JPH0221128B2 - - Google Patents
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- JPH0221128B2 JPH0221128B2 JP56145421A JP14542181A JPH0221128B2 JP H0221128 B2 JPH0221128 B2 JP H0221128B2 JP 56145421 A JP56145421 A JP 56145421A JP 14542181 A JP14542181 A JP 14542181A JP H0221128 B2 JPH0221128 B2 JP H0221128B2
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- electrode
- oxide semiconductor
- ohmic
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
本発明は、酸化物半導体素子へのオーム性電極
形成方法の改良に関し付着力、耐電圧性、耐熱性
に優れた電極の形成方法に関する。 従来、酸化物半導体素子にオーム性電極を取り
付ける方法としては、In−Ga合金を付着させる
方法、無電解メツキによつてNiを付着させる方
法、真空蒸着や金属溶射法によりCu，Al，Zn等
を付着させる方法、オーミツクなAgペーストを
焼付ける方法などが用いられてきた。しかし、In
−Ga合金は、良好なオーム性接触は得られるも
のの合金の融点が低く、耐熱性に問題があり、実
用には不向きであつた。また無電解メツキによる
Ni電極は、オーム性接触を得るためには数100℃
での熱処理を必要とするとともに、湿式法である
ため、酸化物半導体素子のマイクロクラツクに
Niが浸透して耐電圧性を下げるとともに、化学
処理によつて素地に付着浸透した残留イオンが寿
命特性を劣化させる要因となつていた。さらに
Niの無電解メツキを行う場合には、処理液、メ
ツキ液の管理に細心の注意を要するとともに、こ
れら処理液、メツキ液および洗浄水を廃棄する場
合には厳重な公害処理としていた。また真空蒸着
や金属溶射法によるCu，Al，Zn等の電極は、酸
化物半導体素子への付着力が弱く実用上問題があ
つた。またオーミツクなAgペーストを焼付けて
形成した電極は、使用中Agのマイグレーシヨン
が起り実用上問題があつた。 本発明は、上記従来の欠点を解決し、オーム性
に優れ、かつ付着力が強く、耐電圧性、耐熱性と
も優れたオーム性電極の形成方法を提供すること
を目的としたものである。 すなわち、本発明の要旨とするところは、イオ
ンプレーテイング法により、減圧された不活性ガ
スのプラズマ放電中で、Cu，Al，Ni，Zn，Sn，
Crもしくはそれらの合金を蒸発させ、該金属蒸
気を酸化物半導体素子の表面に付着させてオーム
性電極を形成し、次いで該オーム性電極の表面に
二層目の電極を形成することを特徴とする酸化物
半導体素子の電極形成方法にある。 特に、本発明を、正特性磁器半導体であるチタ
ン酸バリウム系半導体に用いた場合、耐電圧性を
大幅に改良でき、その効果は著しいものがある。 次に本発明を詳述する。 第１図ａ，ｂは本発明に使用するイオンプレー
テイング装置の一例を示す。第１図ａは直流二極
放電型イオンプレーテイング装置の基本的な概略
図、第１図ｂは高周波イオンプレーテイング装置
の基本的な概略図である。第１図において、１は
真空容器、２は真空排気管、３は不活性ガス供給
管、４は電極材料からなる蒸発源、５は蒸発用ヒ
ータの加熱用電源、６は被処理物である酸化物半
導体素子、６ａは被処理物の保持台、７は直流電
源、８は高周波電源、９はマツチングボツクス、
１０は高周波用アンテナである。 基本的な操作手順としては、まず真空容器１内
を真空排気管２を通じて10-6Torr程度の高真空
に排気した後、Ar等の不活性ガスを不活性ガス
供給管３を通じて導入し、所定のガス圧に調整す
る。次いで、直流二極放電型イオンプレーテイン
グの場合には、直流電源７に高電圧を印加するこ
とによつてプラズマ放電を生ぜしめ、一方高周波
イオンプレーテイングの場合には、高周波電源８
により高周波用アンテナ１０を通じて高周波を印
加し、プラズマ放電を発生せしめる。直流電源７
は、直流二極放電型イオンプレーテイングの場合
には、プラズマを発生させると同時にプラズマ中
の正イオンを加速するための高圧電源であるが、
高周波イオンプレーテイングの場合には、プラズ
マは高周波によつて発生させるため、直流電源７
は、プラズマ中に存在する正イオンを加速するこ
とを主目的としたものであり、各々目的が異な
る。次に加熱用電源５により蒸発源４を加熱し、
電極材料を蒸発せしめる。加熱方式としては、こ
の抵抗加熱方式の他に、電子ビーム加熱方式、高
周波加熱方式等があり、いずれを用いることも可
能である。蒸発源より蒸発した粒子はプラズマ中
でイオン化され、数10〜数KeVのエネルギーを
持ち、それが酸化物半導体素子６に衝突し、その
エネルギーを失つて表面に付着し皮膜を形成す
る。 形成された皮膜の素子表面への付着力は、イオ
ンの持つエネルギーに依存すると言われており、
その持つエネルギーが高い程付着力は強くなる。
一般に真空蒸着の場合、粒子の持つエネルギーは
1eV以下、スパツタリングの場合は10eV程度、
イオンプレーテイングの場合は、条件によつて異
なるが、上述のように数10〜数KeVと言われて
おり、この故に、イオンプレーテイング法を用い
た場合、皮膜の素子表面への付着力は非常に強く
なる。また、イオンプレーテイング法を用いた場
合、蒸発粒子が前述のように高いエネルギーを持
つているため、形成された皮膜は緻密であり、よ
つて、電極として用いた場合、電極を通じて流れ
る電流の密度は均一となり安定性が増加する。ま
た、イオンプレーテイング方式は乾式法であるた
め、無電解メツキ法等の湿式法の場合のように、
化学処理による残留イオンが付着する危険性もな
く、また、マイクロクラツクからの電極材料の浸
透もないため、耐電圧性が損なわれることもな
く、電極として安定している。さらには、無電解
メツキによるNiの場合のように、オーム性にす
るための熱処理も必要でなく、また無公害である
ため公害処理設備も必要でなく、電極取付けの工
程が非常に簡単で簡略化できる。イオンプレーテ
イングを行う場合、不活性ガスの圧力について
は、ガス圧が高くなると蒸発粒子の平均自由行程
が短くなるため酸化物半導体素子に付着するまで
に失うエネルギーが大きく、よつて、皮膜の素子
に対する付着力が小さくなり、また、ガス圧が極
端に低くなるとプラズマ放電の維持が困難となる
ため、不活性ガスの圧力については10-2〜
10-5Torrであることが望ましい。 なお、第１図ａ，ｂに示した装置は、イオンプ
レーテイング装置の基本的なものであり、イオン
化効率を上げるために、蒸発源と基板間に複数個
の補助電極を設け、これに直流もしくは高周波電
界を印加しても何らさしつかえない。また、酸化
物半導体素子を加熱しておくためのヒータを取り
付けることも可能であり、また、酸化物半導体素
子を保持する保持台の代わりにバレル等を用いる
ことも可能である。 形成されたCu，Al，Ni，Zn，Sn，Crもしく
はそれらの合金からなるオーム性電極の上にAu，
Pt，Ag，Cu，Al，Ni，Zn，Sn，Cr等の皮膜を
形成して二層の電極構造とする。二層の電極構造
とすることによつて、電極面内の抵抗値を小さく
し、大電流を流すことが可能になるとともに、耐
蝕性もしくは半田付け性を向上させることが可能
である。第２図に二層の電極構造の概略図を示
す。第２図において１１は酸化物半導体素子、１
２はオーム性電極、１３は二層目の電極を示す。 二層目の電極は、スクリーン印刷、金属溶射、
電気メツキ、無電解メツキ、真空蒸着、イオンプ
レーテイング等の方法で形成することができる。
このように二層目の電極形成方法として種々の方
式が使用可能なのは、あらかじめイオンプレーテ
イング法によつて、緻密で、付着力の強いオーム
性電極が酸化物半導体素子の表面に形成されてい
るので、二層目の電極皮膜については、湿式メツ
キを用いても残留イオンの悪影響は無視すること
ができ、また、オーム性電極と二層目の電極皮膜
との付着力についても金属同志の付着であるため
熱膨張率の差も小さいため、それほど大きな付着
力を要しないことによる。 以上の如く、イオンプレーテイング法により、
酸化物半導体素子上に形成されたCu，Al，Ni，
Zn，Sn，Crもしくはそれらの合金からなる皮膜
は、電極として良好なオーム性接触を示すととも
に、酸化物半導体素子への付着力が強いため、温
度サイクルテストによる電極の剥離もしくは大電
流を流した場合に生ずる電極の剥離損傷等が起こ
ることもなく、酸化物半導体素子のオーム性電極
として十分特性を満足し、また、電極形成工程も
非常に簡略化されるためその工業的価値は極めて
高いものである。 次に本発明を実施例によつて具体的に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例 １ 酸化物半導体として、直径20mmで厚みが２mmの
チタン酸バリウム系半導体を用い、イオンプレー
テイング法により各種の金属もしくは合金を付着
させた。まずチタン酸バリウム系半導体を容器内
に保持し、10-6Torrの高真空に排気後、不活性
ガスとしてArを用いたガス圧を第１表に示すよ
うな圧力に調整した。次いで直流二極放電式の場
合には、高圧直流電源より1KVを印加しプラズ
マ放電を発生させた。一方高周波方式の場合に
は、高周波電源より300Wの高周波を印加し、プ
ラズマ放電を発生させた。なお、高周波方式の場
合に、イオン加速用の直流電圧としては、300V
を印加した。次いで、電子ビーム加熱方式によ
り、蒸発源から、第１表に掲げるような各種金属
もしくは合金を蒸発させ、酸化物半導体素子の両
面に付着させ、オーム性電極を形成した。各々の
試料についてオーム性を確認するために、直流電
圧を0.1〜2Vの間で変化させ電圧電流特性を測定
した。その結果、全ての試料について良好なオー
ム性が確認された。また、第１表に、得られた試
料の25℃での抵抗値R25℃および電極の付着強度
の測定結果を示す。試料番号１〜14はイオンプレ
ーテイング法による場合を示す。試料番号15はIn
−Ga合金をチタン酸バリウム系半導体素子の表
面にこすり付けて電極を形成した場場合の比較
例、試料番号16はチタン酸バリウム系半導体素子
に無電解メツキによつてNi電極を形成し、400℃
で熱処理をした場合の比較例を示す。 第１表から明かなように、イオンプレーテイン
グ法によるオーム性電極は付着強度が非常に高
く、酸化物半導体素子のオーム性電極として優れ
ていることがわかる。イオンプレーテイング法に
よる試料に、二層目の電極としてスクリーン印刷
法によりAgペーストを塗布し600℃で焼付けて二
層電極構造とし１分間隔で交流電圧を印加し、瞬
時的に20Aの電流を20万回通電した。その結果、
電極の損傷もなく、また抵抗値の変化もほとんと
無く極めて安定した特性を示した。
形成方法の改良に関し付着力、耐電圧性、耐熱性
に優れた電極の形成方法に関する。 従来、酸化物半導体素子にオーム性電極を取り
付ける方法としては、In−Ga合金を付着させる
方法、無電解メツキによつてNiを付着させる方
法、真空蒸着や金属溶射法によりCu，Al，Zn等
を付着させる方法、オーミツクなAgペーストを
焼付ける方法などが用いられてきた。しかし、In
−Ga合金は、良好なオーム性接触は得られるも
のの合金の融点が低く、耐熱性に問題があり、実
用には不向きであつた。また無電解メツキによる
Ni電極は、オーム性接触を得るためには数100℃
での熱処理を必要とするとともに、湿式法である
ため、酸化物半導体素子のマイクロクラツクに
Niが浸透して耐電圧性を下げるとともに、化学
処理によつて素地に付着浸透した残留イオンが寿
命特性を劣化させる要因となつていた。さらに
Niの無電解メツキを行う場合には、処理液、メ
ツキ液の管理に細心の注意を要するとともに、こ
れら処理液、メツキ液および洗浄水を廃棄する場
合には厳重な公害処理としていた。また真空蒸着
や金属溶射法によるCu，Al，Zn等の電極は、酸
化物半導体素子への付着力が弱く実用上問題があ
つた。またオーミツクなAgペーストを焼付けて
形成した電極は、使用中Agのマイグレーシヨン
が起り実用上問題があつた。 本発明は、上記従来の欠点を解決し、オーム性
に優れ、かつ付着力が強く、耐電圧性、耐熱性と
も優れたオーム性電極の形成方法を提供すること
を目的としたものである。 すなわち、本発明の要旨とするところは、イオ
ンプレーテイング法により、減圧された不活性ガ
スのプラズマ放電中で、Cu，Al，Ni，Zn，Sn，
Crもしくはそれらの合金を蒸発させ、該金属蒸
気を酸化物半導体素子の表面に付着させてオーム
性電極を形成し、次いで該オーム性電極の表面に
二層目の電極を形成することを特徴とする酸化物
半導体素子の電極形成方法にある。 特に、本発明を、正特性磁器半導体であるチタ
ン酸バリウム系半導体に用いた場合、耐電圧性を
大幅に改良でき、その効果は著しいものがある。 次に本発明を詳述する。 第１図ａ，ｂは本発明に使用するイオンプレー
テイング装置の一例を示す。第１図ａは直流二極
放電型イオンプレーテイング装置の基本的な概略
図、第１図ｂは高周波イオンプレーテイング装置
の基本的な概略図である。第１図において、１は
真空容器、２は真空排気管、３は不活性ガス供給
管、４は電極材料からなる蒸発源、５は蒸発用ヒ
ータの加熱用電源、６は被処理物である酸化物半
導体素子、６ａは被処理物の保持台、７は直流電
源、８は高周波電源、９はマツチングボツクス、
１０は高周波用アンテナである。 基本的な操作手順としては、まず真空容器１内
を真空排気管２を通じて10-6Torr程度の高真空
に排気した後、Ar等の不活性ガスを不活性ガス
供給管３を通じて導入し、所定のガス圧に調整す
る。次いで、直流二極放電型イオンプレーテイン
グの場合には、直流電源７に高電圧を印加するこ
とによつてプラズマ放電を生ぜしめ、一方高周波
イオンプレーテイングの場合には、高周波電源８
により高周波用アンテナ１０を通じて高周波を印
加し、プラズマ放電を発生せしめる。直流電源７
は、直流二極放電型イオンプレーテイングの場合
には、プラズマを発生させると同時にプラズマ中
の正イオンを加速するための高圧電源であるが、
高周波イオンプレーテイングの場合には、プラズ
マは高周波によつて発生させるため、直流電源７
は、プラズマ中に存在する正イオンを加速するこ
とを主目的としたものであり、各々目的が異な
る。次に加熱用電源５により蒸発源４を加熱し、
電極材料を蒸発せしめる。加熱方式としては、こ
の抵抗加熱方式の他に、電子ビーム加熱方式、高
周波加熱方式等があり、いずれを用いることも可
能である。蒸発源より蒸発した粒子はプラズマ中
でイオン化され、数10〜数KeVのエネルギーを
持ち、それが酸化物半導体素子６に衝突し、その
エネルギーを失つて表面に付着し皮膜を形成す
る。 形成された皮膜の素子表面への付着力は、イオ
ンの持つエネルギーに依存すると言われており、
その持つエネルギーが高い程付着力は強くなる。
一般に真空蒸着の場合、粒子の持つエネルギーは
1eV以下、スパツタリングの場合は10eV程度、
イオンプレーテイングの場合は、条件によつて異
なるが、上述のように数10〜数KeVと言われて
おり、この故に、イオンプレーテイング法を用い
た場合、皮膜の素子表面への付着力は非常に強く
なる。また、イオンプレーテイング法を用いた場
合、蒸発粒子が前述のように高いエネルギーを持
つているため、形成された皮膜は緻密であり、よ
つて、電極として用いた場合、電極を通じて流れ
る電流の密度は均一となり安定性が増加する。ま
た、イオンプレーテイング方式は乾式法であるた
め、無電解メツキ法等の湿式法の場合のように、
化学処理による残留イオンが付着する危険性もな
く、また、マイクロクラツクからの電極材料の浸
透もないため、耐電圧性が損なわれることもな
く、電極として安定している。さらには、無電解
メツキによるNiの場合のように、オーム性にす
るための熱処理も必要でなく、また無公害である
ため公害処理設備も必要でなく、電極取付けの工
程が非常に簡単で簡略化できる。イオンプレーテ
イングを行う場合、不活性ガスの圧力について
は、ガス圧が高くなると蒸発粒子の平均自由行程
が短くなるため酸化物半導体素子に付着するまで
に失うエネルギーが大きく、よつて、皮膜の素子
に対する付着力が小さくなり、また、ガス圧が極
端に低くなるとプラズマ放電の維持が困難となる
ため、不活性ガスの圧力については10-2〜
10-5Torrであることが望ましい。 なお、第１図ａ，ｂに示した装置は、イオンプ
レーテイング装置の基本的なものであり、イオン
化効率を上げるために、蒸発源と基板間に複数個
の補助電極を設け、これに直流もしくは高周波電
界を印加しても何らさしつかえない。また、酸化
物半導体素子を加熱しておくためのヒータを取り
付けることも可能であり、また、酸化物半導体素
子を保持する保持台の代わりにバレル等を用いる
ことも可能である。 形成されたCu，Al，Ni，Zn，Sn，Crもしく
はそれらの合金からなるオーム性電極の上にAu，
Pt，Ag，Cu，Al，Ni，Zn，Sn，Cr等の皮膜を
形成して二層の電極構造とする。二層の電極構造
とすることによつて、電極面内の抵抗値を小さく
し、大電流を流すことが可能になるとともに、耐
蝕性もしくは半田付け性を向上させることが可能
である。第２図に二層の電極構造の概略図を示
す。第２図において１１は酸化物半導体素子、１
２はオーム性電極、１３は二層目の電極を示す。 二層目の電極は、スクリーン印刷、金属溶射、
電気メツキ、無電解メツキ、真空蒸着、イオンプ
レーテイング等の方法で形成することができる。
このように二層目の電極形成方法として種々の方
式が使用可能なのは、あらかじめイオンプレーテ
イング法によつて、緻密で、付着力の強いオーム
性電極が酸化物半導体素子の表面に形成されてい
るので、二層目の電極皮膜については、湿式メツ
キを用いても残留イオンの悪影響は無視すること
ができ、また、オーム性電極と二層目の電極皮膜
との付着力についても金属同志の付着であるため
熱膨張率の差も小さいため、それほど大きな付着
力を要しないことによる。 以上の如く、イオンプレーテイング法により、
酸化物半導体素子上に形成されたCu，Al，Ni，
Zn，Sn，Crもしくはそれらの合金からなる皮膜
は、電極として良好なオーム性接触を示すととも
に、酸化物半導体素子への付着力が強いため、温
度サイクルテストによる電極の剥離もしくは大電
流を流した場合に生ずる電極の剥離損傷等が起こ
ることもなく、酸化物半導体素子のオーム性電極
として十分特性を満足し、また、電極形成工程も
非常に簡略化されるためその工業的価値は極めて
高いものである。 次に本発明を実施例によつて具体的に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例 １ 酸化物半導体として、直径20mmで厚みが２mmの
チタン酸バリウム系半導体を用い、イオンプレー
テイング法により各種の金属もしくは合金を付着
させた。まずチタン酸バリウム系半導体を容器内
に保持し、10-6Torrの高真空に排気後、不活性
ガスとしてArを用いたガス圧を第１表に示すよ
うな圧力に調整した。次いで直流二極放電式の場
合には、高圧直流電源より1KVを印加しプラズ
マ放電を発生させた。一方高周波方式の場合に
は、高周波電源より300Wの高周波を印加し、プ
ラズマ放電を発生させた。なお、高周波方式の場
合に、イオン加速用の直流電圧としては、300V
を印加した。次いで、電子ビーム加熱方式によ
り、蒸発源から、第１表に掲げるような各種金属
もしくは合金を蒸発させ、酸化物半導体素子の両
面に付着させ、オーム性電極を形成した。各々の
試料についてオーム性を確認するために、直流電
圧を0.1〜2Vの間で変化させ電圧電流特性を測定
した。その結果、全ての試料について良好なオー
ム性が確認された。また、第１表に、得られた試
料の25℃での抵抗値R25℃および電極の付着強度
の測定結果を示す。試料番号１〜14はイオンプレ
ーテイング法による場合を示す。試料番号15はIn
−Ga合金をチタン酸バリウム系半導体素子の表
面にこすり付けて電極を形成した場場合の比較
例、試料番号16はチタン酸バリウム系半導体素子
に無電解メツキによつてNi電極を形成し、400℃
で熱処理をした場合の比較例を示す。 第１表から明かなように、イオンプレーテイン
グ法によるオーム性電極は付着強度が非常に高
く、酸化物半導体素子のオーム性電極として優れ
ていることがわかる。イオンプレーテイング法に
よる試料に、二層目の電極としてスクリーン印刷
法によりAgペーストを塗布し600℃で焼付けて二
層電極構造とし１分間隔で交流電圧を印加し、瞬
時的に20Aの電流を20万回通電した。その結果、
電極の損傷もなく、また抵抗値の変化もほとんと
無く極めて安定した特性を示した。
【表】
また、−30℃と100℃の温度サイクルテストを10
回繰り返したところ、電極の剥離、損傷は全く認
められなかつた。 また第３図は、チタン酸バリウム系半導体素子
のサーミスタとしての静特性である交流による電
圧電流特性を示したものである。第３図において
は本発明により電極を形成した場合、はNi
の無電解メツキにより電極を形成した場合の特性
を示す。この図から明かなように、本発明による
試料は比較例に比べ耐電圧性が高く信頼性の面で
も非常に優れていることがわかる。最近、正特性
サーミスタとしてのチタン酸バリウム系半導体に
ついて、高電圧化に対する要望が強く、本発明の
電極を用いた場合、Niの無電解メツキによる電
極に比べ、約80V耐電圧性が高くなるため、その
工業的価値は極めて高いものと言える。 なお、本実施例では正特性サーミスタ材料であ
るチタン酸バリウム系半導体についてのみ示した
が、本発明はこれに限らず、たとえば、一般的な
負特性のサーミスタにも使用でき、またZnO系、
Fe2O3系等の電圧非直線抵抗体等の酸化物半導体
にも同様に使用可能である。電圧非直線抵抗体の
場合、材料自身が非直線性をもつ場合には、電極
としてはオーム性であることが望ましく、また、
耐パルス性に優れた電極が望まれている。従来、
電圧非直線抵抗体のオーミツク電極としては、オ
ーミツクAgの焼付、Zn等の溶射等による電極が
用いられているが、オーミツクAgの場合にはマ
イグレーシヨンが問題となり、また溶射の場合に
は付着力が数Kg／cm2程度しかないため剥離が問題
となるとともに、高いサージパルスが印加された
場合電極の損傷が問題となつていた。本発明の方
法による電極を電圧非直線抵抗体に用いた場合に
は、マイグレーシヨンの心配もなく、また付着力
が強くかつ電極が緻密であるため、高いサージパ
ルスに対しても十分耐えることができ、その工業
的価値は極めて高いものである。
回繰り返したところ、電極の剥離、損傷は全く認
められなかつた。 また第３図は、チタン酸バリウム系半導体素子
のサーミスタとしての静特性である交流による電
圧電流特性を示したものである。第３図において
は本発明により電極を形成した場合、はNi
の無電解メツキにより電極を形成した場合の特性
を示す。この図から明かなように、本発明による
試料は比較例に比べ耐電圧性が高く信頼性の面で
も非常に優れていることがわかる。最近、正特性
サーミスタとしてのチタン酸バリウム系半導体に
ついて、高電圧化に対する要望が強く、本発明の
電極を用いた場合、Niの無電解メツキによる電
極に比べ、約80V耐電圧性が高くなるため、その
工業的価値は極めて高いものと言える。 なお、本実施例では正特性サーミスタ材料であ
るチタン酸バリウム系半導体についてのみ示した
が、本発明はこれに限らず、たとえば、一般的な
負特性のサーミスタにも使用でき、またZnO系、
Fe2O3系等の電圧非直線抵抗体等の酸化物半導体
にも同様に使用可能である。電圧非直線抵抗体の
場合、材料自身が非直線性をもつ場合には、電極
としてはオーム性であることが望ましく、また、
耐パルス性に優れた電極が望まれている。従来、
電圧非直線抵抗体のオーミツク電極としては、オ
ーミツクAgの焼付、Zn等の溶射等による電極が
用いられているが、オーミツクAgの場合にはマ
イグレーシヨンが問題となり、また溶射の場合に
は付着力が数Kg／cm2程度しかないため剥離が問題
となるとともに、高いサージパルスが印加された
場合電極の損傷が問題となつていた。本発明の方
法による電極を電圧非直線抵抗体に用いた場合に
は、マイグレーシヨンの心配もなく、また付着力
が強くかつ電極が緻密であるため、高いサージパ
ルスに対しても十分耐えることができ、その工業
的価値は極めて高いものである。
第１図ａは直流二極放電型イオンプレーテイン
グ装置の基本的な概略図、第１図ｂは高周波イオ
ンプレーテイング装置の基本的な概略図を示す。
第２図は二層の電極構造とした素子の概略図を示
す。第３図はチタン酸バリウム系半導体素子のサ
ーミスタの静特性である交流による電圧電流特性
を示したもので横軸は交流電圧の実効値Vrns
（Ｖ）、縦軸は光流電流の実効値Irns（Ａ）を示し、
は本発明により電極を形成した場合、はNi
の無電解メツキにより電極を形成した場合の特性
を示す。 １……真空容器、２……真空排気管、３……不
活性ガス供給管、４……電極材料からなる蒸発
源、５……蒸発用ヒータの加熱用電源、６……被
処理物である酸化物半導体素子、７……直流電
源、８……高周波電源、９……マツチングボツク
ス、１０……高周波アンテナ、１１……酸化物半
導体素子、１２……オーム性電極、１３……二層
目の電極。
グ装置の基本的な概略図、第１図ｂは高周波イオ
ンプレーテイング装置の基本的な概略図を示す。
第２図は二層の電極構造とした素子の概略図を示
す。第３図はチタン酸バリウム系半導体素子のサ
ーミスタの静特性である交流による電圧電流特性
を示したもので横軸は交流電圧の実効値Vrns
（Ｖ）、縦軸は光流電流の実効値Irns（Ａ）を示し、
は本発明により電極を形成した場合、はNi
の無電解メツキにより電極を形成した場合の特性
を示す。 １……真空容器、２……真空排気管、３……不
活性ガス供給管、４……電極材料からなる蒸発
源、５……蒸発用ヒータの加熱用電源、６……被
処理物である酸化物半導体素子、７……直流電
源、８……高周波電源、９……マツチングボツク
ス、１０……高周波アンテナ、１１……酸化物半
導体素子、１２……オーム性電極、１３……二層
目の電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオンプレーテイング法により、減圧された
不活性ガスのプラズマ放電中で、Cu，Al，Ni，
Zn，Sn，Crもしくはそれらの合金を蒸発させ、
該金属蒸気を酸化物半導体素子の表面に付着させ
てオーム性電極を形成し、次いで該オーム性電極
の表面に二層目の電極を形成することを特徴とす
る酸化物半導体素子の電極形成方法。 ２ 前記酸化物半導体素子がチタン酸バリウム系
半導体で構成される特許請求の範囲第１項記載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145421A JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145421A JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848402A JPS5848402A (ja) | 1983-03-22 |
| JPH0221128B2 true JPH0221128B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=15384855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145421A Granted JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848402A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287902A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513576A (ja) * | 1974-06-27 | 1976-01-13 | Murata Manufacturing Co | Sankabutsuhandotaisoshino denkyokukeiseiho |
| JPS54152145A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic component |
| JPS607026B2 (ja) * | 1979-05-12 | 1985-02-21 | 株式会社村田製作所 | 銅被膜の熱処理法 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145421A patent/JPS5848402A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848402A (ja) | 1983-03-22 |
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