JPH02214182A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02214182A JPH02214182A JP3436789A JP3436789A JPH02214182A JP H02214182 A JPH02214182 A JP H02214182A JP 3436789 A JP3436789 A JP 3436789A JP 3436789 A JP3436789 A JP 3436789A JP H02214182 A JPH02214182 A JP H02214182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- absorption layer
- cleavage
- laser
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野１
この発明は半導体レーザ装置に関するものである。
［従来の技術１
第２図（８）は従来のＷ Ｄ Ｓ （Ｗｉｎｃｌｏｗ
Ｄｉｆ’ｆｕｓｉａｎＳｔｒｉｐｅ ）型の半導体レー
ザ装置の構造を示す展開斜視図、第２図（ｂ）は半導体
レイのストライプ部分のみを示し、そのストライプ部分
から発つするレーザ光の状態を示した説明図、第２図（
ｃ）は半導体レーザの水平方向におけるファーフィール
ドパターン図である。
Ｄｉｆ’ｆｕｓｉａｎＳｔｒｉｐｅ ）型の半導体レー
ザ装置の構造を示す展開斜視図、第２図（ｂ）は半導体
レイのストライプ部分のみを示し、そのストライプ部分
から発つするレーザ光の状態を示した説明図、第２図（
ｃ）は半導体レーザの水平方向におけるファーフィール
ドパターン図である。
図において、（１）は電極、（２）は口型Ｇａ Ａｓコ
ンタクト層、（３）はｎ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓスト
ッパー層％（４）はｎ！Ｊ Ｇａ １−ｙＡ１ｙＡａク
フツド層、（５）はｎ ５ Ｇａ＋−ｚＡｌｚＡｓ 活
性層、（６）は！１型Ｇａ ｌ−ｙＡｌｙＡｓクラッド
層、σ）はｎ型Ｇａ Ａｓ基板、（８）はｔ極、（９）
はＰ型Ｚｏ拡散領域、（１０）はストライプ領域、（１
１）は臂開面より出るレーザ光、（１２）はストライプ
測面より出る光を示しているコ 次に動乍について説明する。々を拡散したＰ型シ拡敢領
域（９）とかを拡散していない（４） （５） （６）
（７）各層および基板のｎ領域でｈ接合を形成してい
る。従って、電極（１）と（８）の間に順方向電圧を加
えると、ストライプ領域（１０）に電流が流れ、キャリ
アが閉じ込められて再結合発光を生じる。その光はクラ
ッド層（４）、 （６）およびストライプ領域（１０）
の測面ではＰ型とｎ型不純物濃度による屈折率差を設け
た導波路で光を導波し、対向する伸開端面によって構成
された共振器内でレーザ発振に至る、第２図（ト））に
このストライプ領域のレーザ光発光の模式図を示すっレ
ーザ光は伸開端面に垂直に出るレーザ光（１１）とスト
ライプ測面の凸凹部から全反射臨界角を超えてストライ
プ外に抜けた光（１２）が発生する。
ンタクト層、（３）はｎ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓスト
ッパー層％（４）はｎ！Ｊ Ｇａ １−ｙＡ１ｙＡａク
フツド層、（５）はｎ ５ Ｇａ＋−ｚＡｌｚＡｓ 活
性層、（６）は！１型Ｇａ ｌ−ｙＡｌｙＡｓクラッド
層、σ）はｎ型Ｇａ Ａｓ基板、（８）はｔ極、（９）
はＰ型Ｚｏ拡散領域、（１０）はストライプ領域、（１
１）は臂開面より出るレーザ光、（１２）はストライプ
測面より出る光を示しているコ 次に動乍について説明する。々を拡散したＰ型シ拡敢領
域（９）とかを拡散していない（４） （５） （６）
（７）各層および基板のｎ領域でｈ接合を形成してい
る。従って、電極（１）と（８）の間に順方向電圧を加
えると、ストライプ領域（１０）に電流が流れ、キャリ
アが閉じ込められて再結合発光を生じる。その光はクラ
ッド層（４）、 （６）およびストライプ領域（１０）
の測面ではＰ型とｎ型不純物濃度による屈折率差を設け
た導波路で光を導波し、対向する伸開端面によって構成
された共振器内でレーザ発振に至る、第２図（ト））に
このストライプ領域のレーザ光発光の模式図を示すっレ
ーザ光は伸開端面に垂直に出るレーザ光（１１）とスト
ライプ測面の凸凹部から全反射臨界角を超えてストライ
プ外に抜けた光（１２）が発生する。
〔発明が解決しようとする課題１
従来のＷＤＳ半導体レーザ装置は以上のように構成され
ていたので、レーザ光（１１）を光（１２）によって光
の干渉を起こし、第２ Ｖ（ｃ）に示すように水平方向
のファーフィールドパターンに凹凸ができてしまうとい
う問題点があった。
ていたので、レーザ光（１１）を光（１２）によって光
の干渉を起こし、第２ Ｖ（ｃ）に示すように水平方向
のファーフィールドパターンに凹凸ができてしまうとい
う問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、水平方向のファーフィールドパターンの形状
を凹凸のないパターンとする半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、水平方向のファーフィールドパターンの形状
を凹凸のないパターンとする半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段ｊ
この発明に係るＷＤＳ半導体レーザ装置は伸開端面にポ
ジレジストを塗布した後、さらにレジスト表面に感光剤
を塗り、その後半導体レーザの電極に電源を接続しレー
ザ発振させ、臂開面より垂直に出射する光で露光する。
ジレジストを塗布した後、さらにレジスト表面に感光剤
を塗り、その後半導体レーザの電極に電源を接続しレー
ザ発振させ、臂開面より垂直に出射する光で露光する。
次に、現像して露光部分を除去し、ポジレジストをその
まま吸収層として用いる。レーザ発振の際にはストライ
プ測面より出射する光をこの吸収層で取シ除き、レーザ
光は伸開端面より垂直に出射するのみとなる。
まま吸収層として用いる。レーザ発振の際にはストライ
プ測面より出射する光をこの吸収層で取シ除き、レーザ
光は伸開端面より垂直に出射するのみとなる。
〔作用１
この発明における伸開端面のポジレジストはストライプ
測面より出射する光をその層で吸収させレーザの骨間端
面からは臂開面より垂直に出射する光のみとなるため水
平方向のファーフィールドパターンは干渉による凹凸の
発生を防ぐことが可能となる。
測面より出射する光をその層で吸収させレーザの骨間端
面からは臂開面より垂直に出射する光のみとなるため水
平方向のファーフィールドパターンは干渉による凹凸の
発生を防ぐことが可能となる。
〔実施例１
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例を示す製造工程
を示す図で、（ａ）は光の出射する臂開端面図、（ｂ）
は（ａ）図の面上にポジ型しジヌトを塗布した図、（Ｃ
）は（ｂ）図面上に感光剤を塗布した図、（ｄ）は電極
に電源を導線し、レーザ発振させて、レーザ光で露光す
る状態を示す図、（ｅ）は現像して露光部分を除去し、
ポジレジストを吸収層として用いた図を示す。
図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例を示す製造工程
を示す図で、（ａ）は光の出射する臂開端面図、（ｂ）
は（ａ）図の面上にポジ型しジヌトを塗布した図、（Ｃ
）は（ｂ）図面上に感光剤を塗布した図、（ｄ）は電極
に電源を導線し、レーザ発振させて、レーザ光で露光す
る状態を示す図、（ｅ）は現像して露光部分を除去し、
ポジレジストを吸収層として用いた図を示す。
図において、（１）・（８）は電極、（５）はレジスト
、（１０）はストライプ、（１３）は共振器端面、（１
４）は感光剤、（１５）はレーザ光による感光部分、（
１６）はレジスト除去部分を示す。
、（１０）はストライプ、（１３）は共振器端面、（１
４）は感光剤、（１５）はレーザ光による感光部分、（
１６）はレジスト除去部分を示す。
次に動作について説明する。
本実施例の動作は前記従来のものと同一であ°Ｌが、レ
ーザ発振の際にはストライプ測面より出射する光を劈開
端面上に設けた吸収層で取り除き、また臂開面と垂直に
出射する光は吸収層部分がないため、そのまま出射させ
られる。従って水平方向のファーフィールドパターンは
光の干渉による凹凸のないパターンが得られる。
ーザ発振の際にはストライプ測面より出射する光を劈開
端面上に設けた吸収層で取り除き、また臂開面と垂直に
出射する光は吸収層部分がないため、そのまま出射させ
られる。従って水平方向のファーフィールドパターンは
光の干渉による凹凸のないパターンが得られる。
なお、王妃実施例では屈折率導波レーザであるＷＤ８半
導体レーザ装置の場合について述べたが、この発明によ
る半導体レーザ装置は劈開端面上に吸収層を設けること
であるから他の半導体レーザ装置、例えばＴ Ｊ ８
（Ｔｒａｎｓｅｒｅｎｓｅ 、Ｔｗｎｃｔｉｏｎ ５ｔ
ｒｉｐｅ ）レーザ等の半導体レーザ装置にも適用する
ことが可能である。
導体レーザ装置の場合について述べたが、この発明によ
る半導体レーザ装置は劈開端面上に吸収層を設けること
であるから他の半導体レーザ装置、例えばＴ Ｊ ８
（Ｔｒａｎｓｅｒｅｎｓｅ 、Ｔｗｎｃｔｉｏｎ ５ｔ
ｒｉｐｅ ）レーザ等の半導体レーザ装置にも適用する
ことが可能である。
また上記実施例ではポジレジストを吸収層として用いた
場合を示したが、ネガレジストを利用して吸収層にはレ
ジスト以外の他の層を用いることも可能である。
場合を示したが、ネガレジストを利用して吸収層にはレ
ジスト以外の他の層を用いることも可能である。
〔発明の効果１
以上のようにこの発明によれば、半導体レーザの劈開端
面上に吸収層を設け、伸開端面より垂直に出射する光の
みを選択的にレーザ光として取り出すようにしたので、
レーザ光の干渉が起きず、水平方向のファーフィールド
パターンに凹凸ができず、従ってＣＤ用レーザとして用
いる際、トラッキング制御が容易に行なえるという利点
があるっ
面上に吸収層を設け、伸開端面より垂直に出射する光の
みを選択的にレーザ光として取り出すようにしたので、
レーザ光の干渉が起きず、水平方向のファーフィールド
パターンに凹凸ができず、従ってＣＤ用レーザとして用
いる際、トラッキング制御が容易に行なえるという利点
があるっ
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による半導
体レーザ装置の製造工程を示す測面図、第２図（ａ）は
従来のＷＤ８半導体レーザの構造を示す展開斜視図、第
２図（ｂ）は第２図（ａ）のストライプ領域のレーザ光
の状態を示した説明図、第２図（ｃ）は第２図（ｂ）の
レーザ光の水平方向のファーフィールドパターンを示し
た波形図である。 図において、（１） （８）は電極、（５）はレジスト
、（１０）はストライプ、（１３） ＃ｉ共振器端面、
（１４〕は感光剤（１５）はレーザ光による感光部分、
（１６）はレジスト除去部分を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
体レーザ装置の製造工程を示す測面図、第２図（ａ）は
従来のＷＤ８半導体レーザの構造を示す展開斜視図、第
２図（ｂ）は第２図（ａ）のストライプ領域のレーザ光
の状態を示した説明図、第２図（ｃ）は第２図（ｂ）の
レーザ光の水平方向のファーフィールドパターンを示し
た波形図である。 図において、（１） （８）は電極、（５）はレジスト
、（１０）はストライプ、（１３） ＃ｉ共振器端面、
（１４〕は感光剤（１５）はレーザ光による感光部分、
（１６）はレジスト除去部分を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体レーザの共振器面である劈開端面上に、光の吸収
層をスリット状に設け、レーザ発振の際には共振器端面
より垂直に出射する光に対してはスリット部分を通して
出光させ、導波路の測面から全反射臨界を越えてくる光
に対しては吸収層によつてその光を吸収させるようにし
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436789A JPH02214182A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436789A JPH02214182A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214182A true JPH02214182A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12412200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3436789A Pending JPH02214182A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214182A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720586B1 (en) | 1999-11-15 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating nitride semiconductor, method of fabricating nitride semiconductor device, nitride semiconductor device, semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US7092423B2 (en) | 1999-02-17 | 2006-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, optical disk apparatus and optical integrated unit |
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP3436789A patent/JPH02214182A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7092423B2 (en) | 1999-02-17 | 2006-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, optical disk apparatus and optical integrated unit |
| US7212556B1 (en) | 1999-02-17 | 2007-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device optical disk apparatus and optical integrated unit |
| US7426227B2 (en) | 1999-02-17 | 2008-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, optical disk apparatus and optical integrated unit |
| US6720586B1 (en) | 1999-11-15 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating nitride semiconductor, method of fabricating nitride semiconductor device, nitride semiconductor device, semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US6911351B2 (en) | 1999-11-15 | 2005-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating nitride semiconductor, method of fabricating nitride semiconductor device, nitride semiconductor device, semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
| US8879599B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-11-04 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | Semiconductor laser with absorber applied to a laser mirror |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5856991B2 (ja) | ヘテロセツゴウダイオ−ドレ−ザ− | |
| JPH02214182A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS58180080A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH1022577A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPS61220394A (ja) | レーザダイオードの製造方法 | |
| US4833510A (en) | Semiconductor laser array with independently usable laser light emission regions formed in a single active layer | |
| JPH04781A (ja) | 半導体レーザの構造 | |
| JPH0236073B2 (ja) | Handotaireezasochinoseizohoho | |
| JPS62291987A (ja) | 光集積化素子 | |
| JPH02278781A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
| KR100293463B1 (ko) | 레이저다이오드및그제조방법 | |
| JPS6251281A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH02166785A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS5855673B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6155276B2 (ja) | ||
| JPH0815231B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS63271981A (ja) | 端面発光型発光ダイオ−ド | |
| JPS61168282A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0316186A (ja) | スーパルミネッセントダイオード | |
| JPS59189693A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH02178987A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS6449295A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS61182295A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH07106705A (ja) | 半導体光変調装置 | |
| JPS62221186A (ja) | 半導体レ−ザ |