JPH0221414A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0221414A JPH0221414A JP16891388A JP16891388A JPH0221414A JP H0221414 A JPH0221414 A JP H0221414A JP 16891388 A JP16891388 A JP 16891388A JP 16891388 A JP16891388 A JP 16891388A JP H0221414 A JPH0221414 A JP H0221414A
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- film
- coil
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- magnetic head
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Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 52
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記憶装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに関
する。
する。
現在、磁気記憶装置、特に磁気ディスク装置においては
、装置の小型化に伴い、より一層の高記録密度化が望ま
れている。従って、薄膜磁気ヘッドに対しても、より一
層の高性能化が要求されている。高記録密度を実現する
ためには、薄膜磁気ヘッドのトラック幅、ギャップ長を
減少させなければならないが、トラック幅の減少は再生
出力の低下を招く。また、磁気ディスクの小径化による
磁気ディスクと薄膜磁気ヘッドとの相対速度の減少も再
生出力低下を助長することになる。この再生出力の低下
を解決する一つの方法としてコイル巻数を増やすことが
考えられる。従来、この種の薄膜磁気ヘッドとしては、
特開昭５５−８４０２０号公報に示されるように、はぼ
楕円形状のコイルを巻回する構造となっていた。
、装置の小型化に伴い、より一層の高記録密度化が望ま
れている。従って、薄膜磁気ヘッドに対しても、より一
層の高性能化が要求されている。高記録密度を実現する
ためには、薄膜磁気ヘッドのトラック幅、ギャップ長を
減少させなければならないが、トラック幅の減少は再生
出力の低下を招く。また、磁気ディスクの小径化による
磁気ディスクと薄膜磁気ヘッドとの相対速度の減少も再
生出力低下を助長することになる。この再生出力の低下
を解決する一つの方法としてコイル巻数を増やすことが
考えられる。従来、この種の薄膜磁気ヘッドとしては、
特開昭５５−８４０２０号公報に示されるように、はぼ
楕円形状のコイルを巻回する構造となっていた。
ところで、上述した従来の薄膜磁気ヘッドにあっては、
限られた領域内に多数のコイルを巻回した場合、コイル
抵抗の増大をきたすことになる。
限られた領域内に多数のコイルを巻回した場合、コイル
抵抗の増大をきたすことになる。
これを防ぐためにはコイル厚みを厚くしなければならな
い。
い。
しかしながら、コイル厚みを厚くすると以下のような欠
点がある。すなわち、コイルを形成した後、絶縁膜にフ
ォトレジスト等を用いる場合、スビン塗布してパターニ
ングした後、ベータする。
点がある。すなわち、コイルを形成した後、絶縁膜にフ
ォトレジスト等を用いる場合、スビン塗布してパターニ
ングした後、ベータする。
この際にフォトレジスト等は収縮するため端部ではなだ
らかな傾斜面となる。この後、上部磁性膜を形成するの
であるが、その際に傾斜面上にも一部形成しなければな
らず、その結果傾斜面の傾斜角が大きすぎると傾斜面上
の磁性膜の膜厚が小さくなったりする等の問題が生じ、
磁気特性が劣化するため好ましくない。
らかな傾斜面となる。この後、上部磁性膜を形成するの
であるが、その際に傾斜面上にも一部形成しなければな
らず、その結果傾斜面の傾斜角が大きすぎると傾斜面上
の磁性膜の膜厚が小さくなったりする等の問題が生じ、
磁気特性が劣化するため好ましくない。
通常、この傾斜面の傾斜角は３０°〜４５°が最適とさ
れているが、上述したようにコイル膜厚を厚くしていっ
た場合、フォトレジスト等の絶縁膜も厚くなるため、傾
斜角が４５°を越えて、上部磁性膜の磁気特性を著しく
劣化させるという欠点が生じていた。
れているが、上述したようにコイル膜厚を厚くしていっ
た場合、フォトレジスト等の絶縁膜も厚くなるため、傾
斜角が４５°を越えて、上部磁性膜の磁気特性を著しく
劣化させるという欠点が生じていた。
本発明の目的は上述した欠点に鑑みなされたもので、上
部磁性膜の磁気特性の劣化を防止し得る薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
部磁性膜の磁気特性の劣化を防止し得る薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記した目的を達成するために本発明は、少なくとも下
部磁性膜、ギャップ膜、コイル、絶縁膜、上部磁性膜お
よび保護膜が基板上に順次積層され、かつコイルが渦巻
き状の導体から成る薄膜磁気ヘッドにおいて、コイルの
最内周および最外周の導体の膜厚をその他の導体の膜厚
より小さく形成したものである。
部磁性膜、ギャップ膜、コイル、絶縁膜、上部磁性膜お
よび保護膜が基板上に順次積層され、かつコイルが渦巻
き状の導体から成る薄膜磁気ヘッドにおいて、コイルの
最内周および最外周の導体の膜厚をその他の導体の膜厚
より小さく形成したものである。
このように本発明に係わる薄膜磁気ヘッドにあっては、
コイルの最内周と最外周の部分をその他の部分の膜厚よ
り薄くしたことにより、コイルと上部磁性膜との間の絶
縁膜の傾斜面の角度を一定にすることができ、これによ
って上部磁性膜の磁気特性の劣化が防止される。
コイルの最内周と最外周の部分をその他の部分の膜厚よ
り薄くしたことにより、コイルと上部磁性膜との間の絶
縁膜の傾斜面の角度を一定にすることができ、これによ
って上部磁性膜の磁気特性の劣化が防止される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの一実施例を示
す断面図である。薄膜磁気ヘッドは、アルミナ・チタン
カーバイト （Δβ２０３ ＴｉＣ）から成る基板１
上にアルミナ（Ａ Ｌ ０３ ）等から成る下地膜２
を形成し、更にパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の下部磁性膜
３、アルミナ（Ａｌ１０、）等のギャップ膜４、フォト
レジスト等の絶縁膜５、銅（Ｃｕ）等のコイル６、フォ
トレジスト等の絶縁膜７、パーマロイ （ＮｉＦｅ）等
の上部磁性膜８、アルミナ（Ａ、［）２０３ ）等の保
護膜９を順次積層して形成されている。
す断面図である。薄膜磁気ヘッドは、アルミナ・チタン
カーバイト （Δβ２０３ ＴｉＣ）から成る基板１
上にアルミナ（Ａ Ｌ ０３ ）等から成る下地膜２
を形成し、更にパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の下部磁性膜
３、アルミナ（Ａｌ１０、）等のギャップ膜４、フォト
レジスト等の絶縁膜５、銅（Ｃｕ）等のコイル６、フォ
トレジスト等の絶縁膜７、パーマロイ （ＮｉＦｅ）等
の上部磁性膜８、アルミナ（Ａ、［）２０３ ）等の保
護膜９を順次積層して形成されている。
コイル６は、最外周と最内周の各部分６ａの１ターンが
他の部分６ｂの膜厚より薄く形成されている。
他の部分６ｂの膜厚より薄く形成されている。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を示す断面図である。まず、アルミナ・チタンカー
バイトから成る基板１上にアルミナ等をスパッタリング
法で形成した後研磨加工を施し、下地膜２とする。その
上にパーマロイ等をめっき法にて形成して、下部磁性膜
３とし、ギャップ膜４をアルミナ等をスパッタリング法
にて形成する。この後、フォトレジスト等を用いて絶縁
膜５を形成する。そして、この絶縁膜５の上に電極をと
るための下地膜１０を形成する。この下地膜１０は、ク
ロム（Ｃｒ）／銅の二層膜としスパッタリング法にて付
着せしめ、膜厚はおよそ１０００Ａ’ とした。この下
地膜１０の上にフォトレジスト１１をスピン塗布し、フ
ォトリソグラフィーにより、パターニングする。この後
、めっき法にて銅１２を付着する（第２図（ａ）参照）
。
方法を示す断面図である。まず、アルミナ・チタンカー
バイトから成る基板１上にアルミナ等をスパッタリング
法で形成した後研磨加工を施し、下地膜２とする。その
上にパーマロイ等をめっき法にて形成して、下部磁性膜
３とし、ギャップ膜４をアルミナ等をスパッタリング法
にて形成する。この後、フォトレジスト等を用いて絶縁
膜５を形成する。そして、この絶縁膜５の上に電極をと
るための下地膜１０を形成する。この下地膜１０は、ク
ロム（Ｃｒ）／銅の二層膜としスパッタリング法にて付
着せしめ、膜厚はおよそ１０００Ａ’ とした。この下
地膜１０の上にフォトレジスト１１をスピン塗布し、フ
ォトリソグラフィーにより、パターニングする。この後
、めっき法にて銅１２を付着する（第２図（ａ）参照）
。
次に、フォトレジスト１１を有機溶媒等で除去し、更に
フォトレジスト１３をスピン塗布し、フォトリソグラフ
ィーにより、パターニングする。
フォトレジスト１３をスピン塗布し、フォトリソグラフ
ィーにより、パターニングする。
この際に、コイル６の最外周と最内周の各部分６ａはフ
ォトレジスト１３でマスキングされるようなパターンと
する。この銅１２の上に銅１４をめっき法にて付着する
（第２図（ｂ） 参照）。
ォトレジスト１３でマスキングされるようなパターンと
する。この銅１２の上に銅１４をめっき法にて付着する
（第２図（ｂ） 参照）。
そして、この後フォトレジスト１３を有機容媒等で除去
し、下地膜１０の不要な部分をイオンエツチング法で除
去することにより、本発明のコイル６が得られる（第２
図（ｃ）参照）。
し、下地膜１０の不要な部分をイオンエツチング法で除
去することにより、本発明のコイル６が得られる（第２
図（ｃ）参照）。
このようにして得られたコイル６は、最内周と最外周の
各部分６ａがその他の部分６ｂの膜厚より薄く形成され
ており、これらの膜厚の比を自由に選択することにより
、絶縁膜７の傾斜角θ（第１図参照）を自由に制御でき
る。例えば、傾斜角θを３０°〜４５°にするには、コ
イル６の最内周と最外周の各部分６ａの膜厚をその他の
部分６ｂの膜厚のおよそ１／２にすればよい。
各部分６ａがその他の部分６ｂの膜厚より薄く形成され
ており、これらの膜厚の比を自由に選択することにより
、絶縁膜７の傾斜角θ（第１図参照）を自由に制御でき
る。例えば、傾斜角θを３０°〜４５°にするには、コ
イル６の最内周と最外周の各部分６ａの膜厚をその他の
部分６ｂの膜厚のおよそ１／２にすればよい。
以Ｆ説明したように本発明に係わる薄膜磁気ヘッドは、
コイルの最内周と最外周の部分をその他の部分の膜厚よ
り薄く形成したことにより、コイルと上部磁性膜との間
の絶縁膜の傾斜面の角度を一定にすることができ、これ
によって上部磁性膜の磁気特性の劣化を防止でき、高性
能の薄膜磁気へノドを提供できるという優れた効果を有
する。
コイルの最内周と最外周の部分をその他の部分の膜厚よ
り薄く形成したことにより、コイルと上部磁性膜との間
の絶縁膜の傾斜面の角度を一定にすることができ、これ
によって上部磁性膜の磁気特性の劣化を防止でき、高性
能の薄膜磁気へノドを提供できるという優れた効果を有
する。
また、電磁変換特性の安定した薄膜磁気ヘッドを製造で
きるため、高歩留で高信頼性を有する薄膜磁気ヘッドを
提供できるという効果も有する。
きるため、高歩留で高信頼性を有する薄膜磁気ヘッドを
提供できるという効果も有する。
第１図は本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの一実施例を示
す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下地膜、３・・・
・・・下部磁性膜、４・・・・・・ギャップ膜、５・・
・・・・絶縁膜、６・・・・・・コイル、７・・・・・
・絶縁膜、８・・・・・・上部磁性膜、 ９・・・・・・保護膜。 出 願 人 代 理 人 日本電気株式会社
す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下地膜、３・・・
・・・下部磁性膜、４・・・・・・ギャップ膜、５・・
・・・・絶縁膜、６・・・・・・コイル、７・・・・・
・絶縁膜、８・・・・・・上部磁性膜、 ９・・・・・・保護膜。 出 願 人 代 理 人 日本電気株式会社
Claims (1)
- 少なくとも下部磁性膜、ギャップ膜、コイル、絶縁膜、
上部磁性膜および保護膜が基板上に順次積層され、かつ
前記コイルが渦巻状の導体から成る薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記コイルの最内周および最外周の導体の膜厚が
その他の導体の膜厚より小さく形成されたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16891388A JPH0221414A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16891388A JPH0221414A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221414A true JPH0221414A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15876884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16891388A Pending JPH0221414A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221414A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997029497A3 (en) * | 1996-02-09 | 1997-11-06 | Integrated Micromachines Inc | Bulk fabricated electromagnetic micro-relays/micro-switches and method of making same |
| US6262463B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-07-17 | Integrated Micromachines, Inc. | Micromachined acceleration activated mechanical switch and electromagnetic sensor |
| JP2007273803A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tdk Corp | 薄膜デバイス |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP16891388A patent/JPH0221414A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997029497A3 (en) * | 1996-02-09 | 1997-11-06 | Integrated Micromachines Inc | Bulk fabricated electromagnetic micro-relays/micro-switches and method of making same |
| US5778513A (en) * | 1996-02-09 | 1998-07-14 | Denny K. Miu | Bulk fabricated electromagnetic micro-relays/micro-switches and method of making same |
| US6262463B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-07-17 | Integrated Micromachines, Inc. | Micromachined acceleration activated mechanical switch and electromagnetic sensor |
| JP2007273803A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tdk Corp | 薄膜デバイス |
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