JPH0220849Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は一般にサイリスタ装置、更に具体的
に云えば、サイリスタのターンオン特性を制御す
る一体の抵抗手段を持つ光トリガ式サイリスタに
関する。

１個の装置で実現し得る以上に電圧能力又は電
流能力を高める為に、多数のサイリスタを直列又
は並列回路に利用するのが望ましい場合が屡々あ
る。サイリスタのターンオン特性は、装置の製造
に用いた方法に許容公差がある為、装置によつて
ばらつきがあることが判つている。従つて、同時
にトリガしようとする多数の装置を用いる時、
個々の装置のターンオン時間を変更して、出来る
だけ合せるようにする手段を設けることが必要で
ある。サイリスタ装置のターンオンは、そのゲー
ト端子に印加された電圧の大きさによつて変わ
る。ターンオンの遅延、即ち、ゲート信号を印加
してから装置の大電流を通電する部分がオンに転
じるまでの時間は、印加されたゲート電圧によつ
て変わると共に、装置によつてもばらつきがあ
る。ターンオン用ゲート信号の大きさを大きくす
ると、ターンオンの遅延が短くなる。ターンオン
用のゲート信号の大きさを増加し得る限度は、装
置によつても、ターンオン用信号源の規模、従つ
てその費用という様な他の因子によつても制限さ
れる。勿論、満足なターンオン特性が得られる範
囲内で、出来るだけ小さなターンオン用ゲート源
を使うことが望ましい。ターンオンの遅延時間は
ターンオン信号の大きさを小さくすると長くなる
ので、多数のサイリスタを用いた装置では、ター
ンオン時間を狭い範囲で釣合せることが特に重要
である。

光で点弧される多重サイリスタ装置では、ゲー
ト・ターンオン信号が電気信号ではなくて光信号
である為、特別の問題がある。典型的には、光に
よつて点弧されるサイリスタはゲート端子を持つ
ておらず、装置の特性のばらつきに対処する為に
装置に加えるターンオン信号を調節することが、
困難である場合が多い。光によつて点弧されるサ
イリスタ装置は特に高圧、大電流の用途では段々
広い範囲に使われる様になつて来たので、ターン
オンを略同時に達成する為に、こういう装置の釣
合いをとることが同じく重要性を増して来た。

簡単に云うと、この考案の好ましい一態様で
は、放射トリガ式サイリスタが、装置の光感応ゲ
ート領域を実質的に取巻く電極と、該電極及び装
置の陰極の間に接続されていて、装置のターンオ
ン遅延時間を選択的に調節する調整可能な抵抗手
段とを含む。この考案の特定の１実施例では、こ
の抵抗手段がレーザによつて調整し得る金属抵抗
手段であり、この考案の別の実施例では、半導体
抵抗手段を単独で或いはチツプ抵抗手段又は金属
皮膜抵抗手段と組合せて用いる。この考案はプレ
ーン形及びプレーナ形半導体構造に容易に応用す
ることが出来、広い範囲の動作特性を持つ装置に
有用に用いることが出来るが、高圧直流開閉用に
一般的に使われる様な種類の高圧装置に用いる場
合、最も有用である。

この考案の構成、作用、その他の目的及び利点
は、以下図面について説明する所から、最もよく
理解されよう。

第１Ａ及び１Ｂ図（以下、単に第１図と呼ぶ）
に示す装置は中位の電流及び電圧範囲で屡々用い
られるモノリシツク形である。第１図は、第１の
接触面１２及び第２の面１４を持つ導電電極１０
を有する４層装置を示す。第１の半導体層１６が
電極１０に重なり、面１４でそれと結合されてい
る。半導体層１６はシリコン又はその他の周知の
半導体材料にすることが出来る。半導体層１６は
ｐ型又はｎ型の半導体材料であつてよい。ｐ型の
方が普通であり、その為、第１図に示したこの考
案の例ではｐ型である。周知の様に、普通サイリ
スタ装置は交互にｐ型及びｎ型の導電型を持つ半
導体材料の４層で構成される。第１図の装置は
pnpn装置であるが、この考案がトリアツクの様
な４層装置の変形、並びに光によつてトリガされ
又は作動されるその他の装置に等しく応用出来る
ことは云うまでもない。第２の半導体層１８が層
１６に重なつていて、反対の導電型である。第１
の半導体接合２０が層１６，１８の間に形成され
る。第３の半導体層２２が層１８に重なり、層１
８とは反対の導電型である。第２の半導体接合２
４が層２２，１８の間に形成される。層１６，２
２は、面２６，１４を持つｎ型ウエーハに対する
拡散によつて形成するのが典型的である。半導体
層２２が接合２４と反対側に面２６を有する。第
１の半導体領域２８が半導体層２２の面２６から
層２２の中を接合２４に向つて拡がつているが、
接合２４とは出合わない。半導体領域２８は層２
２とは反対の導電型であり、装置の主エミツタを
形成する。半導体領域２８も周知の様にいろいろ
の方法で形成することが出来、例えば拡散によつ
て形成される。第１図を見れば、この考案の装置
の中心部分だけが示されていることが理解されよ
う。例えば正又は負の斜面切り、モート・エツチ
（moat etch）等の様に、サイリスタ装置の縁を
設計する種々の方法が知られている。この考案が
こういう縁処理を施した装置にも等しく適用し得
るものであることを承知されたい。この為、主エ
ミツタの内側部分を含む装置の中心部分だけを図
に示した。半導体領域２８とメタライズ部分３０
が、装置の主エミツタ及びその接点を構成する。
図には大体方形で示したが、希望によつて他の形
にしてもよいことは云うまでもない。主エミツタ
２８の内側で、第２の半導体領域３２が半導体層
２２の面２６から下向きに拡がつているが、半導
体接合２４とは出合わない。半導体領域３２も層
２２とは反対の導電型の半導体材料であり、メタ
ライズ部分３４と共に装置のパイロツト・エミツ
タを形成する。装置のパイロツト・サイリスタ領
域より内側にある電極３６が光感応ゲート区域３
８を取囲む。光トリガ式サイリスタ装置の動作は
これ迄に当業者によく知られている。その為、光
によつて点弧が行われるメカニズムをこゝでは詳
しく説明しない。光が装置の光感応区域に入射
し、その中を透過して半導体接合２４及びそれに
隣接した空乏領域に達し、接合の近くで正孔と電
子の対を発生する。電流が電極１２から光感応ゲ
ート領域３８の方へ流れ、その後領域３２及び電
極３４を含むパイロツト・サイリスタ領域の下で
層２２の中を横方向に、半導体領域２８及び電極
３０を含む主エミツタへ向つて流れる。これから
判る様に、補助半導体の下を横方向に流れる電流
が装置のこの領域をオンに転じ、それによつて主
サイリスタ部分に関連したゲート領域で装置を通
る電流が増加して、主エミツタをオンに転ずる。

この考案では、ゲート領域に放射が入射したこ
とによつて装置に流れる電流の少なくとも一部分
を、半導体層４０で構成された抵抗に３箇所で接
続された電極３６によつて収集する。半導体層４
０は全体的にＸ字形に配置され、その１つの脚が
メタライズ部分４２に接続される。これは装置の
エミツタ電極である電極３０の延長部である。電
極４２は、抵抗層４０と接触する所を除き、酸化
物層４４によつて装置から絶縁されている。酸化
物層４４は、メタライズ部分３４を半導体領域３
２の外側の縁からも隔離すると共に、電極３０の
内側の縁を半導体層２２から絶縁する。電極３
６、抵抗層４０及び電極４２の組合せが、光感応
ゲート領域からパイロツト・サイリスタの下を装
置の主サイリスタ領域に向つて横方向に伸びる半
導体層２２で構成された抵抗と並列の抵抗にな
る。光感応ゲート領域で発生された電流が通る通
路の抵抗値と電極３６、抵抗層４０及び電極４２
の組合せの抵抗値との比が、これらの２つの通路
に流れる電流の比を決定する。半導体層２２に流
れる電流だけが第１図の装置をオンに転ずる傾向
を持つことが理解されよう。電極３６、抵抗層４
０及び電極４２を通る電流は、光感応ゲート領域
３８に入射る光によつて発生された電流の幾分か
を装置のエミツタへ直接的に分路し、こうして所
定の入射光の強度に対する装置のターンオン閾値
を減少させる。第１図の装置は、特定のターンオ
ン遅延時間特性を選べる様に微細調節するのが容
易である。電極３６及び電極３０の間の抵抗値
は、殆んど半導体層４０の抵抗値によつて決まる
ことが理解されよう。第１図では、半導体層４０
が、半導体層２２の面２６から接合２４に向つて
下向きに伸びるが、この接合とは出合わない領域
として示されている。半導体層４０は、拡散又は
その他のプロセスの際、層２８と同時に形成する
のが便利である。半導体層４０の深さがその比抵
抗を決定し、適当な抵抗値が得られる様にする
為、領域３２，２８を形成する時間よりも拡散過
程を続ける時間を長くしても短くしてもよい。更
に、電極４２が抵抗層４０の脚４６の上を伸び
て、電極４２の下にあるその一部分を実効的に短
絡する。電極４２は、例えば周知のレーザ調整方
法等によつて調整し、電極３６，４２の間にある
抵抗層４０の実効的な部分の合計抵抗値を高める
ことが出来る。この為、最初、電極４２は脚４６
の略全部、並びに希望によつては抵抗層の他の３
つの脚の一部分に重なる様に形成することが出来
る。次に、電極４２の一部分を切取ることによ
り、電極３６，４２の間の実効的な抵抗値をかな
り広い範囲にわたつて変えることが出来る。

電極４２自体をかなりの抵抗値を持つ材料で作
り、こうして層４０及び電極４２による抵抗値の
和に等しい様な組合せ抵抗を直列に持たせる様に
することが出来ることが理解されよう。第１図で
は、光感応ゲート区域３８が研磨された区域とし
て示されている。この考案ではこうするのが望ま
しいことがあるが、この考案では、サイリスタに
光感応区域を調整するその他の普通の方法も容易
に用いることが出来ることを承知されたい。例え
ば、周知の様に、光感応ゲート区域３８を反射防
止用不働態化剤で被覆することが出来る。更に、
接合２４の照射をよくする為、半導体層２２に幾
分一層薄い領域を設けるのが望ましいことがあ
る。こういう種類の措置は周知であり、希望に応
じてこの考案に用いることが出来る。

第２Ａ及び２Ｂ図（以下、単に第２図と呼ぶ）
には、抵抗層４０を個別部品のチツプ抵抗に取替
えたこの考案のサイリスタが示されている。第２
図の構造は、使う抵抗の種類を別にすれば、第１
図と略同一である。この為、第２図でも同等の素
子には同じ参照数字を用いている。第２図の電極
５０が第１図の電極３６に対応する。電極５０は
連続的な電極であつて、拡散抵抗４０に対する電
極４２を通す切れ目がない。電極５２が、一層短
いことを別にすれば、第１図の電極４２に対応す
る。電極５２がメタライズ部分３０から伸び、抵
抗５４の第１の接点５６に接触する。抵抗５４の
第２の接点５８が電極５０に接続される。従つ
て、抵抗５４が２つの電極の間に直列に接続さ
れ、第１図に示したこの考案の実施例の場合の抵
抗層４０と同じ作用をすることが判る。電極５２
は比抵抗の小さい電極であつて、電極５０及びエ
ミツタ層３０の間の抵抗値に実質的な寄与がない
ものであつてもよいし、或いは２つの電極の間の
合計抵抗値の実質的な一部分を占める様な適当な
材料であつてもよい。電極５２の抵抗値は、周知
の様に、材料、電極の厚さ、幅及び長さを変える
ことによつて変えることが出来、従つて、所望の
或る抵抗値が得られる様に電極５２を正確な寸法
に調整することにより、合計抵抗値を調節するの
はごく容易である。この調整は、装置を製造した
後、例えば電極５２をレーザで切断することによ
つて行うことが出来、こうしてターンオン遅延時
間に関する限り、選ばれた装置を正確に合せるこ
とが出来る。

従つて、抵抗５４の選択によつて抵抗値の大ま
かな値を設定し、電極５２の調整によつて更に正
確に決定することが出来ることが理解されよう。

第３Ａ及び３Ｂ図（以下、単に第３図と呼ぶ）
はこの考案の別の特徴として、装置のターンオン
遅延時間を調節する手段を持つ全体的に円形のサ
イリスタを示す。装置６０が、第１の金属接点６
２を含み、これは装置の陽極接点である。接点６
２の面６４に導電度の高い被覆を設けて、電気的
な接触を改善することが出来る。第１の半導体層
６６が接点６２に重なり、それと低抵抗の接続を
する。層６６は、第１の導電型を持つ例えばシリ
コン、ゲルマニウム等の様な半導体層である。こ
の考案では、半導体層６６をｐ型半導体層と仮定
する。装置６０はpnpn型サイリスタ装置である。
希望によつて他の装置を作るには、前に第１図に
ついて述べた制約が、種々の半導体層の順序につ
いてそのまゝ云える。半導体層６８が層６６に重
なつて、その間に第１の半導体接合７０を形成す
る。半導体層７２が層６８に重なつて、その間に
第２の半導体接合７４を形成する。半導体層６８
はｎ型の導電型を持つ半導体層であり、層７２は
ｐ型層である。ｎ型層７６がｐ型層７２の面７８
の上に配置される。層７６は全体的に環状であつ
て、中心に設けられた装置の光感応区域８０を取
巻く。メタライズ部分８２が層７６に部分的に重
なり、半導体層７６の一番外側の縁より外側で半
導体層７２の面７８と接触する。全体的に半導体
層７６及びメタライズ部分８２の下にある装置６
０の部分が、装置のパイロツト・サイリスタ領域
である。装置６０は、一般的に周知のゲート増幅
形サイリスタ構造である。光感応領域８０の中に
電極８４があり、これが装置の光感応領域を実質
的に取巻く。電極８４が、電極８４から内向きに
伸びる複数個の突起８６乃至８９を有する。抵抗
層９０が半導体層７２の面７８から接合７４に向
つて下向きに伸びるが、この接合とは出合わな
い。抵抗層９０をどんな方法によつて形成するか
はこの考案では問題ではない。例えば拡散によつ
て層９０を形成することが出来る。抵抗層９０は
全体的にＸ字形であり、このＸ字の各々の腕が１
つの突起８６乃至８９と接触する。更に抵抗層９
０がその大体中心に電気接点９２を持ち、この接
点に電気接続がされる様になつている。

電極８４、抵抗層９０及び接点９２の組合せが
電気抵抗を形成することが理解されよう。こうし
て形成された抵抗の抵抗値は層９０の比抵抗並び
にその寸法に関係する。この考案では、突起８６
乃至８９は、それと抵抗層との重なりの程度を調
節出来る様になつている。例えば、各々の突起を
最初は、適正な抵抗値を得るのに希望するよりも
幾分一層遠くまで接点９２に向つて伸びる様に作
る。この為、延長部すなわち突起８６乃至８９の
調整により、最適値に達するまで抵抗値が増加す
る。この調整は、例えばレーザ切取り法の様な周
知の任意の方法によつて行うことが出来る。第３
図のサイリスタの主エミツタ部分が、全体的に環
状の半導体層９４と、この層９４に重なる電極９
６とで構成される。電極９６は装置の陰極接続部
になり、半導体層９４と関連して、層９４を通抜
けて半導体層７２の面７８と接触するエミツタ短
絡部にすることが出来る。エミツタ短絡部の使い
方並びに作り方は周知である。更に電極９６に接
点９８が設けられ、これが便利な手段によつて接
点９２に接続される様になつている。この接続
は、例えばワイヤにより、或いは装置６０上にあ
つて酸化物層によつてそれから絶縁されている金
属電極によつて容易に行うことが出来る。接点９
８は物理的にどんな形でなければならないもので
はなく、実際に、電極９６に溶接、ろう付け、圧
着又はその他の形で接触した接点で構成すること
が出来る。

電極８４の内側の区域を好便に研磨し又はその
他の方法で処理して、装置の光感応区域としての
その作用を高めることが出来る。不働態化が望ま
しいこともあり、当業者であれば、反射防止硝子
による不働態化を用いるのが有利であることが理
解されよう。

装置６０は電極９８と電極９２との間が電気的
に直接的に接続され、これは低抵抗の接続である
が、この考案では、電極９２，９８の間の物理的
な接続部に幾分の抵抗値を持たせることが望まし
いことがある。例えば、周知の様に、実質的な比
抵抗を持つニクロム又はその他のワイヤを用いて
もよく、こうすることにより、抵抗層９０に要求
される比抵抗の条件も少なくて済む。この考案で
は、電極８４及び電極９８の抵抗値を任意の好便
な形で分布させることが出来る。前に述べた様に
突起又は延長部８６乃至８９を使うのが、ターン
オン遅延時間を略同一にする為に２つ又は更に多
くの装置を合せるべく、装置の抵抗値を調整する
為の接近し易い場所が得られる。

装置６０の動作は第１図の場合と略同様であ
る。装置の放射感応ゲート区域８０に入射する光
によつて、接合７４の近辺に正孔と電子の対が形
成され、この対が装置の中心から半径方向外向き
に移動し、半導体層７６及び電極８２を含む装置
のパイロツト・サイリスタ領域の下を装置の主エ
ミツタ領域へ、特に第１列の短絡部１００へ流れ
る電流を発生する。抵抗層９０と、電極９２及び
端子９８の間に接続部１０２を含む抵抗値が、半
導体層７２の比抵抗による抵抗値と実質的に並列
である。この為、普通ならば半導体層７２に全部
流れる筈の電流の幾分かが電極９６へ直接的に分
路され、こうしてターンオン遅延時間を希望する
だけ長くする。この遅延時間の増加は、この考案
に従つて抵抗値を調節することによつて調節し得
る。

装置のゲート領域及び陰極の間の抵抗分路が、
全部半導体ウエーハ上に構成された、光でトリガ
されるサイリスタ装置が第４Ａ及び４Ｂ図（以
下、単に第４図と呼ぶ）に示されている。サイリ
スタ１１０が陽極電極１１２、ｐ型半導体層１１
４、ｎ型半導体層１１６、ｐ型半導体層１１８、
ｐ型層１１４及びｎ型層１１６の間の第１の半導
体接合１２０、並びにｎ型層１１６及びｐ型層１
１８の間の第２の半導体接合１２２を有する。サ
イリスタ１１０の構成は、上側の半導体層及び電
極の特定の配置を別にすれば、第３図に示すサイ
リスタと同様である。半導体層１１８の面１２４
に光感応領域１２６があり、これが電極１２８に
よつて実質的に取囲まれている。光感応領域１２
６は、前に述べた様に、研磨又はその他の方法で
処理することが出来る。部分に分れた半導体層１
３０が光感応ゲート領域１２６を取囲み、半導体
領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃを含む。電極
１３２も部分に分れていて、その部分１３２ａ，
１３２ｂ，１３２ｃが夫々半導体部分１３０ａ，
１３０ｂ，１３０ｃに重なる。電極１２８が、こ
の電極１２８から陰極電極１３８まで伸びる突起
１３４，１３５，１３６を含む。陰極電極１３８
は全体的に環状であつて、同じ様な形を持つ半導
体層１４０に重なる。半導体層１４０が装置の一
番上側の半導体層であつて、層１１８とは反対の
導電型であり、ｎ型の半導体層である。突起１３
４乃至１３６は抵抗性のメタライズ部分であり、
並列に組合せた時、電極１２８及び電極１３８の
間に抵抗接続部を構成する。電極１３８及び半導
体層１４０を含む装置の陰極領域が、短絡部１４
１で例示する様な複数個のエミツタ短絡部を含
み、これらが半導体層１４０を通りぬけて層１１
８と接触する。半導体層１３０は、突起１３４乃
至１３６がメタライズ部分１３８と一緒になる３
箇所で、この区域ではターンオンが起らない様な
形になつている。この為、半導体層１４０は幾分
凹むように切込んである。従つて、装置のオン転
化は、電極１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃを含む
パイロツト・サイリスタの３つの部分に対して半
径方向に隣接した区域だけで起る。ターンオン区
域の内、犠牲になる部分は比較的小さい。

第４図の装置は抵抗性突起１３４乃至１３６を
含むものとして示したが、当業者であれば、前に
第１図乃至第３図について説明した方法を第４図
に示す形式の装置にも容易に用いることが出来る
ことが理解されよう。例えば、前に第２図につい
て説明した様に、電極１３４乃至１３６と電極１
２８との間の３箇所の接続にチツプ抵抗を用いる
ことが出来る。更に、電極１３４乃至１３６を好
便に破断して、電極の一部分として、第１図乃至
第３図に示す様な抵抗層を含めることが出来る。
これは装置の抵抗値を正確に調整する手段として
有利である。第４図に示す様な形式の電極を使う
場合、この調整は、突起の縁、例えば電極１３４
の縁１４２，１４４から材料を切取り、こうして
電極を細くしてその抵抗値を高めることによつて
達成し得る。

これ迄図面について上に説明したこの考案の任
意の実施例で要求される抵抗値の大きさは、装置
の特性に関係する。典型的には、別々のバツチで
処理された同様な装置のターンオン遅延時間のば
らつきは20乃至30％という程高いことがあり、そ
の為、光源によつて発生されて装置のトリガに利
用される電流の50％程度をこの発明の抵抗部分に
よつて分路する必要があることがある。更に、タ
ーンオン遅延時間を（大体0.5マイクロ秒以内に）
合せる為、前に述べた様にして±20％程度の抵抗
値の調節を行う必要がある。

この考案による光トリガ式サイリスタは、現在
の方法で製造するのに適していて、外部部品を必
要とせずに、多数の装置の直列又は並列動作が出
来る様に他の装置のターンオン遅延時間特性を正
確に合せる為に調節し得る装置を初めて提供した
ものである。

この考案を幾つかの好ましい実施例について具
体的に図示し且つ説明したが、当業者であれば、
この発明の範囲内で細部に種々の変更を加えるこ
とが出来ることは云う迄もない。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ及び１Ｂ図はこの考案の１実施例による
半導体抵抗を用いたモノリシツク・サイリスタ構
造を示す平面図並びに断面図、第２Ａ及び２Ｂ図
はこの考案による中心ゲート形の光トリガ式サイ
リスタ構造の平面図並びに断面図、第３Ａ及び３
Ｂ図は抵抗の別の構成を持つこの考案の中心ゲー
ト形の光トリガ式サイリスタ構造の平面図並びに
断面図、第４Ａ及び４Ｂ図はこの考案の更に別の
実施例による中心ゲート形の光トリガ式サイリス
タ構造の平面図並びに断面図である。 主な符号の説明、１６……陽極領域、２２……
ゲート領域、２８，３２……陰極領域、３０……
陰極電極、３６……電極、３８……光感応区域、
４０……半導体層（抵抗層）、４２……電極、５
２……電極、５４……チツプ抵抗、８６乃至８９
……突起、９０……抵抗層、１３４乃至１３６…
…突起（抵抗性メタライズ部分）。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 陽極、陰極及び放射感応ゲート領域を含む放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記ゲート領域
   の内の放射感応区域を少なくとも一部分取り囲
   み且つ前記陰極から実質的に隔離されていて、
   前記放射感応区域に放射が入射したことによつ
   て前記ゲート領域中に発生されるターンオン電
   流の少なくとも一部分を収集する電極手段と、
   前記放射感応区域に入射する所定量の放射に対
   してサイリスタのターンオン時間を調節するた
   めの調節手段とを設け、該調節手段が前記電極
   手段と前記陰極との間に接続されて、前記ゲー
   ト領域中に流れるターンオン電流の所望の一部
   分を前記陰極に分路する抵抗手段を含み、該抵
   抗手段は当該サイリスタと一体に形成され且つ
   当該サイリスタの上面上に露出していて、その
   抵抗値を増加調節するためにその一部分がレー
   ザ等により切取り可能であることを特徴とする
   放射トリガ式サイリスタ。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記陰極が一導
   電型の第１の半導体層で形成され、前記ゲート
   領域が光感応性であつて、他の導電型の第２の
   半導体層中に形成されており、前記電極手段
   は、全部が前記第２の半導体層の上に設けられ
   て実質的に前記ゲート領域の前記放射感応区域
   を取り囲んでいて、前記放射感応区域に光が入
   射したことにより前記ゲート領域中に発生され
   るターンオン電流の少なくとも一部分を収集す
   る第１の電極手段を含んでおり、前記一導電型
   の第３の半導体層が前記第１の電極手段を実質
   的に取り囲み且つ前記第１の電極手段から隔離
   されており、前記電極手段が更に前記第３の半
   導体層に重なる第２の電極手段を含み、前記抵
   抗手段が前記第１及び第２の電極手段の間に接
   続されている放射トリガ式サイリスタ。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗手段が
   皮膜抵抗手段である放射トリガ式サイリスタ。 (4) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗手段が
   サイリスタ内の半導体層を含む放射トリガ式サ
   イリスタ。 (5) 実用新案登録請求の範囲第２項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗手段が
   前記第２の半導体層の第１の面から前記第２の
   半導体層の中まで伸びる抵抗性半導体層を含む
   放射トリガ式サイリスタ。 (6) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗手段
   が、皮膜抵抗手段と、半導体抵抗手段とを含む
   放射トリガ式サイリスタ。 (7) 実用新案登録請求の範囲第１又は２項に記載
   した放射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗
   手段が一体に取付けた個別部品の抵抗手段であ
   る放射トリガ式サイリスタ。 (8) 実用新案登録請求の範囲第７項に記載した放
   射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗手段が
   皮膜抵抗を含む放射トリガ式サイリスタ。 (9) 実用新案登録請求の範囲第１又は２項に記載
   した放射トリガ式サイリスタに於て、前記抵抗
   手段が皮膜抵抗手段及び半導体層抵抗手段の組
   合せで構成される放射トリガ式サイリスタ。