JPH02210328A

JPH02210328A - 液晶配向膜および液晶表示素子

Info

Publication number: JPH02210328A
Application number: JP1030861A
Authority: JP
Inventors: Shizuo Murata; 村田　鎭男; Minoru Nakayama; 実中山; Kenji Furukawa; 古川　顕治; Ryuji Kobayashi; 竜二小林
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1989-02-09
Filing date: 1989-02-09
Publication date: 1990-08-21
Anticipated expiration: 2013-03-04
Also published as: JP2722234B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、液晶の配向およびプレチルト角制御能を有す
るポリエーテルイミド液晶配向膜の改良に関する。

（従来の技術）従来の時計や電卓に用いられている液晶表示素子は、上
下２枚で一対をなす電極基板の表面でネマチック液晶分
子の配列方向を９０度に捻った構造のツイスト・ネマチ
ック（以下ＴＮと略す）モードが主流である。しかし、
この表示モードは、高デユーティ−駆動した場合、クロ
ストークのため、コントラストが低く、視野角が狭いた
め、表示品質、表示面積の向上を図るためには十分なも
のではなかった。近年、超捻れ複折効果（ｓｕｐｅｒｔ
ｗｉｓｔｅｄ　ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｅｅ　ａｆｆｅ
ｃｔ）　（Ｔ、Ｊ、　５ｃｈｅｆｆｅｒａｎｄ　Ｊ、　
Ｎｅｈｒｉｎｇ、　Ａｐｐｌ、　ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ
、　４５　（１０）＊　１０２１（１９８４）　）を利
用した液晶表示装置が発表されて以来、上下電極基板の
間でネマチック液晶分子の配列方向を１８０〜３００度
に捻ったスーパーツイスト・ネマチック（以下ＳＴＮと
略す）モードを利用した液晶表示素子が開発され、大画
面液晶表示表示でも表示品位の満足できるものが開発さ
れつつある。これらのものに使用する配向膜においては
、単に液晶分子を配列させるだけでなく、応答性を良く
し、双安定性を確実にするために、基板平面と液晶分子
の間に所定の角度（以下プレチルト角と略す）を持たせ
なければなら々い。また、捻シ角を大きくするにつれて
、プレチルト角も大きくすることが望ましい。これらの
うち、捻シ角の比較的小さいもの（１８０〜２００度ツ
イスト）では、電極基板上の界面処理は、現在一般に使
用されているプレチルト角（θと略す）が５度以下の界
面を持つ配向膜を備えたセルで十分である。しかし、よ
シ表示品質の良い２１０〜３００度の捻れ角を持つ方式
のものにあってはよシ高いプレチルト角（５′＜θ≦３
０°）の界面を使わねばならず、このため、これらのプ
レチルト角を満足する配向膜を備えた液晶表示セルが必
要である。

現在側われているＴＮモード用のポリイミド配向膜では
、工業的規模で生産される表示セルのプレチルト角は５
度が限界である。

特開昭６１−２４０２２３号公報には式にて表わされる
反復単位を有するポリイミド樹脂用いた液晶配向膜を備
えた液晶表示素子が開示されている。とのポリイミドの
原料としてなるジアミンを用いた具体例が示されている
。

しかし、とのジアミノ化合物を用いて得られるポリイミ
ド配向膜では、後記する比較例に示すように高いプレチ
ルト角が得られないという難点がある。また、ＳＴＮモ
ード用として高いプレチルト角を持ったポリイミド配向
膜も存在しているが、それらは広い表示面積のセル基板
の全域にわたるプレチルト角の安定性及び再現性に問題
を残している。確実に、高いプレチルト角を得るために
は、ａｉｏ等の真空斜方蒸着による薄膜形成が、現在性
なわれている最良の方法である。

しかし、真空蒸着による薄膜の形成は工業的に大量生産
する場合、その製造装置の面からコスト的に不利であシ
、従来のＴＮモードで用いられているのと同じ方法であ
る有機質薄膜の、ラビングによる界面処理で配向および
高いプレチルト角を得、かつプレチルト角の安定性、再
現性を実現するととが切望されている。

（発明が解決しようとする課題）前述したことから明らかなように１本発明の目的は、ラ
ビング処理により、良好な配向性と高いプレチルト角を
実現しうる液晶配向膜および該配向膜を備えた液晶光変
調素子、液晶表示素子などの液晶素子を提供するととＫ
ある。

（課題を解決するための手段）本発明の液晶配向膜は、−紋穴（式中、Ｒ８〜Ｒ，は水素、炭素数１〜１５のアルキル
基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５のアルキ
ル基を有するシクロヘキシル基であシ、相互に同じであ
っても、一部もしくは全部が異なっていてもよい。）で
示される置換シクロヘキシリデン基もしくはシクロヘキ
シリデン基を分子長鎖に含む高分子を主成分とすること
を特徴とする。

具体的に高分子として、芳香族系のポリイミド、ポリア
ミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリスルフィド、
ポリスルフィド、ポリフェニレン、ポリカーボネートな
どをあげることができる。

更に詳しくのべると本発明の液晶配向膜は、般式（式中、Ｒ１−Ｒ６は水素、炭素数１〜１５のアルキル
基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５のアルキ
ル基を有するシクロヘキシル基であシ、相互に同じであ
っても、一部もしくは全部が異なってもよい。またＹは素でｐ）シ、相互に同じであっても、一部もしくは全部
が異なってもよ（、Ａｒは４価の芳香族基を示す。）で
表わされる構造単位を有するポリイミドを主成分とする
ことを特徴とする。

具体的にのべると、下記の式（３）で示されるテトラカ
ルボン酸二無水物、式（４）、（５）もしくは（６）で
表わされるジアミノ化合物を溶媒中で混合し、反応を行
ない、ポリアミック酸を生成し、該ポリアミック酸を、
必要によυ式（７）のシリコン化合物と共に加熱するこ
とにより得られる液晶配向膜である。

ｃｏ　　　　　　ｃ。

ｎは０もしくは１である。そして、Ｒ０〜Ｒ１４は水素
、炭素数１〜３のアルキル基、フッ素または塩異なって
もよい。また、Ｒ１−Ｒ１４は水素、炭素数１〜３のア
ルキル基、フッ素または塩素であシ、相互に同じであっ
ても、一部もしくは全部が異なってもよく、Ａｒは４価
の芳香族基を示し、２社炭素数２〜１０のアルキレン基
もしくはフェニレン基、Ｒｌｇは炭素数１〜１０のアル
キル基を示す。）式（２）で示される化合物としては、
っぎの（８）、（１１式で示されるポリエーテルイミド
、（１）式で示されるポリイミドである。

（とこで、Ｒ１−Ｒ６は水素、炭素数１〜１５のアルキ
ル基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５のアル
キル基を有するシクロヘキシル基でちゃ、相互に同じで
あっても、一部もしくは全部が・・・・・・・・・・Ｑ
＠Ｃｎ）Ｉｚｎ＋１これらの構造単位の数は１０〜５０．０００と考えられ
る。

ポリエーテルイミド、ポリイミドの具体的表構造単位を
示すと、（ここでｎは０〜１０を示す。）などをあげることがで
きる。

本発明の液晶素子は、本発明に係る良好な配向性と高い
プレチルト角を実現しうる配列制御膜すなわち液晶配向
膜を備えていることが特徴であル、通常、基板、電圧印
加手段、配列制御膜、液晶層などにより構成される。

本発明の液晶配向膜の形成について具体的に説明すると
、液晶配向膜と々るポリイミドまたはポリエーテルイミ
ドは、一般に溶媒に不溶である。

そのため、基板上に均一なポリエーテルイミド高分子膜
を設けるためには、その前駆体で通常テトラカルボン酸
二無水物とジアミノ化合物との縮合によって得られるポ
リアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ　）　、ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
　Ｏ）などの溶剤に溶解し、この溶液を刷毛量シ法、浸
漬法、回転塗布法、スプレー法、印刷法などの方法で基
板に塗布した後、１００〜４５０℃、好ましくは１５０
〜３００℃で加熱処理を行ない、脱水閉環反応させてイ
ミド結合を持たせる方法によるのが好ましい。

上記ポリイミドの前駆体のポリアミック酸は、通常テト
ラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合により
合成される。これらの縮合反応は無水の条件下、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン（ＮＭＰ　）、ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡｃ）　、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）　、硫酸ジメチル
、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノー
ル、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキ
サン、テトラヒドロフランなど、好ましくはＮ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）の溶媒中５０℃またはそれ
以下の温度で行なわれる。ただし、ポリエーテルイミド
高分子が溶媒への溶解性に問題がない物である場合には
、基板に塗布する前の段階で高温で反応させ、ポリイミ
ドフェスとして使用してもよい。

ジアミノ化合物として、前記の式（４）で示される化合
物であシ、具体的にはつぎの化合物をあげることができ
る。

１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コシクロヘキサン、１．１−ビスＣ４−＜４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−メチルシクロヘキサン、１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
ツー４−エチルシクロヘキサン、１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎフロビルシクロへ−ｔ−サン、■、１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルツー４−ｎブ
チルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎペンチルシクロヘキサン、１．１−ビス［：４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ルクー４−ｎヘキシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎヘプチルシクロヘキサン、１．１−ヒスＣ４−Ｃ４−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎオクチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎノニルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎウンデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
ツー４−ｎドデシルシクロへ＋サン、１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎ　）リゾシルシクロヘキサン、１．１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎテ
トラデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−
アミノフェノキシ）フェニルクー４−ｎペンタデシルシ
クロヘキサン、１．１−ビスＣ４−Ｃ４−アミノフェノ
キシ）　−３，５−ジメチルフェニルツー４−メチルシ
クロヘキサン、１．１−ビスＣ４−Ｃ４−アミノフェノ
キシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−エチルシク
ロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−ｎ７”ロピル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）−３；５−ジメチルフェニル）−４−ｎブチル
シクロヘキサン、１．１−ビス〔°４°−（４−アミノ
フェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−ｎペ
ンチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−ｎ
へキシルシクロヘキサン、１．１−ビス［：４−（４−
アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）　−
４−ｎヘプチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（
４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）
−４−ｎオクチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル
）　−４−ｎノニルシクロヘキサン、１．１−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル）−４−ｎデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル）−４−ｎウンデシルシクロヘキサン、１．１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフ
ェニル）　−４−ｎドデシルシクロヘキサン、１．１−
ビスＣ４−Ｃ４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチ
ルフェニル）−４−ｎ）リゾシルシクロヘキサン、１．
１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジ
メチルフェニル）−４−ｎテトラデシルシクロヘキサン
、１．１−ビスＣ４−＜４−アミノフェノキシ）−３，
５−ジメチルフェニル）−４−ｎペンタデシルシクロヘ
キサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕−４−シクロヘキシルシクロヘキサン、１．
１−ビスＣ４−Ｃ４−アミノフェノキシ）フェニル〕−
４−（）ランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘ
キサン、１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（トランス−４−ｎプロピルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎブチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎヘキシルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ヒス［：４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−４−（）ランス−４−ｎヘプチルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ヒス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎオクチルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−Ｌ’ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−４−（）ランス−４−ｎノニルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎデシルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎウンデシルシクロヘキシル
°）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎドデシルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎトリデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎテトラデシルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎペンタデシルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニルツー４−シクロヘキシルシクロヘキ
サン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−メ
チルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−エチルシ
クロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（トランス−４−ｎプロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎブチル
シクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎペンチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎへキシ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎヘプチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎオクチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎノニル
シクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎデシル
シクロヘキシル）シクロへ＋サン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎウンデ
シルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎドデシ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎトリデ
シルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎテトラ
デシルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎペンタ
デシルシクロヘキシル）シクロヘキサンまた、前記式（５）で示される化合物として、つぎの化
合物をあげることができる。

１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−シクロヘキシルシクロヘキサン、１．１−ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−（）
ランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（，３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎフロビルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎブチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（トランス−４−ｎヘキシルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎヘプチルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎオクチルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎノニルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎデシルシクロヘキシル）シ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎウンデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎドデシルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎトリデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎテトラデシルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミンフェノキシ）フェニル
〕−４−（）ランス−４−ｎペンタデシルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニルツー４−シクロヘキシルシクロヘキ
サン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−
３，５−ジメチルフェニル）−４−（１−ランス−４−
メチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−エチルシ
クロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（トランス−４−ｎプロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎブチル
シクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎペンチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎヘキシ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（，４−（３−アミノフェノキシ）−３，
５−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎへブ
チルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎオクチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎノニル
シクロヘキシル）シクロヘ−ｔ−サン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（トランス−４−ｎデシル
シクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎウンデ
シルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎドデシ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎトリデ
シルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル）−４−（）ランス−４−ｎテトラ
デシルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−メチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
シー４−エチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
ツー４−ｎプロピルシクロヘキサン、１．１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
ツー４−ｎブチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎペンチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎヘキシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎヘプチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎオクチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
ツー４−ｎノニルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎウンデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎドデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕−４−ｎトリデシルシクロヘキサン、１．１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
クー４−ｎテトラデシルシクロヘキサン、１．１−ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニルツー４−ｎペ
ンタデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル〕−４
−メチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−ア
ミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニルクー４−
エチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−アミ
ノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−ｎ
プロピルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−ア
ミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−
ｎブチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−ア
ミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４−
ｎペンチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）−４
−ｎヘキシルシクロヘキサン、１．１−ビスＣ４−（３
−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）　
−４−ｎヘプチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル
）−４−ｎオクチルシクロヘキサン、１．１−ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル）−４−ｎノニルシクロヘキサン、１．１−ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル）−４−ｎデシルシクロヘキサン、１．１−ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル）−４−ｎウンデシルシクロへキサン、１．１−ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフ
ェニル）−４−ｎドデシルシクロヘキサン、１．１−ビ
ス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチル
フェニル）　−４−ｎ　トリデシルシクロヘキサン、１
．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３，５−
ジメチルフェニル）−４−ｎテトラデシルシクロヘキサ
ン、１．１−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）−３
，５−ジメチルフェニル）−４−ｎペンタデシルシクロ
ヘキサンさらに、式（６）で示される化合物として、つ
ぎの化合物をあげることができる。

１．１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、
１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−メチルシク
ロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−エチルシク
ロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎプロピル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎブチルシ
クロヘキサン、 ■、１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎペンチル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎへキシル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎへブチル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎオクチル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎノニルシ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎデシルシ
クロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎウンデシ
ルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎドデシル
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎトリデシ
ルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎテトラデ
シルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−ｎペンタデ
シルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−シクロへキ
シルシクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（）ランス
−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１
−ビス（４−アミノフェニル）−４−（）ランス−４−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス
（４−アミノフェニル）−４−（）ランス−４−ｎプロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、■、１−ビス（
４−アミノフェニル）−４−（）ランス−４−ｎブチル
シクロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−
アミノフェニル）−４−（）ランス−４−ｎペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−ア
ミノフェニル）−４−（トランス−４−ｎへキシルシク
ロヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミ
ノフェニル）−４−０ランス−４−ｎへブチルシクロヘ
キシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフ
ェニル）−４−（）ランス−４−ｎ；４−ブチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノ
フェニル）−４−（トランス−４−ｎノニルシクロヘキ
シル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェ
ニル）−４−（トランス−４−ｎデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル
）−４−（トランス−４−ｎウンデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル
）−４−（トランス−４−ｎドデシルシクロヘキシル）
シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル）
−４−（１−ランス−４−ｎトリデシルシクロヘキシル
）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−アミノフェニル
）−４−（１−ランス−４−ｎテトラデシルシクロヘキ
シル）シクロヘキサン、■、１−ビス（４−アミノフェ
ニル）−４−（）ランス−４−４／（ンタデシルシクロ
ヘキシル）シクロへ−ｔ−サンテトラカルボン酸二無水
物は前記の式（３）で示される化合物であシ、具体的に
は、ピロメリットｍ二無水物、３，３．′４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２．２７３．３’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２．３．３ｈ
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３．３；
　４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
、２．３．３’、　４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、２．２７３．　ａ’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテルニ無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホンニ無水物、１，２，５．６−ナ
フタリンテトラカルボン酸二無水物、２．３．６．７−
ナフタリンテトラカルボン酸二無水物等をあげることが
できる。

本発明の液晶配向膜の基板への接着性を高めるため、ア
ミンシリコン化合物またはジアミノシリコン化合物をポ
リエーテルイミドもしくはポリイミドに導入して変性す
ることも可能である。具体的には、シリコン化合物で基
板を表面処理して後、ポリアミック酸溶液を塗布し加熱
する方法、ポリアミック酸とシリコン化合物の混合溶液
を塗布する方法があげられる。

このよう々方法によりつぎに示す（９）、ａ２式で示さ
れる置換イミノ基を有するポリエーテルイミド、ポリイ
ミドからなる液晶配向膜が形成される。

（ここで、Ｒ１−Ｒ６、Ｒ，〜Ｒ，イＡｒは式（２）と
同様であシ、２は炭素数２〜１０のアルキレン基、もし
くはフェニレン基、Ｒ４は炭素数１〜１０のアルキル基
を示す。）マタ、−紋穴（２）、（８）、（ｌＩオ！びＱｌ）を示
される構造単位を主成分として、つぎの−紋穴ａっで示
される構造単位を０．１〜５０％、好ましくは０．１〜
３０係以下を含む液晶配向膜があげられる。

−Ｚ　−８ｉ（ＯＲｓｓ）。

・・・・・・・・α２（ここで、Ｘは炭素数１〜３のアルキレン基もしくはフ
ェニレン基、馬、は炭素数１〜６のアルキル基であ）、
Ａｒは４価の芳香族基、ｌはθ〜４の整数を示す。）アミノシリコン化合物としては前記−紋穴（力で示され
る化合物であシ、具体的にはつぎの化合物をあげること
ができる。

ＮＨｔ　−（ＣＨｔ）ｍ−８ｉ　（ＯＣＨρいＮＨｔ　
−（ＣＨＪｓ　−ｓ　ｉ（ＱＣ，ＨρいＮＨｚ　−（Ｃ
ＨＪｓ　−ｓ　ｉ　（ＯＨ，）　（００１（、）いＮＨ
ｔ　−（ＣＨｔ）ｓ　−８ｉ　（ＣＨｓ）　（０ＣｔＨ
ａ）ｔ、ＮＨ，−（ＣＨ，）、　−８ｉ　（Ｃ，Ｈ，）
　（□ｙｌ　−Ｃ，Ｒ７）、　。

ＮＨｔ　−（ＣＨｓ）ｔ−８１（ＯＣＨｓ）いＮＨｔ　
−（Ｃ）１２）＊　−８１（０Ｃ２Ｈｓ）いＮＨｔ　−
（ＣＨり４−８１（ｃＨｓ）　（ｏｃ＊ａｓ）ｔ、これ
らのアミノシリコン化合物のポリイミド系高分子物質に
導入する場合、その含有量は、ポリイミド原料との間に
つぎの関係が満足される範囲内が好ましい。

（上式、Ａはテトラカルボン酸二無水物、Ｂは一般式（
４）、　（５）、（６）で表わされるジアミノ化合物、
Ｃはアミノシリコン化合物のモル数を示す。）また、弐
〇で示される構造単位生成するためのジアミノシリコン
化合物としては、１−Ｃ３均ｉ−Ｃ，均ＣＨ。

ＣＨ。

（式中、！はＯ〜４の整数を示す。）ＣＨ，ＣＨ。

（式中、！は０〜４の整数を示す。）をあげることができ、ポリイミド系高分子に導入する場
合、前記（４）、（５）もしくは（６）式で表わされる
ジアミノ化合物の５０モル％以下を、好ましくは３０モ
ル％以下をジアミノシリコン化合物で置き換えて用いる
ことができる。

本発明の液晶配向膜に用いるポリエーテルイミドまたは
ポリイミドは、前記成分の他に芳香族ジアミノ化合物、
脂環式ジアミノ化合物およびその誘導体を導入して変成
することも可能である。

具体的に例をあげると、４，４′−ジアミノフェニルエ
ーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、４．４
′−ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、４．４’−ジ（メタ−アミノフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’−ジ（パラ−
アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、オルト−フェ
ニレンジアミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フ
ェニレンジアミン、ベンジジン、２．２′−ジアミノベ
ンゾフェノン、４．４’−ジアミノベンゾフェノン、４
，４’−ジアミノジフェニル−２，２’　−フロパン、
１，５−ジアミノナフタレン、１．８−ジアミノナフタ
レン等の芳香族ジアミノ化合物、１，４−ジアミノシク
ロヘキサンなどの脂環式ジアミノ化合物がある。

本発明の液晶配向膜を、基板上に設けるには、ポリイミ
ドまたはポリエーテルイミドの前駆体であるテトラカル
ボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合によって得ら
れるポリアミック酸を基板上に塗布し、加熱処理して、
脱水反応をさせてポリイミド系高分子膜を基板上に形成
する方法が好ましい。具体的に説明すると、ポリアミッ
ク酸をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｅ　）　、ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ　Ｏ）な
どの溶剤に溶解し、０．１〜３０重量係溶液、好ましく
は１〜１０重：１１％溶液に調整し、この溶液を刷毛塗
シ法、浸漬法、回転塗布法、スプレー法、印刷法などに
よυ塗布し、基板上に塗膜を形成する。塗布後、１００
〜４５０℃、好ましくは１５０〜３００℃で加熱処理を
行ない、脱水閉環反応させてポリイミド系高分膜からな
る液晶配向膜を設ける。もし得られたポリイミド系高分
子膜の基板への接着性が良好でない場合には、事前に基
板表面上にシランカップリング剤で表面処理を行なった
後、ポリイミド系高分子膜を形成すれば改善される。し
かる後、この被膜面を布などで一方向にラビングして、
液晶配列制御膜を得る。

この基板は、通常は基板上に電極、具体的にはＩＴＯ（
酸化インジウム−酸化スズ）や酸化スズの透明電極が形
成されている。更に、この電極の下に基板からのアルカ
リの溶出の防止の目的の絶縁膜、偏光板、カラーフィル
ター等のアンダーコート膜を形成していてもよく、電極
の上に絶縁膜、カラーフィルター膜、光透過防止膜等の
オーバーコート膜を形成していてもよい。これらの電極
を絶縁膜を解して２層構造にしても良い。ＴＰＴ。

非直線抵抗素子等の能動素子を形成していても良い。こ
れらの電極、アンダーコート、その他のセル内の構成は
従来の液晶素子の構成が使用可能である。

このようにして形成された基板を使用してセル化し、液
晶を注入して、注入口を封止する。この封入される液晶
としては、通常のネマチック液晶のほか、二色性色素を
添加した液晶や、強誘電性液晶（ＳｍＣ液晶）等種々の
液晶が使用できる。

プレチルト角の測定は、前記の手段によって液晶素子基
板上に設けられたポリイミド系高分子膜をラビング装置
（飯沼ゲージ■製液晶セルラピング装置）で一方向にラ
ビングし、セル厚が約２０μｍのラビング方向が平行で
、かつ互いに対向するように液晶素子を組み立て、クリ
スタルローテーション法（Ｔ、　Ｊ、　５ｃｈａｆｆｅ
ｒ　ａｎｄ　Ｊ、　Ｎｅｈｒｉｎｇ　。

Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　４８　（５）　１７８
３　（１９７７）　）により行逢った。

（実施例）以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されない。

実施例１ポリエーテルイミドは以下の方法で作領１した。

５００ゴのセパラブルフラスコに、撹拌装置、温度計、
コンデンサーおよび窒素置換装置を付し、フラスコ内を
窒素で置換した後、脱水精製したＮ−メチル−２−ピロ
リドン２００ｄを添加した。

ついで、ｌ、１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル）−４−ｎ７”ロピルシクロヘキサン２９．９
６ｇ（６０，８１ミリモル）を仕込み撹拌溶解した後、
水浴により５℃に冷却した。つぎにピロメリット酸二無
水物１５．１６ｇ（６９，５１ミリモル）を−度に投入
し、冷却しながら撹拌反応すると、反応系は徐々に粘度
が上昇しながら１７℃まで発熱した。１時間３０分反応
後、パラアミノフェニルメトキシシラン３．３６　！ｉ
（５，７５ミリモル）を加え、１０３１時間撹拌反応に
より、１０重量係でピロメリット酸二無水物、１，１−
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−
ｎプロピルシクロヘキサンおよびパラアミノフェニルト
リメトキシシランのモル比がそれぞれ８　：　７　：　
１．８からなるポリアミック酸透明溶液が得られた。こ
の溶液の２５℃での（東京計器■製Ｅ型粘度計を使用し
、温度２５±０．１℃で測定した。）は５７６センチポ
イズであった。この溶液を更に４５℃で加熱撹拌し、２
５℃で粘度２２８センチポイズの溶液を得た。この溶液
をブチルセロソルブ、ＮＭＰでそれぞれ１：２：２の割
合で希釈した後、片面にＩＴＯ透明電極を設けた透明ガ
ラス基板上に回転塗布法（スピンナー法）で塗布した。

塗布条件は回転数１．５０Ｏｒｐｍ、２０秒で予備乾燥
し、２００℃９０分で加熱処理を行ない、塗膜の厚さ約
１，０ＯＯＡのポリエーテルイミド高分子膜を得た。

続いて、２枚の基板の塗膜面をそれぞれラビング処理し
、ラビング方向が平行で、かつ互いに対向するようにセ
ル厚２０μ虞の液晶セルを組み立て、メルク社製液晶Ｚ
ＬＩ−１１３２を封入した。

封入後、等方性液体温度まで加熱し、徐冷することによ
って液晶素子を得た。

この液晶素子の配向性は良好であり、前述のプレチルト
角の測定法により得られたこの液晶のプレチルト角は１
１．８度であった。

実施例２〜５実施例１の１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル）−４−ｎプロピルシクロヘキサンを他のジ
アミノ化合物に置き換える以外は、実施例１とまったく
同様の操作で、１０重量係でピロメリット酸二無水物、
ジアミノ化合物およびパラアミノフェニルトリメトキシ
シランのモル比がそれぞれ８ニア：１．８からなるポリ
アミック酸透明溶液が得られた。この溶液を実施例１と
同様の操作で希釈、塗布、加熱処理を行い、膜厚的１、
００　ＯＡのポリエーテルイミド高分子膜を作成し、セ
ル厚２０μｍの液晶素子を得た。この液晶素子の配向性
は良好であった。表１に、使用したジアミノ化合物とポ
リアミック酸溶液の２５℃での粘度および得られた液晶
素子のプレチルト角を示す。

比較例ＩＮ−メチル−２−ピロリドン６１ＷＬｌに２，２−ビス
Ｃ４−Ｃ４−アミノフェノキシ）フェニル３フ０８フ２
．１６Ｍ５．２７ミ！Ｊモル）を撹拌溶解した後、水浴
によ′り５℃に冷却した。つぎに、ピロメリット酸二無
水物１．１５＃（５，２７ミリモル）を１度に投入し、
冷却しながら撹拌反応をした。

２時間反応後、６，６７重量係で２，２−ビス〔４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ピロメリ
ット酸二無水物のモル比が１：１からなるポリアミック
酸透明溶液が得られた。この溶液の２５℃での粘度は２
０３センチボイズであった。

この溶液をブチルセロソルブで希釈し、ポリアミック酸
の２．５％溶液とした後、実施例１と同様の操作で膜厚
約１．００　ＯＡのポリエーテルイミド高分子膜を作成
し、液晶素子を得た。この液晶素子の配向性は良好であ
シ、得られたプレチルト角は５度であった。

（作用及び効果）本発明により、高いプレチルト角を有する液晶配向膜が
容易に得られる。高いプレチルト角は（２）式の構造単
位を有するポリエーテルイミド高分子膜をラビング処理
することにより容易に得られるので工業的規模で液晶素
子を製造するのに好適である。また、プレチルト角は、
（２）式におけるＲ６〜Ｒ０のアルキル鎖長を変えるこ
とにより、７度から垂直まで可変することが可能である
。

本発明の液晶配向膜を用いることにより、表示品位の良
好なＳＴＮモードの液晶デイスプレーが実現できる。

以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……‥（１）（式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は、水素、炭素数１〜１５のア
ルキル基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５の
アルキル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同
じであつても、一部もしくは全部が異なつていてもよい
。）で示される置換シクロヘキシリデン基もしくはシク
ロヘキシリデン基を分子長鎖に含む高分子を主成分とす
ることを特徴とする液晶配向膜。
（２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（２）（式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は、水素、炭素数１〜１５のア
ルキル基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５の
アルキル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同
じであつても、一部もしくは全部が異なつてもよい。ま
たＹは ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
学式、表等があります▼を示し、ｎは０もしくは１であ
る。そして、Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿４は水素、炭素数１〜３
のアルキル基、フッ素または塩素であり、相互に同じで
あつても一部もしくは全部が異なつてもよく、Ａｒは４
価の芳香族基を示す。）で表わされる構造単位を有する
ポリイミドを主成分とする液晶配向膜。
（３）下記の式（３）で示されるテトラカルボン酸二無
水物、式（４）、（５）もしくは（６）で表わされるジ
アミノ化合物を溶媒中で混合し、反応を行ない、ポリア
ミツク酸を生成し、該ポリアミツク酸を、必要により式
（７）のシリコン化合物と共に加熱することにより得ら
れる請求項（２）で示される液晶配向膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼…………（３） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（４） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（５） ▲数式、化学式、表等があります▼……（６）ＮＨ＿２−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ＿１＿５）＿３‥‥‥‥（７
）（ここで、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は水素、炭素数１〜１５のア
ルキル基、シクロヘキシル基もしくは炭素数１〜１５の
アルキル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同
じであつても、一部もしくは全部が異なつてもよい。ま
た、Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿４は水素、炭素数１〜３のアルキ
ル基、フッ素または塩素であり、相互に同じであつても
一部もしくは全部が異なつてもよく、そしてＡｒは４価
の芳香族基、Ｚは炭素数２〜１０のアルキレン基もしく
はフェニレン基、Ｒ＿１＿５は炭素数１〜１０のアルキ
ル基を示す。）
（４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥‥‥‥（８）（式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は、水素、炭素数１〜１５のア
ルキル基、シクロヘキシル基または炭素数１〜１５のア
ルキル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同じ
であつても、一部もしくは全部が異なつてもよい。また
、Ｒ＿１〜Ｒ＿１＿４は、水素、炭素数１〜３のアルキ
ル基、フッ素または塩素であり、相互に同じであつても
、一部もしくは全部が異なつてもよい。そして、Ａｒは
４価の芳香族基を示す。）で表わされる構造単位を有す
るポリエーテルポリイミドを主成分とする請求項（２）
もしくは（３）記載の液晶配向膜。
（５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ −Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ＿１＿５）＿３‥‥‥‥‥（９）（ここで、Ｚは炭素数２〜１０のアルキレンもしくはフ
ェニレン基、Ｒ＿１＿５は炭素数１〜１０のアルキル基
を示す。）で表わされる置換イミノ基を有する請求項（
４）記載の液晶配向膜。
（６）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（１０）（式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は水素、炭素数１〜１５のアル
キル基、シクロヘキシル基、または、炭素数１〜１５の
アルキル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同
じであつても一部もしくは全部が異なつてもよい。また
、Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿０は、水素、炭素数１〜３のアルキ
ル基、フッ素または塩素を示し、相互に同じであつても
、一部もしくは全部が異なつてもよい。そして、Ａｒは
４価の芳香族を示す。）で表わされる構造単位を有する
ポリエーテルポリイミドを主成分とする請求項（２）も
しくは（３）記載の液晶配向膜。
（７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（１１）（式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は水素、炭素数１〜１５のアル
キル基、シクロヘキシル基または炭素数１〜１５のアル
キル基を有するシクロヘキシル基であり、相互に同じで
あつても、一部もしくは全部が異なつてもよい。また、
Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿０は水素、炭素数１〜３のアルキル基
、フッ素または塩素であり、相互に同じであつても、一
部もしくは全部が異なつてもよい。そしてＡｒは４価の
芳香族を示す。）で表わされる構造単位を有するポリイ
ミドを主成分とする請求項（２）もしくは（３）記載の
液晶配向膜。
（８）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（１２）（ここで、Ｚは炭素数２〜４のアルキレン基もしくはフ
ェニレン基、Ｒ＿１＿５は炭素数１〜３のアルキル基を
示す。）で表わされる置換イミノ基を有する請求項（７
）記載の液晶配向膜。
（９）請求項（１）、（２）、（３）、（４）、（５）
、（６）、（７）もしくは（８）記載の液晶配向膜から
なる液晶表示素子。