JPH0336715A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0336715A JPH0336715A JP1172318A JP17231889A JPH0336715A JP H0336715 A JPH0336715 A JP H0336715A JP 1172318 A JP1172318 A JP 1172318A JP 17231889 A JP17231889 A JP 17231889A JP H0336715 A JPH0336715 A JP H0336715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer
- reflection
- light
- same location
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は工０及びＬＳＩ等の半導体装置の製造工程の内
、ホトリソグラフィ工程において使用される露光装置に
関する。
、ホトリソグラフィ工程において使用される露光装置に
関する。
［従来の技術］
従来の露光装置は、第３図のフローチャートに示すよう
に、ウェハ面上の同一箇所で２回以上の露光を行ない、
ウェハ面上の反射率の変化に応じ２回目以降の露光時間
に補正をかけるものであった。
に、ウェハ面上の同一箇所で２回以上の露光を行ない、
ウェハ面上の反射率の変化に応じ２回目以降の露光時間
に補正をかけるものであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、１つのショットに２回以
上の露光を行なう為、露光に用する時間が長くなるとい
う問題点を有していた。
上の露光を行なう為、露光に用する時間が長くなるとい
う問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはウェハ面上に露光開始直後、ウェ
ハ面上の反射をモニターし、露光終了までの露光時間に
補正をかげ同一箇所に１回の露光を可能にする露光装置
を提供する。
の目的とするところはウェハ面上に露光開始直後、ウェ
ハ面上の反射をモニターし、露光終了までの露光時間に
補正をかげ同一箇所に１回の露光を可能にする露光装置
を提供する。
［課題を解決するための手段］
本発明の露光装置は、マスクパターンをつ１ハ表面のレ
ジスト層に焼きつげ、照゛射される焼付光の゛ウェハ面
上での反射を受光する光学系を具備した露光装置におい
て、ウェハ面上に露光開始直後ウェハ面上の反射をモニ
ターし、露光終了までの露光時間に補正をかける機能を
有することを特徴とする。
ジスト層に焼きつげ、照゛射される焼付光の゛ウェハ面
上での反射を受光する光学系を具備した露光装置におい
て、ウェハ面上に露光開始直後ウェハ面上の反射をモニ
ターし、露光終了までの露光時間に補正をかける機能を
有することを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記機能によれば、ウェハ面上に露光開始直後
、ウェハ面上の反射をモニターし、露光終了までの露光
時間に補正をかけることにより、ウェハ面上の同一箇所
での反射の変化に応じた露光時間の制御が１回の露光で
可能である。
、ウェハ面上の反射をモニターし、露光終了までの露光
時間に補正をかけることにより、ウェハ面上の同一箇所
での反射の変化に応じた露光時間の制御が１回の露光で
可能である。
［実施例コ
第１図は本発明の実施例における構成図であり、第２図
は本発明の実施例における露光の７０−チャートである
。ウェハ３の同一箇所に水銀ランプ１２により焼付光を
照射し露光を開始する。ウェハ３からの反射をハーフミ
ラ−９を介して受光部１３で受け、゛シャッタ制御部１
４に送り受光部１３からの電圧の変化から、露光終了前
に露光時間に補正をかげウェハ面上の同一箇所に１回の
露光で補正をかける。この動作を全ショットに対して行
なう。
は本発明の実施例における露光の７０−チャートである
。ウェハ３の同一箇所に水銀ランプ１２により焼付光を
照射し露光を開始する。ウェハ３からの反射をハーフミ
ラ−９を介して受光部１３で受け、゛シャッタ制御部１
４に送り受光部１３からの電圧の変化から、露光終了前
に露光時間に補正をかげウェハ面上の同一箇所に１回の
露光で補正をかける。この動作を全ショットに対して行
なう。
［発明の効果コ
以上述べたような発明によれば、ウェハ面上に露光開始
直後、ウェハ面上の反射をモニターし、ｄ光終了までの
ａ光時間に補正をかけ同一箇所に１回の露光を可能にす
ることにより、形成するレジスト寸法のバラツキを同一
箇所１回の露光で極小にする効果があり、同一箇所２回
以上の露光に比べ露光に関する時間を短縮する効果があ
る。
直後、ウェハ面上の反射をモニターし、ｄ光終了までの
ａ光時間に補正をかけ同一箇所に１回の露光を可能にす
ることにより、形成するレジスト寸法のバラツキを同一
箇所１回の露光で極小にする効果があり、同一箇所２回
以上の露光に比べ露光に関する時間を短縮する効果があ
る。
第１図は本発明の露光装置の一実施例を示す構成図。
第２図は本発明の基本的なプロセスのフローチャート。
第３図は従来の基本的なプロセスのフローチャート。
１・・・・・・・・・ウェハステージ
２・・・・・・・・・ウェハホルダ
３・・・・・・・・・ウェハ
４・・・・・・・・・投影レンズ
５・・・・・・・・・マスク
６・・・・・・・・・コンデンサレンズ７．１０・・・
・・・ミラー ８・・・・・・・・・インプットレンズ９・・・・・・
・・・ハーフミラ− １つ・・・・・・シャッタ １２・・・・・・水銀ランプ １６・・・・・・受光部 １４・・・・・・シャッタ制御部
・・・ミラー ８・・・・・・・・・インプットレンズ９・・・・・・
・・・ハーフミラ− １つ・・・・・・シャッタ １２・・・・・・水銀ランプ １６・・・・・・受光部 １４・・・・・・シャッタ制御部
Claims (1)
- マスクのパターンをウェハ表面のレジスト層に焼き付け
、照射される焼付光のウェハ面上での反射を受光する光
学系を具備した露光装置において、ウェハ面上に露光開
始直後、ウェハ面上の反射を前記光学系でモニターし、
露光終了までに露光時間に補正をかける機能を有するこ
とを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172318A JPH0336715A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172318A JPH0336715A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336715A true JPH0336715A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15939691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172318A Pending JPH0336715A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336715A (ja) |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1172318A patent/JPH0336715A/ja active Pending
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