JPH02209718A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH02209718A JPH02209718A JP1030453A JP3045389A JPH02209718A JP H02209718 A JPH02209718 A JP H02209718A JP 1030453 A JP1030453 A JP 1030453A JP 3045389 A JP3045389 A JP 3045389A JP H02209718 A JPH02209718 A JP H02209718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer surface
- reflection
- wafer
- exposure time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＩＣ及びＬＳＩ・等の半導体装置の製造工程の
内、ホ） ＩＪソゲラフイエ程において使用される露光
装置に関する。
内、ホ） ＩＪソゲラフイエ程において使用される露光
装置に関する。
［従来の技術］
従来の露光装置は、第５図のフローチャートに示すよう
に、ウェハ面上の反射率の変化に応じ隣接する次ショッ
ト以降の露光時間に補正をかけるものであった。
に、ウェハ面上の反射率の変化に応じ隣接する次ショッ
ト以降の露光時間に補正をかけるものであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では隣接する次ショット以降の
露光時間に補正をかけるのみで、ｂ’Ａ光をしている箇
所からの反射が同一箇所の露光時間へ補正されないとい
う問題点を有していた。
露光時間に補正をかけるのみで、ｂ’Ａ光をしている箇
所からの反射が同一箇所の露光時間へ補正されないとい
う問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはウェハ面上の同一箇所での反射を
モニターし、同一箇所への露光時間に補正をかけること
を可能にする露光装置を提供する。
の目的とするところはウェハ面上の同一箇所での反射を
モニターし、同一箇所への露光時間に補正をかけること
を可能にする露光装置を提供する。
［課題を解決するための手段］
本発明の露光装置は、マスクパターンをウェハ表面のレ
ジスト層に焼き付け、照射される焼付光のウェハ面上で
の反射を受光する光学系を具備した露光装置において、
ウェハ面上の同一箇所で２回以上の露光を行い、１回目
の露光でウェハ面上の反射を上記光学系でモニターし、
２回目以降の露光時間に補正をかける機能を有すること
を特徴とする。
ジスト層に焼き付け、照射される焼付光のウェハ面上で
の反射を受光する光学系を具備した露光装置において、
ウェハ面上の同一箇所で２回以上の露光を行い、１回目
の露光でウェハ面上の反射を上記光学系でモニターし、
２回目以降の露光時間に補正をかける機能を有すること
を特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の機能によれば、ウェハ面上の同一箇所で
２回以上の露光を行い、１回目のは光でウェハ面上の反
射をモニターし、２回目以降の露光時間を補正すること
により、ウニ／％面上の同一箇所での反射の変化に応じ
た露光時間の制御が可能である。
２回以上の露光を行い、１回目のは光でウェハ面上の反
射をモニターし、２回目以降の露光時間を補正すること
により、ウニ／％面上の同一箇所での反射の変化に応じ
た露光時間の制御が可能である。
［実施例］
第１図は本発明の実施例における構成図であり１は基体
、２はウェハ載置台、３はウェハ、４は投影レンズ、５
はマスク、６及び８はレンズ、７及び１０はミラー ９
はハーフミラ−１１はシャッタ、１２は水銀ランプ、１
３は受光部、１４はシャッタ制御部である。
、２はウェハ載置台、３はウェハ、４は投影レンズ、５
はマスク、６及び８はレンズ、７及び１０はミラー ９
はハーフミラ−１１はシャッタ、１２は水銀ランプ、１
３は受光部、１４はシャッタ制御部である。
第２図は本発明の実施例における露光のフローチャート
である。ウェハ３の同一箇所での１回目の露光を水銀ラ
ンプ１２により照射し、ウェハ３からの反射をハーフミ
ラ−９を介して受光部１５で受け、シャッタ制御部１４
に送り受光部１３からの電圧の変化から、ウェハ３の同
一箇所での２回目以降の露光時間に補正をかげる。この
動作を全ショットに対して行う。
である。ウェハ３の同一箇所での１回目の露光を水銀ラ
ンプ１２により照射し、ウェハ３からの反射をハーフミ
ラ−９を介して受光部１５で受け、シャッタ制御部１４
に送り受光部１３からの電圧の変化から、ウェハ３の同
一箇所での２回目以降の露光時間に補正をかげる。この
動作を全ショットに対して行う。
［発明の効果］
以上述べたような発明によれば、ウェハ面上の同一箇所
で２回以上の露光を行い、１回目の露光でウェハ面上の
反射をモニターし、２回目以降の露光時間に補正をかけ
ることにより、ウェハ面上の同一箇所での反射の変化に
応じた露光時間制間ができ、形成するレジスト寸法のバ
ラツキを極小にする効果がある。
で２回以上の露光を行い、１回目の露光でウェハ面上の
反射をモニターし、２回目以降の露光時間に補正をかけ
ることにより、ウェハ面上の同一箇所での反射の変化に
応じた露光時間制間ができ、形成するレジスト寸法のバ
ラツキを極小にする効果がある。
第１図は本発明の露光装置の一実施例を示す構成図。
第２図は本発明の基本的なプロセスのフローチャート〇
第３図は従来の基本的なプロセスのフローチャト。
Ｓ、−°−−−−“°ウェハ
９・・・・・・・・・ハーフミラ−
１１・・・・・・・・・シャッター
１３・・・・・・・・・受光部
１４・・・・・・・・・シャッタ制御部以上
第１図
Claims (1)
- マスクのパターンをウェハ表面のレジスト層に焼き付け
、照射される焼付光のウェハ面上での反射を受光する光
学系を具備した露光装置において、ウェハ面上の同一箇
所で２回以上の露光を行い、１回目の露光でウェハ面上
の反射を上記光学系でモニターし、２回目以降の露光時
間に補正をかける機能を有することを特徴とする露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030453A JPH02209718A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030453A JPH02209718A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209718A true JPH02209718A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12304328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030453A Pending JPH02209718A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209718A (ja) |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030453A patent/JPH02209718A/ja active Pending
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