JPH02213835A - 光電導体によるｘ線露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｘ線放射を電荷像に変換し、Ｘ線被曝の前に
局部的に均等に充電され、被曝によりＸ線放射強度の関
数として放電され、被曝の後にその表面が電荷密濃検出
のために走査され、映像値は各像点用に形成され、像点
での放電に対応する光電導体によりＸ線被曝を発生さゼ
る方法に係る。

このような方法および装置は西独特許公開公報３、５３
４．７６８に示されている。

しかし、これら映像値はＸ線被曝の間に起こる照射によ
り決定されるばかりでなく、光電導体の照射に依存する
自己放電によっても決定されることが知られている。像
点のすべてが同程度に放電されているのではないので、
この自己放電はＸ線被曝で人工物を発生させる。本発明
の目的は少なくともこれら人工物を減少させることにあ
る。

上記人工物を生み出す効果はまず、いわゆる記憶効果で
ある。これは、２回のＸ線被曝が矢継早に行なわれる時
に、先行する被曝において特に強い放射（直接放射）（
「ゴーストイメージ」）により影響を被る第二の被曝に
おいて観察できる領域により表わされる。

本発明では、この記憶効果のもたらす結果が、先行被曝
から充電終了すなわち読取りまでに経過する時間と、光
電導体の放電特性関数と、先行被曝における当該像点で
の線量に依存する振幅係数とから各像点て自己放電が決
定されることにより減少または除去され、また関連する
映像値が相応して補正されることにより減少または除去
される。

この場合、自在に予め決定可能な線量を有する光電導体
の自己放電の時間的変化は、光電導体の放電特性関数ｆ
（ｔ）として表わされる。本発明は、Ｘ線被曝に続くあ
る光電導体の自己放電が、あらゆる場合に同じである時
間関数−光電導体の放電特性関数ｆ（し）−とＸ線被曝
の線量に依存する振幅係数の積として表わされるという
認識に基づいている。この放電は当初はかなり強いが、
Ｘ線被曝からの時間内隅たりが大きくなるにつれて減少
傾向になる。被曝の後に光電導体が再充電されても、自
己１１１電は発生する。充電が続く限り光電導体の表面
電位と電荷温度は変化しない。それは、自己放電により
消失する電荷担体が次々に充電過程により置ぎかえられ
るからである１、３分以上の後は、自己放電は表面電位
において実質的に何の変化ももたらさない。３分以上の
間隔で起こるＸ線被曝の場合には、したがって記憶効果
は概してもはや顕著とはならない。

第二の自己放電過程が現実のＸ線被曝に続いて起こるー
これは以前に既に被曝があったか否かを問わない。この
自己放電の程度は、それによりＸ線被曝の個々の像点が
影響を受ける放射線量と、Ｘ線被曝から電荷密濃が当該
像点て走査される瞬間までに経過する時間とに依存する
。これらのパラメータは概して異なった像点ては異なる
ので、これはまた人工物を生成する結果となる。これは
本発明によれば映像値が、映像値に比例し、走査時と望
ましくは被曝時である基準時との間の時間差に比例する
値だけ、各被曝により生じた放電の補正のために減少さ
せられることにより、除去される。

本質的にＸ線被曝後の自己放電過程は記憶効果とともに
前述したものと同じである。診療にとって重要な領域で
のＸ線放射はかなり弱いので、放電特性関数の非直線の
線は直線に一部っで近似とされてよい。被曝に続く自己
放電の決定のために必要なのは、したがって、各映像値
を走査時と被曝時との時間差に比例的に減少させること
である。。

記憶効果の結果の補正に必要４１変数の決定は様々なブ
フ法で行われる。

本発明の第１の展開は、振幅係数が先行被曝の映像値か
ら導かれることを想定している３、これは映像値と線量
の関係上に係わり、それは既知のより大きな線量の場合
には非線形となっている。

第二の展開は他方、Ｘ線被曝により生じた放電映像は２
度走査され、振幅係数は２つの走査時Ｃ′の放電特性関
数の差どなって表われ、映像値の差から決定されること
を想定する。１すなわち自己放電は２回の走査時の間の
映像値の変化から直接決定される。

実施例 以下本発明を図面を参照しながらより詳細に説明する。

第１図中、１は光線２の光電を発するＸ線１ミツターを
概略的に示し、該光電はスロットを設けられた仕切板３
により平坦な扇形光線に変えられて、患者配置テーブル
５に横たわる患者４を通過する。テーブル５の反対側で
は光線２の光電は他の仕切板６を通過して映像記録機に
達し、該記録機は表面に望ましくはセレンの光電導層８
を配した円筒キャリアー７より成る。電導性をもったキ
ャリアー７は負の直流電圧たとえば−１５００ポル１−
に接続される。

Ｘ線被曝が開始する前に、光電導体は円筒軸に平行な電
荷手段によりＯボルトの電荷がかけられて、光電導層に
は１５００ボルトの電圧が存在することになる。キャリ
アー７の回転により行なわれる電荷はＸ線被暉直前に中
断される。Ｘ線被曝では、キャリアーは同様に回転し、
矢印１１の方向へ転置する。Ｘ線照射の過程で光電導体
の全表面は次第に光り出し、Ｘ線強度にしたがって、各
地点で稈度の差をもって放電される。表面の電荷密部す
なわち表面電位は、Ｘ線照射強度の尺度を示すが、これ
は被曝の後に一ドラムの回転と同様に一静電誘導検査装
置１０により走査され、電気的信号に変換される。これ
らの信号は被曝後の表面電位と放電に比例しており、回
路構成部（詳細は図示していない）により増幅され、デ
ジタルデータ８語に変換される。これらデータ言詔は、
光電導体に関係する地点での表面電位と放電を示し関係
する像点でのＸ線照射強度の尺□□□となる数値をデジ
タル表示する。故に今後はこれを映像値と称することと
する。

こういった装置は西独特許公開公報用 ３．５３４７６８号に詳細に示されている。しかし、円
筒面を有する記録キャリアーの代わりに平らな記録キャ
リアーも使用でき、そうするとキャリアは全面が同時に
発光しキャリアーの表面電位はジグザク走査運動により
検出される。

第２図では実線で示された曲線ｆ（ｔ）は、Ｘ線照射に
さらされ同時に１＝０の時間で充電された光電導体の場
合の表面電位の部間的変化を示す１゜Ｘ線発光により生
じた電荷担体の一部は光電導体のトラップで捕獲される
。これら電荷担体は後に熱により自由になる。それらは
、光電導体層において優勢な電界の影響の下で、光電導
体表面に垂直に浮遊し、放電を起こす。この放電はＸ線
被曝の直後はかなり強いが、数分で静まる。

以−Ｖにより、先行するＸ線被曝により引起こされる電
荷担体の運動が静まらない限り、記憶効果はほんの一部
の役割しか果たさないということが明らかになった。し
かし、次の被曝が相当の時間、たとえば３分以上経過後
でないと起こらない場合には、記憶効果は実際上顕著に
なることはない。

記憶効果により生じる自己放電が現在の被曝により起こ
る放電と比較されると、記憶効果は先行被曝の直接照射
領域にｄ５いて主に効果的であり、そこで現在の被曝の
関連する映像領域と診察に都合良く重なることがわかる
。現在の被曝でのこれら映像領域では直接照射に比して
線量が小さいので、記憶効果がここでは優れている。現
在の被曝の直接照射領域は診察上はとんど重要ではない
が、これらの効果の前では補正を容易にする。光電導体
の電荷が１−０の時に終了せず、ｔ＝ｔｃの時にのみ終
了するとすれば、これは実際士電荷担体の動作に何ら影
響を与えない。ｔ＝ｔｃの時（破線で示される）まで電
荷スイッチが切られない時にできる放電曲線は、曲線ｆ
（ｔ）と一定の値だ（プ異なる。

表面電位の変化が線量の大小に対応する方法で測定され
るならば、値の大小は得られるけれども、曲線は一定の
振幅係数を除ぎ、同一である１、シたがって、以下は自
己放電の場合の表面電位＋ｆ３（ｘ。

Ｖ、ｔ）の時間的変化にあてはまる。

ｄＢ（ｘ、ｙ、ｔ）＝Ｋ　（ｘ、ｙ）ｆ　（ｔ）　　（
１）この場合、ｆ（ｔ）は第２図に示された逓増、Ｋ（
ｘ、ｙ）は振幅係数である。式（１）から、軌跡ｘ、ｙ
と時間に左右される変数たる表面電位は軌跡依存係数Ｋ
　（ｘ、ｙ）と時間依存係数ｆ（ｔ）から算出されるこ
とが明らかとなる。

既述のとおり、振幅係数には線量に依存し、正確には線
量が大きくなればその分だけ大きくなる１゜少なくとも
線量が小さい時には、係数には線量に線形関連する。線
量はその役割として光電導体の放電を決定するので、像
点での映像値Ｂと係数にの間の明らかな関係が得られ、
これが式（１）によるこの映像地点での以下の自己放電
を示す。

この関係性は第３図に示されている。振幅係数にはまず
映像値Ｂとも線形増大し、Ｂの増大によりＫの増大はよ
り大きくなることがわかる。第３図に示される曲線は例
えば以下の如く測定される。

はじめに、自己放電の時間的推移が適切に選択された線
量や関連する映像値について測定される。

この推移は、固有の放電関数ｆ（ｔ）（第２図）として
定義される。映像値Ｂは振幅係数に＝１に代入される。

その後、線量は変化し、照射の後に起こる表面電位の変
化が再び測定される。既述の如く、この自己放電の時間
的推移は先に測定した曲線ｆ　（ｔ）とは一定の係数に
ついてのみ異なり、これは曲線の化較から決定できる。

この係数は測定で与えられた映像値Ｂに代入される。こ
の手順は映像値Ｂの数だけ繰返され、第３図のような曲
線が得られる。

ＢとＫの関係性が既知の場合には、自己放電おは以下の
式で各像点について算出できる。。

ｄＢ＝Ｋ”　　（ｆ　（ｔ＋　）　−ｆ　（ｔｃ　））
　　　　　（２）ここでは、先行被曝は１＝０のどきに
終了し、光電導体の電荷はｊ　−１：　２の時の現行被
曝の前に終了し、関係する映像値は１＝１．の時に現在
の映像において検出されたという仮定がなされている。

振幅係数には先行被曝（１＝０の時）にお（）る映像値
から決定される。したがって、現在の被曝で決定される
映像値は」によって減少される。＝１ンピュータを使用
した方法の実行は、第２図と第３図に示した曲線が既知
であり記憶されていることを条件とする。振幅係数には
概して異なった像点ては異なった値であり先行被１での
関連する映像値に依存するため、先行被曝の直後にはす
てに各像点について決定可能となっている。他方、ｔｌ
とｔｃの値は次の被曝の後まで確定しない。つまり式■
の差はその後でなければ算出できない。

ｔｃおよびｆ（ｔ）の瞬間はこの場合あらゆる像点につ
いて一定である。他方、ｔｌ、そして結果的にｆ　（ｔ
＋　）は、各像点での表面電位が概して異なった瞬間で
検出されるため、全像点について等しくならない。

上述の記憶効果の補正は先行被曝で得られた映像値を利
用する。しかし、補正に必要な値を現行被曝のみから得
ることもできる。先行被曝により生じた記憶効果は現行
被曝用に補正または矯正される。すなわち光電導体が被
曝に続いて２つの異なった瞬間ｔ１とｔ２で走査される
と、２個の映像値Ｂ１ど８２がこの像点て得られる。後
の瞬間で検出される映像値Ｂ２はこの場合Ｂ１よりも大
きい。それは、瞬間ｔ２での自己放電が瞬間ｔ１よりも
進行したからである。先行被曝での当該像点における線
量が大きくなり、またこの被曝からの時間が短かくなる
につれ、Ｂ２と８１の差が大きくなる。結局、記憶効果
の力はＢ２とＢ１の間の差から生じ、映像値は同様に補
正される。

この着想を説明するため、第４図を以下に参照する。

第４図はＸ線被曝での像点の表面電位の時間的変化を示
し、先行被曝は１＝０の時に起こったと仮定されている
。関連する放電関数ｆ（ｔ）は第４図に破線で示されて
いる１、この先行被曝の後に、光電導体はまず最初に充
電されｔ＝ｔｃの瞬間まで充電され続【ノでいると仮定
する。その時起こる自己放電は瞬間ｔｃより先の特有放
電曲線ｆ（ｔ）と同じ逓増を示す。しかし、それは、関
連する像点が先行被曝において影響を受りるような線量
に依存して、多かれ少なかれ署しくなる、。

ｔ＝ｂのとぎ、像点は再びＸ線放射で発光される。Ｘ線
被曝中、光電導体の表面は３ｒの聞だ（）放電する。こ
の量は自己放電と同じように像点によって異なり、現実
の映像情報を含むものである、。

Ｘ線被曝の後、光電導体の自己放電は継続し、ｉ　＝　
ｔ　＋のとき、光電導体の表面は走査される３゜像点に
ついてこの場合に得られた映像値はＢ１によって表わさ
れる。光電導体の表面での電荷分布はあらゆる場所で同
時に走査されることはできないが、影線の帯で示される
ように、数秒間だ（）である。電荷分布は走査すなわち
読み取りにＪ：つては変化ぜず、示された自己放電過稈
によってのみ変化させられる。、ｔ−ｔ２の時、光電導
体の表面の再走査機能が開始する。これにより得られた
映像値はＢ２で表わされる。

この間の自己放電の進行により、これはＢ１よりも大き
くなる。

以下は瞬間ｔ１での自己放電に適用される。

ｄＢ＋＝に妊ｆ　（ｔ＋　＞＋ｃ　　　　　　　　　（
３）ここでＣは、ｔ＝ｔｃの時の係数Ｃと特有放電関数
との積に相当する定数である。類推により、以下が瞬間
ｔ２での自己放電（Ｅ２について得られる。

お２　＝ＫＩ′＋ｆ　（ｔ２）　＋Ｃ（４）既述のよう
に、像点の２個の映像値の差のみが当該像点での光電導
体の自己放電の原因となっている。

その結果、また弐Ｇと（４）を考慮すると、以下が当て
はまる。

Ｂ＋　−Ｂ２　＝ｄＢ＋　−ｄＢ２ −Ｋ”　　（ｆ　（ｊ＋　）−ｆ　（ｉ２））（５）こ
の式はＫについて解くことができ、以下のようになる。

Ｋ＝　（Ｂ＋　−８２）　／　（ｆ　（ｔ＋　）−ｆ　
（ｔ２））　　（６）Ｋのこの値が式■に代入されると
、以下が走査瞬間ｔ１までの自己放電について得られる
。

ｃＥ＝　（Ｂ＋　−８２＞”　　（ｆ（ｔ＋　）ｆ　（
ｔｃ　））／　（ｆ（ｔ＋　）　−ｆ（ｂ　））　　（
７）Ｂ１と８２の値は皿回の走査で得られる。放電特性
関数ｆ（し）は当初から知られており、瞬間ｊＣ，ｔ＋
　、ｊ２は先行被曝と充電または走査瞬間ｔ１およびｔ
２の間の時間測定にＪ：り得られる、１Ｘ線装置の場合
には、Ｘ線被曝の時間的連続は常に事柄の順序と同時進
行する。すなわち、充電がＸ線被曝の準備のために切ら
れると、その結果瞬間ｔ＝ｔｃが決まり、瞬間ｔ１と１
２も確定する。ある像点の走査は常にＸ線被曝の導入か
ら同じ時間で起こるからである。したがって、値ｔｌ。

ｔ２．ｆ（ｔ＋　）、ｆ（ｔ２）は瞬間ｔｌ　、　ｔ２
の前に各像点について既に確立しており、」の算出に使
うことができる。このようにして算出された出は映像値
Ｂ１から差引かれるだけで良い。

上記では自己放電は記憶効果によってのみ生じる。つま
りそれは先行（瞬間１＝０のとき）被曝での特に強い放
射（直接放射）によりある部分において影響を受けた表
面により誘導されて特別速く放電するということが仮定
されていた。この原因とは別に、現在のＸ線被曝（ｔ＝
ｔｂ　）で受けた放射線量での自己放電の原因がさらに
依存する。

正しい発光では、この放射線量は比較的小さいそれによ
り生じた人工物が、記憶効果の結果として達成しつると
同程度を呈しないように、ともかくも診療にとって重要
な領域においてはそうである。しかし自己放電は同じ法
則に従う。そして、記憶効果については第２図および式
１と共に説明された。唯一の差異は、振幅係数がかなり
小さく、被曝と走査の瞬間の間の時間が、先行被曝と当
該瞬間の間の時間よりも短いことである。

それゆえ、この自己放電の構成部分の補正部分の補正に
は、式■からのの参照のもとに行なわれる手順を踏む必
要はない。むしろ、表面電位での時間的な線形が変化す
るような補正で十分である。

つまり変数は映像振幅から直接決定され得る。この点に
ついては、第５図が参照される。第５図はｔ＝ｔｂの時
に多様な強度のＸ線放射により影響を受けた３個の異な
る像点についての表面電位の時間的推移を示している。

関連する自己放電曲線はＢａ　、Ｂｂ　、Ｂｃで表わさ
れている１３このことから、以下が観察しうる。

放電曲線は第５図で破線で示した直線で置換えられる。

この直線の傾きは、被＠（ｔ＝ｔｂ）の最後で確定した
映像値に比例する。その結果以下が時間ｔでの像点の放
電ｄＢについてあてはまる。

占−Ｂ”　Ｃ＋　＊（ｔ−ｔｂ　）　　　　　　　　　
（Ｂ）ここでＢは時間ｔで測定された映像値であり、Ｃ
１は実質的な定数である。測定映像値Ｂは、このように
して決定された値ｄＢにより減少される。

この補正は、記憶効果の補正を進めるのに必要なばかり
でなく、記憶効果が関係しない（たとえば先行Ｘ線被曝
からの時間が十分にあるためＸ線被曝の場合にも独立し
てこの利点とともに用いることができる。

第６図では、映像処理装置のブロック回路概略図が示さ
れ、これで上述の補正が行なわれることになる。装置１
０１は検査部１０（第１図）により供給された電気的信
号を増幅してデジタル映像値へ変換する。したがって装
置１０１は一連の映像値を供給する。１回目の走査では
これら映像値は記憶装置１０２へ送られ、２回目の走査
では映像記憶装置１０３へ送られる。記憶装置の各々は
かくて完全なＸ線被曝を有するーなお示された自己放電
による人工物により影響を受ける。構成部分１０１゜１
０２、　１０３および映像処理装置のその伯−切の構成
部分は制御処理装置１０４により制御される。この制御
処理装置は各Ｘ線被曝の瞬間を自記し、先行被曝と瞬間
ｔｃの間の経過時間を決定する。瞬間ｔｃにおいて光電
動体の電荷が現在の被曝に備えてスイッチが切られる。

制御処理装置１０４はまた記憶部において放電特性曲線
ｆ（ｔ＞を含み、その結果この変数を各瞬間で、またそ
こから発生する値を出すことができる。

式（８）とともに説明された自己放電の補正は、加算器
または減算器１０６より成る装置で行なわれる。１この
装置に各映像値が一方では直接、他方では式（８）の結
果を成す装置１０７を介して送られる１、この装置は、
映像値に係数Ｃ＋　　（ｔ−ｔｂ）を乗する倍率器か、
または制御処理装置１０４で読みとられたデータ記録が
送られるルックアップテーブルでもよい。後者では該記
録は、映像値Ｂが装置１０７の入力で入力されると式（
８）による積がその出力に現われるような方法で作り出
される。これは瞬間ｔに至る現在の被曝により誘導され
た自己放電の値上である。その結果、現在の被曝に依存
しない映像値が装置１０６の出力において得られる。こ
の映像値はＢ＋’で表わされる。

１回目走査行程で発生ずる映像値のこの予備補正から類
推して、２回目の走査行程（瞬間ｔ２以後）で発生し記
憶装置１０３に記憶されている映像値も予備補正される
。その目的は式（８）による積を出す装置１０８および
加算器まｌ〔は減算器１０９ににり達せられる。加算器
または減算器の出力では、２回目走査での映像値Ｂ２’
　に対応する信号が結果的に発生する−これは現在の被
曝により誘導される自己放電効果から自由になっている
３、制御処理装置１０４は記憶装置１０２．　１０３か
らの映像値の読取りを、それぞれの場合において同じ像
点に割当てられた映像値が読み取られるように制御する
。

このように゛して予備補正された映像値Ｂ＋’　と８２
’　は装置１１０へ送られ、そこで記憶効果により生じ
た放電が補正される。このために、その装置はＢ＋’　
と８２’　の差を求める減算器１１１を含み、その出力
は装置１１２の入力へ接続され、そこからの出力信号は
上記入力信号と係数 （ｆ（ｔ＋　）　−ｆ（ｔｃ））　／（ｆ　（ｔ＋　）
　−ｆ　（ｔ２　））との積に対応する。

装置１１２はかくて各入力値（Ｂｌ’　　Ｂ２’）につ
いての関連する積が記憶される倍率器またはルックアッ
プテーブルである。装置１１２の出力でのデジタル値は
その結果式のによる値ｄＢと一致する１、つまり、それ
は瞬間ｔ１までの記憶効果により生じた自己放電を示す
。この値は減算器１１３において、予備補正映像値Ｂ＋
’　から減じられる９゜出力信号Ｂ＋にはその結果先行
被曝と現在の被曝に誘導される自己放電効果から自由に
なった映像値を示す。それはかくて映像情報により決定
された値［３ｒに一致する。信号Ｂ、には先にそこから
映像値Ｂ１がとられて記憶場所て記憶′Ｓ１置１０２に
記憶される。

このようにして、記憶装置１０２に含まれた被曝はまず
自己放電効果による人工物に影響されるが、像点毎に補
正される１、他の映像値は該して時間ｔｌ　、ｔ２でな
く伯の瞬間で得られるので、装置１０７、　１０８．　
１１２での乗算で使われた係数は引続き適合されなけれ
ばならない。（構成部分１０６〜１０９により行なわれ
た弐Ｂ）での変数ｔは、ある像点が走査される瞬間に一
致するが、これはまた、係数が装置１０７．　１０８の
ために変化させられなければならないことを意味する。

）光電導体上の隣接する像点は非常に短い間隔で走査さ
れるので、自己放電を無視できるような時間内に走査さ
れる像点が同じ走査点に割当てられるならば、それで十
分である。かくて、第１図で示した装置の場合には、例
えば、電荷濃度がキャリアー７の一回転以内に静電誘導
検査装置１１により走査される像点はすべて同一の走査
時期に割当てられる。その結果、自己放電補正の質はそ
れほど影響を受けないが、それぞれの場合において時間
または放電特性関数ｆ　（ｔ）に依存する係数を再計算
すべき制御処理装置１０４についての割算値は、相当減
少される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の応用が可能なＸ線装置を示す図、 第２図は光電動体の放電特性曲線を示す図、第３図は光
電動体の場合の映像値と線量との関係を示す図、 第４図は記憶効果に影響されたＸ線被曝の場合の表面電
位の時間的変化を示す図、 第５図は多様な強度水準の照度を有するＸ線被曝の場合
の映像値の時間的進行を示す図、第６図は本発明による
方法で映像値を決める装置のブロック回路系統図である
。 １・・・Ｘ線丁ミツター、２・・・光線、３，６・・・
仕切板、４・・・患者、５・・・患者配置テーブル、７
・・・円筒キャリアー、８・・・光電動層、１０・・・
静電誘導検査装置、１０２．　１０３・・・記憶装置、
１０４・・・制御処理装置。 特許出願人　エヌ・べ−・フィリップス・フルーイラン
ペンフ７ブリケン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）Ｘ線放射を電荷像に変換し、Ｘ線被曝の前に局部
   的に均等に充電され、被曝によりＸ線放射強度の関数と
   して放電され、被曝の後にその表面が電荷密濃検出のた
   めに走査され、映像値は各像点用に形成され、像点での
   放電に対応する光電導体によりＸ線被曝で発生させる方
   法であって、 先行被曝から電荷終了すなわち読取りまでに経過する時
   間と、光電導体の放電特性関数（ｆ（ｔ））と、先行被
   曝における当該像点での線量に依存する補正係数（Ｋ）
   とから各像点で自己放電（ｄＢ）が決定され、関数する
   映像値（Ｂ＿１）に相応して補正されることを特徴とす
   る方法。 （２）補正関数（Ｋ）が先行被曝の映像値から導かれる
   ことを特徴とする請求項１記載の方法。 （３）Ｘ線被曝により生じた放電映像は２度走査され、
   振幅係数は、２つの走査時での放電特性（ｔ＿１、ｔ＿
   ２）関数ｆ（ｔ）の差となつて現われる、映像値間の差
   （Ｂ＿１−Ｂ＿２）から決定されることを特徴とする請
   求項１記載の方法。 （４）Ｘ線放射を電荷像に変換し、Ｘ線被曝の前に局部
   的に均等に充電され、被曝によりＸ線放射強度の一関数
   として放電され、被曝の後にその表面が電荷濃度検出の
   ために走査され、映像値は各像点用に形成され、像点で
   の放電に一致する光電導体によりＸ線被曝を発生させる
   方法であつて、映像値（Ｂ＿１）が、映像値に比例し、
   走査時と望ましくは被曝時（ｔｂ）である基準時との間
   の時間差（ｔ−ｔｂ）に比例する値（ｄＢ）だけ、各被
   曝により生じた放電の補正のために減少させられること
   を特徴とする請求項１、２、３項のうちいずれか一項記
   載の方法。 （５）Ｘ線エミッターと電導キャリアー上に用いられた
   光電導体と、光電導体の電荷のための電荷手段と、光電
   導体の個々の点での電荷密濃を検出する静電電位計装置
   と、電荷密濃に比例する映像値を記憶する記憶装置を有
   し、記憶装置（１０２、１０３）は２回のＸ線被曝の映
   像値を記憶できるように設計されており、記憶装置 （１０４）は放電特性関数またはそこから導かれる値の
   ために設けられ、様々な像点で被曝の最後に起こる光電
   導体の放電を記憶装置に含まれた値から決定する手段（
   １０４）およびこの計算による映像の映像値を補正する
   手段（１０５〜１１３）が用いられることを特徴とする
   請求項１記載の方法を実施する装置。 （６）関係する像点の走査と基準時との間の時間差に比
   例する計数を映像値に乗算するための装置とかく関係す
   る映像値から導かれた値の減算のための装置が設けられ
   ていることを特徴とする請求項４記載の方法を実施する
   装置。