JPS6140034A - 半導体装置の化学エツチング方法 - Google Patents
半導体装置の化学エツチング方法Info
- Publication number
- JPS6140034A JPS6140034A JP59161855A JP16185584A JPS6140034A JP S6140034 A JPS6140034 A JP S6140034A JP 59161855 A JP59161855 A JP 59161855A JP 16185584 A JP16185584 A JP 16185584A JP S6140034 A JPS6140034 A JP S6140034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- h2so4
- gaas
- etchant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
- H10P50/642—Chemical etching
- H10P50/646—Chemical etching of Group III-V materials
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｇ ａ Ａ ｓとＡＩ Ｇ ａ Ａ ｓとか
ら成る半導体装置の化学エツチング方法に関するもやで
ある。
ら成る半導体装置の化学エツチング方法に関するもやで
ある。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザーは一般に見開法によってキャビティー面
を形成しているが、光ＩＣなどのように半導体レーザー
とディテクターや駆動回路などの素子とをモノリシック
に集積化しようとする場合、見開法は全く用いることは
できない。そのために、化学エツチング法によるウェッ
トエッチ法やりアクティブイオンエッチ（ＲＩＥ）など
によるドライエッチ法が研究されている。量産化や信頼
性を考慮すると化学エツチング法が優れておシ、その容
易さから、いろいろな方法によるキャビティー面の作製
が試みられてきた。
を形成しているが、光ＩＣなどのように半導体レーザー
とディテクターや駆動回路などの素子とをモノリシック
に集積化しようとする場合、見開法は全く用いることは
できない。そのために、化学エツチング法によるウェッ
トエッチ法やりアクティブイオンエッチ（ＲＩＥ）など
によるドライエッチ法が研究されている。量産化や信頼
性を考慮すると化学エツチング法が優れておシ、その容
易さから、いろいろな方法によるキャビティー面の作製
が試みられてきた。
以下、従来例について図−を参照しながら説明する。第
１図（ａ）に示すように、ｎ型Ｇ ａＡ ｓ （１００
）基板１上にｎ型Ａｊ！０，４Ｇａ０．６Ａｓクラッド
層２、Ａｇ００２Ｇａｏ、８Ａｓ 活性層３、ｐ型Ａｇ
０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層４及びｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓキャン１層５を連続的に成長させた。
１図（ａ）に示すように、ｎ型Ｇ ａＡ ｓ （１００
）基板１上にｎ型Ａｊ！０，４Ｇａ０．６Ａｓクラッド
層２、Ａｇ００２Ｇａｏ、８Ａｓ 活性層３、ｐ型Ａｇ
０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層４及びｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓキャン１層５を連続的に成長させた。
その後、第１図伽）に示すように、ストライプ状のフォ
トマスク６をく０１１〉方向に沿って形成し、このマス
クを通して基板までエツチングを行った。
トマスク６をく０１１〉方向に沿って形成し、このマス
クを通して基板までエツチングを行った。
使用したエッチャントは６４重量％の濃度の硫酸と３０
重量％の濃度の過酸化水素水との体積比が３０である。
重量％の濃度の過酸化水素水との体積比が３０である。
上記のエッチャントを使用してエツチングを行うとキャ
ビティー面となる端面はわん曲しておシ、半導体レーザ
ーのキャビティー面としては極めて程度の低いものであ
る。エツチング面がわん曲するのは、エッチャントが拡
散律速糸として働くためである。
ビティー面となる端面はわん曲しておシ、半導体レーザ
ーのキャビティー面としては極めて程度の低いものであ
る。エツチング面がわん曲するのは、エッチャントが拡
散律速糸として働くためである。
従来の化学エツチング法によって作製されたレーザーで
はこのような問題のために、骨間法に比べてしきい値電
流密度が高く連続発振が極めて困難な状況にあった。
はこのような問題のために、骨間法に比べてしきい値電
流密度が高く連続発振が極めて困難な状況にあった。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、最上層がＡＬＧ ａ Ａ ｍ
層であシ、その下がＧ ａ Ａ ｍ層である多層のエピ
タキシャル成長層に平坦なエツチング面を形成すること
のできる半導体装置の化学エツチング方法を提供するも
のである。
層であシ、その下がＧ ａ Ａ ｍ層である多層のエピ
タキシャル成長層に平坦なエツチング面を形成すること
のできる半導体装置の化学エツチング方法を提供するも
のである。
発明の構成
この目的を達成するために、本発明の半導体装置の化学
エツチング方法は、硫酸、過酸化水素水。
エツチング方法は、硫酸、過酸化水素水。
および水からなるエツチング液を用いて、Ｇ ａ Ａ
ｍ層の上にＡｊ！ＧａＡｓ層を設けた半導体層をエツチ
ングすることから構成されている。
ｍ層の上にＡｊ！ＧａＡｓ層を設けた半導体層をエツチ
ングすることから構成されている。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第２図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ （
１００）基板１上にｎ型Ａｊｌ。、 ４Ｇａ０．６Ａｓ
クラッド層２、Ａ１１ｏ 、２ Ｇａｏ 、８Ａｓ活性
層３、 ｐ型ｊＶｏ、４Ｇａｏ、ｅＡ８ クラッド層４
及びｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層５を連続的に成長さ
せた。その後、第２図中）に示すように、ストライプ状
のフォトマスク６を＜０１１）方向に沿って形成し、そ
のマスクを通してＧ ａ Ａ ！！キャップ層５のみを
選択的にエツチングした。さらに、第３図（Ｃ）に示し
たように７□ オドマスク６を除去した後、露出したｐ型Ａ２ｏ、４Ｇ
ａ０．６Ａｓ クラッド層４上にストライプ状のフォ
トマスク６を〈０１１〉方向に沿って形成し、このマス
クを通して基板までエツチングを行った。
明する。第２図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ （
１００）基板１上にｎ型Ａｊｌ。、 ４Ｇａ０．６Ａｓ
クラッド層２、Ａ１１ｏ 、２ Ｇａｏ 、８Ａｓ活性
層３、 ｐ型ｊＶｏ、４Ｇａｏ、ｅＡ８ クラッド層４
及びｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層５を連続的に成長さ
せた。その後、第２図中）に示すように、ストライプ状
のフォトマスク６を＜０１１）方向に沿って形成し、そ
のマスクを通してＧ ａ Ａ ！！キャップ層５のみを
選択的にエツチングした。さらに、第３図（Ｃ）に示し
たように７□ オドマスク６を除去した後、露出したｐ型Ａ２ｏ、４Ｇ
ａ０．６Ａｓ クラッド層４上にストライプ状のフォ
トマスク６を〈０１１〉方向に沿って形成し、このマス
クを通して基板までエツチングを行った。
使用したエッチャントは６４重量％の硫酸と３゜重量％
の過酸化水素水との体積比が−である０上記のエッチャ
ントを使用してエツチングを行うと、キャビティー面と
なる端面はｐｎ接合面に垂直でかつ平坦々鏡面が得られ
た。
の過酸化水素水との体積比が−である０上記のエッチャ
ントを使用してエツチングを行うと、キャビティー面と
なる端面はｐｎ接合面に垂直でかつ平坦々鏡面が得られ
た。
第２図で得られたウエノ・−のキャップ層５上に正電極
７を形成し、基板側に負電極８を形成した後、エツチン
グを行った溝のところでブレイクして第３図に示すよう
な半導体レーザー素子を得た。
７を形成し、基板側に負電極８を形成した後、エツチン
グを行った溝のところでブレイクして第３図に示すよう
な半導体レーザー素子を得た。
この半導体レーザー素子は連続発振で非常に高歩留で得
られており、典型的な発振しきい値は７２ｍＡ（Ｊｊ９
開法では７０ｍＡ）で、微分量子効率は片面当り２９％
（骨間法では３０％）と骨間法とほとんど差のない特性
が得られた。
られており、典型的な発振しきい値は７２ｍＡ（Ｊｊ９
開法では７０ｍＡ）で、微分量子効率は片面当り２９％
（骨間法では３０％）と骨間法とほとんど差のない特性
が得られた。
なお、上記実施例ではエッチャントは６４重量％の硫酸
と３０重量％の過酸化水素水との体積比が−のものを使
用したがこれに限定されない。硫酸としては１０〜９６
重量％のものであれば良□く、また過酸化水素水として
は６〜５０重量係のものであれば良く、また硫酸と過酸
化水素水との体積比は１ｏ−２から１０であれば良い。
と３０重量％の過酸化水素水との体積比が−のものを使
用したがこれに限定されない。硫酸としては１０〜９６
重量％のものであれば良□く、また過酸化水素水として
は６〜５０重量係のものであれば良く、また硫酸と過酸
化水素水との体積比は１ｏ−２から１０であれば良い。
これらの範囲内で作製したエッチャントであれば、エツ
チングは反応律速か支配的とな勺、エツチング面は平坦
な鏡面が得られる。
チングは反応律速か支配的とな勺、エツチング面は平坦
な鏡面が得られる。
発明の効果
呆発明の半導体装置の化学エツチング方法は、最上層が
Ａ ＲＧ ａ Ａ ｍ層であり、その下Ｇ ａ Ａ ｍ
層である多面のエピタキシャル成長層に化学エツチング
を行うことによって、平坦なエツチング面を形成するこ
とができるものである。半導体レーザー素子に利用した
場合には骨間法を必要とせず、光ＩＣの実用化には不可
欠な技術であシ、その実用的効果には大なるものがある
。
Ａ ＲＧ ａ Ａ ｍ層であり、その下Ｇ ａ Ａ ｍ
層である多面のエピタキシャル成長層に化学エツチング
を行うことによって、平坦なエツチング面を形成するこ
とができるものである。半導体レーザー素子に利用した
場合には骨間法を必要とせず、光ＩＣの実用化には不可
欠な技術であシ、その実用的効果には大なるものがある
。
第１図は従来のエツチングによるキャビティー面の製法
を示す図、第２図は本発明によるエツチングによるキャ
ビティー面の製法を示す図、第３図は本発明の製法によ
って作製された半導体レーザーの斜視図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、２・・・
・・・れ型ｆｉｆｌｌ（）、４ Ｇａｏ 、 ｃｓ Ａ
Ｂクラッド層、３・−・・−Ａｌ１ｏ、２Ｇａ０．８Ａ
ｓ活性層、４−・−−−−ｐ型ＡＩｔＯ，４”０．６”
クラッド層、５・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層、６・・・・・・フォトマスク、７・・・・・・正
電極、８・・・・・・負電極。
を示す図、第２図は本発明によるエツチングによるキャ
ビティー面の製法を示す図、第３図は本発明の製法によ
って作製された半導体レーザーの斜視図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、２・・・
・・・れ型ｆｉｆｌｌ（）、４ Ｇａｏ 、 ｃｓ Ａ
Ｂクラッド層、３・−・・−Ａｌ１ｏ、２Ｇａ０．８Ａ
ｓ活性層、４−・−−−−ｐ型ＡＩｔＯ，４”０．６”
クラッド層、５・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層、６・・・・・・フォトマスク、７・・・・・・正
電極、８・・・・・・負電極。
Claims (2)
- （１）最上層がＡｌＧａＡｓ層であり、前記ＡｌＧａＡ
ｓ層の下の層がＧａＡｓ層である多層のエピタキシャル
成長層をエッチング液で化学エッチングするに際し、前
記エッチング液として硫酸、過酸化水素水および水の混
合液から成るものを用いることを特徴とする半導体装置
の化学エッチング方法。 - （２）１０〜９６重量％の濃度の硫酸と５〜５０重量％
の濃度での過酸化水素水との体積比が１０＾−＾２から
１０までであるエッチング液を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の化学エッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161855A JPS6140034A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 半導体装置の化学エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161855A JPS6140034A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 半導体装置の化学エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140034A true JPS6140034A (ja) | 1986-02-26 |
Family
ID=15743228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59161855A Pending JPS6140034A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 半導体装置の化学エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207526A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 |
-
1984
- 1984-08-01 JP JP59161855A patent/JPS6140034A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207526A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式洗浄装置及び洗浄方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4169997A (en) | Lateral current confinement in junction lasers | |
| JPS6140034A (ja) | 半導体装置の化学エツチング方法 | |
| EP0076761A1 (en) | Semiconductor lasers and method for producing the same | |
| JP2771587B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0584075B2 (ja) | ||
| JPH067622B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS62214687A (ja) | 半導体レ−ザの構造 | |
| JPS6140078A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| KR960027098A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR940001499A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 및 그 구조 | |
| JPS60223186A (ja) | 埋め込み構造半導体レ−ザ | |
| JPS62108591A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6297384A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR930011914B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH084172B2 (ja) | 埋め込み型量子井戸半導体レーザ | |
| JPS58192394A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0247886A (ja) | 面発光型半導体レーザの製造方法 | |
| JPH1012975A (ja) | 量子箱の製造方法，半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置 | |
| JPS6177327A (ja) | エツチング液 | |
| JPS59181083A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6484780A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPS6144484A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6477982A (en) | Machining method of substrate | |
| JPS62172783A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS63102385A (ja) | 自励発振型半導体レ−ザの製造方法 |