JPH02212843A - フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法 - Google Patents
フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法Info
- Publication number
- JPH02212843A JPH02212843A JP1034168A JP3416889A JPH02212843A JP H02212843 A JPH02212843 A JP H02212843A JP 1034168 A JP1034168 A JP 1034168A JP 3416889 A JP3416889 A JP 3416889A JP H02212843 A JPH02212843 A JP H02212843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- nitrogen
- chromium
- argon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造用の表面低反射フォトマスクブラン
ク、これから作製したフォトマスクおよびその製法に関
する。
ク、これから作製したフォトマスクおよびその製法に関
する。
［従来の技術およびその課題］
フォトマスクブランクはＩＣ１ＬＳＩのパターン露光に
使用するフォトマスクを作製するための基材である。ガ
ラス上にスパッタリング装置などの薄膜形成装置を用い
て膜を積層して作製する。
使用するフォトマスクを作製するための基材である。ガ
ラス上にスパッタリング装置などの薄膜形成装置を用い
て膜を積層して作製する。
その表面反射率は、露光時のハレーション防止のため低
いほど好ましい。
いほど好ましい。
クロム金属をスパッタリングするに際し、アルゴン中に
窒素と酸素を添加して、りａムオキシナイトライド膜を
形成させる。このようにクロム膜上にクロムオキシナイ
トライド膜を形成させたものが表面低反射フォトマスク
ブランクである。
窒素と酸素を添加して、りａムオキシナイトライド膜を
形成させる。このようにクロム膜上にクロムオキシナイ
トライド膜を形成させたものが表面低反射フォトマスク
ブランクである。
アルゴン中に窒素と酸素を混合したガスでクロム金属を
スパッタリングすると、１２〜１３％までは容易に反射
率が低下するが、これ以下に低下させるには、かなり広
範にわたって濃度範囲を検討し直すことが必要である。
スパッタリングすると、１２〜１３％までは容易に反射
率が低下するが、これ以下に低下させるには、かなり広
範にわたって濃度範囲を検討し直すことが必要である。
かくすれば１０％以下まで低下させることも不可能では
ないかも知れないが、従来の手法では低反射率を再現性
良く達成するためにはスパッタリングに際して反射率の
確認や、反射率が高い場合にはガス条件や他の装置パラ
メータを調節しながら成膜するなどの繁雑な操作が必要
であった。
ないかも知れないが、従来の手法では低反射率を再現性
良く達成するためにはスパッタリングに際して反射率の
確認や、反射率が高い場合にはガス条件や他の装置パラ
メータを調節しながら成膜するなどの繁雑な操作が必要
であった。
したがって従来の方法よりも遥かに容易に、かつ再現性
良く反射率を低下させる手段、およびこれにより作製さ
れた表面低反射フォトマスクブランクの出現が期待され
てきた。
良く反射率を低下させる手段、およびこれにより作製さ
れた表面低反射フォトマスクブランクの出現が期待され
てきた。
Ｃ課題を解決するための手段］
本発明者は該課題を解決するために鋭意検討を重ねた結
果、反射防止膜の積層に際してアルゴン中に窒素と酸素
を添加する以外に、さらにＣＨ４やＣＦ、のようなガス
状炭素源を添加すると反射率カ１０％以下（例えば４３
８ｎｉにおける反射率が膜厚２ＧＯ〜３００人において
）に容易に低減できることを見い出し本発明を完成させ
るに至った。
果、反射防止膜の積層に際してアルゴン中に窒素と酸素
を添加する以外に、さらにＣＨ４やＣＦ、のようなガス
状炭素源を添加すると反射率カ１０％以下（例えば４３
８ｎｉにおける反射率が膜厚２ＧＯ〜３００人において
）に容易に低減できることを見い出し本発明を完成させ
るに至った。
［作用コ
その原因の詳細は未だ不明であるが、クロム炭化物を含
むクロムオキシナイトライドが形成されて屈折率が低下
するのが原因であると推測される。
むクロムオキシナイトライドが形成されて屈折率が低下
するのが原因であると推測される。
表面低反射ブランクは、ホーヤ卸、大日本望刷轢、アル
バック成膜（Ｉ嘗の各社から市販されている。基本的に
は何れの商品も同じ構成である。すなわち、反射防止Ｍ
／１．や光膜／透過性基板から成っている。しや光膜に
は、クロムに炭素または窒素、酸素、ツブそ等が添加さ
れている。添加物を過剰に用いると光吸収係数が低下し
、しや光性を阻害する。
バック成膜（Ｉ嘗の各社から市販されている。基本的に
は何れの商品も同じ構成である。すなわち、反射防止Ｍ
／１．や光膜／透過性基板から成っている。しや光膜に
は、クロムに炭素または窒素、酸素、ツブそ等が添加さ
れている。添加物を過剰に用いると光吸収係数が低下し
、しや光性を阻害する。
反射防止膜には、クロムにじゃ光膜よりも多い窒素、酸
素が添加されるのが普通である。窒素、酸素に加えて、
さらにフッ素を添加したものは開示がある（特開昭ＥＩ
３−３２５５３号公報）。フッ素添加の目的は、エツチ
ング速度を低下させて、しや光膜とのエツチング速度ミ
スマツチングによる弊害を少なくすることにある。クロ
ムに添加する窒素、酸素が多くなるにつれてエツチング
速度も上昇してい（。
素が添加されるのが普通である。窒素、酸素に加えて、
さらにフッ素を添加したものは開示がある（特開昭ＥＩ
３−３２５５３号公報）。フッ素添加の目的は、エツチ
ング速度を低下させて、しや光膜とのエツチング速度ミ
スマツチングによる弊害を少なくすることにある。クロ
ムに添加する窒素、酸素が多くなるにつれてエツチング
速度も上昇してい（。
本発明者等はすでに、反射防止膜の深さ方向のエツチン
グ速度は１００〜２００λ／ｓｅａであり一方しや光層
のエツチング速度は１０〜２０人／ｓｅｃと一桁小さい
事実を認知している。反射防止膜のサイドエツジでは、
この比率では進行せずに、むしろ遅い。そこで本発明者
等は反射率低下効果に着目して本発明を完成するに至っ
たフォトマスクブランクの反射防止膜は、深す方向に屈
折率が変化する「不均等膜」であり、その表面反射率は
、屈折率の上下界面におけるミスマツチングにより決定
される。したがって、下地のクロムとのマツチングと上
の空気とのマツチングが問題となるが、本課題では後者
が問題であり、マツチングを良好にするためには膜表に
おける屈折率をできるだけＩに接近させることが重要と
なる。
グ速度は１００〜２００λ／ｓｅａであり一方しや光層
のエツチング速度は１０〜２０人／ｓｅｃと一桁小さい
事実を認知している。反射防止膜のサイドエツジでは、
この比率では進行せずに、むしろ遅い。そこで本発明者
等は反射率低下効果に着目して本発明を完成するに至っ
たフォトマスクブランクの反射防止膜は、深す方向に屈
折率が変化する「不均等膜」であり、その表面反射率は
、屈折率の上下界面におけるミスマツチングにより決定
される。したがって、下地のクロムとのマツチングと上
の空気とのマツチングが問題となるが、本課題では後者
が問題であり、マツチングを良好にするためには膜表に
おける屈折率をできるだけＩに接近させることが重要と
なる。
本発明の方法に従ってアルゴン中にガス状炭素源を添加
するとエツチング速度も低下するが、反射率も低下し、
容易に、かつ再現性良く低反射率が達成できる。
するとエツチング速度も低下するが、反射率も低下し、
容易に、かつ再現性良く低反射率が達成できる。
［実施例］
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実」Ｌ倒−
フオドマスク用溶融石英基板（５″角、０．０８°ｔ）
を通常の洗浄法により処理した後、直流マグネトロンス
パッタリング装置に基板をセットした。残留ガス圧！、
５Ｘ１０−’ Ｔｏｒｒまで排気後、アルゴンガスを導
入して〜２ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒの圧力で逆スパツタ
リング（高周波１３．５６ Ｍｚで基板側を陰極にする
）して、約５分間クリーニングした後、再び排気し、１
．５ＸＩＯ−’ Ｔｏｒｒまで排気した。次いでクロム
金属ターゲットを３８５１／ １人（６＃φターゲツト
）５分間プレスバッタリング（Ａｒガス圧２ Ｘｌ０−
’Ｔｏｒｒ ） した後、アルゴン４５ＳＣ（１１、窒
素Ｓ Ｓｃｃ■の流量のガスを導入し２〜３ＸｌＯ−’
Ｔｏｒｒ）にて、約７００人のクロム層を形成した。
を通常の洗浄法により処理した後、直流マグネトロンス
パッタリング装置に基板をセットした。残留ガス圧！、
５Ｘ１０−’ Ｔｏｒｒまで排気後、アルゴンガスを導
入して〜２ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒの圧力で逆スパツタ
リング（高周波１３．５６ Ｍｚで基板側を陰極にする
）して、約５分間クリーニングした後、再び排気し、１
．５ＸＩＯ−’ Ｔｏｒｒまで排気した。次いでクロム
金属ターゲットを３８５１／ １人（６＃φターゲツト
）５分間プレスバッタリング（Ａｒガス圧２ Ｘｌ０−
’Ｔｏｒｒ ） した後、アルゴン４５ＳＣ（１１、窒
素Ｓ Ｓｃｃ■の流量のガスを導入し２〜３ＸｌＯ−’
Ｔｏｒｒ）にて、約７００人のクロム層を形成した。
その後、さらに酸素３５ａｃｓ、メタン２５ｃｃｍを導
入し、第１層形成後、真空を破らず、同一スパッタリン
グ条件でプレスパツタリング後、本スパッタリングを行
い、約３００人の酸化窒化クロム層を形成した。かくし
て得られたフォトマスクブランクの表面反射率を測定（
日立製作新製３４Ｇ型分光光度計）したところ、４３６
０１において８％、 ７００ｎｍにおいて２５９Ａと、
従来に比べ４〜５％（４３６ｎｍで）低い反射率が得ら
れた。メタンの添加により毎回、同等の反射率が得られ
、これにより不添加の場合に比べて著しく再現性が向上
していることが分かった。
入し、第１層形成後、真空を破らず、同一スパッタリン
グ条件でプレスパツタリング後、本スパッタリングを行
い、約３００人の酸化窒化クロム層を形成した。かくし
て得られたフォトマスクブランクの表面反射率を測定（
日立製作新製３４Ｇ型分光光度計）したところ、４３６
０１において８％、 ７００ｎｍにおいて２５９Ａと、
従来に比べ４〜５％（４３６ｎｍで）低い反射率が得ら
れた。メタンの添加により毎回、同等の反射率が得られ
、これにより不添加の場合に比べて著しく再現性が向上
していることが分かった。
［発明の効果］
本発明の実施によれば、低反射率の達成が従来よりも遥
かに容易であり、かつその再現性も良好である。従来の
技術では、低反射率の達成は再現性が悪く、反射率の確
認や、高い場合には゛ガス条件や他の装置パラメータを
調節しながら成膜するなど繁雑な操作が必要であった。
かに容易であり、かつその再現性も良好である。従来の
技術では、低反射率の達成は再現性が悪く、反射率の確
認や、高い場合には゛ガス条件や他の装置パラメータを
調節しながら成膜するなど繁雑な操作が必要であった。
本発明によれば、安定して再現性良く低反射率の達成が
できるので、これらの繁雑な操が省略できる利点がある
。
できるので、これらの繁雑な操が省略できる利点がある
。
また、本発明によれば従来と比べて相対的に良好な低反
射率値が得られる。
射率値が得られる。
特許出願人 凸版印刷株式会社
Claims (4)
- （１）透光性基板上にしや光性膜と、クロム炭化物含有
クロムオキシナイトライドから成る反射防止膜とを順次
積層して成る表面低反射フォトマスクブランク。 - （２）透光性基板上にしや光性膜と、クロム炭化物含有
クロムオキシナイトライドから成る反射防止膜とにパタ
ーンを形成して成る表面低反射フォトマスク。 - （３）透光性基板上にしや光性膜と、クロム炭化物含有
クロムオキシナイトライドから成る反射防止膜とを順次
積層して成る表面低反射フォトマスクブランクの製法で
あって、反射防止膜のスパッタリングに際して、アルゴ
ン中に窒素と酸素以外に、さらにガス状炭素源を添加し
て成膜することを特徴とする製法。 - （４）透光性基板上にしや光性膜と、クロム炭化物含有
クロムオキシナイトライドから成る反射防止膜とを順次
積層して成る表面低反射フォトマスクの製法であって、
反射防止膜のスパッタリングに際して、アルゴン中に窒
素と酸素以外に、さらにガス状炭素源を添加して成膜す
ることを特徴とする製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034168A JPH02212843A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034168A JPH02212843A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212843A true JPH02212843A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12406677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034168A Pending JPH02212843A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212843A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08225933A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2001305713A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
| JP2007094250A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095437A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034168A patent/JPH02212843A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095437A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08225933A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2001305713A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
| JP2007094250A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
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