JPH02212141A - 複合セラミックス基板の製法 - Google Patents
複合セラミックス基板の製法Info
- Publication number
- JPH02212141A JPH02212141A JP1032684A JP3268489A JPH02212141A JP H02212141 A JPH02212141 A JP H02212141A JP 1032684 A JP1032684 A JP 1032684A JP 3268489 A JP3268489 A JP 3268489A JP H02212141 A JPH02212141 A JP H02212141A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- ceramic substrate
- glass
- blended
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- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、複合セラミックス基板の１法に関し、特に人
界、喰コンデンサを基板中に内蔵した多層配線基板やセ
ラミックス・エレクトロ・ルミネッセンス基板などに用
いられる複合セラミックス基板の製法に関する。
界、喰コンデンサを基板中に内蔵した多層配線基板やセ
ラミックス・エレクトロ・ルミネッセンス基板などに用
いられる複合セラミックス基板の製法に関する。
［従来の技術］
人界ｔＲ７Ｊンデンサを利用する電子部品は、チップフ
ンデンｌｊを搭載しているが、最近、誘導体と絶縁体の
一体化された複合ヒラミックス基板の開発が進められて
いる。
ンデンｌｊを搭載しているが、最近、誘導体と絶縁体の
一体化された複合ヒラミックス基板の開発が進められて
いる。
このような複合←シミックス基板においては、絶縁体材
料と誘導体材料とはまったく異なる性質の材料であり、
それらを同時に焼成するとき、体止された各材料の微妙
な収縮率の差により、界面での剥離、クラック或いは基
板の反りなどの現象が生じることが問題となっている。
料と誘導体材料とはまったく異なる性質の材料であり、
それらを同時に焼成するとき、体止された各材料の微妙
な収縮率の差により、界面での剥離、クラック或いは基
板の反りなどの現象が生じることが問題となっている。
複合ヒシミックス基板全体を小型化しようとｊることが
盛んに行なわれてさたが、誘導体層と絶縁体層が一体化
された基板を形成するための焼成処理が問題となってい
るものである。
盛んに行なわれてさたが、誘導体層と絶縁体層が一体化
された基板を形成するための焼成処理が問題となってい
るものである。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、以［、述べた従来の複合セラミックス基板に
見られる問題を解決し、特に大容量のコンデンナを内蔵
する多層配線基板、エレクトロルミセンス基板の製造に
適する製法を提供することを目的と°孝る。
見られる問題を解決し、特に大容量のコンデンナを内蔵
する多層配線基板、エレクトロルミセンス基板の製造に
適する製法を提供することを目的と°孝る。
［発明の構成］
［問題点を解決４゛るための手段］
本発明の要旨とするものは、誘導体層と絶縁体層とから
なる複合セラミックス基板において、無機材料フィラー
と２種類以上の軟化点の異なるガラスソリッドを適当に
混合し、得られる無機材料の収縮率を、使用した誘導体
材料の収縮率に一致させたことを特徴とす−る複合セラ
ミックス基板の製法である。そして、その２種類以りの
ガラスフノット材料は、その軟化点が、６５０〜９５０
”Ｃの範囲のものから選択されたものが好適である。
なる複合セラミックス基板において、無機材料フィラー
と２種類以上の軟化点の異なるガラスソリッドを適当に
混合し、得られる無機材料の収縮率を、使用した誘導体
材料の収縮率に一致させたことを特徴とす−る複合セラ
ミックス基板の製法である。そして、その２種類以りの
ガラスフノット材料は、その軟化点が、６５０〜９５０
”Ｃの範囲のものから選択されたものが好適である。
［作用］
本発明の複合トラミックス基板の製法によると、誘導体
と絶縁体の一体化した構造を有Ｃる複合トラミックス基
板において、誘導体材料と絶縁体材料の焼成時の収縮率
の差を改善する方法により、上記の問題を解決するもの
である。
と絶縁体の一体化した構造を有Ｃる複合トラミックス基
板において、誘導体材料と絶縁体材料の焼成時の収縮率
の差を改善する方法により、上記の問題を解決するもの
である。
本発明の製法の１例によると、誘導体原料粉末に有機バ
インダーと溶剤をボールミルにより混合し、スラリーを
作製し、それをテープ成形することにより、グリーンシ
ートを得る。一方、絶縁材料は、無機フィラーに軟化点
の異なる２種類以上のガラス粉末を種々の割合で混合し
、粉砕し、上記と同様にグリーンシートを得た。ここで
、絶縁体層形成のために、２種類以上のガラスを使用す
ることにより、絶縁体の焼結性を変化させ、焼成時の収
縮特性を誘導体の収縮特性と一致させることができる。
インダーと溶剤をボールミルにより混合し、スラリーを
作製し、それをテープ成形することにより、グリーンシ
ートを得る。一方、絶縁材料は、無機フィラーに軟化点
の異なる２種類以上のガラス粉末を種々の割合で混合し
、粉砕し、上記と同様にグリーンシートを得た。ここで
、絶縁体層形成のために、２種類以上のガラスを使用す
ることにより、絶縁体の焼結性を変化させ、焼成時の収
縮特性を誘導体の収縮特性と一致させることができる。
即ら、誘導体の種類が変化するとその収縮特性は変化−
るが、この場合軟化点の異なるガラスフノット材料を混
合し、絶縁体層を形成し、そのガラスフリット材料の混
合割合を変化させることにより、得られる絶縁体層の収
縮特性を制御し、その収縮特性を誘導体層のものと一致
さけることができる。
るが、この場合軟化点の異なるガラスフノット材料を混
合し、絶縁体層を形成し、そのガラスフリット材料の混
合割合を変化させることにより、得られる絶縁体層の収
縮特性を制御し、その収縮特性を誘導体層のものと一致
さけることができる。
このようにして収縮特性を一致させた誘導体層及び絶縁
体層のためのグリーンシートを互いに加熱圧着し、焼成
することにより、剥離、クラック、或いは反り等の問題
のない複合セラミックス基板が得られる。
体層のためのグリーンシートを互いに加熱圧着し、焼成
することにより、剥離、クラック、或いは反り等の問題
のない複合セラミックス基板が得られる。
また、誘導体セラミックス材料としては、厚さ３０〜１
２０Ｉｔｍのアルミナを主成分とする誘電体磁器材料で
あることが好適である。利用するセラミックス基板の実
用上から、この範囲の厚さのセラミックス基板が好適で
ある。
２０Ｉｔｍのアルミナを主成分とする誘電体磁器材料で
あることが好適である。利用するセラミックス基板の実
用上から、この範囲の厚さのセラミックス基板が好適で
ある。
更に、利用する誘導体セラミックス体には、鉛系複合ぺ
１１プス力イト化合物及びその固溶体からなる、８５０
℃〜１１００°Ｃで焼成可能な誘電体からなる群より選
択される少なくとも１つの誘電体化合物を主成分とする
誘電体により形成される誘電体層がある。また、絶縁体
層としては、５ｉＯ８又はＡ１．Ｏ，を無機フィラーと
して利用し、それにガラスフリットとして、ホウケイ酸
ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、結晶化ガラスを利用でき
る。混合するガラスフリットとして、２種類以上の軟化
点の異なるものを適宜選択して用いる。その２種類以上
のガラスフリット材料は、その軟化点が、６５０〜９５
０℃の範囲のものから選択されたものが好適である。即
ち、軟化点が６５０６Ｃ未満では、ガラスの溶融温度が
低すぎ、誘電体との反応を起しやすい、９５０℃を超え
ると高すぎ、焼結に寄り、せず望ましくない。
１１プス力イト化合物及びその固溶体からなる、８５０
℃〜１１００°Ｃで焼成可能な誘電体からなる群より選
択される少なくとも１つの誘電体化合物を主成分とする
誘電体により形成される誘電体層がある。また、絶縁体
層としては、５ｉＯ８又はＡ１．Ｏ，を無機フィラーと
して利用し、それにガラスフリットとして、ホウケイ酸
ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、結晶化ガラスを利用でき
る。混合するガラスフリットとして、２種類以上の軟化
点の異なるものを適宜選択して用いる。その２種類以上
のガラスフリット材料は、その軟化点が、６５０〜９５
０℃の範囲のものから選択されたものが好適である。即
ち、軟化点が６５０６Ｃ未満では、ガラスの溶融温度が
低すぎ、誘電体との反応を起しやすい、９５０℃を超え
ると高すぎ、焼結に寄り、せず望ましくない。
本発明に利用するグリーンシートの製法は、特に限定さ
れるものではないが、上記に説明したヒシミックスシー
トの形成方法、セラミックス板を形成し、焼成する方法
などがあり、他は特に限定されるものではない。
れるものではないが、上記に説明したヒシミックスシー
トの形成方法、セラミックス板を形成し、焼成する方法
などがあり、他は特に限定されるものではない。
史に、本発明による複合セラミックス基板の製法は、特
に、大Ｖ￥情のコンデンサを含む多層配線基板、エレク
トロルミネセンス基板の製造に利用すると特に好適であ
る。
に、大Ｖ￥情のコンデンサを含む多層配線基板、エレク
トロルミネセンス基板の製造に利用すると特に好適であ
る。
次に、本発明の複合セラミックス基板の製法について具
体的な実施例により、説明するが、零発明はその説明に
より限定されるものではない。
体的な実施例により、説明するが、零発明はその説明に
より限定されるものではない。
［実施例］
誘電体材料として、所望組成の鉛系複合ペロプスカイト
化合物の比表面積５ｍ”７ｇを有する粉末材料を用いて
、この原料粉末１００ｇに対して、ポリビニルブチラー
ル４ｇとエタノール・ブタノール混合溶剤５０ｇと可塑
剤、分散剤をボールミルに入れ、混合し、スラリーを作
製し、スラリーからテープに成形し、グリーンシートを
得た。
化合物の比表面積５ｍ”７ｇを有する粉末材料を用いて
、この原料粉末１００ｇに対して、ポリビニルブチラー
ル４ｇとエタノール・ブタノール混合溶剤５０ｇと可塑
剤、分散剤をボールミルに入れ、混合し、スラリーを作
製し、スラリーからテープに成形し、グリーンシートを
得た。
−・方、絶縁体材料としては、アルミナ粉末に軟化点７
００℃のホウケイ酸ガラス粉末と軟化点９００℃のホウ
ケイ酸ガラス粉末を種々の割合で混合し、比表面積が５
ｍ”／Ｈになるように、粉砕し、この原料粉末１００に
に対して、ポリビニルブチラール８ｇ、溶／１１８０ｇ
、可塑剤、分散剤を加え、混合した後に、スラリーにし
、成形し、グリーンシートを得た。
００℃のホウケイ酸ガラス粉末と軟化点９００℃のホウ
ケイ酸ガラス粉末を種々の割合で混合し、比表面積が５
ｍ”／Ｈになるように、粉砕し、この原料粉末１００に
に対して、ポリビニルブチラール８ｇ、溶／１１８０ｇ
、可塑剤、分散剤を加え、混合した後に、スラリーにし
、成形し、グリーンシートを得た。
得られた各々の成形グリーンシート体の収縮特性は、第
１図に示すように変化するものであった。従って、ここ
で用いた誘導体の収縮特性とほぼ一致ｒるように絶縁体
層を得ることができる。
１図に示すように変化するものであった。従って、ここ
で用いた誘導体の収縮特性とほぼ一致ｒるように絶縁体
層を得ることができる。
これにより、収縮特性の一致した２種類のグリンシート
、即ち・で示す誘導体材料のグリーンシートと、閣で示
４°絶縁体材料、即ち、アルミナと軟化点９００℃と７
００℃のガラスフリットを９対１の割合の混合物よりな
る材料のグリーンシートとを温度７０″Ｃ１圧力３００
ｋｇ／ｃｍ”Ｔ積層圧着し、９８０°Ｃで焼成したとこ
ろ、剥離、クシツク、或いは反りなどの問題がない複合
セラミックス基板が得られた。
、即ち・で示す誘導体材料のグリーンシートと、閣で示
４°絶縁体材料、即ち、アルミナと軟化点９００℃と７
００℃のガラスフリットを９対１の割合の混合物よりな
る材料のグリーンシートとを温度７０″Ｃ１圧力３００
ｋｇ／ｃｍ”Ｔ積層圧着し、９８０°Ｃで焼成したとこ
ろ、剥離、クシツク、或いは反りなどの問題がない複合
セラミックス基板が得られた。
以［ユのように、２種類の軟化点（即ち９００″Ｃと７
００℃）の異なるガラスを用いて、作製した絶縁体基板
は、誘導率７〜Ｂであり、誘導Ｈ１失１Ｏ−Ｓ以ト”Ｃ
Ｉ’、絶縁抵抗１０１４Ω以［二の電気特性を有−るも
のであり、絶縁材料として使用できるものであった。
００℃）の異なるガラスを用いて、作製した絶縁体基板
は、誘導率７〜Ｂであり、誘導Ｈ１失１Ｏ−Ｓ以ト”Ｃ
Ｉ’、絶縁抵抗１０１４Ω以［二の電気特性を有−るも
のであり、絶縁材料として使用できるものであった。
［発明の効果］
本発明の複合ヒラミ／クス基板の製法は、その方法によ
り、 第１に、収縮特性を一致きせたグリーンシートを加熱圧
着し、焼成することにより、剥離、クラック、或いは反
り等のない複合セラミックス基板がＩＩられること、 第２に、大容槍のコンデンサを内蔵した多層配線基板、
セラミックスＪレクトロルミネッセンス基板等の製造に
利用できる製法を提供したこと、第３に、複合ヒラミッ
クス基板の製造技術として有用なものを提供したこと、 などの技術的な効果が得られた。
り、 第１に、収縮特性を一致きせたグリーンシートを加熱圧
着し、焼成することにより、剥離、クラック、或いは反
り等のない複合セラミックス基板がＩＩられること、 第２に、大容槍のコンデンサを内蔵した多層配線基板、
セラミックスＪレクトロルミネッセンス基板等の製造に
利用できる製法を提供したこと、第３に、複合ヒラミッ
クス基板の製造技術として有用なものを提供したこと、 などの技術的な効果が得られた。
第１図は、本発明の複合セラミックス基板の製々アルミ
ブ士’７０Ｃ）℃Ｖσど勲ガ″叙ガラス混合物の収縮率
の変化を示すグラフである。
ブ士’７０Ｃ）℃Ｖσど勲ガ″叙ガラス混合物の収縮率
の変化を示すグラフである。
Claims (2)
- （１）誘導体層と絶縁体層とからなる複合セラミックス
基板において、 無機材料フィラーと２種類以上の軟化点の異なるガラス
フリットを適当に混合し、得られる無機材料の収縮率を
、使用した誘導体材料の収縮率に一致させたことを特徴
とする複合セラミックス基板の製法。 - （２）前記の２種類以上のガラスフリット材料は、その
軟化点が、６５０〜９５０℃の範囲のものから選択され
たものであることを特徴とする請求項第１項記載の複合
セラミックス基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032684A JP2658356B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 複合セラミックス基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032684A JP2658356B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 複合セラミックス基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212141A true JPH02212141A (ja) | 1990-08-23 |
| JP2658356B2 JP2658356B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=12365703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1032684A Expired - Lifetime JP2658356B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 複合セラミックス基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658356B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
| JP2006321715A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 未焼成積層シート |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1032684A patent/JP2658356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
| JP2006321715A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 未焼成積層シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658356B2 (ja) | 1997-09-30 |
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