JPH02210947A - センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 - Google Patents
センサチップ及びそれを用いた光電変換装置Info
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- JPH02210947A JPH02210947A JP1030015A JP3001589A JPH02210947A JP H02210947 A JPH02210947 A JP H02210947A JP 1030015 A JP1030015 A JP 1030015A JP 3001589 A JP3001589 A JP 3001589A JP H02210947 A JPH02210947 A JP H02210947A
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- Japan
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- sensor chip
- switch
- chip
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はセンサチップ及びそれを用いた光電変換装置特
にセンサチップを複数個配列してなるマルチチップ型の
光電変換装置に関する。
にセンサチップを複数個配列してなるマルチチップ型の
光電変換装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］従来、
受光要素を線（ライン）状に配列してなる光電変換装Ｍ
（リニアイメージセンサ）はファクシミリ等の画像読取
装置に多く利用されている。
受光要素を線（ライン）状に配列してなる光電変換装Ｍ
（リニアイメージセンサ）はファクシミリ等の画像読取
装置に多く利用されている。
リニアイメージセンサのセンサチップはシリコンウェハ
から作られるためにセンサ長はウェハサイズにより制限
を受け、読取原稿の幅と同一の長さのリニアイメージセ
ンサチップを作ることは困難である。このため、結像光
学系を用い読取原稿を縮小結像させて、原稿の担持する
画像を読取っていた。しかし、この様な縮小結像光学系
を利用するものは、光学系のためのスペースが必要とな
るので小型化が困難であり、また解像度を十分なものと
することが困難である。
から作られるためにセンサ長はウェハサイズにより制限
を受け、読取原稿の幅と同一の長さのリニアイメージセ
ンサチップを作ることは困難である。このため、結像光
学系を用い読取原稿を縮小結像させて、原稿の担持する
画像を読取っていた。しかし、この様な縮小結像光学系
を利用するものは、光学系のためのスペースが必要とな
るので小型化が困難であり、また解像度を十分なものと
することが困難である。
そこで、リニアイメージセンサチップを複数個直線状に
配列した。いわゆるマルチチップ型イメージセンサが用
いられる様になっている。
配列した。いわゆるマルチチップ型イメージセンサが用
いられる様になっている。
第４図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
図において、１−１はセンサチップであり、該チップに
はＸ方向に１列に配列されたｎ個の受光要素２−１−１
〜２−１−ｎが形成されている。
はＸ方向に１列に配列されたｎ個の受光要素２−１−１
〜２−１−ｎが形成されている。
また、上記チップｌ−１には各受光要素２−１−１〜２
−１−ｎの出力を順次選択する選択回路３−１が形成さ
れている。また、Ｌ記チフプ１−１には上記選択回路３
−１の出力を増幅する増幅器４−１が形成されており、
該増幅器の出力は出力線５−１からチップ外へと出力さ
れる。
−１−ｎの出力を順次選択する選択回路３−１が形成さ
れている。また、Ｌ記チフプ１−１には上記選択回路３
−１の出力を増幅する増幅器４−１が形成されており、
該増幅器の出力は出力線５−１からチップ外へと出力さ
れる。
上記選択回路３−１は入力線ａ−ｉを介して外部駆動回
路により駆動される。
路により駆動される。
１−２〜１−ｍは上記センサチップ１−１と同様の構成
を有するセンサチップであり、対応する部分には対応す
る符号が付されている。
を有するセンサチップであり、対応する部分には対応す
る符号が付されている。
センサチップｌ−１−１−ｍはＸ方向に１列に配列され
ており、従って（ｎＸｍ）個の全受光要素がＸ方向に１
列に配列されていることになる。
ており、従って（ｎＸｍ）個の全受光要素がＸ方向に１
列に配列されていることになる。
そして、画像読取りの際には、読堆り画像を担持する原
稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相対
的にＸ方向に搬送する。
稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相対
的にＸ方向に搬送する。
チップ１−１の全受光ｌｊ［素からの出力が選択回路３
−１により順次選択され出力線５−１から外部へと出力
され、次いでチップ１−２の全受光要素からの出力が選
択回路３−２により順次選択され出力線５−２から外部
へと出力され、以下同様にして順次受光要素から信号の
読出しが行なわれ、結局全受光ｆｆＪの出力が時系列的
に出力される。
−１により順次選択され出力線５−１から外部へと出力
され、次いでチップ１−２の全受光要素からの出力が選
択回路３−２により順次選択され出力線５−２から外部
へと出力され、以下同様にして順次受光要素から信号の
読出しが行なわれ、結局全受光ｆｆＪの出力が時系列的
に出力される。
しかして、以上の様な従来のマルチチップ型イメージセ
ンサにおいては、各センサチップの出力信号は外部信号
処理回路まで独立に取出されているため、信号線が多く
、配線が複雑化するという問題点があった。この様な問
題点を解決するためには、共通の信号線を用いて外部信
号処理回路まで信号取出しを行なえばよいのであるが、
上記の様に受光要素からセンサチップ、外に信号の出力
を行なっていないものを含め全センサチップが出力線と
接続されているため、クロストークが生じやすく読取り
信号のＳ／Ｎが低下しやすくなる。
ンサにおいては、各センサチップの出力信号は外部信号
処理回路まで独立に取出されているため、信号線が多く
、配線が複雑化するという問題点があった。この様な問
題点を解決するためには、共通の信号線を用いて外部信
号処理回路まで信号取出しを行なえばよいのであるが、
上記の様に受光要素からセンサチップ、外に信号の出力
を行なっていないものを含め全センサチップが出力線と
接続されているため、クロストークが生じやすく読取り
信号のＳ／Ｎが低下しやすくなる。
そこで、本発明は、上記従来技術に鑑み、複数のセンサ
チップから共通の信号線を用いて外部信号処理回路まで
信号取出しを行ない比つ読取り信号のＳ／Ｎ低下の殆ど
ないマルチチップ型の光電変換装置及び該光電変換装置
を構成するセンサチップを提供することを目的とする。
チップから共通の信号線を用いて外部信号処理回路まで
信号取出しを行ない比つ読取り信号のＳ／Ｎ低下の殆ど
ないマルチチップ型の光電変換装置及び該光電変換装置
を構成するセンサチップを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、上記の目的は、
複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個配列し
てなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられるセン
サチップにおいて、該センサチップはセンサチップの受
光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう出力信
号線と該出力信号線を断続するスイッチと上記受光要素
からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含む期
間のみ上記スイッチを開状態とし且つ上記期間外は該ス
イッチを開状態とする制御回路とを有することを特徴と
する。センサチップ、 により達成される。
てなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられるセン
サチップにおいて、該センサチップはセンサチップの受
光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう出力信
号線と該出力信号線を断続するスイッチと上記受光要素
からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含む期
間のみ上記スイッチを開状態とし且つ上記期間外は該ス
イッチを開状態とする制御回路とを有することを特徴と
する。センサチップ、 により達成される。
本発明センサチップにおいては、受光要素がトランジス
タのｆ’ｌｊ制御電極領域に光励起キャリアを蓄積する
方式のものとすることができる。
タのｆ’ｌｊ制御電極領域に光励起キャリアを蓄積する
方式のものとすることができる。
また、本発明センサチップにおいては、各受光要素から
の出力信号を順次選択する選択回路が設けられており、
制御回路が該選択回路からの信号により動作せしめられ
るものとすることができ、ここで選択回路の出力が共通
の増幅器に入力せしめられており、該増幅器の出力信号
線にスイッチが介在しているものとすることができる。
の出力信号を順次選択する選択回路が設けられており、
制御回路が該選択回路からの信号により動作せしめられ
るものとすることができ、ここで選択回路の出力が共通
の増幅器に入力せしめられており、該増幅器の出力信号
線にスイッチが介在しているものとすることができる。
本発明によれば、また、１：、記の目的は、複数個の受
光要素を有するセンサチップを複数個配列してなるマル
チチップ型の光電変換装置において、各センサチップの
受光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう出力
信号線が共通の信号線に接続されており、上記各センサ
チップには上記出力信号線を断続するスイッチが設けら
れており、各センサチップに関し受光要素からセンサチ
ップ外に信号の出力を行なう時間を含む期間のみ上記ス
イッチを閉状態とし且つ一ヒ記期間外は該スイッチを開
状態とする制御回路をセンサチップ内に設けてなること
を特徴とする、光電変換装置。
光要素を有するセンサチップを複数個配列してなるマル
チチップ型の光電変換装置において、各センサチップの
受光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう出力
信号線が共通の信号線に接続されており、上記各センサ
チップには上記出力信号線を断続するスイッチが設けら
れており、各センサチップに関し受光要素からセンサチ
ップ外に信号の出力を行なう時間を含む期間のみ上記ス
イッチを閉状態とし且つ一ヒ記期間外は該スイッチを開
状態とする制御回路をセンサチップ内に設けてなること
を特徴とする、光電変換装置。
により達成される。
本発明光電変換装置においては、各センサチップにおい
て受光要素が複数個直線状に配置されており、該センサ
チップが受光要素の配列方向に沿って配列されているも
のとすることができる。
て受光要素が複数個直線状に配置されており、該センサ
チップが受光要素の配列方向に沿って配列されているも
のとすることができる。
［実施例］
以下１図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第１図は本発明の光電変換装δの一実施例を示す概略構
成図である。
成図である。
図において、１−１はセンサチップであり、該チップは
シリコン等の半導体を用いてなるものである。該チップ
にはＸ方向に１列に配列されたｎ個の受光要素２−１−
１〜２−１−ｎが形成されている。該受光要素はトラン
ジスタの制ｕ４電極領域に光励起キャリアを蓄蹟し適時
状蓄積電荷に応じた出力を取出す方式のものである。ま
た、上記チップｌ−１には各受光要素２−１−１〜２−
１−ｎの出力を順次選択する選択回路３−１が形成され
ている。また、Ｌ記チップ１−１には上記選択回路３−
１の出力を増幅する増幅器４−１が形成されている。
シリコン等の半導体を用いてなるものである。該チップ
にはＸ方向に１列に配列されたｎ個の受光要素２−１−
１〜２−１−ｎが形成されている。該受光要素はトラン
ジスタの制ｕ４電極領域に光励起キャリアを蓄蹟し適時
状蓄積電荷に応じた出力を取出す方式のものである。ま
た、上記チップｌ−１には各受光要素２−１−１〜２−
１−ｎの出力を順次選択する選択回路３−１が形成され
ている。また、Ｌ記チップ１−１には上記選択回路３−
１の出力を増幅する増幅器４−１が形成されている。
本実施例では、チップ１−１には上記増幅器４−１の出
力信号線５−１の断続を行なうアナログスイッチ６−１
及び該スイッチの切換え動作を制御する制御回路７−１
が形成されている。該制御回路は選択回路３−１からの
信号に基づき制御信号を発する。また、」−記選択回路
３−１は入力線８−１を介して外部駆動回路により駆動
される。
力信号線５−１の断続を行なうアナログスイッチ６−１
及び該スイッチの切換え動作を制御する制御回路７−１
が形成されている。該制御回路は選択回路３−１からの
信号に基づき制御信号を発する。また、」−記選択回路
３−１は入力線８−１を介して外部駆動回路により駆動
される。
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は」−記アナログスイッ
チ６−１の具体例を示す回路図である。
チ６−１の具体例を示す回路図である。
第２図（ａ）において、Ｑｔはｎ型ＭＯ３）ランジスタ
であり、該トランジスタのゲートに入力される上記制ｕ
４回路７−１からの制御信号φＣにより、増幅器４−１
の出力たる信号ＶｌｎのＶｏｕｔへの通過が制御される
。
であり、該トランジスタのゲートに入力される上記制ｕ
４回路７−１からの制御信号φＣにより、増幅器４−１
の出力たる信号ＶｌｎのＶｏｕｔへの通過が制御される
。
第２図（ｂ）において、Ｑ２はｐ型ＭＯＳトランジスタ
であり、該トランジスタのゲートに入力される上記制御
回路７−１からの制御信号φＣにより、増幅器４−１の
出力たる信号ＶｉｎのＶｏｕｔへの通過が制御される。
であり、該トランジスタのゲートに入力される上記制御
回路７−１からの制御信号φＣにより、増幅器４−１の
出力たる信号ＶｉｎのＶｏｕｔへの通過が制御される。
第２図（Ｃ）において、ｎ型ＭＯ５）ランジスタＱ１及
びｐ型ＭＯ３）ランジスタＱ２のソース及びドレインが
共通に接続されており、トランジスタＱ１のゲートには
制御信号φＣがそのまま入力され、トランジスタＱ２の
ゲートには制御信号φＣがインバータを介して入力され
、これにより増幅器４−１の出力たる信号ＷｉｎのＶｏ
ｕｔへの通過が制御される０本例はＣ−ＭＯＳタイプの
ゲートである。
びｐ型ＭＯ３）ランジスタＱ２のソース及びドレインが
共通に接続されており、トランジスタＱ１のゲートには
制御信号φＣがそのまま入力され、トランジスタＱ２の
ゲートには制御信号φＣがインバータを介して入力され
、これにより増幅器４−１の出力たる信号ＷｉｎのＶｏ
ｕｔへの通過が制御される０本例はＣ−ＭＯＳタイプの
ゲートである。
上記第２図（ａ）〜（ｃ）にはＭＯＳ）ランジスタを用
いたアナログスイッチを示したが、バイポーラトランジ
スタを用いて同様の機能を有するアナログスイッチを構
成することもできる。
いたアナログスイッチを示したが、バイポーラトランジ
スタを用いて同様の機能を有するアナログスイッチを構
成することもできる。
第１図において、ｌ−２〜ｌ−ｍは上記センサチップｉ
−ｔと同様の構成を有するセンサチップであり、対応す
る部分には対応する符号が付されている。
−ｔと同様の構成を有するセンサチップであり、対応す
る部分には対応する符号が付されている。
各センサチップの出力線５−１〜５−ｍはチップ外にお
いて共通の信号線１０に接続されており、該信号線によ
り外部信号処理回路と接続されている。
いて共通の信号線１０に接続されており、該信号線によ
り外部信号処理回路と接続されている。
センサチー、プｌ−１−１−ｍはＸ方向に１列に配列さ
れており、従って（ｎＸｍ）個の全受光要素がＸ方向に
１列に配列されていることになる。
れており、従って（ｎＸｍ）個の全受光要素がＸ方向に
１列に配列されていることになる。
全センサチップは不図示の基体上に配列固定されている
。そして、画像読取りの際には、読取り画像を担持する
原稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相
対的にｙ方向に搬送する。
。そして、画像読取りの際には、読取り画像を担持する
原稿を受光要素に対面させつつ光電変換装置に対して相
対的にｙ方向に搬送する。
次に、本実施例の動作を説明する。
第３図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。
ミング図である。
図において、φ１は上記センサチップ１−１における制
御回路７−１の出力制御信号を示し。
御回路７−１の出力制御信号を示し。
φ２は上記センサチップ１−２における制御回路７−２
の出力制御信号を示し、ＶｏｕｔＩＶｏｕｔ２はそれぞ
れセンサチップｌ−１のスイッチ６−１からの出力及び
センサチップ１−２のスイッチ６−２からの出力を示す
。
の出力制御信号を示し、ＶｏｕｔＩＶｏｕｔ２はそれぞ
れセンサチップｌ−１のスイッチ６−１からの出力及び
センサチップ１−２のスイッチ６−２からの出力を示す
。
上記φｌは入力線８−１により駆動される選択回路３−
１の動作と同期しており、即ちチップｌ−１の全受光要
素からの出力が該選択回路により順次選択される時間を
含む特定期間だけφ１の出力があり、この期間内だけス
イッチ６−１が閉状態とされ、Ｖｏｕｔｌの出力がある
。もちろん１．１Ｖｏｕｔ１の出力にはセンサチップ１
−１の全受光要素からの出力が含まれている。
１の動作と同期しており、即ちチップｌ−１の全受光要
素からの出力が該選択回路により順次選択される時間を
含む特定期間だけφ１の出力があり、この期間内だけス
イッチ６−１が閉状態とされ、Ｖｏｕｔｌの出力がある
。もちろん１．１Ｖｏｕｔ１の出力にはセンサチップ１
−１の全受光要素からの出力が含まれている。
同様に、−ｈ記φ２は入力線８−２により駆動される選
択回路３−２の動作と同期しており、即ちチップｌ−２
の全受光要素からの出力が該選択回路により順次選択さ
れる時間を含む特定期間だけφ２の出力があり、この期
間内だけスイッチ６−２が閉状態とされ、Ｖｏｕｔ２の
出力がある。もちろん、該Ｖｏｕｔ２の出力にはセンサ
チップ１−２の全受光２ｍからの出力が含まれている。
択回路３−２の動作と同期しており、即ちチップｌ−２
の全受光要素からの出力が該選択回路により順次選択さ
れる時間を含む特定期間だけφ２の出力があり、この期
間内だけスイッチ６−２が閉状態とされ、Ｖｏｕｔ２の
出力がある。もちろん、該Ｖｏｕｔ２の出力にはセンサ
チップ１−２の全受光２ｍからの出力が含まれている。
第３図に示される様に、上記φ２の期間の開始時点はＥ
記φｌの期間の終了時点と同時である。
記φｌの期間の終了時点と同時である。
以下、同様にして、順次３番目以降のセンサチップ１−
３〜ｌ−ｍにおける制御回路６−３〜Ｂ−ｍの出力制御
信号が発せられる。
３〜ｌ−ｍにおける制御回路６−３〜Ｂ−ｍの出力制御
信号が発せられる。
以上の様にして、順次受光要素から信号の読出しが行な
われ、結局共通出力線ｌＯから全受光要素の出力が時系
列的に出力される。
われ、結局共通出力線ｌＯから全受光要素の出力が時系
列的に出力される。
本例では、各センサチップに関し受光要素から信号が出
力されている時間にほぼ相当する期間においてのみ増幅
器の出力がノ（通出力線１０と導通状態とされ１１つ該
期間以外の期間においては増幅器の出力は共通出力線１
０と非導通状態とされるので、信号取出し中にクロスト
ークが生ずることがなく、読取り信号のＳ／Ｎが低ドし
にくい。
力されている時間にほぼ相当する期間においてのみ増幅
器の出力がノ（通出力線１０と導通状態とされ１１つ該
期間以外の期間においては増幅器の出力は共通出力線１
０と非導通状態とされるので、信号取出し中にクロスト
ークが生ずることがなく、読取り信号のＳ／Ｎが低ドし
にくい。
本実施例によれば、スイッチの切換えを自動的に設定で
き外部駆動回路から各チップの制御回路またはスイッチ
に対し配線を設ける必要がないため外部回路が簡単化さ
れる。
き外部駆動回路から各チップの制御回路またはスイッチ
に対し配線を設ける必要がないため外部回路が簡単化さ
れる。
［発明の効果］
以−１−説明したように、本発明によれば、複数のセン
サチップから共通の信号線を用いて外部信号処理回路ま
で信号取出しを行なうに際しクロストークが生ずること
がなく読取り信号のＳ／Ｎ低ドの殆どないマルチチップ
型の光電変換装置を提供することができ、またスイッチ
の切換えを自動的に設定でき、外部回路が簡単化される
という効果がある。
サチップから共通の信号線を用いて外部信号処理回路ま
で信号取出しを行なうに際しクロストークが生ずること
がなく読取り信号のＳ／Ｎ低ドの殆どないマルチチップ
型の光電変換装置を提供することができ、またスイッチ
の切換えを自動的に設定でき、外部回路が簡単化される
という効果がある。
第１図は本発明の光電変換装置の一実施例を承す概略構
成図である。 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はアナログスイッチの具
体例を示す回路図である。 第３図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第４図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。 １−１〜ｌ−ｍ：センサチップ、 ２−１−１〜２−ｍ−ｎ：受光要素。 ３−１〜３−ｍ：選択回路。 ４−１〜４−ｍ：増幅器。 ８−１〜６−ｍ：アナログスイッチ。 ７−１〜７−ｍ：制御回路、 １０：共通信号線。 代理人 弁理士 山 下 積 平
成図である。 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はアナログスイッチの具
体例を示す回路図である。 第３図は上記実施例の動作の一例を説明するためのタイ
ミング図である。 第４図は従来の上記マルチチップ型イメージセンサの一
例を示す概略構成図である。 １−１〜ｌ−ｍ：センサチップ、 ２−１−１〜２−ｍ−ｎ：受光要素。 ３−１〜３−ｍ：選択回路。 ４−１〜４−ｍ：増幅器。 ８−１〜６−ｍ：アナログスイッチ。 ７−１〜７−ｍ：制御回路、 １０：共通信号線。 代理人 弁理士 山 下 積 平
Claims (6)
- （１）複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個
配列してなるマルチチップ型の光電変換装置に用いられ
るセンサチップにおいて、該センサチップはセンサチッ
プの受光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう
出力信号線と該出力信号線を断続するスイッチと上記受
光要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を
含む期間のみ上記スイッチを閉状態とし且つ上記期間外
は該スイッチを開状態とする制御回路とを有することを
特徴とする、センサチップ。 - （２）受光要素がトランジスタの制御電極領域に光励起
キャリアを蓄積する方式のものである、請求項１に記載
のセンサチップ。 - （３）各受光要素からの出力信号を順次選択する選択回
路が設けられており、制御回路が該選択回路からの信号
により動作せしめられる、請求項１に記載のセンサチッ
プ。 - （４）選択回路の出力が共通の増幅器に入力せしめられ
ており、該増幅器の出力信号線にスイッチが介在してい
る、請求項３に記載のセンサチップ。 - （５）複数個の受光要素を有するセンサチップを複数個
配列してなるマルチチップ型の光電変換装置において、
各センサチップの受光要素からセンサチップ外に信号の
出力を行なう出力信号線が共通の信号線に接続されてお
り、上記各センサチップには上記出力信号線を断続する
スイッチが設けられており、各センサチップに関し受光
要素からセンサチップ外に信号の出力を行なう時間を含
む期間のみ上記スイッチを閉状態とし且つ上記期間外は
該スイッチを開状態とする制御回路をセンサチップ内に
設けてなることを特徴とする、光電変換装置。 - （６）各センサチップにおいて受光要素が複数個直線状
に配置されており、該センサチップが受光要素の配列方
向に沿って配列されている、請求項５に記載の光電変換
装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030015A JPH02210947A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
| DE69027346T DE69027346T2 (de) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensorchip und dieser benutzendes photoelektrisches Umwandlungsgerät |
| SG1996006788A SG48065A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
| EP90301355A EP0382540B1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
| US08/465,189 US5592222A (en) | 1989-02-10 | 1995-06-05 | Sensor chip and photo-electric conversion apparatus using the same |
| HK121197A HK121197A (en) | 1989-02-10 | 1997-06-26 | Sensor chip and photoelectric conversion apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030015A JPH02210947A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210947A true JPH02210947A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12292032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030015A Pending JPH02210947A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | センサチップ及びそれを用いた光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02210947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534757B2 (en) | 1998-01-30 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor noise reduction |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157060A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1030015A patent/JPH02210947A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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