JPS63187627A - 荷電粒子線露光装置における自動焦点合せ方法 - Google Patents
荷電粒子線露光装置における自動焦点合せ方法Info
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- JPS63187627A JPS63187627A JP62020185A JP2018587A JPS63187627A JP S63187627 A JPS63187627 A JP S63187627A JP 62020185 A JP62020185 A JP 62020185A JP 2018587 A JP2018587 A JP 2018587A JP S63187627 A JPS63187627 A JP S63187627A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本考案は、特に微小スポットの電子線、又はイオンビー
ムを使用して半導体ウェハ等の材料上に微細パターンを
描画するに際し、集束レンズの焦点を材料の高さ変化に
起因する偏向器の（ｑ向振幅の補正値を塁にして自動的
に補正づるように構成した荷電粒子線露光装置の自動焦
点合せ方法に関する。
ムを使用して半導体ウェハ等の材料上に微細パターンを
描画するに際し、集束レンズの焦点を材料の高さ変化に
起因する偏向器の（ｑ向振幅の補正値を塁にして自動的
に補正づるように構成した荷電粒子線露光装置の自動焦
点合せ方法に関する。
［従来の技術］
微小スポットを使用する電子線露光装置等においては、
材料上に照射するビームのスポット径が露光精度に一義
的に影響するので、レンズの焦点合せは極めて重要な作
業となる。第４図乃至第６図は従来の焦点合せ方法の概
略を説明づるための図であり、第４図（ａ ）に示すよ
うに材料上に凹凸等の適宜なマーク１を形成し、このマ
ークを横切って矢印のにうに電子線のスポット２を移動
させ、そのとき材料上から散乱する２次電子や反射電子
を検出して（ｂ）図のような焦点状態を表わす信号を１
ｑる。該（ｂ）図の信号でピークとピークの強度差Ｉは
焦点の合った状態を示しており、この■が大きい程焦点
は正確にあった状態である。
材料上に照射するビームのスポット径が露光精度に一義
的に影響するので、レンズの焦点合せは極めて重要な作
業となる。第４図乃至第６図は従来の焦点合せ方法の概
略を説明づるための図であり、第４図（ａ ）に示すよ
うに材料上に凹凸等の適宜なマーク１を形成し、このマ
ークを横切って矢印のにうに電子線のスポット２を移動
させ、そのとき材料上から散乱する２次電子や反射電子
を検出して（ｂ）図のような焦点状態を表わす信号を１
ｑる。該（ｂ）図の信号でピークとピークの強度差Ｉは
焦点の合った状態を示しており、この■が大きい程焦点
は正確にあった状態である。
第５図はその状態を示し、＜ａ ）図のような電子線の
集束状態においてＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの５つの点におけ
るスポットの大きさを（ｂ）に示しである。このような
スポットを用いて第１図のマークを走査した場合、（Ｃ
）に示すような検出信号波形が得られる。（Ｃ）図の各
波形の比較から解るように、焦点が丁度合ったＣの場合
に信号のピークツーピークの値Ｉは最大になり、これら
信号値■の比較から焦点の状態は判別できる。第６図は
この値Ｉとレンズ強度込との関係を示すもので、レンズ
がｉｏのとぎＩは最高値を示す。そこで、３点追い込み
法によりピーク強度Ｉの最大値を求め、それに対応する
レンズ強度を設定すれば焦点合せが行なえる。
集束状態においてＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの５つの点におけ
るスポットの大きさを（ｂ）に示しである。このような
スポットを用いて第１図のマークを走査した場合、（Ｃ
）に示すような検出信号波形が得られる。（Ｃ）図の各
波形の比較から解るように、焦点が丁度合ったＣの場合
に信号のピークツーピークの値Ｉは最大になり、これら
信号値■の比較から焦点の状態は判別できる。第６図は
この値Ｉとレンズ強度込との関係を示すもので、レンズ
がｉｏのとぎＩは最高値を示す。そこで、３点追い込み
法によりピーク強度Ｉの最大値を求め、それに対応する
レンズ強度を設定すれば焦点合せが行なえる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記の焦点合せ方法は、原理的には精度の高いものが得
られるが、ビーム電流が微小な場合にはマーク検出信号
が小さく、この信号がノイズに隠れて判別しにくくなり
、正確なレンズの焦点合せが行なえなくなり、結果とし
て露光の精度が悪くなる。
られるが、ビーム電流が微小な場合にはマーク検出信号
が小さく、この信号がノイズに隠れて判別しにくくなり
、正確なレンズの焦点合せが行なえなくなり、結果とし
て露光の精度が悪くなる。
そこで本発明の目的はビーム電流の大小に関係なく正確
な焦点合ぜが自動的に行なえる方法を提供することであ
る。
な焦点合ぜが自動的に行なえる方法を提供することであ
る。
「問題を解決するだめの手段１
本発明は微小断面の荷電粒子線を材料上に照射する段階
、高さが既知で一定間隔で離間した少くとも２個の基準
マーク又はその周辺の基準領域を用いて前記荷電粒子線
の焦点合せを行なう段階、前記材料のステージを機械的
に移動させて前記２個のマークの間隔を実測する段階、
前記荷電粒子線を偏向器により偏向して前記２個のマー
ク間の距離を求める段階、前記ステージ移動による２個
のマーク間の距離の実測値と荷電粒子線の偏向により検
出された２個のマーク間距離の値との比較から荷電粒子
線偏向器の偏向振幅の補正値ｅ、）を求める段階、材料
の任意領域においてステージ移動による２個のマーク間
の距離の実測値と荷電粒子線の偏向により検出した該２
個のマーク間距離の値との比較から前記荷電粒子線偏向
器の偏向振幅の補正値ｅ′を求める段階、前記基準マー
クにより求めた偏向器の偏向振幅補正値ｅＱを基準にし
このｅＱ と任意領域における偏向補正値ｅ′との差に
基づいて荷電粒子線を集束するレンズの強度を補正する
信号を作る段階とを有する荷電粒子線露光装置における
自動焦点合せ方法に特徴がある。
、高さが既知で一定間隔で離間した少くとも２個の基準
マーク又はその周辺の基準領域を用いて前記荷電粒子線
の焦点合せを行なう段階、前記材料のステージを機械的
に移動させて前記２個のマークの間隔を実測する段階、
前記荷電粒子線を偏向器により偏向して前記２個のマー
ク間の距離を求める段階、前記ステージ移動による２個
のマーク間の距離の実測値と荷電粒子線の偏向により検
出された２個のマーク間距離の値との比較から荷電粒子
線偏向器の偏向振幅の補正値ｅ、）を求める段階、材料
の任意領域においてステージ移動による２個のマーク間
の距離の実測値と荷電粒子線の偏向により検出した該２
個のマーク間距離の値との比較から前記荷電粒子線偏向
器の偏向振幅の補正値ｅ′を求める段階、前記基準マー
クにより求めた偏向器の偏向振幅補正値ｅＱを基準にし
このｅＱ と任意領域における偏向補正値ｅ′との差に
基づいて荷電粒子線を集束するレンズの強度を補正する
信号を作る段階とを有する荷電粒子線露光装置における
自動焦点合せ方法に特徴がある。
［作用］
本発明は露光すべき材料の光軸方向の位置、つまり高さ
の変化が材料上での電子線の偏向振幅の補正値に対応し
ているのに着目し、基準マーク位置の偏向振幅の補正値
と任意フィールドにおける偏向振幅の補正値との差に基
づいてレンズ強度の補正値を求め自助的に焦点を補正す
るようにしである。
の変化が材料上での電子線の偏向振幅の補正値に対応し
ているのに着目し、基準マーク位置の偏向振幅の補正値
と任意フィールドにおける偏向振幅の補正値との差に基
づいてレンズ強度の補正値を求め自助的に焦点を補正す
るようにしである。
［実施例］
第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示し、３
は電子線露光装置の最終集束レンズで、その中に電子線
の偏向電極４が設置しである。５ば半導体ウェハ等の露
光すべき材料であり、前記レンズにより細く集束された
電子線が投射され、■つ偏向器４にパターン信号を供給
することにより前記集束ビームを偏向して所望のパター
ンを描画する。６は露光制御用のコンピュータで、集束
レンズ３にはレンズ値補正ユニッ１−７及びレンズ電流
出カニニット８を介して材料上で所望の大きさの電子線
スポットが得られるようなレンズ電流が供給される。９
は走査信号制御ユニットで、コンピュータからのパター
ン信号はこのユニットに送られ、次段の偏向蒸出カニニ
ット１０で偏向器４に与える肩面電圧を出力し、振幅補
正ユニット１２を介して偏向器４に所定電圧を印加する
。１１は偏向振幅補正値出カニニットであり、コンピュ
ータ６により求めた補正１１？Ｉｅを受けて（１＋ｅ）
の補正信号を出力し、補正ユニット１２において偏向蒸
出カニニット１０からのパターン（１δ画用偏向信号と
剰算し、その出）〕を偏向器４に供給する。
は電子線露光装置の最終集束レンズで、その中に電子線
の偏向電極４が設置しである。５ば半導体ウェハ等の露
光すべき材料であり、前記レンズにより細く集束された
電子線が投射され、■つ偏向器４にパターン信号を供給
することにより前記集束ビームを偏向して所望のパター
ンを描画する。６は露光制御用のコンピュータで、集束
レンズ３にはレンズ値補正ユニッ１−７及びレンズ電流
出カニニット８を介して材料上で所望の大きさの電子線
スポットが得られるようなレンズ電流が供給される。９
は走査信号制御ユニットで、コンピュータからのパター
ン信号はこのユニットに送られ、次段の偏向蒸出カニニ
ット１０で偏向器４に与える肩面電圧を出力し、振幅補
正ユニット１２を介して偏向器４に所定電圧を印加する
。１１は偏向振幅補正値出カニニットであり、コンピュ
ータ６により求めた補正１１？Ｉｅを受けて（１＋ｅ）
の補正信号を出力し、補正ユニット１２において偏向蒸
出カニニット１０からのパターン（１δ画用偏向信号と
剰算し、その出）〕を偏向器４に供給する。
前記レンズ値補正ユニット７には偏向振幅補正値ｅの１
Δ号が送られており、後述するが振幅補正値ｅに影響を
与える試料面高さｈとコンピュータ６から送られてくる
レンズｗ４Ｑ、どの関数Ｌ−ｆ （Ａ・ｈ）・・・・
・・〈１）の信号を出力して集束レンズに供給し、自動
的に該集束レンズの焦点を補正する。
Δ号が送られており、後述するが振幅補正値ｅに影響を
与える試料面高さｈとコンピュータ６から送られてくる
レンズｗ４Ｑ、どの関数Ｌ−ｆ （Ａ・ｈ）・・・・
・・〈１）の信号を出力して集束レンズに供給し、自動
的に該集束レンズの焦点を補正する。
本装首の動作説明の前に本発明の詳細な説明する。第２
図に示すように、一定の間隔ｄｏをもった２個のマーク
Ｍ１とＭ２をＡ、Ｂ、Ｃのように光軸方向に異なった位
置、つまり異なった高さく１１０，１１１．１１２）に
配置し、電子線の走査によりその間隔を測定した場合、
Ａ、Ｂ、Ｃの夫々で間隔が異なった値になる。即ち、Ａ
を基準とした場合、Ｂの場合にはマーク間距離がｄ、よ
り短いｄｌがｄＯとして測定され、又Ｃの場合には基準
より大きなｄ２がｄＯとして測定される。正確に測定づ
るにはＢの場合、Ａより肩面振幅を大きくして点線によ
うに蘭向づる必要があり、又Ｃの場合にはＡの場合によ
り狭い］辰幅で２点ｆＩ線のように偏向する必要がある
。又、各高さの材料上でフォーカスを合せる必要がある
ので、レンズの強度Ｌ ｆ、ｔ ＡのＬＯを基準にして
ＢではＬ−＋に又ＣではＬ２に変更する必要がある。
図に示すように、一定の間隔ｄｏをもった２個のマーク
Ｍ１とＭ２をＡ、Ｂ、Ｃのように光軸方向に異なった位
置、つまり異なった高さく１１０，１１１．１１２）に
配置し、電子線の走査によりその間隔を測定した場合、
Ａ、Ｂ、Ｃの夫々で間隔が異なった値になる。即ち、Ａ
を基準とした場合、Ｂの場合にはマーク間距離がｄ、よ
り短いｄｌがｄＯとして測定され、又Ｃの場合には基準
より大きなｄ２がｄＯとして測定される。正確に測定づ
るにはＢの場合、Ａより肩面振幅を大きくして点線によ
うに蘭向づる必要があり、又Ｃの場合にはＡの場合によ
り狭い］辰幅で２点ｆＩ線のように偏向する必要がある
。又、各高さの材料上でフォーカスを合せる必要がある
ので、レンズの強度Ｌ ｆ、ｔ ＡのＬＯを基準にして
ＢではＬ−＋に又ＣではＬ２に変更する必要がある。
今、任意の材料面の高さをｈとし、（の時の同−肩面娠
幅の実際の何ｒ１面上に３５ける振り幅をｄとすると、
振幅比（１＋ｅ）は次の式で与えられる。
幅の実際の何ｒ１面上に３５ける振り幅をｄとすると、
振幅比（１＋ｅ）は次の式で与えられる。
（１＋ｅ）＝ｄｏ／ｄ・・・・・・・・・〈２）又、高
ざｈと振り幅ｄの関係は第２図から解るように相似三角
形であるので ｄ ｃ ／ｈ ｏ ＝ｄ ／ｈ よりｄ Ｏ／ｄ
＝ｈ ｏ ／ｈ −−−（３）が得られる。そこで、（
２）式と（３）式から高さｈは ハ ＝ハｏ／（１＋ｅ） ・・・・・・・・・（４）と
なり、偏向振幅補正値Ｃは試料面の高さの変化を表わし
ていることが解る。而して、〈１）式のｈに（４）式を
代入すれば、振幅補正値ｅから集束レンズの焦点を補正
することができることになる。
ざｈと振り幅ｄの関係は第２図から解るように相似三角
形であるので ｄ ｃ ／ｈ ｏ ＝ｄ ／ｈ よりｄ Ｏ／ｄ
＝ｈ ｏ ／ｈ −−−（３）が得られる。そこで、（
２）式と（３）式から高さｈは ハ ＝ハｏ／（１＋ｅ） ・・・・・・・・・（４）と
なり、偏向振幅補正値Ｃは試料面の高さの変化を表わし
ていることが解る。而して、〈１）式のｈに（４）式を
代入すれば、振幅補正値ｅから集束レンズの焦点を補正
することができることになる。
次に具体的な動作について説明する。
先ず、高ざｈが既知の基準マークを材料又はそのステー
ジ上に設定し、その基準マークを用いて、或いはそのマ
ークの周辺の領域を使用して集束レンズ３の正確な焦点
合せを行なう。この焦点合せは充分なビーム電流の下で
手動にて行なわれる。
ジ上に設定し、その基準マークを用いて、或いはそのマ
ークの周辺の領域を使用して集束レンズ３の正確な焦点
合せを行なう。この焦点合せは充分なビーム電流の下で
手動にて行なわれる。
上記基準マークは一定間隔で離間した最低２個、実際に
はＸ、Ｙ方向の焦点合せを行なう必要があるのでＬ形又
は十形のマークを１字状に３個配置ザると良い。この２
個の基準マークを使用し、機械的にステージを移動させ
、レー（アー測長器を使用してマーク間の実際の距離を
測定する。次いで、同じマークを用い、今度は偏向器４
に偏向信号を９．７０の回路を介して供給し、電子線の
部内によってマークを検出してその間隔を計測する。両
者の値が一致すれば問題ないが、通常ば両側定値にはず
れがあるので、両値が一致するように偏向器の振幅補正
値ｃ６をコンピュータ６より偏向器振幅補正ユニット１
１に出力する。これにより、ユニット１２ではユニット
１０からの偏向信号に（１＋ｅｏ）の補正値が剰算され
、偏向器に供給される。以後、この値ＣＯが基準になる
。次に、材料５の露光したい任意な領１４（チップ又は
フィールド）を露光位置に機械的に移動する。そして、
該領域にあるマークを使用して前述と同様な機械的な移
動によるレーザー測長と電子線偏向による測長を行ない
、両値の差Ｃ′を求め、ユニット１１に出力する。これ
に」：り補正ユニット１２では（１＋ｅ′）の剰算信号
が偏向信号に剰算され、高さの変化に対し偏向振幅が補
正される。又、レンズ値補正ユニット７ではｍｌマーク
に対して材料マークの高さの違いが前記２３準値ｅｏと
ｅ−との差ｅに相当するので、この差ｅを用いて第１式
の計算を行ない集束レンズ３の電流値を修正する。
はＸ、Ｙ方向の焦点合せを行なう必要があるのでＬ形又
は十形のマークを１字状に３個配置ザると良い。この２
個の基準マークを使用し、機械的にステージを移動させ
、レー（アー測長器を使用してマーク間の実際の距離を
測定する。次いで、同じマークを用い、今度は偏向器４
に偏向信号を９．７０の回路を介して供給し、電子線の
部内によってマークを検出してその間隔を計測する。両
者の値が一致すれば問題ないが、通常ば両側定値にはず
れがあるので、両値が一致するように偏向器の振幅補正
値ｃ６をコンピュータ６より偏向器振幅補正ユニット１
１に出力する。これにより、ユニット１２ではユニット
１０からの偏向信号に（１＋ｅｏ）の補正値が剰算され
、偏向器に供給される。以後、この値ＣＯが基準になる
。次に、材料５の露光したい任意な領１４（チップ又は
フィールド）を露光位置に機械的に移動する。そして、
該領域にあるマークを使用して前述と同様な機械的な移
動によるレーザー測長と電子線偏向による測長を行ない
、両値の差Ｃ′を求め、ユニット１１に出力する。これ
に」：り補正ユニット１２では（１＋ｅ′）の剰算信号
が偏向信号に剰算され、高さの変化に対し偏向振幅が補
正される。又、レンズ値補正ユニット７ではｍｌマーク
に対して材料マークの高さの違いが前記２３準値ｅｏと
ｅ−との差ｅに相当するので、この差ｅを用いて第１式
の計算を行ない集束レンズ３の電流値を修正する。
これにより材料の高さの相違による焦点ずれは補正され
る。露光する各領域に関し、上記の補正を行なえば、自
動的にレンズの焦点が合されることになる。
る。露光する各領域に関し、上記の補正を行なえば、自
動的にレンズの焦点が合されることになる。
第３図は本発明の実施において２個の基準マークを使用
する場合で、試料第１３の上に２つの高さの異なる台１
４と１５を置き、この上にマーク又はメツシュ１６と１
７を設置し、材料５を両マークの間に配置して使用する
ものである。２つのマーク１６と１７におけるレンズの
フォーカス値Ｌ ｈと１ｉとを求め、直線近似式 １式％） を用いて材料面の高さ変化に対して自動的に焦点を合せ
るようにしである。
する場合で、試料第１３の上に２つの高さの異なる台１
４と１５を置き、この上にマーク又はメツシュ１６と１
７を設置し、材料５を両マークの間に配置して使用する
ものである。２つのマーク１６と１７におけるレンズの
フォーカス値Ｌ ｈと１ｉとを求め、直線近似式 １式％） を用いて材料面の高さ変化に対して自動的に焦点を合せ
るようにしである。
上記は本発明の一例であり、実際には種々の肩肉が可能
である。例えば、レンズ値補正ユニット７を設けてレン
ズ電流をこのユニットにより補正したが、偏向振幅補正
ｆ１ｅを用いてコンピュータ内でレンズの電流値を算出
し、それをレンズに供給するようにしても良い。又、上
記は電子線露光装置に適用した場合であるが、イオンビ
ーム露光装置にも同様に使用できる。
である。例えば、レンズ値補正ユニット７を設けてレン
ズ電流をこのユニットにより補正したが、偏向振幅補正
ｆ１ｅを用いてコンピュータ内でレンズの電流値を算出
し、それをレンズに供給するようにしても良い。又、上
記は電子線露光装置に適用した場合であるが、イオンビ
ーム露光装置にも同様に使用できる。
［効果］
以上詳細に説明したように、本発明では材料の高さ変化
をマークの検出により荷電粒子線の偏向振幅の変化とし
て検出し、偏向振幅を補正すると同時にレンズの焦点も
その振幅補正値を用いて補正するようにしているので、
実際のフォーカス合せは一度だけで良く、ビーム電流に
関係なく正確に焦点合せが可能である。
をマークの検出により荷電粒子線の偏向振幅の変化とし
て検出し、偏向振幅を補正すると同時にレンズの焦点も
その振幅補正値を用いて補正するようにしているので、
実際のフォーカス合せは一度だけで良く、ビーム電流に
関係なく正確に焦点合せが可能である。
第１図は本発明方法を実施した装置の一例を示す概略図
、第２図は本発明の詳細な説明するための図、第３図は
本発明の他の実施例を示す図、第４図乃至第６図は従来
の焦点合せの方法を説明する図である。 ３：集束レンズ ４：偏向電極 ５：露光材料 ７：レンズ値補正ユニット ８：レンズ電流出カニニット ９：走査信号制御ユニット １０ニー向器出カニニツト １１：偏向振幅補正値出カニニット １２：振幅補正ユニット
、第２図は本発明の詳細な説明するための図、第３図は
本発明の他の実施例を示す図、第４図乃至第６図は従来
の焦点合せの方法を説明する図である。 ３：集束レンズ ４：偏向電極 ５：露光材料 ７：レンズ値補正ユニット ８：レンズ電流出カニニット ９：走査信号制御ユニット １０ニー向器出カニニツト １１：偏向振幅補正値出カニニット １２：振幅補正ユニット
Claims (1)
- 微小断面の荷電粒子線を材料上に照射する段階、高さが
既知で一定間隔で離間した少くとも２個の基準マーク又
はその周辺の基準領域を用いて前記荷電粒子線の焦点合
せを行なう段階、前記材料のステージを機械的に移動さ
せて前記２個のマークの間隔を実測する段階、前記荷電
粒子線を偏向器により偏向して前記２個のマーク間の距
離を求める段階、前記ステージ移動による２個のマーク
間の距離の実測値と荷電粒子線の偏向により検出された
２個のマーク間距離の値との比較から荷電粒子線偏向器
の偏向振幅の補正値ｅ＿０を求める段階、材料の任意領
域においてステージ移動による２個のマーク間の距離の
実測値と荷電粒子線の偏向により検出した該２個のマー
ク間距離の値との比較から前記荷電粒子線偏向器の偏向
振幅の補正値ｅ′を求める段階、前記基準マークにより
求めた偏向器の偏向振幅補正値ｅ＿０を基準にしこのｅ
＿０と任意領域における偏向補正値ｅ′との差に基づい
て荷電粒子線を集束するレンズの強度を補正する信号を
作る段階とを有することを特徴とする荷電粒子線露光装
置における自動焦点合せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020185A JPS63187627A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 荷電粒子線露光装置における自動焦点合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020185A JPS63187627A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 荷電粒子線露光装置における自動焦点合せ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187627A true JPS63187627A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12020114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62020185A Pending JPS63187627A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 荷電粒子線露光装置における自動焦点合せ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187627A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
| JP2009147254A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置 |
| US12393179B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-19 | Amgen Inc. | Offline troubleshooting and development for automated visual inspection stations |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62020185A patent/JPS63187627A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
| JP2009147254A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置 |
| US12393179B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-19 | Amgen Inc. | Offline troubleshooting and development for automated visual inspection stations |
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