば、個別処理槽の数や超音波ノズルの数は実施例に限
らず、多くても少なくてもよい、さらに、処理槽２．４
１の形状は、ウェハの形状に合わせて、種々の形態を採
ることができる。 ４゜ 上記実施例では半導体ウェハの洗浄に適用した場合につ
いて説明したが、洗浄処理であれば何でもよく、例えば
ＬＣＤ基板、ＴＰＴ回路の形成される基板などの洗浄な
どいずれでもよい。
以上説明したことから明らかなように、ウェハの洗浄処
理に際して、ウェハを個々の薬液で１枚ずつ処理するの
で、ウェハを他のウェハの洗浄によって汚染した薬液に
接触させることがなく、しかも逆汚染のおそれが全くな
い。 したがって、ウェハの大口径化高品質化にも対応して洗
浄効率を著しく向上できる優れた効果がある。
理に際して、ウェハを個々の薬液で１枚ずつ処理するの
で、ウェハを他のウェハの洗浄によって汚染した薬液に
接触させることがなく、しかも逆汚染のおそれが全くな
い。 したがって、ウェハの大口径化高品質化にも対応して洗
浄効率を著しく向上できる優れた効果がある。
第１図は本発明方法を適用したウェハ洗浄装置の要部横
断面図、第２図は要部縦断面図、第３図は薬液供給系１
６の構成図、第４図は他の実施例を示す概略断面図であ
る。 １・・・装置本体 ２・・・処理槽９・・・超
音波振動子 １６・・・薬液供給系１・・・個別処
理槽 ２２・・・棒状キャップ３・・・ガイド
２４・・・弧状溝５・・・回転軸 ２６
・・・アーム０・・・駆動源 １・・・処理槽 ４２・・・超音波振動子３・
・・ウェハ固定台 ４４・・・石英管ヒータ５．４６
・・・超音波ノズル ７・・・高温ポンプ ４８・・・ポンプ９・・・薬
液再生処理装置 ０・・・排液貯留槽 ５１・・・再生液貯留槽２・
・・濾過装置 ５３・・・高温ポンプ４・・・ポ
ンプ ５５・・・排液口６・・・給液口
Ｗ・・・ウェハ特許出願人 東京エレクトロン株
式会社同 上 株式会社 ス ガ イ 図 系 図 コ］ ５・Ｄ
断面図、第２図は要部縦断面図、第３図は薬液供給系１
６の構成図、第４図は他の実施例を示す概略断面図であ
る。 １・・・装置本体 ２・・・処理槽９・・・超
音波振動子 １６・・・薬液供給系１・・・個別処
理槽 ２２・・・棒状キャップ３・・・ガイド
２４・・・弧状溝５・・・回転軸 ２６
・・・アーム０・・・駆動源 １・・・処理槽 ４２・・・超音波振動子３・
・・ウェハ固定台 ４４・・・石英管ヒータ５．４６
・・・超音波ノズル ７・・・高温ポンプ ４８・・・ポンプ９・・・薬
液再生処理装置 ０・・・排液貯留槽 ５１・・・再生液貯留槽２・
・・濾過装置 ５３・・・高温ポンプ４・・・ポ
ンプ ５５・・・排液口６・・・給液口
Ｗ・・・ウェハ特許出願人 東京エレクトロン株
式会社同 上 株式会社 ス ガ イ 図 系 図 コ］ ５・Ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理槽に被処理体を１枚収納し、この処理槽内の被
処理体に、硫酸および過酸化水素水の水溶液を含む第１
の薬液を接触させたのち、アンモニアおよび過酸化水素
水の水溶液を含む第２の薬液を接触させることを特徴と
する枚葉式洗浄方法。 ２、被処理体への薬液の接触が、超音波振動を伴って行
なわれる請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028416A JP2859624B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028416A JP2859624B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207526A true JPH02207526A (ja) | 1990-08-17 |
| JP2859624B2 JP2859624B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=12248050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1028416A Expired - Lifetime JP2859624B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859624B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536664A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ洗浄槽 |
| JP2017025148A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 洗浄用水素水の製造方法及び製造装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239028A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Nec Corp | 表面清浄化方法 |
| JPS60247928A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPS6140034A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の化学エツチング方法 |
| JPS6186929U (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 |
-
1989
- 1989-02-07 JP JP1028416A patent/JP2859624B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239028A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Nec Corp | 表面清浄化方法 |
| JPS60247928A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPS6140034A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の化学エツチング方法 |
| JPS6186929U (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536664A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ洗浄槽 |
| JP2017025148A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 洗浄用水素水の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2859624B2 (ja) | 1999-02-17 |
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