JPH02210948A - センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 - Google Patents
センサチップ及びそれを用いた光電変換装置Info
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- JPH02210948A JPH02210948A JP1030016A JP3001689A JPH02210948A JP H02210948 A JPH02210948 A JP H02210948A JP 1030016 A JP1030016 A JP 1030016A JP 3001689 A JP3001689 A JP 3001689A JP H02210948 A JPH02210948 A JP H02210948A
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- Japan
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- chip
- light
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- sensor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はセンサチップ及びそれを用いた光電変換装置特
にセンサチップを複数個配列してなるマルチチップ型の
光電変換装置に関する。
にセンサチップを複数個配列してなるマルチチップ型の
光電変換装置に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来、
受光要素を線(ライン)状に配列してなる光電変換装置
(リニアイメージセンサ)はファクシミリ等の画像読取
装置に多く利用されている。
受光要素を線(ライン)状に配列してなる光電変換装置
(リニアイメージセンサ)はファクシミリ等の画像読取
装置に多く利用されている。
リニアイメージセンサのセンサチップはシリコンウェハ
から作られるためにセンサ長はウェハサイズにより制限
を受け、読取原稿の幅と同一の長さのリニアイメージセ
ンサチップを作ることは困難である。このため、結像光
学系を用い読取原稿を縮小結像させて、原稿の相持する
画像を読取っていた。しかし、この様な縮小結像光学系
を利用するものは、光学系のためのスペースが必要とな
るので小型化が困難であり、また解像度を十分なものと
することが困難である。
から作られるためにセンサ長はウェハサイズにより制限
を受け、読取原稿の幅と同一の長さのリニアイメージセ
ンサチップを作ることは困難である。このため、結像光
学系を用い読取原稿を縮小結像させて、原稿の相持する
画像を読取っていた。しかし、この様な縮小結像光学系
を利用するものは、光学系のためのスペースが必要とな
るので小型化が困難であり、また解像度を十分なものと
することが困難である。
そこで、リニアイメージセンサチップを複数個直線状に
配列した、いわゆるマルチチップ型イメージセンサが用
いられる様になっている。
配列した、いわゆるマルチチップ型イメージセンサが用
いられる様になっている。
第5図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
図において、1−1はセンサチップであり、該チップに
はX方向に1列に配列されたn個の受光要素2−1−1
〜2−1−nが形成されている。
はX方向に1列に配列されたn個の受光要素2−1−1
〜2−1−nが形成されている。
また、上記デツプ1−1には各受光要素2−1−1〜2
−1−nの出力を順次選択する選択回路3−1が形成さ
れている。また、上記チップ1−1には上記選択回路3
−1の出力を増幅する増幅器4−1が形成されており、
該増幅器の出力は出力線5−1からチップ外へと出力さ
れる。
−1−nの出力を順次選択する選択回路3−1が形成さ
れている。また、上記チップ1−1には上記選択回路3
−1の出力を増幅する増幅器4−1が形成されており、
該増幅器の出力は出力線5−1からチップ外へと出力さ
れる。
上記選択回路3−1は入力線8−1を介して外部駆動回
路により駆動される。
路により駆動される。
1−2〜l−mは上記センサチップl−1と同様の構成
を有するセンサチップであり、対応する部分には対応す
る符号が付されている。
を有するセンサチップであり、対応する部分には対応す
る符号が付されている。
センサチップl−1〜1−mはX方向に1列に配列され
ており、従って(nXm)個の全受光要素がX方向に1
列に配列されていることになる。
ており、従って(nXm)個の全受光要素がX方向に1
列に配列されていることになる。
そして、画像読取りの際には、銃砲り画像を担持する原
稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相対
的にy方向に搬送する。
稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相対
的にy方向に搬送する。
チップ1−1の全受光fillからの出力が選択回路3
−1により順次選択され出力線5−1から外部へと出力
され、次いでチップ1−2の全受光要素からの出力が選
択回路3−2により順次選択され出力線5−2から外部
へと出力され、以下同様にして順次受光要素から信号の
読出しが行なわれ、結局全受光要素の出力が時系列的に
出力される。
−1により順次選択され出力線5−1から外部へと出力
され、次いでチップ1−2の全受光要素からの出力が選
択回路3−2により順次選択され出力線5−2から外部
へと出力され、以下同様にして順次受光要素から信号の
読出しが行なわれ、結局全受光要素の出力が時系列的に
出力される。
しかして、以上の様な従来のマルチチップ型イメージセ
ンサにおいては、各チップに関し受光要素からセンサチ
ップ外に信号の出力を行なっていない時間にも増幅器が
動作状態にあり、このためセンサチップの数が多くなる
と不要な消費電力の増大や発熱によるチップ温度上昇に
ともなラセンサ特性の劣化等の問題点があった。
ンサにおいては、各チップに関し受光要素からセンサチ
ップ外に信号の出力を行なっていない時間にも増幅器が
動作状態にあり、このためセンサチップの数が多くなる
と不要な消費電力の増大や発熱によるチップ温度上昇に
ともなラセンサ特性の劣化等の問題点があった。
そこで1本発明は、上記従来技術に鑑み、マルチチップ
型光電変換装置の消費電力を低減させ、発熱による温度
上昇に基づくセンサ特性の劣化のない光電変換装置及び
該光電変換装置を構成するセンサチップを提供すること
を目的とする。
型光電変換装置の消費電力を低減させ、発熱による温度
上昇に基づくセンサ特性の劣化のない光電変換装置及び
該光電変換装置を構成するセンサチップを提供すること
を目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば、上記の目的は。
複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個配列し
てなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられるセン
サチップにおいて、該センサチップはセンサチップの受
光要素からの出力信号を増幅する増幅器と上記受光要素
からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含む期
間のみ上記増幅器を動作状態とし且つ上記期間外は該増
幅器を非動作状態とする制御回路とを有することを特徴
とする、センサチップ、 により達成される。
てなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられるセン
サチップにおいて、該センサチップはセンサチップの受
光要素からの出力信号を増幅する増幅器と上記受光要素
からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含む期
間のみ上記増幅器を動作状態とし且つ上記期間外は該増
幅器を非動作状態とする制御回路とを有することを特徴
とする、センサチップ、 により達成される。
本発明センサチップにおいては、受光要素がトランジス
タの制御電極領域に光励起キャリアを蓄積する方式のも
のとすることができる。
タの制御電極領域に光励起キャリアを蓄積する方式のも
のとすることができる。
また、本発明センサチップにおいては、各受光要素から
の出力信号を順次選択して共通の増幅器に入力させる選
択回路が設けられており、該選択回路からの信号により
制御回路が動作せしめられるものとすることができる。
の出力信号を順次選択して共通の増幅器に入力させる選
択回路が設けられており、該選択回路からの信号により
制御回路が動作せしめられるものとすることができる。
また、本発明センサチップにおいては、上記期間の開始
時点が実際に受光要素からセンサチップ外に最初の信号
出力を開始する時点の少し前であるものとすることがで
きる。
時点が実際に受光要素からセンサチップ外に最初の信号
出力を開始する時点の少し前であるものとすることがで
きる。
本発明によれば、また、上記の目的は、複数個の受光要
素を有するセンサチップを複数個配列してなるマルチチ
ップ型の光電変換装置において、各センサチップに受光
要素からの出力信号を増幅する増幅器が設けられており
、各センサチップに関し受光¥!素からセンナチップ外
に信号の出力を行なう時間を含む期間のみ上記増幅器を
動作状態とし且つ上記期間外は該増4111器を非動作
状態とする制御回路をセンサチップ内に設けてなること
を特徴とする。光電変換装置。
素を有するセンサチップを複数個配列してなるマルチチ
ップ型の光電変換装置において、各センサチップに受光
要素からの出力信号を増幅する増幅器が設けられており
、各センサチップに関し受光¥!素からセンナチップ外
に信号の出力を行なう時間を含む期間のみ上記増幅器を
動作状態とし且つ上記期間外は該増4111器を非動作
状態とする制御回路をセンサチップ内に設けてなること
を特徴とする。光電変換装置。
により達成される。
本発明光電変換装置においては、各センサチップにおい
て受光要素が複数個直線状に配置されており、該センナ
チップが受光要素の配列方向に沿って配列されているも
のとすることができる。
て受光要素が複数個直線状に配置されており、該センナ
チップが受光要素の配列方向に沿って配列されているも
のとすることができる。
[実施例]
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第1図は本発明の光電変換装置の第1の実施例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
図において、1−1はセンサチップであり、該チップは
シリコン等の半導体を用いてなるものである。該チップ
にはX方向に1列に配列されたn個の受光要素2−1−
1〜2−1−nが形成されている。該受光要素はトラン
ジスタの制御電極領域に光励起キャリアを蓄積し適時該
蓄積電荷に応じた出力を取出す方式のものである。また
、上記チップl−1には各受光要素2−1−1〜2−1
−nの出力を順次選択する選択回路3−1が形成されて
いる。また、上記チップl−1には上記選択回路3−1
の出力を増幅する増幅器4−1が形成されており、該増
幅器の出力は出力線5−1からチップ外へと出力される
。
シリコン等の半導体を用いてなるものである。該チップ
にはX方向に1列に配列されたn個の受光要素2−1−
1〜2−1−nが形成されている。該受光要素はトラン
ジスタの制御電極領域に光励起キャリアを蓄積し適時該
蓄積電荷に応じた出力を取出す方式のものである。また
、上記チップl−1には各受光要素2−1−1〜2−1
−nの出力を順次選択する選択回路3−1が形成されて
いる。また、上記チップl−1には上記選択回路3−1
の出力を増幅する増幅器4−1が形成されており、該増
幅器の出力は出力線5−1からチップ外へと出力される
。
本実施例では、チップt−iには上記増幅器4−1に対
し動作状態及び非動作状態の切換え制御信号を出力する
制御回路6−1が形成されている。該制御回路は入力線
7−1を介して外部駆動回路により駆動される。また、
上記選択回路3−1も入力MA8−1を介して外部駆動
回路により駆動される。
し動作状態及び非動作状態の切換え制御信号を出力する
制御回路6−1が形成されている。該制御回路は入力線
7−1を介して外部駆動回路により駆動される。また、
上記選択回路3−1も入力MA8−1を介して外部駆動
回路により駆動される。
1−2〜1−mは一ヒ記センサチッ;1−1と同様の構
成を有するセンサチップであり、対応する部分には対応
する符号が付されている。
成を有するセンサチップであり、対応する部分には対応
する符号が付されている。
センサチップl−1〜1−mはX方向に1列に配列され
ており、従って(n X m)個の全受光要素がX方向
に1列に配列されていることになる。
ており、従って(n X m)個の全受光要素がX方向
に1列に配列されていることになる。
全センサチップは不図示の基体上に配列固定されている
。そして、!!i像読取りの際には、読取り画像を担持
する原稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対し
て相対的にX方向に搬送する8次に、本実施例の動作を
説明する。
。そして、!!i像読取りの際には、読取り画像を担持
する原稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対し
て相対的にX方向に搬送する8次に、本実施例の動作を
説明する。
第2図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。
ミング図である。
図において、φLは上記センサチップ1−1における制
御回路6−1の出力制御信号を示し、φ2は上記センサ
チップ1−2における制御回路6−2の出力制御信号を
示し、V o u t IVout2はそれぞれセンサ
チップ!−1の増幅器4−1の出力及びセンサチップ1
−2の増幅器4−2の出力を示す。
御回路6−1の出力制御信号を示し、φ2は上記センサ
チップ1−2における制御回路6−2の出力制御信号を
示し、V o u t IVout2はそれぞれセンサ
チップ!−1の増幅器4−1の出力及びセンサチップ1
−2の増幅器4−2の出力を示す。
上記φ1は入力線8−1により駆動される選択回路3−
1の動作と同期しており、即ちチップl−1の全受光要
素からの出力が該選択回路により順次選択される時間を
含む特定期間だけφ1の出力があり、この期間内だけ増
幅器4−1が動作状態とされ、Voutlの出力がある
。もちろん、aVoutxの出力にはセンサチップl−
1の全受光要素からの出力が含まれている。
1の動作と同期しており、即ちチップl−1の全受光要
素からの出力が該選択回路により順次選択される時間を
含む特定期間だけφ1の出力があり、この期間内だけ増
幅器4−1が動作状態とされ、Voutlの出力がある
。もちろん、aVoutxの出力にはセンサチップl−
1の全受光要素からの出力が含まれている。
同様に、上記φ2は入力線8−2により駆動される選択
回路3−2の動作と同期しており、即ちチップl−2の
全受光要素からの出力が該選択回路により順次選択され
る時間を含む特定期間だけφ2の出力があり、この期間
内だけ増幅器4−2が動作状態とされ、V Ou t
2の出力がある。もちろん、該Vout2の出力にはセ
ンサチップl−2の全受光ji!素からの出力が含まれ
ている。
回路3−2の動作と同期しており、即ちチップl−2の
全受光要素からの出力が該選択回路により順次選択され
る時間を含む特定期間だけφ2の出力があり、この期間
内だけ増幅器4−2が動作状態とされ、V Ou t
2の出力がある。もちろん、該Vout2の出力にはセ
ンサチップl−2の全受光ji!素からの出力が含まれ
ている。
第2図に示される様に、E記φ2の期間の開始時点は上
記φ1の期間の終了時点と同時である。
記φ1の期間の終了時点と同時である。
以下、同様にして、順次3番目以降のセンサチップ1−
3〜l−mにおける制御回路6−3〜B−mの出力制御
信号が発せられる。
3〜l−mにおける制御回路6−3〜B−mの出力制御
信号が発せられる。
以上の様にして、順次受光要素から信号の読出しが行な
われ、結局全受光要素の出力が時系列的に出力される。
われ、結局全受光要素の出力が時系列的に出力される。
本例では、各センサチップに関し受光要素から信号が出
力されている時間にほぼ相轟する期tlffにおいての
みkPj幅器が動作状態とされ且つ該期間以外の期間に
おいては増幅器は非動作状態とされるので、全増幅器4
−1〜4−mの消費電力は従来のl / mでよいこと
になる。
力されている時間にほぼ相轟する期tlffにおいての
みkPj幅器が動作状態とされ且つ該期間以外の期間に
おいては増幅器は非動作状態とされるので、全増幅器4
−1〜4−mの消費電力は従来のl / mでよいこと
になる。
第3図は上記実施例の動作の他の一例を説明するための
タイミング図である0本図において、上記第2図におけ
ると同様の符号が用いられている。
タイミング図である0本図において、上記第2図におけ
ると同様の符号が用いられている。
本例では1図示される様に、第1のセンサチップにおけ
る制御信号φJと第2のセンサチップにおける制御信号
φ2とは時間tだけ重なっている。そして、該φ1及び
φ2は各センサチップにおいて選択回路で最初の受光要
素が選択される少し#(時間tだけ前)に動作状態とさ
れる。38目以降のセンサチップについても同様である
。
る制御信号φJと第2のセンサチップにおける制御信号
φ2とは時間tだけ重なっている。そして、該φ1及び
φ2は各センサチップにおいて選択回路で最初の受光要
素が選択される少し#(時間tだけ前)に動作状態とさ
れる。38目以降のセンサチップについても同様である
。
この様に各制御信号を各センサチップの最初の受光要素
の読出しの少し前のタイミングで開始することにより、
各増幅器が動作を開始して安定化するまでの時間を確保
でき、各センサチップにおいて最初に選択される受光要
素を含めて全ての受光要素の信号を良好な精度で出力す
ることができる。また、この際の制御信号の重なりの時
間は全体の時間からみて十分に小さいので、上記第2図
の例に対しても消費電力の増加は極めて小さい。
の読出しの少し前のタイミングで開始することにより、
各増幅器が動作を開始して安定化するまでの時間を確保
でき、各センサチップにおいて最初に選択される受光要
素を含めて全ての受光要素の信号を良好な精度で出力す
ることができる。また、この際の制御信号の重なりの時
間は全体の時間からみて十分に小さいので、上記第2図
の例に対しても消費電力の増加は極めて小さい。
第1図は本発明の光電変換装置の第2の実施例を示す概
略構成図である0本図において、上記第1図におけると
同様の部材には同一の符号が付されている。
略構成図である0本図において、上記第1図におけると
同様の部材には同一の符号が付されている。
本実施例は、各センサチップにおいて制a回路e−t〜
6−mがそれぞれ選択回路3−1〜3−mからの制御信
号により制御されることを除いて上記第1実施例と同様
である。
6−mがそれぞれ選択回路3−1〜3−mからの制御信
号により制御されることを除いて上記第1実施例と同様
である。
即ち、入力線8−1〜8−mから選択回路3−1〜3−
mに対し各チップの全受光要素からの出力を順次選択す
る動作指令信号が入力されている時間に対応して該選択
回路から制御回路に対し信号が与えられ、これにより上
記第1実施例と同様にして増幅器の動作状態及び非動作
状態の切換え制御が行なわれる。
mに対し各チップの全受光要素からの出力を順次選択す
る動作指令信号が入力されている時間に対応して該選択
回路から制御回路に対し信号が与えられ、これにより上
記第1実施例と同様にして増幅器の動作状態及び非動作
状態の切換え制御が行なわれる。
本実施例によれば、上記第1実施例に比べて。
増幅器の動作状態及び非動作状態の切換え自動的に設定
でき、#IIdIa器用の出力をもつ外部駆動回路を用
いる必要がなく、更に上記第1実施例の様に外部駆動回
路から各チップの制御回路に対し配線7−1〜7− r
nを設ける必要がないため外部回路が簡単化される。
でき、#IIdIa器用の出力をもつ外部駆動回路を用
いる必要がなく、更に上記第1実施例の様に外部駆動回
路から各チップの制御回路に対し配線7−1〜7− r
nを設ける必要がないため外部回路が簡単化される。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、外部に特別の回
路を設けることなしに、マルチチップ型の光電変換装置
における消費電力の低減に大きな効果があり、更に電力
消費に基づく発熱を低減させ特性の劣化を防止できると
いう効果がある。
路を設けることなしに、マルチチップ型の光電変換装置
における消費電力の低減に大きな効果があり、更に電力
消費に基づく発熱を低減させ特性の劣化を防止できると
いう効果がある。
第1図は本発明の光電変!lI装置の第1の実施例を示
す概略構成図である。 第2図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第3図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第4図は本発明の光電変換装置の第2の実施例を示す概
略構成図である。 第5図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。 l−1−1−m:センサチップ、 2−1−1〜2−m−n:受光要素。 3−1〜3−m:選択回路、 4−1〜4−m:*@器、 8−1〜6−m:制御回路。 代理人 弁理士 山 下 積 平 out 2 −−−一一圧圧一皿■−
す概略構成図である。 第2図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第3図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第4図は本発明の光電変換装置の第2の実施例を示す概
略構成図である。 第5図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。 l−1−1−m:センサチップ、 2−1−1〜2−m−n:受光要素。 3−1〜3−m:選択回路、 4−1〜4−m:*@器、 8−1〜6−m:制御回路。 代理人 弁理士 山 下 積 平 out 2 −−−一一圧圧一皿■−
Claims (6)
- (1)複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個
配列してなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられ
るセンサチップにおいて、該センサチップはセンサチッ
プの受光要素からの出力信号を増幅する増幅器と上記受
光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を
含む期間のみ上記増幅器を動作状態とし且つ上記期間外
は該増幅器を非動作状態とする制御回路とを有すること
を特徴とする、センサチップ。 - (2)受光要素がトランジスタの制御電極領域に光励起
キャリアを蓄積する方式のものである、請求項1に記載
のセンサチップ。 - (3)各受光要素からの出力信号を順次選択して共通の
増幅器に入力させる選択回路が設けられており、該選択
回路からの信号により制御回路が動作せしめられる、請
求項1に記載のセンサチップ。 - (4)上記期間の開始時点が実際に受光要素からセンサ
チップ外に最初の信号出力を開始する時点の少し前であ
る、請求項1に記載のセンサチップ。 - (5)複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個
配列してなるマルチチップ型の光電変換装置において、
各センサチップに受光要素からの出力信号を増幅する増
幅器が設けられており、各センサチップに関し受光要素
からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含む期
間のみ上記増幅器を動作状態とし且つ上記期間外は該増
幅器を非動作状態とする制御回路をセンサチップ内に設
けてなることを特徴とする、光電変換装置。 - (6)各センサチップにおいて受光要素が複数個直線状
に配置されており、該センサチップが受光要素の配列方
向に沿って配列されている、請求項5に記載の光電変換
装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030016A JPH02210948A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
| DE69027346T DE69027346T2 (de) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensorchip und dieser benutzendes photoelektrisches Umwandlungsgerät |
| SG1996006788A SG48065A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
| EP90301355A EP0382540B1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
| US08/465,189 US5592222A (en) | 1989-02-10 | 1995-06-05 | Sensor chip and photo-electric conversion apparatus using the same |
| HK121197A HK121197A (en) | 1989-02-10 | 1997-06-26 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030016A JPH02210948A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210948A true JPH02210948A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12292056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030016A Pending JPH02210948A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02210948A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534757B2 (en) | 1998-01-30 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor noise reduction |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157060A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1030016A patent/JPH02210948A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157060A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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