JPH02215120A - 荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法Info
- Publication number
- JPH02215120A JPH02215120A JP8935890A JP3589089A JPH02215120A JP H02215120 A JPH02215120 A JP H02215120A JP 8935890 A JP8935890 A JP 8935890A JP 3589089 A JP3589089 A JP 3589089A JP H02215120 A JPH02215120 A JP H02215120A
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- Japan
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- distortion
- drift
- mark
- charged particle
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビームやイオンビームを被描画材料上に
照射し所望パターンを描画するようにした荷電粒子ビー
ム描画方法における歪補正方法に関する。
照射し所望パターンを描画するようにした荷電粒子ビー
ム描画方法における歪補正方法に関する。
（従来の技術）
電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置では、糸巻
き歪やイオンビームの斜め照射時のフィールド形状補正
などのフィールド歪を除去するため、歪補正が行われて
いる。この歪補正を行うための歪量測定の手順を、イオ
ンビーム描画装置を例に、第３図のフローチャートを参
照して説明する。
き歪やイオンビームの斜め照射時のフィールド形状補正
などのフィールド歪を除去するため、歪補正が行われて
いる。この歪補正を行うための歪量測定の手順を、イオ
ンビーム描画装置を例に、第３図のフローチャートを参
照して説明する。
■ ステージを移動させ、材料上の基準マークをフィー
ルド内の目標位置に配置する。第４図はフィールドＦ内
のマークの目標位置Ｐを示しており、Ｐｌが最初の目標
位置であり、又、０は光軸である。
ルド内の目標位置に配置する。第４図はフィールドＦ内
のマークの目標位置Ｐを示しており、Ｐｌが最初の目標
位置であり、又、０は光軸である。
■ この最初の基準位置２１部分にイオンビームを偏向
し、マーク近傍をイオンビームによって走査する。マー
ク部分へのイオンビームの照射に伴って発生した、例え
ば、２次電子を検出し、この検出信号に基づいてマーク
の中心位置を測定する。
し、マーク近傍をイオンビームによって走査する。マー
ク部分へのイオンビームの照射に伴って発生した、例え
ば、２次電子を検出し、この検出信号に基づいてマーク
の中心位置を測定する。
■ 測定されたマーク位置の実測値と、予め定められて
いる目標位置との差を求め、その位置Ｐ１での歪量を求
める。
いる目標位置との差を求め、その位置Ｐ１での歪量を求
める。
■ 各位置Ｐ１〜Ｐ７まで上記■〜■までのステップを
行い、各位置での歪量を求める。
行い、各位置での歪量を求める。
■ 位置Ｐ、〜Ｐ７における歪量から、実測した目標位
置の間の各点の歪量を補間法などによって求め、歪補正
メモリに格納する。
置の間の各点の歪量を補間法などによって求め、歪補正
メモリに格納する。
（発明が解決しようとする課題）
上記したようなフィールド歪の補正手順では、高精度に
歪の補正を行おうとすると、歪量を測定すべき位置Ｐの
数を増加させねばならない。測定位置が増加すれば必然
的に測定時間も増加することになり、ドリフトの影響を
無視することができなくなる。
歪の補正を行おうとすると、歪量を測定すべき位置Ｐの
数を増加させねばならない。測定位置が増加すれば必然
的に測定時間も増加することになり、ドリフトの影響を
無視することができなくなる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、高精度に歪測定を行うために、測定点を増しても
、ドリフトの影響を極めて少なくすることを可能とする
ための荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法を実
現することにある。
的は、高精度に歪測定を行うために、測定点を増しても
、ドリフトの影響を極めて少なくすることを可能とする
ための荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法を実
現することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明に基づく歪補正方法は、荷電粒子ビームを材料上
に集束すると共に、荷電粒子ビームを偏向して材料上で
荷電粒子ビーム照射点を移動させ、所望のパターンを材
料上に描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法にお
いて、 ステージを移動させて材料上のマークを順次定められた
位置に移動させ、各定められた位置において、荷電粒子
ビームをマーク位置に照射して位置を検出し、この検出
されたマークの実測位置と、マークの目標位置との差か
らその位置の歪量を求めるステップ、 各定められた位置での歪量を求めた後、最初の位置にマ
ークを位置させるようにステージを移動させ、再度最初
の位置で歪量を求め、２回の同一位置での歪量からドリ
フト量を求めるステップ、求められたドリフト量から各
位置でのドリフト量を求め、このドリフト量に応じて各
位置での歪量を補正するステップより成ることを特徴と
している。
に集束すると共に、荷電粒子ビームを偏向して材料上で
荷電粒子ビーム照射点を移動させ、所望のパターンを材
料上に描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法にお
いて、 ステージを移動させて材料上のマークを順次定められた
位置に移動させ、各定められた位置において、荷電粒子
ビームをマーク位置に照射して位置を検出し、この検出
されたマークの実測位置と、マークの目標位置との差か
らその位置の歪量を求めるステップ、 各定められた位置での歪量を求めた後、最初の位置にマ
ークを位置させるようにステージを移動させ、再度最初
の位置で歪量を求め、２回の同一位置での歪量からドリ
フト量を求めるステップ、求められたドリフト量から各
位置でのドリフト量を求め、このドリフト量に応じて各
位置での歪量を補正するステップより成ることを特徴と
している。
（作用）
フィールド内の多数の位置でマークを検出し、各位置で
の歪量を測定した後、最初の位置で再度歪量の測定を行
い、２回の同一位置での求められた歪量に基づいてドリ
フトの量を求め、各位置での歪量をこの求められたドリ
フト量によって補正する。
の歪量を測定した後、最初の位置で再度歪量の測定を行
い、２回の同一位置での求められた歪量に基づいてドリ
フトの量を求め、各位置での歪量をこの求められたドリ
フト量によって補正する。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第１図は本発明に基づく歪補正方法を実施するための
イオンビーム描画装置の一例を示している。図中１はイ
オン源であり、イオン源１からのイオンビームは、集束
レンズ２．３によって材料４上に細く集束される。材料
４上のイオンビーム照射位置は、静電偏向板５，６に供
給される信号に応じて変えられる。材料４へのイオンビ
ームの照射に基づいて材料から発生した２次電子は、２
次電子検出器７によって検出される。
。第１図は本発明に基づく歪補正方法を実施するための
イオンビーム描画装置の一例を示している。図中１はイ
オン源であり、イオン源１からのイオンビームは、集束
レンズ２．３によって材料４上に細く集束される。材料
４上のイオンビーム照射位置は、静電偏向板５，６に供
給される信号に応じて変えられる。材料４へのイオンビ
ームの照射に基づいて材料から発生した２次電子は、２
次電子検出器７によって検出される。
上記偏向器５．６への偏向信号は、コンピュータ８から
の指令によって制御されるスキャナー９から発生され、
この偏向信号はＤＡ変換器１−０を介して偏向器５．６
に印加される。２次電子検出器７によって検出された信
号は、増幅器１１によって増幅された後、ＡＤ変換器１
２によってディジタル信号に変換されてコンピュータ８
に供給される。コンピュータ８は更に、材料４が載置さ
れたステージ１３を駆動するための駆動手段を制御し、
又、ステージの移動量を監視するレーザ測長系１５から
の移動量信号を受は取る。
の指令によって制御されるスキャナー９から発生され、
この偏向信号はＤＡ変換器１−０を介して偏向器５．６
に印加される。２次電子検出器７によって検出された信
号は、増幅器１１によって増幅された後、ＡＤ変換器１
２によってディジタル信号に変換されてコンピュータ８
に供給される。コンピュータ８は更に、材料４が載置さ
れたステージ１３を駆動するための駆動手段を制御し、
又、ステージの移動量を監視するレーザ測長系１５から
の移動量信号を受は取る。
コンピュータ８は各種のデータを求めるが、このデータ
はインターフェイス１６を介してデータメモリ１７や加
減算部１８を介して歪メモリ１９に供給される。２０は
補正演算部である。
はインターフェイス１６を介してデータメモリ１７や加
減算部１８を介して歪メモリ１９に供給される。２０は
補正演算部である。
上述した構成の動作を第２図のフローチャートを参照し
て説明する。
て説明する。
■ コンピュータ８からの指令によりステージ駆動手段
１４を駆動し、材料４上に設けられた十字マークを第１
の位置Ｐ、に配置する（第４図参照）。この時、ステー
ジの第１の位置への移動に際しては、ステージの移動量
が常にレーザ測長系１５によって監視されており、移動
後のマークの位置は正確にコンピュータ８によって確認
される。
１４を駆動し、材料４上に設けられた十字マークを第１
の位置Ｐ、に配置する（第４図参照）。この時、ステー
ジの第１の位置への移動に際しては、ステージの移動量
が常にレーザ測長系１５によって監視されており、移動
後のマークの位置は正確にコンピュータ８によって確認
される。
■ マーク位置の移動後、コンピュータ８は、スキャナ
ー９を制御して偏向器５．６に信号を送り、この最初の
基準位置２７部分にイオンビームを偏向し、マーク近傍
をイオンビームによって走査する。マーク部分へのイオ
ンビームの照射に伴って発生した、２次電子は検出器７
によって検出され、検出された信号は増幅器１１゜ＡＤ
変換器１２を介してコンピュータ８に供給され、コンピ
ュータ８においてイオンビーム照射に基づいたマークの
中心位置の実測値が求められる。
ー９を制御して偏向器５．６に信号を送り、この最初の
基準位置２７部分にイオンビームを偏向し、マーク近傍
をイオンビームによって走査する。マーク部分へのイオ
ンビームの照射に伴って発生した、２次電子は検出器７
によって検出され、検出された信号は増幅器１１゜ＡＤ
変換器１２を介してコンピュータ８に供給され、コンピ
ュータ８においてイオンビーム照射に基づいたマークの
中心位置の実測値が求められる。
■ コンピュータ８において、２次電子検出信号に基づ
いて測定されたマーク位置の実測値と、予め定められて
いる目標位置との差を求め、その位置Ｐ、での歪量を求
める。併せて、この歪量測定までの測定時間が測定され
る。この測定された歪量は、歪メモリ１９の位置Ｐ、に
対応した位置に格納される。
いて測定されたマーク位置の実測値と、予め定められて
いる目標位置との差を求め、その位置Ｐ、での歪量を求
める。併せて、この歪量測定までの測定時間が測定され
る。この測定された歪量は、歪メモリ１９の位置Ｐ、に
対応した位置に格納される。
■ 求めた歪量が最初の位置によるものか２回目以降の
位置によるものなのかを判断し、最初の位置Ｐ１による
歪量であれば、その値をコンピユータ８内部のメモリに
保持する。又、Ｐ１〜Ｐ、までの０回の歪量測定を行う
場合には、その測定がｎ回目かどうかを判断し、ｎ回目
でなければステップ１〜ステツプ３を繰り返し、各位置
での歪量の測定と歪量のメモリ１９への格納とを行う。
位置によるものなのかを判断し、最初の位置Ｐ１による
歪量であれば、その値をコンピユータ８内部のメモリに
保持する。又、Ｐ１〜Ｐ、までの０回の歪量測定を行う
場合には、その測定がｎ回目かどうかを判断し、ｎ回目
でなければステップ１〜ステツプ３を繰り返し、各位置
での歪量の測定と歪量のメモリ１９への格納とを行う。
■ 位置ｐ、−ｐ、における歪量の測定を全て終了した
後、再度、位置Ｐ、での測定を行い、その時の歪量を求
める。
後、再度、位置Ｐ、での測定を行い、その時の歪量を求
める。
■ ステップ■で求めた１回目の歪量り、とステップ■
で求めた同じ位置Ｐ、における歪量Ｄ ｍ ＋、との差
を求める。この差は測定時間の経過によるドリフトであ
り、このドリフト量り。はデータメモリ１７に記憶され
る。
で求めた同じ位置Ｐ、における歪量Ｄ ｍ ＋、との差
を求める。この差は測定時間の経過によるドリフトであ
り、このドリフト量り。はデータメモリ１７に記憶され
る。
■ このドリフト量が零でない場合には、補正演算部２
０において、各ｎ１定位置（ｍ位置）でのドリフト量り
ヨを所定の算出式に基づいて求める。この算出式は、例
えば、次に示すような式である。
０において、各ｎ１定位置（ｍ位置）でのドリフト量り
ヨを所定の算出式に基づいて求める。この算出式は、例
えば、次に示すような式である。
Ｄ、 −（Ｔ、／”ｒｏ ）ｘｐ。
ここで、Ｔｌ１１は各位置での測定までに経過した時間
、Ｔｏは全歪量測定時間である。
、Ｔｏは全歪量測定時間である。
■ この求められた各位置のドリフト量は、歪メモリ加
減算部１８に送られ、歪メモリ１９に格納された各位置
での歪量Ｈ１から補正演算部２０で求めたドリフト量り
、との加減算が行われる。この演算された結果は歪メモ
リ１９内の各位置に再格納される。この段階で、歪メモ
リ１９内に格納された歪量のデータは、ドリフトによる
影響が補正されたものとなる。更に、コンピュータ８は
、ドリフトの影響が補正された各測定位置Ｐ１〜Ｐ、ま
での歪量データから、各ｎ１定位置の間の細かい位置に
おける歪量を補間法などによって求め、歪メモリの所定
位置に格納する。
減算部１８に送られ、歪メモリ１９に格納された各位置
での歪量Ｈ１から補正演算部２０で求めたドリフト量り
、との加減算が行われる。この演算された結果は歪メモ
リ１９内の各位置に再格納される。この段階で、歪メモ
リ１９内に格納された歪量のデータは、ドリフトによる
影響が補正されたものとなる。更に、コンピュータ８は
、ドリフトの影響が補正された各測定位置Ｐ１〜Ｐ、ま
での歪量データから、各ｎ１定位置の間の細かい位置に
おける歪量を補間法などによって求め、歪メモリの所定
位置に格納する。
このようなステップによりイオンビームのフィールドの
各位置における歪を測定した後、図示しない描画データ
が記憶されたメモリ（図示せず）からのデータに基づい
てコンピュータ８はスキャナー９を制御し、所望のパタ
ーンを材料上で描画する。この結果、材料上に描画され
たパターンは、糸巻き歪などの歪が除去されたものであ
ると共に、ドリフトの影響も除去されたものであるため
、極めて高精度に所望パターンの描画を行うことができ
る。
各位置における歪を測定した後、図示しない描画データ
が記憶されたメモリ（図示せず）からのデータに基づい
てコンピュータ８はスキャナー９を制御し、所望のパタ
ーンを材料上で描画する。この結果、材料上に描画され
たパターンは、糸巻き歪などの歪が除去されたものであ
ると共に、ドリフトの影響も除去されたものであるため
、極めて高精度に所望パターンの描画を行うことができ
る。
以上本発明の一実施例を説明したが、本発明はこの実施
例に限定されない。例えば、イオンビーム描画装置を例
に説明したが、電子ビーム描画装置にも本発明を適用す
ることができる。又、マークの形状は十字状でなくＬ字
状であっても良く、マーク検出のために２次電子を検出
したが、２次イオンや反射電子などを検出するようにし
ても良い。更に、各位置のドリフト量を求めるための算
出式は、上記した式に限定されない。各ｎ１定点での測
定時間が一定であれば、ｍ回目のｎ１定時のドリフト量
り、は、次の式によって求めることも可能である。
例に限定されない。例えば、イオンビーム描画装置を例
に説明したが、電子ビーム描画装置にも本発明を適用す
ることができる。又、マークの形状は十字状でなくＬ字
状であっても良く、マーク検出のために２次電子を検出
したが、２次イオンや反射電子などを検出するようにし
ても良い。更に、各位置のドリフト量を求めるための算
出式は、上記した式に限定されない。各ｎ１定点での測
定時間が一定であれば、ｍ回目のｎ１定時のドリフト量
り、は、次の式によって求めることも可能である。
Ｄ ＃ −Ｄ ｏ ／ ｍ
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明では、歪量を特定の
測定点で２回測定し、この２回の測定結果からドリフト
量を求め、その他の各ｎ１定点のドリフト量をこの特定
点のドリフト量と測定時間との関係から求め、各ドリフ
ト量によって歪量を補正するようにしたので、歪量から
ドリフトの影響を除去することができる。
測定点で２回測定し、この２回の測定結果からドリフト
量を求め、その他の各ｎ１定点のドリフト量をこの特定
点のドリフト量と測定時間との関係から求め、各ドリフ
ト量によって歪量を補正するようにしたので、歪量から
ドリフトの影響を除去することができる。
第１図は、本発明の一実施例であるドリフト補正方法を
実施するためのイオンビーム描画装置の一例を示す図、
第２図は、本発明の一実施例を説明するためのフローチ
ャート、第３図は、従来の歪量測定のフローチャート、
第４図は、材料上のマーク位置の移動を説明するための
図である。
実施するためのイオンビーム描画装置の一例を示す図、
第２図は、本発明の一実施例を説明するためのフローチ
ャート、第３図は、従来の歪量測定のフローチャート、
第４図は、材料上のマーク位置の移動を説明するための
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 荷電粒子ビームを材料上に集束すると共に、荷電粒子ビ
ームを偏向して材料上で荷電粒子ビーム照射点を移動さ
せ、所望のパターンを材料上に描画するようにした荷電
粒子ビーム描画方法において、 ステージを移動させて材料上のマークを順次定められた
位置に移動させ、各定められた位置において、荷電粒子
ビームをマーク位置に照射して位置を検出し、この検出
されたマークの実測位置と、マークの目標位置との差か
らその位置の歪量を求めるステップ、 各定められた位置での歪量を求めた後、最初の位置にマ
ークを位置させるようにステージを移動させ、再度最初
の位置で歪量を求め、２回の同一位置での歪量からドリ
フト量を求めるステップ、求められたドリフト量から各
位置でのドリフト量を求め、このドリフト量に応じて各
位置での歪量を補正するステップより成る荷電粒子ビー
ム描画方法における歪補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8935890A JPH02215120A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8935890A JPH02215120A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215120A true JPH02215120A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12454617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8935890A Pending JPH02215120A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962172A (en) * | 1996-11-12 | 1999-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP8935890A patent/JPH02215120A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962172A (en) * | 1996-11-12 | 1999-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6042977A (en) * | 1996-11-12 | 2000-03-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
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