JPH022130A - シリコン熱酸化膜形成方法および形成装置 - Google Patents
シリコン熱酸化膜形成方法および形成装置Info
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- JPH022130A JPH022130A JP14644688A JP14644688A JPH022130A JP H022130 A JPH022130 A JP H022130A JP 14644688 A JP14644688 A JP 14644688A JP 14644688 A JP14644688 A JP 14644688A JP H022130 A JPH022130 A JP H022130A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路をはじめとする各種固体デバ
イスに用いられる、シリコン熱酸化膜の形成方法および
形成装置に関するものである。
イスに用いられる、シリコン熱酸化膜の形成方法および
形成装置に関するものである。
［従来の技術］
従来半導体集積回路などに用いられるシリコンの熱酸化
膜は１次の様な方法で形成されてきた。
膜は１次の様な方法で形成されてきた。
すなわち、シリコン基板を洗浄後石英製のテートに基板
を載せ、電気炉で加熱された開管式石英反応管中で所定
の温度および所定の雰囲気（酸素あるいは水蒸気雰囲気
などり下で加熱する。ここで洗浄方法としては、過酸化
水素水／アンモニア水混液（例えばＨ２Ｏ２：ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２Ｏ＝ １ ： １ ： ５ ）、あるいは過酸
化水素水／塩酸混液（例えばＨ２０□：ＨＣｔ：Ｈ２０
＝１：１：５）、あるいは硫酸／水混液（例えばＨ２Ｓ
Ｏ４：Ｈ２Ｏ：１：４）などが代表的なものであるが、
これらの洗浄液は酸化剤を使用しているため、洗浄後薄
い酸化膜（以後洗浄酸化膜と呼ぶ）がシリコン基板表面
上に形成される。洗浄酸化膜を避けるため、洗浄後希弗
酸中でエツチングしたとしても、シリコン基板表面は大
気中の酸素や水蒸気によって１ ｎｍ程度の酸化膜がす
みやかに形成されてしまう（以後、自然酸化膜と呼ぶ）
。従って、目的とする酸化工程は、ウェー７１表面に初
期酸化膜（洗浄酸化膜、あるいは自然酸化膜）が存在す
る状態を出発点とし、熱酸化が行われることに、なる。
を載せ、電気炉で加熱された開管式石英反応管中で所定
の温度および所定の雰囲気（酸素あるいは水蒸気雰囲気
などり下で加熱する。ここで洗浄方法としては、過酸化
水素水／アンモニア水混液（例えばＨ２Ｏ２：ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２Ｏ＝ １ ： １ ： ５ ）、あるいは過酸
化水素水／塩酸混液（例えばＨ２０□：ＨＣｔ：Ｈ２０
＝１：１：５）、あるいは硫酸／水混液（例えばＨ２Ｓ
Ｏ４：Ｈ２Ｏ：１：４）などが代表的なものであるが、
これらの洗浄液は酸化剤を使用しているため、洗浄後薄
い酸化膜（以後洗浄酸化膜と呼ぶ）がシリコン基板表面
上に形成される。洗浄酸化膜を避けるため、洗浄後希弗
酸中でエツチングしたとしても、シリコン基板表面は大
気中の酸素や水蒸気によって１ ｎｍ程度の酸化膜がす
みやかに形成されてしまう（以後、自然酸化膜と呼ぶ）
。従って、目的とする酸化工程は、ウェー７１表面に初
期酸化膜（洗浄酸化膜、あるいは自然酸化膜）が存在す
る状態を出発点とし、熱酸化が行われることに、なる。
初期酸化膜の影響は、工ぎタキシャル成長の分野では従
来から強く認識され、成長前に初期酸化膜を除去する工
程が必ず入れられている。水素ガス中で高温熱処理する
、あるいは高真空中で熱処理する工程などがそれに相当
する。しかし熱酸化の分野では、初期酸化膜の重要性は
従来まりたく考慮されておらず、上述したように初期酸
化膜が存在する状態から熱酸化を行ってきたと同時に、
初期酸化膜を除去可能な酸化膜形成装置は存在しなかっ
た。初期酸化膜は、先に述べた熱処理をしない限り蒸発
することなく膜中に残存し、従って酸化条件は所望の熱
酸化条件からかけ離れてしまう。つまり、低温酸化膜を
取り込んだ酸化膜となってしまうことが避けられない。
来から強く認識され、成長前に初期酸化膜を除去する工
程が必ず入れられている。水素ガス中で高温熱処理する
、あるいは高真空中で熱処理する工程などがそれに相当
する。しかし熱酸化の分野では、初期酸化膜の重要性は
従来まりたく考慮されておらず、上述したように初期酸
化膜が存在する状態から熱酸化を行ってきたと同時に、
初期酸化膜を除去可能な酸化膜形成装置は存在しなかっ
た。初期酸化膜は、先に述べた熱処理をしない限り蒸発
することなく膜中に残存し、従って酸化条件は所望の熱
酸化条件からかけ離れてしまう。つまり、低温酸化膜を
取り込んだ酸化膜となってしまうことが避けられない。
初期酸化膜の影響は酸化膜厚が薄いほど著しく、デ１４
イスの微細化が進展し５ ｎｍ以下の酸化膜がダート酸
化膜として要求されてくると、影響が無視できなくなる
。
イスの微細化が進展し５ ｎｍ以下の酸化膜がダート酸
化膜として要求されてくると、影響が無視できなくなる
。
その理由は、低温酸化膜は高温で熱処理を受けたとして
も膜質の改善に限界がメリ、高温で熱酸化した酸化膜に
及ばないため（加納、張、版部、小出、松材：電子情報
通信学会技術研究報告ＳＤＭ８７−１７３〜１８１（１
９８１）２５参照）、また洗浄酸化膜あるいは自然酸化
膜には、不純物が取り込まれている可能性や吸着してい
る可能性が犬きく、酸化膜中の不純物となって膜質を劣
化させる原因となるためである。従って新しい酸化膜形
成方法およびそれを可能とする酸化膜形成装置が必要と
なる。
も膜質の改善に限界がメリ、高温で熱酸化した酸化膜に
及ばないため（加納、張、版部、小出、松材：電子情報
通信学会技術研究報告ＳＤＭ８７−１７３〜１８１（１
９８１）２５参照）、また洗浄酸化膜あるいは自然酸化
膜には、不純物が取り込まれている可能性や吸着してい
る可能性が犬きく、酸化膜中の不純物となって膜質を劣
化させる原因となるためである。従って新しい酸化膜形
成方法およびそれを可能とする酸化膜形成装置が必要と
なる。
［発明が解決し↓うとする課題］
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、悪影響の
元となる初期酸化膜を除去し、初期酸化膜のない状態を
出発点として、所定の温度および雰囲気のもとて良質の
酸化膜を形成し得るシリコン熱酸化膜形成方法および形
成装置を提供することを目的とする。
元となる初期酸化膜を除去し、初期酸化膜のない状態を
出発点として、所定の温度および雰囲気のもとて良質の
酸化膜を形成し得るシリコン熱酸化膜形成方法および形
成装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するだめの手段と作用コ
本発明は上記目的を達成するために、シリコン基板表面
の自然酸化膜あるいは洗浄で形成された酸化膜を除去す
る工程と、その後大気中に取シ出すことなく、所定の温
度および雰囲気ｆｆｘ中で熱酸化する工程とから構成さ
れていることを特徴とするものであシ、また、反応炉と
それを加熱する電気炉、および反応炉中へのガス供給シ
ステム、およびｌＸ１０Ｔｏｒｒ以下に排気可能なガス
排気システム、および反応炉との間に／Ｊルブを設けた
予備排気室、および予備排気室から反応炉へシリコンウ
ェーハを出し入れ可能とする搬送システムから成り１反
応炉中で熱酸化前処理と熱酸化を連続的に行うことを特
徴とするものであり、初期酸化膜のない状態を出発点と
して、所定の温度および雰囲気のもとて良質の酸化膜を
形成するようにしたものである。
の自然酸化膜あるいは洗浄で形成された酸化膜を除去す
る工程と、その後大気中に取シ出すことなく、所定の温
度および雰囲気ｆｆｘ中で熱酸化する工程とから構成さ
れていることを特徴とするものであシ、また、反応炉と
それを加熱する電気炉、および反応炉中へのガス供給シ
ステム、およびｌＸ１０Ｔｏｒｒ以下に排気可能なガス
排気システム、および反応炉との間に／Ｊルブを設けた
予備排気室、および予備排気室から反応炉へシリコンウ
ェーハを出し入れ可能とする搬送システムから成り１反
応炉中で熱酸化前処理と熱酸化を連続的に行うことを特
徴とするものであり、初期酸化膜のない状態を出発点と
して、所定の温度および雰囲気のもとて良質の酸化膜を
形成するようにしたものである。
［実施例］
第１図に、本発明の一実施例による装置の概略図を示す
。本装置の主な構成は、反応炉１ノとそれを加熱する電
気炉１２．、／ｌ／ス供給システム１３゜ガス排気シス
テム１４．予備排気室１５．ウェーハ搬送システム１６
．））”−トバルプ１７である。
。本装置の主な構成は、反応炉１ノとそれを加熱する電
気炉１２．、／ｌ／ス供給システム１３゜ガス排気シス
テム１４．予備排気室１５．ウェーハ搬送システム１６
．））”−トバルプ１７である。
反応炉１１は、高温に加熱した時放出ガスが少ない材料
、例えば石英で構成され、電気炉１２は、反応炉１ノの
温度が空間的時間的に一定に保たれる方法、例えば抵抗
加熱ヒータで構成される。この場合急熱急冷できる電気
炉の方が好ましい。他の加熱方法、例えば傍熱型赤外線
加熱なども可能であるが、均一性安定性が要求される熱
酸化膜では、抵抗加熱が最も優れる。ガス供給システム
１３は、ガスボンベや減圧弁、各種バルブや流量計など
から構成される。ガス排気システム１４は、例えば三系
統から構成する。一系統は反応炉１１をＩ Ｘ １０−
２Ｔｏｒｒ以下に排気できるように、例えばター′Ｎポ
ンプなどを使用する。この場合、反応炉１１の熱により
ポンプの能力が劣化しないようにすることが重要で、ポ
ンプの排気口が反応炉１１を直接見込まないように例え
ば９０度曲げて設置する必要がある。二番目の系統は大
気圧〜１０−２Ｔｏｒｒに対応できるように、例えばロ
ータリポンプとメカニカルブースターポンプあるいはド
ライポンプなどを使用し、反応炉１１との間に圧力調整
用の弁を設ける。三番目の系統は大気圧での使用に対応
できるようにするため、反応炉１゛１の後部に弁を設は
ガスを直接ドレイン（大気圧）に流せるようにする７、
予備排気室１５と反応炉１ノの間にはゲートバルブ１７
を設け、反応室を高真空に保つ。
、例えば石英で構成され、電気炉１２は、反応炉１ノの
温度が空間的時間的に一定に保たれる方法、例えば抵抗
加熱ヒータで構成される。この場合急熱急冷できる電気
炉の方が好ましい。他の加熱方法、例えば傍熱型赤外線
加熱なども可能であるが、均一性安定性が要求される熱
酸化膜では、抵抗加熱が最も優れる。ガス供給システム
１３は、ガスボンベや減圧弁、各種バルブや流量計など
から構成される。ガス排気システム１４は、例えば三系
統から構成する。一系統は反応炉１１をＩ Ｘ １０−
２Ｔｏｒｒ以下に排気できるように、例えばター′Ｎポ
ンプなどを使用する。この場合、反応炉１１の熱により
ポンプの能力が劣化しないようにすることが重要で、ポ
ンプの排気口が反応炉１１を直接見込まないように例え
ば９０度曲げて設置する必要がある。二番目の系統は大
気圧〜１０−２Ｔｏｒｒに対応できるように、例えばロ
ータリポンプとメカニカルブースターポンプあるいはド
ライポンプなどを使用し、反応炉１１との間に圧力調整
用の弁を設ける。三番目の系統は大気圧での使用に対応
できるようにするため、反応炉１゛１の後部に弁を設は
ガスを直接ドレイン（大気圧）に流せるようにする７、
予備排気室１５と反応炉１ノの間にはゲートバルブ１７
を設け、反応室を高真空に保つ。
続いて本実施例の装置を用いて、高真空下で熱処理する
ことによって初期酸化膜を除去する方法の一例について
説明する。シリコンウェーハを■（２０２（３０％）
：ＮＨ４ＯＨ（２９％）：Ｈ２０＝１：１：５中で煮沸
洗浄し、水洗後金弗酸（ＨＦ（５０％）：Ｈ２Ｏ＝３：
１００）中で洗浄酸化膜をエツチングする。その後Ｈ２
Ｏ２（３０チ）：ＨＣＡ（３６％）：Ｈ２Ｏ＝ １ ：
１：５中で煮沸洗浄し、水洗、乾燥させ、予備排気室
１５ヘウエーハを設置する。予備排気室１５をＩ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒまで排気した後ダートバルブ１７を開
け、例えばＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ 、 ５００℃に
設定した反応炉・１１の中にウェーハを搬送する。反応
炉１１の圧力は一時低下するが、ダートバルブ１７を閉
じると数分で元に戻る。
ことによって初期酸化膜を除去する方法の一例について
説明する。シリコンウェーハを■（２０２（３０％）
：ＮＨ４ＯＨ（２９％）：Ｈ２０＝１：１：５中で煮沸
洗浄し、水洗後金弗酸（ＨＦ（５０％）：Ｈ２Ｏ＝３：
１００）中で洗浄酸化膜をエツチングする。その後Ｈ２
Ｏ２（３０チ）：ＨＣＡ（３６％）：Ｈ２Ｏ＝ １ ：
１：５中で煮沸洗浄し、水洗、乾燥させ、予備排気室
１５ヘウエーハを設置する。予備排気室１５をＩ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒまで排気した後ダートバルブ１７を開
け、例えばＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ 、 ５００℃に
設定した反応炉・１１の中にウェーハを搬送する。反応
炉１１の圧力は一時低下するが、ダートバルブ１７を閉
じると数分で元に戻る。
その後反応炉１ノを８００℃に昇温し、例えば真空度Ｉ
Ｘ １０”” Ｔｏｒｒのもとて１０分間加熱する。
Ｘ １０”” Ｔｏｒｒのもとて１０分間加熱する。
、この真空度は全圧力であシ、マススペクトルによる測
定では、水蒸気の分圧はその１０〜２０％程度、酸素は
はとんど検出されない。以上の条件下の熱処理によって
、初期酸化膜は確実に除去される。同時に膜中あるいは
表面に吸着していた不純物原子も除去される。洗浄後希
弗酸で処理した場合には、よシ短時間で酸化膜除去が可
能である。
定では、水蒸気の分圧はその１０〜２０％程度、酸素は
はとんど検出されない。以上の条件下の熱処理によって
、初期酸化膜は確実に除去される。同時に膜中あるいは
表面に吸着していた不純物原子も除去される。洗浄後希
弗酸で処理した場合には、よシ短時間で酸化膜除去が可
能である。
しかる後反応炉１ノの温度を所望の値にし、所望の雰囲
気を導入し所望の圧力で熱酸化する。例えば、第三の排
気系統を用いて乾燥酸素ｌ ａｔｍ中で８００℃、４０
分間熱処理すれば、（１００）面では４０Ａの洗浄酸化
膜が形成される。酸素を導入した時にウェーハ温度が変
化し酸化膜厚の制御性に影響を与えるが、酸化時間を２
０分程度以上にすれば無視できる。このようにして形成
した熱酸化膜は、初期酸化膜のような低温酸化膜を含ん
でおらず、シリコン界面から表面まで所望の温度と雰囲
気で形成された酸化膜である。さらに、初期酸化膜に含
まれる不純物原子の取シ込みがまったくないため、耐圧
や歩留まシの向上が図られる。
気を導入し所望の圧力で熱酸化する。例えば、第三の排
気系統を用いて乾燥酸素ｌ ａｔｍ中で８００℃、４０
分間熱処理すれば、（１００）面では４０Ａの洗浄酸化
膜が形成される。酸素を導入した時にウェーハ温度が変
化し酸化膜厚の制御性に影響を与えるが、酸化時間を２
０分程度以上にすれば無視できる。このようにして形成
した熱酸化膜は、初期酸化膜のような低温酸化膜を含ん
でおらず、シリコン界面から表面まで所望の温度と雰囲
気で形成された酸化膜である。さらに、初期酸化膜に含
まれる不純物原子の取シ込みがまったくないため、耐圧
や歩留まシの向上が図られる。
なお初期酸化膜が除去される条件の確認は、エピタキシ
ャル膜堆積した試料を作成し、Ｓ ＩＭＳ（Ｓｓｃｏｎ
ｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍｌｃｒｏ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏ
ｐｙ）分析によって行った。
ャル膜堆積した試料を作成し、Ｓ ＩＭＳ（Ｓｓｃｏｎ
ｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍｌｃｒｏ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏ
ｐｙ）分析によって行った。
以上に代表的な例を挙げたが、真空中熱処理によって初
期酸化膜が除去されるかどうかは、第２図に示したよう
に熱処理時の真空度によって決定され、ある圧力以下で
ないと酸化膜は除去されない。
期酸化膜が除去されるかどうかは、第２図に示したよう
に熱処理時の真空度によって決定され、ある圧力以下で
ないと酸化膜は除去されない。
例えば、Ｉ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒのもとでは、７５０
〜９００℃、１０分の熱処理で実際に十分除去されてお
シ、この事実は、酸化膜除去工程と酸化工程とを同じ温
度で行える範囲が広いことを意味している＠ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒでは除去不可能であった。
〜９００℃、１０分の熱処理で実際に十分除去されてお
シ、この事実は、酸化膜除去工程と酸化工程とを同じ温
度で行える範囲が広いことを意味している＠ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒでは除去不可能であった。
このように初期酸化膜除去時における真空度の影響は太
きいため、予め反応室は高温で十分焼きだしを行い（８
００℃熱酸化の場合９００℃、１ｈｒ）高真空状態を維
持しておく必要がある。このためには、反応炉１１との
間にバルブＪ７を設けた予備排気室１５は必須である。
きいため、予め反応室は高温で十分焼きだしを行い（８
００℃熱酸化の場合９００℃、１ｈｒ）高真空状態を維
持しておく必要がある。このためには、反応炉１１との
間にバルブＪ７を設けた予備排気室１５は必須である。
ここでは酸化雰囲気として乾燥酸素の例を挙げたが、水
蒸気、酸素十三弗化窒素、酸素＋塩化水素、酸素＋トリ
クレンなど所望の雰囲気を選んでもよいのは勿論である
。
蒸気、酸素十三弗化窒素、酸素＋塩化水素、酸素＋トリ
クレンなど所望の雰囲気を選んでもよいのは勿論である
。
初期酸化膜の他の除去方法としては、水素雰囲気中で高
温に加熱する方法、シランあるいはジシランを流して加
熱する方法を用いることも可能である。水素ガス中では
酸化膜のエツチング速度が遅いので、実質的に１０００
℃以上の高温が必要であり、高温を避けたい場合には使
用できない。
温に加熱する方法、シランあるいはジシランを流して加
熱する方法を用いることも可能である。水素ガス中では
酸化膜のエツチング速度が遅いので、実質的に１０００
℃以上の高温が必要であり、高温を避けたい場合には使
用できない。
シランあるいはジシランを流す場合には、ガス分圧を小
さくする必袂がある。例えば、９５０℃の場合、ジン２
フ分圧を１０” ａｔｍ以下にする必要がある（ Ｙ、
Ｋｕｎｉｉ ａｎｄ Ｙ、５ａｋａｋｉｂａｒａ：Ｊａ
ｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐＨｅｄ Ｐ
ｈｙｓｌｃｓ ２６（１９８２） １８１６参照）。こ
の値以上にすると酸化膜が除去できずシリコンが堆積さ
れてしまうからである。
さくする必袂がある。例えば、９５０℃の場合、ジン２
フ分圧を１０” ａｔｍ以下にする必要がある（ Ｙ、
Ｋｕｎｉｉ ａｎｄ Ｙ、５ａｋａｋｉｂａｒａ：Ｊａ
ｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐＨｅｄ Ｐ
ｈｙｓｌｃｓ ２６（１９８２） １８１６参照）。こ
の値以上にすると酸化膜が除去できずシリコンが堆積さ
れてしまうからである。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、熱酸化工程の前
に初期酸化膜（洗浄酸化膜あるいは自然酸化膜）を除去
する工程を大気に曝すことなく連続して行うことＫよっ
て、次のような利点がある。
に初期酸化膜（洗浄酸化膜あるいは自然酸化膜）を除去
する工程を大気に曝すことなく連続して行うことＫよっ
て、次のような利点がある。
まず初期酸化膜がない状態から酸化を開始できるため、
形成された酸化膜は所望の温度と雰囲気ガスによって形
成されたもののみであり、初期酸化膜のような低温で形
成された品質の悪い酸化膜が含まれていない。次に、初
期酸化膜に含まれるあるいは表面に吸着している不純物
を、酸化膜除去工程で蒸発させてしまうことができ、不
純物汚染の面からも高品質となる。従って、酸化膜質や
不純物汚染に敏感なｆ−）酸化膜の耐圧や、ダイオード
およびトランジスタ歩留まりの向上が図られる。この効
果は、酸化膜厚が薄くなるに従い顕著になる。
形成された酸化膜は所望の温度と雰囲気ガスによって形
成されたもののみであり、初期酸化膜のような低温で形
成された品質の悪い酸化膜が含まれていない。次に、初
期酸化膜に含まれるあるいは表面に吸着している不純物
を、酸化膜除去工程で蒸発させてしまうことができ、不
純物汚染の面からも高品質となる。従って、酸化膜質や
不純物汚染に敏感なｆ−）酸化膜の耐圧や、ダイオード
およびトランジスタ歩留まりの向上が図られる。この効
果は、酸化膜厚が薄くなるに従い顕著になる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第２図は
゛本発明に係る初期酸化膜除去可能条件の一例を示す特
性図である。 １ノ・・・反応管、１２・・・電気炉、１３・・・ガス
供給システム、１４・・・ガス排気システム、１５・・
・予備排気室、１６・・・ウェーハ搬送システム、１７
・・・ダートノ譬ルプ。
゛本発明に係る初期酸化膜除去可能条件の一例を示す特
性図である。 １ノ・・・反応管、１２・・・電気炉、１３・・・ガス
供給システム、１４・・・ガス排気システム、１５・・
・予備排気室、１６・・・ウェーハ搬送システム、１７
・・・ダートノ譬ルプ。
Claims (2)
- （１）シリコン基板表面の自然酸化膜あるいは洗浄で形
成された酸化膜を除去する工程と、その後大気中に取り
出すことなく、所定の温度および雰囲気ガス中で熱酸化
する工程とから構成されていることを特徴とするシリコ
ン熱酸化膜形成方法。 - （２）反応炉とそれを加熱する電気炉、および反応炉中
へのガス供給システム、および１×１０＾−＾７Ｔｏｒ
ｒ以下に排気可能なガス排気システム、および反応炉と
の間のバルブを設けた予備排気室、および予備排気室か
ら反応炉へシリコンウェーハを出し入れ可能とする搬送
システムから成り、反応炉中で熱酸化前処理と熱酸化を
連続的に行うことを特徴とするシリコン熱酸化膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14644688A JPH022130A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | シリコン熱酸化膜形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14644688A JPH022130A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | シリコン熱酸化膜形成方法および形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022130A true JPH022130A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15407830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14644688A Pending JPH022130A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | シリコン熱酸化膜形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426120A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Nec Corp | 半導体基板の処理方法 |
| US6399504B1 (en) * | 1996-03-05 | 2002-06-04 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111630A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63120428A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Fujitsu Ltd | 酸化方法及び酸化装置 |
| JPS6481361A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nec Corp | Manufacture of tunnel transistor |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP14644688A patent/JPH022130A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63111630A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63120428A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Fujitsu Ltd | 酸化方法及び酸化装置 |
| JPS6481361A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nec Corp | Manufacture of tunnel transistor |
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