JPH02208324A - 低誘電率シート、該シートを用いてなる積層板および多層回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業土の利用分野〉 本発明は低誘電率シート、該ン〜トを用いＣ々る績ノー
板および多層回路基板に関する。

〈従来の技術〉 従来から電気・亀子機器、特にコンピュータに用イら几
るプリント配線基板としては、エポキシｍ脂ｖ−ｙエノ
ール樹脂を用いたガラスエポキシ積層板２紙フェノール
樹脂積層板などが汎用さ几でいたが、耐熱性ヤ高温時に
おける誘電特注の低下に問題があった。

特に、近年の大型コンピュータの発達ＶＣよって。

コンピュータの信号伝達速度の高速化には次式からも明
らかなように基板の低誘Ｉｊｔ率化が不可欠な課題とな
っている。

このような情況下において耐熱性、電気特性に優れるポ
リイミド圏刀旨ヤフッ素樹刀旨が注目され。

ガラス繊維とポリイミド樹脂との複合基材や、ガラス繊
維とフッ素樹力旨との複合基材からなるプリント配線基
板などが提案さｎている。

〈発明が解決しようとする課題〉 基板では誘電率が２．５程度であり満足ゆく特性値を有
するものの、加工性や寸法安定性、特に多１−回路基板
作製時の多層化工程における高温条件下では極めて寸法
安定性に劣るという欠点があった。

−万、最近多孔質フッ素樹脂基材にポリイミド樹脂を含
浸させた基材がプリント配線基板として提案されている
。これはポリイミド樹脂による加工性と寸法安定性の改
善、およびフッ素樹脂による低誘電率化を図ったもので
ある。しかし、ポリイミド樹脂の誘電率が本来、３．Ｕ
〜４．５であるために、低ｎｔ率化にも自ずと限界を有
するものである。

従って１本発明の目的は、従来のガラス繊維とフッ素樹
脂との複合基材からなるプリント配線基板が有する誘電
率に匹敵する低訪電特性を有し。

かつ刀ｎ工性や寸法安定性にも優れるシートを提供する
ことにある。

また本発明の他の目的は５上記低誘電率シートを用いて
なるＩｊｔＪａ板ヤ多層回路基板を提供することにある
。

本発明者らＶよ上記目的を達成すべく鋭意研死を璽２２
ｆ？：、結果１分子内にフッ素原子を有する特定構造の
ポリイミド樹脂を用いることにより、低誘電率シートを
得ることができ、ま之、積１−板ｆ多Ｉ−回路基板を作
製する際に力ロエ性ヤ寸法安定性にも優れることを見い
出し１本発明を完成するに至った。

即ち１本発明は、−形式（Ｉ）。

ｊｌ　　　八 〇 〔但し、　Ａｒｔは四価の脂肪族基又は芳香族基、　Ａ
ｒ２は二価の芳香族基を示し、　ＡｒｔおよびＡｒｚの
少なくとも一万の基にパーフルオロアルキレン基を含む
〕で表わされる繰り返し単位を有する含フッ素ポリイミ
ド全用いてなる低誘電率シート、２よび該シートを用い
てなる！＊層体お工び多層回路基板を提！＃するもので
ある。

で、Ｒｆｔがパーフルオロアルキレン基、Ａｒ２トｌ−
ででばＡｒｌおよびＡｒ２の少なくともいずれか一方の
基にパーフルオロアルキレン基が導入されている。

で表わさ几、Ｒｔ’２がパーフルオロアルキレン基、Ｘ
およびＹが同一もしくは異なるアルキル基、フッ化アル
キル基から選ばれる少なくとも一種、ｎが０またはｌ、
ｍが０〜４の整数、ｅが０〜４の整数である基の少なく
ともいずれか一方の基を分子内［ｉする含フッ素ポリイ
ミド金用いてなるものが好適である。

本発明に用いられる含フツ素ポリイミドは、ド記一般式
（１）Ｉｃで表わされる繰り返し単位を有するものであ
る。

ｋ、記−形式（１）においてＡｒ１は四価の脂肪族基ま
たは芳香族基、　Ａｒ２は二価の芳香族基全示し１本発
明の骨格ヲ有し、Ｒｆがパーフルオロアルキレン基であ
る四価の芳香族基が好ましく、さらにＲｆｔが。

から選ばルる一種とすることが好ましい。

−万、上記−形式（１）中のＡｒｚは。

で表ワサれ、Ｒｆ２がパーフルオロアルキレン基、Ｘお
よびＹが同一もしくは異なるアルキル基、フッ化アルキ
ル基から選ばれる少なくとも一種、ｎが０または１１ｍ
がＯ〜４の整数、７！がＯ〜４の整数である二価の芳香
族基が低誘電率化℃電気絶縁性などの点から好−ましい
。

上記含フツ素ポリイミドは分子中にフッ素原子を有する
ポリイミドであり１本発明に分いては約１５〜６０重量
％、好ましくｒｌ：２０〜５０重量％の範囲のフン累含
量とすることによって、ポリイミド樹脂本来の特性を阻
害せずに低誘電特性を向上できるものである。

本発明において、を１含フッ素ポリイミドは２通常５重
合用モノマーとしてテトラカルボン酸またはその誘導体
からなる酸成分と、シアεン成分との略等モル反応によ
って得ることができる。但し、少なくともいずれかの成
分にフッ素原子を有する必要がある。

上記テトラカルボン酸またはその誘導体のうち。

フッ素を有しないものとしては１例えばブタンテトラカ
ルボン酸、エチレンテトラカルボン酸、プロパンテトラ
カルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、ンクロベ
ンタンテトラカルボ７酸、　シクロヘキサンテトラカル
ボン酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）
−３−メチル−３−フクロヘキセン−１，２−ジカルボ
ン酸などの脂肪族テトラカルボン酸。ピロメリット酸、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸、　２．　３．６．７
−ナフタレンテトラカルボン酸、　（　２．　４．　５
−ナフタレンテトラカルボン酸、　（４．５．８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、　３．３．４．４−ジフェニ
ルテトラカルボン酸、　（　３．　５．　６−ナフタレ
ンテトラカルボン酸、２．　２．　３．３−ジフェニル
テトラカルボン酸、３，４，９，１０−バーピレンテト
ラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキ／フェニル〕
エーテル、テカハイドロナフタレン−１゜４、　５．８
−テトラカルボン酸、４，８−ジメチル−１，２，３，
５，６，７−ヘキサハイドロナフタレン−１，２，５，
６−テトラカルボン酸、２，６−シクロロナフタレンー
（　４．　５．　８−テトラカルボン酸、２．７−）ク
ロロナフタレン−１，４゜５．８−テトラカルボン酸、
２．　３．６．　７−　テトラクロコナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸、フェナンスノン−１，
８，９，１０−テトラカルボンｆｉ、　　２．　３．　
４．　５−ピロリジンテトラカルボン酸、２．３．　ｓ
、　　６−ピラジンテトラカルボン酸、チオフェンテト
ラカルボン酸、　　２．　２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）プロパン２，２−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）エタン、ｌ、１−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）エタン　ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−）カルボキン
フェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホンなどの芳香族テトラカルボン酸が挙げられ
、これらの酸二無水物、酸／・ロゲン化物、モノエステ
ル化物、ジエステル化物が誘導体として用いられる。

また、含フッ累テトラカルボン酸または誘導体としては
、上記テトラカルボン酸のうち、アルキレン基を有する
テトラカルボン酸のアルキレン鎖中の水素原子を全てフ
ッ素原子ｖｃＨ換せしめたものが用いら几る。例えば、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフルオロメタ
ン、ｌ、：（−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
へキサフルオロプロパン　２，２′−ビス（：３．４−
ジカルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、（４
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）オクタフルオ
ロブタン、ｌ、５−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）デカフルオロペンタン　ｌ、　　６−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ドデカフルオロヘキサン　２
，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキサフ
ルオロプロパン、２゜２−ビス（４−（３，４−ジカル
ボキシフェノキン）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン
、２．２’−ビス（３−（３，４〜ジカルボキンフエノ
キシ）フェニル〕へキサフルオロプロパンなどの含フツ
素芳香族テトラカルボン酸およびその誘導体が挙げら几
、低ｍ電率化の点から、２，２−ビス（３゜４−ジカル
ボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキン）フェニル
〕へキ丈フルオロプロノくン、２．２’−ビス（３−（
３，４−）カルボキシフェノキ／）フェニル〕へキサフ
ルオロプロパンおよびこれらの酸二無水物、酸ノ・ロゲ
ン化物、モノエステル化物、ジエステル化物などが好適
である。

一万、上記酸成分と反応せしめるジアミン成分とし−Ｃ
，フッ素を有しないものとしては１例えば２．２−ジメ
チルプロピレンジアミン、２．５−ジメチルへキサメチ
レンジアミン　２，５〜ジメチルへブタメチレンジアミ
ン　４．４−７メチルへブタメチレンジアミン、３−メ
チルへブタメチレンジアミン　５−メチルノナメチレン
ジアミン２．１７−ニイコサデンレンジアミン、１，４
−ジアミノンクロヘキサン、（１０−ジアミノ−１゜１
０−ジメチルデカン　２，１１−ジアミノドデカン、　
　ｌ、　　１２−ジアミノオクタデカン、ジアミノゾロ
ビルナトラメチレンジアミン、１，２−ビス（３−アミ
ノゾロボキシ〕エタン　３−メトキシへキサメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジア
ミン　オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン
、デカメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、ｐ−７
二二レンジアミン、ｍ−フ二二しンジアミン、４，４−
ジアミノジフェニルプロパン、４，４−ジアミノジフェ
ニルメタン、ベンジジン　３，３′−ジメチルベンジジ
ン、３，３−ジメトキシベンジジン　４゜４−ジアミノ
ジフェニルスルフィ）”、４．４−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３−ジアミノジフェニル　３．３−ジア
ミノジフェニルスルホン４．４′−ジアミノジフェニル
クトン、４．４’−ジアミノジフェニルエ　チル　（　
４−ジアミノナフタレン　１，５−ジアミノナフタレン
、２，４−ビス（β−アミノ−ｔｅｒｔ−ブチル）トル
エンビス（ｐ−β−アミノ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル
）エーテル、ビス（ｐ−β−メチル−△−アミノーフェ
ニル〕ベンゼン、ビス（ｐ−１，１−ジメチル−ｔｅｒ
ｔ−アミノペンチル）ベンゼン　１−１ノグロビル−２
，４−ｍ−フェニレンシアばン、ｍ−キシレンジアミン
、ビス（４−アミノフェニル）ｄ、ｄ’−ｐ−キジレン
ジアミンなどが挙げられ１本発明ではこれらのジアミン
をジイソシアネートに変性したものを用いてもよい。

また、含フツ素ジアミン成分としては、上記ジアミン成
分のうち、アルキレン基を有するジアミンのアルキレン
鎖中の水素原子を全てフッ素原子に置換せしめたものが
用いられる。例えば、１゜３−ビス（アニリノ）へキサ
フルオロプロパン（４−ビス（アニリノ〕オクタフルオ
ロブタン（５−ビス（アニリノ）デカフルオロベンタン
（７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへブタン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）へキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（３−７ミノフエニル）へキサフ
ルオロプロパン、２．２−ビス（３−アミノ−４−メチ
ルフェニル）へキサフルオロプロパン　２，２−ビス（
４−アミノ−３−メチルフェニル）へキサフルオロプロ
パンなどの２核体の含フツ素芳香族ジアミンや、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキン）フェニル〕へキ
サフルオロプロパン　２，２−ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパン、２，
２−ビス（４−（２−アミノフェノキノ）フェニル〕へ
キサフルオロプロパン。

２．２−ビス（４−（２−アミノフェノキン〕−３，５
−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）フェニル〕ヘキｔフルオロプロパン、２，２
−ビス（３−（３−アミノフェノキシ〕フェニル〕へキ
サフルオロプロパン２１，３−ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパン　１，
３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キ？フルオロゾロパン　１，４−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキン〕フェニル〕オクタフルオロブタン、１，
５−ビス（４−（４−アミノフェノキン）フェニル〕デ
カフルオロペンタン　１゜５−ビス（４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロペンタンなどの４核体の含フツ素芳香族ジア
ミンが挙げられる。これらの含フツ素芳香族ジアミンの
うち、低酵電率化の点から、２，２−ビス（４−アミノ
−２−アルキルフェニル）へキサフルオロプロパン、２
，２−ビス（４−アミノ−２−クロロフェニル）へキサ
フルオロプロパン　２．２−ビスＣ４−（４−アミノ−
２−アルキル−フェノキ／）フェニル〕へキサフルオロ
ブロノくン　２゜２−ビス（４−（４−アミノ−２−ク
ロロフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパン＋
　２゜２−ビス（３−（４−アミノ−２−アルキルフェ
ノキン）フェニル〕へキサフルオロプロパン　２゜２−
ビス（３−（４−アミノ−２−クロロフェノキシ）フェ
ニル〕へキサフルオロプロパンヲ用いることが好ましい
。上記ジアミン成分はジインシアネートにｔさ換えて用
いてもよく、また二種以上を併用してもよい。

本発明にて用いる含フッ累ポリイミドは、上記酸成分お
よびジアミノ成分のうち、少なくとも一万に含フッ累成
分を有するものを用い、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
やＮ−メチル−２−ピロリドンの如きＭ機極性溶媒中で
１通゛帛０〜９０℃にて１〜２４時間反応させて、ポリ
アミド酸とする。

本発明ではこの状態でキャスティングしたのち。

加熱してイミド化してシート化したり、又、ポリアミド
酸浴液をさらに高温加熱したり、イミド化剤添加によっ
てイばド化を竹なって得られるポリイミド浴液をキャス
ティング、乾燥してシート化することができる。いずれ
の場合も、ポリアミド酸状態での固有粘度（Ｎ−メチル
−２−ピロリドン中０．５５／／ｄ６１１１！度、３１
１℃）を０．２〜７．０　、好゛ましくは０，５・〜４
．０の範囲に調整することが、塗布作業性−？得られる
ポリイミドの機械的強度の点で望ましい。

上記のようＶこして得ろノ′しる宮フッ素ポリイミドは
誘電率が低く、絶縁性や機械的強度に優れるものである
が、屯合時の酸成分およびジアミノ成分の選択によって
は耐溶剤性に劣る場合がある。このような場合は５色合
性不飽和炭素結合を有するアミンクジアミン、ジカルボ
ン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸、マレイン酸
、ナジック酸。

３〜エチル７タル酸、これらの無水物、エチニルアニリ
ノ、ンアノアニリンなどを添加して１合成分を変性、架
橋したり、フェノール注水酸基全カルボン酸を府する芳
香族ジアミン、例えばジアミノフェノール　３，３′−
ジヒドロキンベンジジン２．２−ビス（：３−アミノ−
４−ヒドロキシフェール）へキサフルオロプロパン、ン
アミノ安ａ、　否酸、カルボキシベンジンンなどで含フ
ツ素ポリイミドを変性、架橋して、耐浴剤性を向上させ
ることができる。

本発明の低誘電率シートは、上記含フツ素ポリイミドを
公知の方法にてシート化することによって得ることがで
さ、このシートはＩＭＨｚの周波数における誘電率が３
以丁であり、従来のものと比して極めて低く、プリント
配線基板の絶縁＃−？接看膚として用いることができる
。

また２機械的強度の向上ヤ取り扱い性、経済性などの点
から、上記含フツ素ポリイミドを、多孔質基材１例えば
ガラスクロス　ガラスペーパーガラスマットの如きガラ
ス繊維や、芳香族ポリアミド繊維、炭素繊維、炭化ケイ
素繊維、不織布の如き繊維、多孔質プラスチック基材な
どＶこ含浸させて低誘電率シートとすることもできる。

絶縁性ｆ低誘電率化の点から、基材をフッ素樹脂製とす
ることが好筐しぐ１例えば多孔質フッ素樹脂シートを基
材に用いることが好適である。

このような多孔質基材は、孔径０．１〜５μｍで、空孔
率５０〜８５％程度のものを採用すると、含フツ素ポリ
イミドの含浸性ヤ誘電特性の向上から好ましい。

さらに２本発明の低誘電率シートを基材の片面もしくは
両面に設けて積１−板とし、該積層板を多）−回路基板
の内ノー基材間ｆ内Ｉ−基材と外層基材との接看用グリ
グレグとして用いることもできる。

Ｌ記基材としては目的に応じて任意のものが選択され１
例えば前記多孔質基材のほか７金属箔ヤ金属板、プラス
チックシートなどが用いられる。

低誘電率化のためには、基材に言フッ累樹脂を用いるこ
とが好ましく、特にポリ四フッ化エチレンをガラス繊維
に言授させた複合基材を用いると。

例えば多層回路基板の製造Ｖこおける多ｌ１ｊｉ化工程
（，７１１］熱成形工程）での寸法安定性に優れ、内層
基材同士を接看する接４ｆ層として好適なものとなる。

な２１本発明における低誘電率７−トの厚みは５〜５０
０μ恒、好ましくは１０〜３００μ慣とし、積層板とし
ての厚みは１０〜５，０００μへ、好ましくは５０〜３
，０００μｍとすることがよい。上記厚み範囲よジ小さ
いと耐電圧の点で好葦しくなく、また厚みが大＠すぎる
と、多ノー化する上で実用的でない。

〈実施例〉 以ＦＶＣ本発明の実施例を示し、さらに具体的に説明す
るう 実施例１ フラスコ内ＶＣ２，２−ビス（４−（４−１ミノフエノ
キシ〕フエニルＪヘキサフルオログロパン４４．０．９
　（０，０８５モル）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
３２７ｇを入れて撹拌【−、ジアミン成分を溶解した。

次いで、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）へキサフルオロプロパンニ無水物３７．８、ｌｉ’　
（０，０８５％　ル）を徐々ＶｃＲＤえ、その後、３０
℃以下の温度にて３時間撹＃を行ない、固形分調度２０
．０重量％のポリアミド酸Ｍ液を得た。なお、固有粘度
（Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、０．５ｇ／ａｇ　ｍ
ｉ　、　３０−Ｃ）　ｆ′１０．９４　テ２）　ツｆｒ
ニー。

得られたポリアミド酸浴液２０４ｇを１６　（Ｊ　℃に
加熱しながら２４時間撹拌し、脱水閉環、イミド化を行
なった。固有粘度（上記と同条件）は０．６０であつ之
、 得らｎたポリイミド浴液を水中に排出し、メタノール洗
浄後、　１２０℃で２４時間減圧乾燥して含フツ素ポリ
イミド粉末１９．８．９を得た。

上記にて得たポリイミド粉末を金型に入れ、３００℃、
　７０に９／ｃＡで３０分間、　７１１２熱、７７１１
１圧ｆｆ形り、厚す０．３朗の低誘電率シートを得た。

このシートの誘電率、誘電正接１休積抵抗率をＪＩＳ　
Ｃ６４８１に従って測定したところ、２．７（ＩＭＨｚ
　）　、　Ｏ，ＵＯ２（ＩＭＨｚ　）　、　ｌＸｌ０”
Ω−４であり、極めて低い誘電率を有するものであった
。

次に、上記低誘電率シートに厚み３５μ煤の銅箔を載置
し、２８０℃、７０に９／ｃ４で１５分間加熱カｎ圧成
形し、銅張積層板を得た。

この積層板の鋼蒲引き剥し強さをＪＩＳ　Ｃ６４８１に
従って測定したところ、常温で２．９々／ｃｌｒ、２６
０℃のハンダ浴に１２０秒間浸漬後で２．７ｋｇ１−と
強接着状態でめった。

実施例２ 実施例ＩＶｒＣて得たポリアミド酸溶液をアプリケータ
にてガラス板上に流延塗布し、ｉｏｏ℃、　２００′Ｃ
１３００℃にて−ｆ：ｆＬそれ１時間ずつ段階加熱し。

含フツ素ポリイミドからなる厚み４０〜５０μｍの低誘
電率シートを得た。

このシートの誘電率および誘電正接は２．７　（ＩＭＨ
ｚ　）　０．００２　（ＩＭＨｚ　）であった。

次に、上記低誘電率シートとメタ系アラミドクロス（デ
ュポン社製、厚み６０〜７０μｑｒＬ）を−ｆ：ｎぞＡ
５枚ずつ交互にＮね、最上層に厚み３５μｍの銅箔を滅
ばし、３００℃、７０　Ｋｆｌ／ｃＡで３０分１川刀口
熱刀日圧成形し、３５０μ情厚の銅張檀ノー板を得た。

この積層板の誘電率２よび誘電正接は、３．０（１皿１
および０．０１　（ＩＭＨｚ　）であった。また銅箔引
さ剥し強さを実施例１と同様の方法にて測定したところ
、常温で２．２　Ｋｌｉ’／ｃｔｌ　、ノ・ンダ浴浸漬
後で２．０ゆ／ｃＡであった。

実施例３ 実施例Ｉ　ＶＣで得たポリイミド溶液を厚さ１００μｍ
のガラスクロス（日東紡社製）に含浸させ、　　１００
′Ｃおよび２（）０℃にてそ几ぞれ６０分間ずつ乾燥し
て。

含フッ素ポリイミド含有分７５型童％のプリプレグシー
トを得た。

このプリプレグシートを１０枚重ね、最上層に３５ｐｍ
厚の銅箔を載置し、３００℃、７０ｋｇ／ｃ４で１５分
間加熱加圧成形し、９００μ情厚の銅張積層板を得た。

この積ｊ−板の誘電率および誘電正接はそれぞれ３．１
　（ＩＭｆ（ｚ　）　、　（Ｊ、００２　（ＩＭＨｚ　
）であり、銅箔引き剥し強さは常温で２．４　ｋｇ／ｄ
、ハンダ浴Ｖ漬後で２．４ｋｇ／ｄでめった。

実施例４ フラスコ内に実施例１にて用いたテトラカルボン酸二無
水物およびジアミンをＯ，ｔ）８５モルずつ。

およびＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド３００　ｇ、　　
トルエン４０ｇを人ｎ、窒素ガス雰囲気丁、室温にて一
夜撹拌を続け゛Ｃポリアミド酸溶液を得た。

さらに温度を１６０℃まで昇温して８時間反応させ、脱
水閉環、イミド化を行ない、室温まで放冷して含フツ素
ポリイミド溶液を得た。

得らｆ″Ｌ７’（ポリイミド浴液を実施例１と同様にし
て粉末化し、この粉末を１０匝菫％濃度となるようにメ
チルエチルケトン９０１１に再浴解した。

次に、この溶液に平均孔径３μｍ、空孔率８０％。

厚さ１００μ想の多孔質四フフ化エチレンシートを浸漬
、含浸させて、　１００℃で１０分間乾燥した。

上記と同様の浸漬、含浸操作を３回繰り返し。

含フッ素ポリイミド含■率５０屯量％の低誘電率シート
を得た。このシートの誘電率は２．４　（ＩＭＨｚ　）
　。

誘電正接は０．００１　（ＩＭＨｚ　）であった。

次に、ガラスクロスに上記にて得た含フツ素ポリイミド
ｍ液を７５重量％となるように含浸してシート（内ノー
基材）とし、その両面に上記低誘電率シートおよび１８
μｍＳ−の銅箔を載置し、３２０℃。

５０　ＫＩＩ／ｃ４で２０分間力ロ熱刀Ｉ圧することに
よって。

一体化された両面鋼張の積層板（厚み４００μｍ）を得
た（第１図参照）。この積＋ｍ板の誘電率および誘電正
接はｌ　ＩｖｌＨｚで、それぞれ２．８および０．００
１６であった。

実施例５ テトラカルボン酸としてピロメリット酸二無水物を用い
た以外は、実施例４と同様にしてポリアミド酸浴液を得
た。

次に、この溶液ｌｏｇ　ｉｃメメチエチルケトン３０ｇ
を加えて平均孔径１μ塩、空孔率７２％、４牟８０μｍ
の多孔質四フッ化エチレンシートに含浸させ。

１００℃で１５分間、２５０’Ｃで６０分間、３００℃
で６０分間段階的に加熱乾燥を行ない、含フツ素ポリイ
ミド含有率が４１　Ｍ量％の低誘電率シート（厚み８０
μ想）を得た。このシートの誘電率および誘電正接はｌ
＋Ｖｆ（ｚで、それぞれ２．８および０．００１５であ
った。

一万、ガラスクロスに四フッ化エチレンヲ７５重量％と
なるように含浸して誘電体シート（厚み１００μｍ）に
したものを２枚重ね、その両面に１８μ惰厚の銅箔を配
設して、３８０℃、５０に９／ｃ４で３０分間ＺＪＯ熱
加圧することによって、一体化された両面銅張の積Ｉ―
板（厚み１３５μ惰）とし、さらにエツチングＶこでパ
ターン加工を施こして内層基材とした。

次に、第２図に示すように、内メー基材、低誘電率シー
ト、誘電体１所、＠箔（厚み１８μｍ）を積層し、３２
０℃、５０＃／ｃ４で２０分間カロ熱訓圧を行ない。

−本化された多層回路基板を作製した。

比較例１ 実施例４に２いて、ポリイミドをピロメリット酸二無水
物と、４．４’−ジアミノフェニルエーテルから得た以
外は、同様の操作を行ない、ポリイミドが５０重′ｆ＃
、％含浸した多孔質四フフ化エチレンシートを作製した
。このシートの誘電率および誘電正接は、　ＩＭＨｚ　
ＶＣおいてそれぞれ２．８および０．００３であった。

また、上記シートを用いて実施１１＋’Ｕ　４と同様の
操作を行ない両面鋼張の積層板を作製したが、誘電率お
よび誘電正接は、　ＩＭＨｚにおいて４．０およびｏ、
ｏ　ｏ　ｓであった。

実施例６ 実施例４Ｖこて得た含フッ累ポリイミド溶液を。

キャスティング法にて５０μ恒厚の低誘電率シートを得
た。

一万、上記含フッ素ポリイミド浴液を１００μ恒厚のガ
ラスクロスＫ　５５　ｆ（−ｌ１％となるように含浸。

乾燥させて内１−基材とし、その両面Ｖこ上記低誘電率
シートおよび１８μ惧厚の銅箔を順次配設し。

３３０℃、６０に９／ｃ４で２０分間加熱加圧して、積
Ｊ−板（第１図参照）を得た。この積層板の誘電率およ
び誘電正接は、　ＩＭＨｚ　ＶＣ寂いてそれぞれ３．１
および０．００２であった。

実施例７ 実施例５にて得られたポリアミド酸溶液を１１３０μ恒
厚のガラスクロスに會浸率５８１蓋％となるようにして
含浸させた以外は、同様にして低誘電率シートＡを作製
した。このシートの誘電率および誘電正接ば、　ＩＭＨ
ｚに２いて−を几それ３．７および０．００４であった
。

上記にて得た低誘電率シートＡを内Ｉ−基材として七の
両面に、実施例６にて得た低誘電率シートおよび１８μ
恒厚の銅箔を順次配設し、３；３０℃、６０に９／ｃＡ
で２０分間加熱加圧して積ｊ−板とした。誘電４２よび
誘電正接は、　ＩＭＨｚにおいてそれぞれ３．３および
０．Ｏ１２でめった。

な２．多層回路基板の接着用グリプレグとして上記積層
板の銅箔層をエツチングしたものを用いることができる
口 実施例８ 実施例４においてジアミン成分を４，４−ジアミノジフ
ェニルエーテルを用いた以外は、実施例４と同様にして
ポリアミド酸溶液を得た。

得られたポリアミド酸ｍ液を実施例７と同様にしてガラ
スクロスに含浸させ、含浸４５０ルｔ％の低誘電率シー
トＢを作製した。このシートの誘電率および誘電正接は
、　ＩＭＨｚにおいてそれぞれ３．８および０．００４
でめった。

と記にて得た低誘電率シー）Ｂを内層基材とした以外は
実施例７と同様にして積層板を作製〔７た。

誘電率および誘電正接ば、　ＩＭＨｚにおいて−ｆ：ｎ
ぞれ３．３および０．００３であった。

実施例９ 実施例６における低誘電率シートの厚みを２０（）μ惰
とし７た以外は同様にして低誘電率シート（誘電率２．
７）を作製した。一方、四フッ化エチレン含浸ガラスク
ロスを誘電体層とする３００μ恒厚の両面鋼張基板（エ
ツチングパターン加工したもの）を内層材（誘電率２．
５）とじ−Ｃ１その両面に上記低誘電率シートを接着層
として介在させて１８μｍ厚の電解鋼箔を配設し、３１
０℃、ｓｏＱ／ｃ４で２０分間加熱加圧することによっ
て多ノー回路基板を作製した。

実施例１０ 実施例９Ｖこおいて、含フツ素ポリイミドをＩｔ）０μ
恒厚のガラス繊維ｖｃ６０＠童％含浸させた基材の両面
に％１００μ毒厚の會フッ素ポリイミドシート（実施例
６参照）を接着ｊ−として配設した以外は。

同様にして多層回路基板を作製した。

〈発明の効果〉 本発明の低誘電率シート、積層板および多層回路基板は
、以上のように特定の含フツ素ポリイミドを用いている
ので、従来品と比べて誘電率が小さく、信号伝播の高速
化が可能となるものである。

また、ガラス繊維とふっ素樹脂の複合基板を内層材とし
て多Ｉ−基板を作製する場合、従来はふっ素樹脂を接着
層として用いていたが１本発明の低誘＋を率シートを接
斬ｌ緬とすｒしば、比較的低温−ドでの積７ｆｌｉｌが
可能であるために、、ｖＯ工１ｇ、ｆ寸法安定性にも優
れるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は両面に銅箔を張着した不発明の＆ｊ−板の分解
断面図、第２図は本発明の多層回路基板の分解断面図を
示す。 １・・・内層基材、　　２・・・低誘゛邂率シート、　
　３・・・＠箔、　　４・・・エツチングパターン、　
　５・・・２Ｅ１体シート

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（Ｉ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｉ） 〔但し、Ａｒ＿１は四価の脂肪族基または芳香族基。 Ａｒ＿２は二価の芳香族基を示し、Ａｒ＿１およびＡｒ
   ＿２の少なくとも一方の基にパーフルオロアルキレン基
   を含む〕 で表わされる繰り返し単位を有する含フッ素ポリイミド
   を用いてなる低誘電率シート。
2. （２）一般式（Ｉ）中のＡｒ＿１が▲数式、化学式、表
   等があります▼であり、Ｒｆ＿１がパーフルオロアルキ
   レン基である請求項（１）記載の低誘電率シート。
3. （３）Ｒｆ＿１が▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれる一種で
   ある 請求項（２）記載の低誘電率シート。
4. （４）一般式（Ｉ）中のＡｒ＿２が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされ、Ｒｆ＿２がパーフルオロアルキレン基、Ｘ
   およびＹが同一もしくは異なるアルキル基、フッ化アル
   キル基から選ばれる少なくとも一種、ｎが０または１、
   ｍが０〜４の整数、ｌが０〜４の整数である請求項（１
   ）記載の低誘電率シート。
5. （５）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する
   含フッ素ポリイミドを多孔質基材に含浸してなる低誘電
   率シート。
6. （６）多孔質基材が多孔質フッ素樹脂シートである請求
   項（５）記載の低誘電率シート。
7. （７）請求項（１）または（５）記載の低誘電率シート
   を、基材の片面もしくは両面に設けてなる積層板。
8. （８）請求項（７）記載の積層板を接着層として用いて
   なる多層回路基板。
9. （９）請求項（７）記載の積層板において、低誘電率シ
   ート側に、金属箔層を設けてなる積層板。
10. （１０）請求項（１）または（５）記載の低誘電率シー
    トを、一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する
    含フッ素ポリイミドが含浸された多孔質基材の片面もし
    くは両面に設けてなる積層板。
11. （１１）請求項（１０）記載の積層板を接着層として用
    いてなる多層回路基板。
12. （１２）請求項（１０）記載の積層板において、低誘電
    率シート側に金属箔層を設けてなる積層板。