JPH07106705A - 半導体光変調装置 - Google Patents
半導体光変調装置Info
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- JPH07106705A JPH07106705A JP26540993A JP26540993A JPH07106705A JP H07106705 A JPH07106705 A JP H07106705A JP 26540993 A JP26540993 A JP 26540993A JP 26540993 A JP26540993 A JP 26540993A JP H07106705 A JPH07106705 A JP H07106705A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸収層を有する半導体光変調装置に対して光
ファイバの位置決めを高精度に行うことを可能にする。 【構成】 半導体光変調装置の吸収層４に隣接して活性
層４１を一体に形成し、パッド電極１２を通して装置に
注入する電流により活性層４１において発光させ、この
発光した光を利用して光ファイバを半導体光変調装置に
対して位置決めするようにする。吸収層４における自然
放出光を利用して位置決めする場合よりも、強い光を得
ることができ、高精度の位置決めが可能となる。
ファイバの位置決めを高精度に行うことを可能にする。 【構成】 半導体光変調装置の吸収層４に隣接して活性
層４１を一体に形成し、パッド電極１２を通して装置に
注入する電流により活性層４１において発光させ、この
発光した光を利用して光ファイバを半導体光変調装置に
対して位置決めするようにする。吸収層４における自然
放出光を利用して位置決めする場合よりも、強い光を得
ることができ、高精度の位置決めが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体を用いた光変調装
置に関し、特に接続する光ファイバに対する位置決めを
高精度に行うことを可能にした半導体光変調装置に関す
る。
置に関し、特に接続する光ファイバに対する位置決めを
高精度に行うことを可能にした半導体光変調装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の変調装置は、図４に示す
ように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に気相成長法によりｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層３、
ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４、ＩｎＧａＡｓＰクラッド層
５、ＩｎＰクラッド層６を順次積層し、更にその上部に
ｐ−ＩｎＰ層７、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層８をキャビティ長
さ方向に矩形となるようにレジストマスクを利用して気
相成長法により選択成長する。そして、形成された矩形
部９の上部にシリコン酸化膜等の非導電膜１０を形成
し、かつ電流注入部分を開口し、この開口部分に電極１
１を形成する。この電極１１には図外の回路に電気接続
を行うための金属ワイヤをボンディングするためのパッ
ド電極１２を形成する。また、基板１の裏面には電極１
３を形成する。そして、形成された素子の端面には、後
述するように入射光の反射を防止するための非反射誘導
光電膜１４を有している。この半導体光変調装置は、パ
ッド電極１２を通して電圧を印加することにより吸収層
４内にて光の吸収が起こる。この現象を利用し、外部か
らの半導体レーザのコヒーレント光を吸収層４に注入
し、半導体光変調装置に印加する電圧をオン、オフする
ことより、吸収層４内を透過するコヒーレント光の変調
を行うことができる。
ように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に気相成長法によりｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層３、
ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４、ＩｎＧａＡｓＰクラッド層
５、ＩｎＰクラッド層６を順次積層し、更にその上部に
ｐ−ＩｎＰ層７、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層８をキャビティ長
さ方向に矩形となるようにレジストマスクを利用して気
相成長法により選択成長する。そして、形成された矩形
部９の上部にシリコン酸化膜等の非導電膜１０を形成
し、かつ電流注入部分を開口し、この開口部分に電極１
１を形成する。この電極１１には図外の回路に電気接続
を行うための金属ワイヤをボンディングするためのパッ
ド電極１２を形成する。また、基板１の裏面には電極１
３を形成する。そして、形成された素子の端面には、後
述するように入射光の反射を防止するための非反射誘導
光電膜１４を有している。この半導体光変調装置は、パ
ッド電極１２を通して電圧を印加することにより吸収層
４内にて光の吸収が起こる。この現象を利用し、外部か
らの半導体レーザのコヒーレント光を吸収層４に注入
し、半導体光変調装置に印加する電圧をオン、オフする
ことより、吸収層４内を透過するコヒーレント光の変調
を行うことができる。
【０００３】このような光変調を行うためには、透過さ
れたコヒーレント光を受光するための光ファイバを素子
の端面の所定位置（吸収層４）に対して正確に位置決め
する必要がある。即ち、半導体装置を用いた高応答速度
を要求される光通信システムにおいて応答速度を遅くす
る主不良要因の１つである挿入損失は、光ファイバと半
導体光変調器の結合部のずれより生じる接続損失と半導
体変調器自体の構造によるチップ内損失とからなってい
る。したがって、半導体光変調装置と光ファイバとの間
に位置ずれが生じていると、前記した損失のうち、接続
損失を大きくする要因となり、つまり挿入損失が大きく
なり、市場から要求される高速変調、つまり高応答速度
を得ることが困難となる。
れたコヒーレント光を受光するための光ファイバを素子
の端面の所定位置（吸収層４）に対して正確に位置決め
する必要がある。即ち、半導体装置を用いた高応答速度
を要求される光通信システムにおいて応答速度を遅くす
る主不良要因の１つである挿入損失は、光ファイバと半
導体光変調器の結合部のずれより生じる接続損失と半導
体変調器自体の構造によるチップ内損失とからなってい
る。したがって、半導体光変調装置と光ファイバとの間
に位置ずれが生じていると、前記した損失のうち、接続
損失を大きくする要因となり、つまり挿入損失が大きく
なり、市場から要求される高速変調、つまり高応答速度
を得ることが困難となる。
【０００４】このため、従来では図３に示すように、半
導体光変調装置１００に対して光ファイバ１０１を接続
する場合に、光検出器１０３を利用した位置決めを行っ
ている。即ち、接続する光ファイバ１０１を光出力部１
０２において半導体光変調装置１００に接続し、かつそ
の他端に光検出器０１３を接続した上で、半導体光変調
器１００にはパッド電極を通してバイアス電流を注入す
る。これにより、半導体光変調装置の吸収層４からは微
弱な自然放出光が発光され、この光を光ファイバ１０１
を通して光検出器１０３で検出する。このとき、光出力
部１０２おいて光ファイバ１０１を移動させながら光検
出器１０３での光強度が最大となる位置を検出すること
で最適位置を決定し、光ファイバの接続を行っていた。
導体光変調装置１００に対して光ファイバ１０１を接続
する場合に、光検出器１０３を利用した位置決めを行っ
ている。即ち、接続する光ファイバ１０１を光出力部１
０２において半導体光変調装置１００に接続し、かつそ
の他端に光検出器０１３を接続した上で、半導体光変調
器１００にはパッド電極を通してバイアス電流を注入す
る。これにより、半導体光変調装置の吸収層４からは微
弱な自然放出光が発光され、この光を光ファイバ１０１
を通して光検出器１０３で検出する。このとき、光出力
部１０２おいて光ファイバ１０１を移動させながら光検
出器１０３での光強度が最大となる位置を検出すること
で最適位置を決定し、光ファイバの接続を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法で前記した半導体光変調装置に対して光ファイ
バの位置決めを行う場合、この半導体光変調装置は本来
は光吸収を行う素子として構成されているため、発光さ
れる光は微弱であり、そのために光検出器に高感度のも
のを用いても、その感度に限界があり、最大光強度の検
知が困難であるという問題がある。また、利用する光が
自然放出光であるため、光のビームスポットの領域が広
く、正確な位置決めが困難になるという問題がある。
うな方法で前記した半導体光変調装置に対して光ファイ
バの位置決めを行う場合、この半導体光変調装置は本来
は光吸収を行う素子として構成されているため、発光さ
れる光は微弱であり、そのために光検出器に高感度のも
のを用いても、その感度に限界があり、最大光強度の検
知が困難であるという問題がある。また、利用する光が
自然放出光であるため、光のビームスポットの領域が広
く、正確な位置決めが困難になるという問題がある。
【０００６】また前記位置決めが正確にできない場合、
図３に示したように、光ファイバ１０１と反対側の半導
体光変調装置の吸収層端に設けた変調器用光源となる半
導体レーザ１０４からのコヒーレント光を半導体光変調
器１００の吸収層に注入し、光出力部１０２および光フ
ァイバ１０１を通して光検出器１０３にて受光すること
で最適結合の位置を設定しているが、次の問題が生じて
いる。即ち、光ファイバ１０１と半導体光変調器１００
の吸収層、光源用半導体レーザ１０４の理想的な系は前
記各々の中心部が一直線上に並ぶ光学系であるが、光フ
ァイバ１０１と吸収層の結合位置がずれている場合、光
源用半導体レーザ１０４の光は吸収層、光ファイバ１０
１を通して見るため、光源用半導体レーザ１０４と吸収
層の結合もずれる可能性があるという問題がある。
図３に示したように、光ファイバ１０１と反対側の半導
体光変調装置の吸収層端に設けた変調器用光源となる半
導体レーザ１０４からのコヒーレント光を半導体光変調
器１００の吸収層に注入し、光出力部１０２および光フ
ァイバ１０１を通して光検出器１０３にて受光すること
で最適結合の位置を設定しているが、次の問題が生じて
いる。即ち、光ファイバ１０１と半導体光変調器１００
の吸収層、光源用半導体レーザ１０４の理想的な系は前
記各々の中心部が一直線上に並ぶ光学系であるが、光フ
ァイバ１０１と吸収層の結合位置がずれている場合、光
源用半導体レーザ１０４の光は吸収層、光ファイバ１０
１を通して見るため、光源用半導体レーザ１０４と吸収
層の結合もずれる可能性があるという問題がある。
【０００７】なお、このように素子で発光される光を利
用して素子と光ファイバとの最適な位置決めを行う方法
として、特開昭６０−２３５４８０号公報に記載されて
いるように、パッケージ内に設けられている発光体から
のレンズを通した光のスポット径と、パッケージに接続
された光ファイバの径が等しくなるようにレンズと発光
体の距離を調整し、レンズを固定するものがある。しか
しなから、この従来技術は光を有効に発光し得る装置に
対しては有効であるが、前記した半導体光変調装置のよ
うに発光を目的としていない装置にこの技術をそのまま
適用したのでは、半導体光変調装置を無理に発光させた
場合でも、前記したように自然発光光しか得ることがで
きず、前記した問題を解消することはできない。本発明
の目的は、半導体光変調装置の吸収層に対して光ファイ
バの位置決めを高精度に行うことを可能にした半導体光
変調装置を提供することにある。
用して素子と光ファイバとの最適な位置決めを行う方法
として、特開昭６０−２３５４８０号公報に記載されて
いるように、パッケージ内に設けられている発光体から
のレンズを通した光のスポット径と、パッケージに接続
された光ファイバの径が等しくなるようにレンズと発光
体の距離を調整し、レンズを固定するものがある。しか
しなから、この従来技術は光を有効に発光し得る装置に
対しては有効であるが、前記した半導体光変調装置のよ
うに発光を目的としていない装置にこの技術をそのまま
適用したのでは、半導体光変調装置を無理に発光させた
場合でも、前記したように自然発光光しか得ることがで
きず、前記した問題を解消することはできない。本発明
の目的は、半導体光変調装置の吸収層に対して光ファイ
バの位置決めを高精度に行うことを可能にした半導体光
変調装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体光変調
装置に設けた吸収層に隣接して活性層を一体に形成し、
装置に注入する電流により活性層において発光させるよ
うに構成する。例えば、吸収層と活性層とを積層し、活
性層を除く層の端面には非反射誘導光電膜を形成し、吸
収層と活性層とで共通する電極を有する構成とする。或
いは、吸収層と活性層とを積層し、端面の幅方向中央部
分では吸収層と活性層を含む領域に非反射誘導光電膜を
形成し、端面の幅方向の左右部分では少なくとも活性層
を露呈させ、前記中央部分と左右部分のそれぞれに個別
の電極を有する構成とする。
装置に設けた吸収層に隣接して活性層を一体に形成し、
装置に注入する電流により活性層において発光させるよ
うに構成する。例えば、吸収層と活性層とを積層し、活
性層を除く層の端面には非反射誘導光電膜を形成し、吸
収層と活性層とで共通する電極を有する構成とする。或
いは、吸収層と活性層とを積層し、端面の幅方向中央部
分では吸収層と活性層を含む領域に非反射誘導光電膜を
形成し、端面の幅方向の左右部分では少なくとも活性層
を露呈させ、前記中央部分と左右部分のそれぞれに個別
の電極を有する構成とする。
【０００９】
【作用】注入電流により、活性層で発光させ、この発光
された光を利用して光ファイバに対する位置決めを行う
ことで、半導体光変調装置に対して光ファイバを高精度
に位置決めすることが可能となる。
された光を利用して光ファイバに対する位置決めを行う
ことで、半導体光変調装置に対して光ファイバを高精度
に位置決めすることが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の斜視図である。ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４１、ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４、ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５、Ｉｎ
Ｐクラッド層６を形成する。更に、ｐ−ＩｎＰ層７、ｐ
−ＩｎＧａＡｓ層８をレジストをマスクにして発振方向
に矩形となるように選択成長を行い形成する。また、こ
の矩形部９の上部にシリコン酸化膜等の非導電膜１０を
形成し、その開口部に電流注入用の電極１１を形成し、
かつこの電極１１につながるワイヤボンディング用のパ
ッド電極１２を形成する。また、前記基板１の裏面にも
電極１３を形成する。更に、シリコンバー等のスペーサ
でＩｎＧａＡｓＰ活性層４１の端面を覆った上で、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ吸収層４を含む上層の部分の端面に非反射誘
導光電膜１４を形成する。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層４１は非反射誘導光電膜１４により覆われていな
い半導体光変調装置が形成される。
る。図１は本発明の一実施例の斜視図である。ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４１、ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４、ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５、Ｉｎ
Ｐクラッド層６を形成する。更に、ｐ−ＩｎＰ層７、ｐ
−ＩｎＧａＡｓ層８をレジストをマスクにして発振方向
に矩形となるように選択成長を行い形成する。また、こ
の矩形部９の上部にシリコン酸化膜等の非導電膜１０を
形成し、その開口部に電流注入用の電極１１を形成し、
かつこの電極１１につながるワイヤボンディング用のパ
ッド電極１２を形成する。また、前記基板１の裏面にも
電極１３を形成する。更に、シリコンバー等のスペーサ
でＩｎＧａＡｓＰ活性層４１の端面を覆った上で、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ吸収層４を含む上層の部分の端面に非反射誘
導光電膜１４を形成する。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層４１は非反射誘導光電膜１４により覆われていな
い半導体光変調装置が形成される。
【００１１】ここで、前記ＩｎＧａＡｓＰ活性層４１
は、波長組成が半導体光変調装置の光源用半導体レーザ
の波長に影響を与えない程度に離れた波長で形成されて
いる。つまり、この半導体光変調装置は前記したように
電圧をかけることにより吸収層内にて光の吸収が起こ
り、この現象を利用して吸収層内を透過するコヒーレン
ト光の変調を行い、高応答速度を得ている。そのため、
電圧をかけたときにコヒーレント光は吸収され、ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４自体からの光出力は消失し、半導体光
変調装置と接続する光源用半導体レーザと反対側に位置
する光ファイバへの光の透過は無くなる。しかしながら
このＩｎＧａＡｓＰ活性層４１から発振する光の波長が
コヒーレント光と同程度の波長である場合には、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層４１からの光が光ファイバに注入される
ようになる。
は、波長組成が半導体光変調装置の光源用半導体レーザ
の波長に影響を与えない程度に離れた波長で形成されて
いる。つまり、この半導体光変調装置は前記したように
電圧をかけることにより吸収層内にて光の吸収が起こ
り、この現象を利用して吸収層内を透過するコヒーレン
ト光の変調を行い、高応答速度を得ている。そのため、
電圧をかけたときにコヒーレント光は吸収され、ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４自体からの光出力は消失し、半導体光
変調装置と接続する光源用半導体レーザと反対側に位置
する光ファイバへの光の透過は無くなる。しかしながら
このＩｎＧａＡｓＰ活性層４１から発振する光の波長が
コヒーレント光と同程度の波長である場合には、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層４１からの光が光ファイバに注入される
ようになる。
【００１２】したがって、図３に示したように光ファイ
バ１０１の接続を行う場合には、半導体光変調装置１０
０に対して順方向にバイアス電流を注入し、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４１より発振したコヒーレント光を光ファイ
バ１０１を通して光検出器１０３で検出するようにす
る。このとき、光出力部１０２において光ファイバ１０
１を動かしながら光検出器１０３にて光出力が最大とな
る位置を決定することにより、光ファイバ１０１をＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層４１に対して正確に位置決めすること
が可能となる。しかる上で、半導体光変調装置のＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４はＩｎＧａＡｓＰ活性層４１の上に積
層されているため、その層の厚さ分だけ上方向に光ファ
イバ０１を移動させる。即ち、光出力部１０２からＩｎ
ＧａＡｓＰ吸収層４端の距離より計算される光出力部１
０２におけるＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の自然放出光が来
るべき位置に光ファイバ１０１を動かし、その上で光出
力部１０２において光ファイバ１０１と半導体光変調器
用１００に対して固定する。
バ１０１の接続を行う場合には、半導体光変調装置１０
０に対して順方向にバイアス電流を注入し、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４１より発振したコヒーレント光を光ファイ
バ１０１を通して光検出器１０３で検出するようにす
る。このとき、光出力部１０２において光ファイバ１０
１を動かしながら光検出器１０３にて光出力が最大とな
る位置を決定することにより、光ファイバ１０１をＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層４１に対して正確に位置決めすること
が可能となる。しかる上で、半導体光変調装置のＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層４はＩｎＧａＡｓＰ活性層４１の上に積
層されているため、その層の厚さ分だけ上方向に光ファ
イバ０１を移動させる。即ち、光出力部１０２からＩｎ
ＧａＡｓＰ吸収層４端の距離より計算される光出力部１
０２におけるＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の自然放出光が来
るべき位置に光ファイバ１０１を動かし、その上で光出
力部１０２において光ファイバ１０１と半導体光変調器
用１００に対して固定する。
【００１３】このように、本発明では、吸収層４に活性
層４１を隣接させ、この活性層４１で発光される光を利
用して光出力部１０２における光ファイバ１０１の位置
決めを行うことにより、従来の吸収層４自体の自然放出
光を利用した位置合わせに比較して光強度が強いコヒー
レント光を利用でき、光ファイバ１０１と半導体光変調
装置１００との結合効率が２ｄＢ程度向上し、高精度の
位置決めが実現できるとともに、作業工数が１時間／１
個から１５分／１個に短縮することが可能となる。
層４１を隣接させ、この活性層４１で発光される光を利
用して光出力部１０２における光ファイバ１０１の位置
決めを行うことにより、従来の吸収層４自体の自然放出
光を利用した位置合わせに比較して光強度が強いコヒー
レント光を利用でき、光ファイバ１０１と半導体光変調
装置１００との結合効率が２ｄＢ程度向上し、高精度の
位置決めが実現できるとともに、作業工数が１時間／１
個から１５分／１個に短縮することが可能となる。
【００１４】図２は本発明の他の実施例の斜視図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付してある。この実
施例では、半導体光変調装置の各層の構成は前記実施例
と同じであるが、端面の幅寸法を増大するとともに、上
層のｐ−ＩｎＰ層７、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層８からなる矩
形部９を３個並列に形成し、それぞれに電極１１とパッ
ド電極１２を形成する。そして、中央の矩形部９に対応
する部分の端面にのみＩｎＧａＡｓＰ活性層４１を含む
上層の部分に非反射誘導光電膜１４を形成し、両側のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層４１を含む部分には非反射誘導光電
膜１４を形成していない。
り、図１と同一部分には同一符号を付してある。この実
施例では、半導体光変調装置の各層の構成は前記実施例
と同じであるが、端面の幅寸法を増大するとともに、上
層のｐ−ＩｎＰ層７、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層８からなる矩
形部９を３個並列に形成し、それぞれに電極１１とパッ
ド電極１２を形成する。そして、中央の矩形部９に対応
する部分の端面にのみＩｎＧａＡｓＰ活性層４１を含む
上層の部分に非反射誘導光電膜１４を形成し、両側のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層４１を含む部分には非反射誘導光電
膜１４を形成していない。
【００１５】この構成によれば、３素子が並列に配置さ
れた構成と等価となり、その中心の素子が半導体光変調
装置として機能し、両側の素子が半導体レーザとして機
能する。したがって、図３に示したように光ファイバの
位置決めを行うに際しては、両側の素子のみに電流を注
入してこれらを半導体レーザとして機能させて活性層４
１からコヒーレント光を発光させ、これらの光を光ファ
イバ１０１を通して光検出器１０３で検出し、かつ光フ
ァイバ１０１を動かしながらその最大光出力位置を検知
する。このとき半導体光変調装置としてのＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層４は半導体レーザの最大光出力部の幅方向の中
央位置となるため、光ファイバ１０１を半導体光変調器
１００に対して適切に位置決めすることが可能となる。
れた構成と等価となり、その中心の素子が半導体光変調
装置として機能し、両側の素子が半導体レーザとして機
能する。したがって、図３に示したように光ファイバの
位置決めを行うに際しては、両側の素子のみに電流を注
入してこれらを半導体レーザとして機能させて活性層４
１からコヒーレント光を発光させ、これらの光を光ファ
イバ１０１を通して光検出器１０３で検出し、かつ光フ
ァイバ１０１を動かしながらその最大光出力位置を検知
する。このとき半導体光変調装置としてのＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層４は半導体レーザの最大光出力部の幅方向の中
央位置となるため、光ファイバ１０１を半導体光変調器
１００に対して適切に位置決めすることが可能となる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体光
変調装置に設けた吸収層に隣接して活性層を一体に形成
し、装置に注入する電流により活性層において発光させ
るので、この発光された光を利用して光ファイバに対す
る位置決めを行うことで、光強度が強い光を利用して光
ファイバの位置決めが実現でき、半導体光変調装置に対
して光ファイバを高精度に位置決めすることが可能とな
り、かつ位置決めの作業性を向上することができる効果
がある。また、装置の中央部分は吸収層に非反射誘導光
電膜を形成し、両側部分は活性層を露呈させた構成と
し、かつ中央部分と両側部分にそれぞれ個別に電極を設
けることにより、電流を注入する電極を選択すること
で、中央部分を変調器として機能させ、両側部分を発光
源として機能させ、光ファイバの位置決めを更に高精度
に行うことが可能となる。
変調装置に設けた吸収層に隣接して活性層を一体に形成
し、装置に注入する電流により活性層において発光させ
るので、この発光された光を利用して光ファイバに対す
る位置決めを行うことで、光強度が強い光を利用して光
ファイバの位置決めが実現でき、半導体光変調装置に対
して光ファイバを高精度に位置決めすることが可能とな
り、かつ位置決めの作業性を向上することができる効果
がある。また、装置の中央部分は吸収層に非反射誘導光
電膜を形成し、両側部分は活性層を露呈させた構成と
し、かつ中央部分と両側部分にそれぞれ個別に電極を設
けることにより、電流を注入する電極を選択すること
で、中央部分を変調器として機能させ、両側部分を発光
源として機能させ、光ファイバの位置決めを更に高精度
に行うことが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の半導体光変調装置の斜視図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施例の半導体光変調装置の斜視
図である。
図である。
【図３】光出力部における光ファイバの位置決め方法を
説明するための概念図である。
説明するための概念図である。
【図４】従来の半導体光変調装置の一例の斜視図であ
る。
る。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層 ４ ＩｎＧａＡｓＰ吸収層 ４１ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ５ ＩｎＧａＡｓＰクラッド層 ６ ＩｎＰクラッド層 ７ ｐ−ＩｎＰ層 ８ ｐ−ＩｎＧａＡｓ層 ９ 矩形部 １１ 電極 １２ パッド電極 １４ 非反射誘導光電膜 １００ 半導体光変調装置 １０１ 光ファイバ １０２ 光検出器
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上にバッファ層、クラッド
層、吸収層等を有し、吸収層の端面には非反射誘導光電
膜を施し、電極への注入電流を制御して吸収層における
光吸収を制御するようにした半導体光変調装置におい
て、前記吸収層に隣接して活性層を一体に形成し、前記
注入電流により活性層において発光させるように構成し
たことを特徴とする半導体光変調装置。 - 【請求項２】 吸収層と活性層とを積層し、活性層を除
く層の端面には非反射誘導光電膜を形成し、前記吸収層
と活性層とで共通する電極を有する請求項１の半導体光
変調装置。 - 【請求項３】 吸収層と活性層とを積層し、端面の幅方
向中央部分では吸収層と活性層を含む領域に非反射誘導
光電膜を形成し、端面の幅方向の左右部分では少なくと
も活性層を露呈させ、前記中央部分と左右部分のそれぞ
れに個別の電極を有する請求項１の半導体光変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5265409A JP2751802B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体光変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5265409A JP2751802B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体光変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106705A true JPH07106705A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2751802B2 JP2751802B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17416771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5265409A Expired - Lifetime JP2751802B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体光変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751802B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8498501B2 (en) | 2009-05-27 | 2013-07-30 | Nec Corporation | Semiconductor optical modulator and semiconductor mach-zehnder optical modulator |
| CN103777377A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体光调制器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186210A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体集積光変調素子 |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP5265409A patent/JP2751802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186210A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体集積光変調素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8498501B2 (en) | 2009-05-27 | 2013-07-30 | Nec Corporation | Semiconductor optical modulator and semiconductor mach-zehnder optical modulator |
| CN103777377A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体光调制器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751802B2 (ja) | 1998-05-18 |
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