JPH0221599A - 荷電粒子ビーム加速器の調整パラメータ表示設定装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム加速器の調整パラメータ表示設定装置

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JPH0221599A
JPH0221599A JP16912088A JP16912088A JPH0221599A JP H0221599 A JPH0221599 A JP H0221599A JP 16912088 A JP16912088 A JP 16912088A JP 16912088 A JP16912088 A JP 16912088A JP H0221599 A JPH0221599 A JP H0221599A
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JP
Japan
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coordinate system
adjustment
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Toru Murakami
村上 亨
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は荷電粒子ビーム加速器、特にサイクロトロンの
運転制御の際に用いられる調整パラメータの設定及び表
示を行う設定表示装置に関する。
(従来の技術) 一般に、サイクロトロンでは、サイクロトロンを構成す
る要素(例えば、メインコイル、Qマグネット、デフレ
クタ等)ごとにffff1パラメータ(運転パラメータ
)か設定されており、これら調整パラメータに基づいて
各構成要素の制御を行っている。
サイクロトロンを運転制御する際には、デイスプレィ上
に現時点における各種の調整パラメータを数値として表
示するともに荷電粒子ビームの電流値を検出しく以下こ
の電流値を検出ビーム電流値という)、この検出ビーム
電流値を表示して、これら調整パラメータ及び検出ビー
ム電流値を対比して、オペレータか最適のビーム電流値
が得られるように調整パラメータを調節(変化)してい
る。
(発明が解決しようとする課題) ところで、従来の場合、上述のようにデイスプレィ上に
調整パラメータ(数値)及び検出ビーム電流値を単に表
示しているから、複数の調整パラメータ相互のr!A係
を直接認識することができず、その結果、パラメータの
調整には熟練を必要とし、オペレータに過度の負担を強
いるばかりでなく、荷電粒子ビームの調整に時間がかか
るという問題点がある。
本発明の目的は容易にパラメータの調整が行うことので
きる調整パラメータ表示設定装置を提供することにある
(課題を解決するための手段) 本発明によれば、荷電粒子ビーム加速器を運転制御する
際に用いられる複数の調整パラメータを設定表示する際
に用いられ、該調整パラメータを記憶する記憶手段と、
前記調整パラメータを二軸座標系に表示する表示手段と
、前記調整パラメータを設定する設定手段と、前記調整
パラメータの相互の相関係数を算出するとともに該相関
係数を用いて前記調整パラメータを前記二軸座標系に変
換する演算手段とを有し、現時点で荷電粒子ビーム加速
器の運転制御に用いられている調整パラメータの変換値
と他の調整パラメータの変換値とを区別して表示するよ
うにしたことを特徴とする荷電粒子ビーム加速器の調整
パラメータ表示設定装置が得られる。
(作 用) 本発明では、記憶手段に記憶された調整パラメータを用
い、演算手段によってこれら調整パラメータ相互の相関
係数を算出して、この相関係数を用いて上記の調整パラ
メータを表示手段上の二軸座標系に変換する。
オペレータは、この相関係数が考慮された二軸座標系上
の変換値と検出ビーム電流値を対比して調整パラメータ
の変更を行う、この新たな調整パラメータは記憶手段に
記憶され、演算手段は上述の相関係数を用いてこの新た
な調整パラメータを表示手段上の二軸座標系に変換する
。この際、荷電粒子ビーム加速器の運転制御に現時点で
用いられている調整パラメータと他の調整パラメータと
は区別して表示される。そして、以下同様にして調整パ
ラメータが変更され、表示手段上に表示される。
(実施例) 以下本発明について実施例によって説明する。
まず、第1図を参照して、サイクロトロン等の荷電粒子
ビーム加速器システム1には制御用コンピュータシステ
ム2が連結されており、この制御用コンピュータシステ
ム2には調整パラメータ入力装置3及びデイスプレィ装
置(CRT)4が接続されている。
制御用コンピュータシステム2は中央処理装置(CPU
)2a、制御プログラムが格納されたメモリ2b、及び
磁気ディスク装置2cを備えており、前述の入力装置3
及びCI”tT4はそれぞれインタフェース2d及び2
eを介してCP LJ 2 aに接続されている。また
、CP tJ 2 aにはインタフェース2f及び1a
を介してビーム電流検出用プローブ1bが接続されてい
る。
磁気ディスク装置2cには、従前(過去)において、サ
イクロトロン1の運転制御に用いられた全ての調整パラ
メータが予め格納されており、CPU2aはこれら過去
の調整パラメータを統計解析して第(1)式に示す相関
係数行列Aを求める。
即ち、過去の調整パラメータの相関性を求める。
なお、予め過去の調整パラメータに基づいて相関係数行
列Aを求めて、オペレータからの入力によりメモリ2b
に格納しておいてもよい。
上述の過去の調整パラメータ及び相関係数行列を用いて
、CPU2aは第(2)式によって二軸座標系(X−Y
座標系)に変換する。
ここで、P、、P、、・・・P7はサイクロトロン運転
中のある時点における調整パラメータを示ず。
従って、調整パラメータが1つでも変化すると、新たに
X−Y座標系上にプロット点が表示される。
ここで、サイクロトロン1の運転制御を開始する際に、
新たに調整パラメータを入力装置3から入力する(以下
これを現時点の調整パラメータという)。そして、この
現時点の調整パラメータ(P、 ′、P2 ・・・、P
、 ′)に基づいてサイクロトロンの各構成要素が制御
される。この際、CP LJ 2 aは、上述の第(2
)式によって現時点の調整パラメータを二軸座標系に変
換する。
一方、サイクロトロン1における荷電粒子ビームの電流
値がプローブ1bによって検出され、検出ビーム電流値
としてCPU2aに入力される。
CP tJ 2 aは過去の調整パラメータをX−Y座
標系に変換したプロット点を第2図(b)に示すように
順次CRT4上に表示していく(+で示す)。また、現
在の調整パラメータをX−Y座標系に変換したプロット
点をCRT4上に表示する(ムで示す)。この際、第2
図(a)に示すようにCRT4上に検出ビーム電流値が
表示される。
調整パラメータを二軸座標系に変換した値をCRT4上
に表示する際には、予め、サイクロトロン1の構成要素
で相互に関連する構成要素が設定されており、この構成
要素の制御量をそれぞれX軸及びY軸に対応させる0例
えば、サイクロトロン1の第1〜第3の電磁石に流す電
流量をそれぞれQ、、Q、及びQ3とし、この電流量Q
t十Q3と電流量Q2とが相互に関連すれば、X軸にQ
l−トQ、をとり、Y軸にQ2をとる。従って、この場
合には、第1〜第3の電磁石の調整パラメータをそれぞ
れP、、P、及びP、とすれば、二軸座標系への変換式
は第(3)式で示される。
・・・(3) よって、相互に関連するサイクロ1−ロン1の構成要素
が他にもある場合には、CRTJ上には複数のX−Y座
標系が表示されることになる。
オペレータはCRT 4上に表示された相関係数及びビ
ーム電流検出値を見て、最適の粒子ビームに調整する。
即ち、粒子ビームを調整する際には、調整パラメータを
変更する。
ここで、第(3)式に基づいて説明すると、調整パラメ
ータP2を変更した場合、この変更パラメータは磁気デ
ィスク2Cに記憶され、CPU2aは、調整パラメータ
(P、、P2′、P3 )に基づいて、X−Y座標系の
プロット点を求め、CRT4上にこのプロット点を他ρ
プロット点と区別して表示する。
このプロット点が第2図(b)に示すプロット群(+で
示す)からずれる方向に移動した場合には、Nuパラメ
ータp、、p、をも変更しなければならないことがわか
る。
従って、この場合には、調整パラメータP1P2.及び
P、を調整しなければならないことがわかる。即ち、従
来、調整パラメータはそれぞれ独立して数値で表示され
ていただけであるから、多数の調整パラメータが相互に
関連していた場合、最適の粒子ビームを得るためにはど
の調整パラメータを変更すればよいか表示画面を見ただ
けではわからないが、本実施例の場合、各調整パラメー
タの相互相関が二軸座標系に表示されているから、変更
後のプロット点が過去のプロブ1−群から離れるかどう
かによって、どの調整パラメータを変更すればよいかが
表示画面から直ちにわかる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明では、調整パラメータを二
軸座標系に変換して相互相関図を表示するようにしたか
ら、調整パラメータを変更する際、複数の調整パラメー
タのうちどの調整パラメータを変更すればよいかが直ち
にわかり、その結果、最適粒子ビームを得るためのパラ
メータ変更が極めて容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による調整パラメータ表示設定装置の一
実施例を説明するための図、第2図(a)はデイスプレ
ィ上に表示される検出ビーム電流値を示す図、第2図(
b)は調整パラメータの相互相関を示すための相互相関
図である。 ■・・・加速器システム、 2・・・制御コンピュータシ ステム、 3・・・パラメータ入力装置、 11・・・デイスプ レイ (CR′r’ )

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 荷電粒子ビーム加速器を運転制御する際に用いられ
    る複数の調整パラメータを設定表示する際に用いられ、
    該調整パラメータを記憶する記憶手段と、前記調整パラ
    メータを二軸座標系に表示する表示手段と、前記調整パ
    ラメータを設定する設定手段と、前記調整パラメータの
    相互の相関係数を算出するとともに該相関係数を用いて
    前記調整パラメータを前記二軸座標系に変換する演算手
    段とを有し、現時点で荷電粒子ビーム加速器の運転制御
    に用いられている調整パラメータの変換値と他の調整パ
    ラメータの変換値とを区別して表示するようにしたこと
    を特徴とする荷電粒子ビーム加速器の調整パラメータ表
    示設定装置。
JP16912088A 1988-07-08 1988-07-08 荷電粒子ビーム加速器の調整パラメータ表示設定装置 Expired - Lifetime JPH07118399B2 (ja)

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JPH07118399B2 JPH07118399B2 (ja) 1995-12-18

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0662250A4 (en) * 1991-12-20 1995-05-04 Grace W R & Co MULTI-LAYER BATTERY SEPARATOR AND MANUFACTURING PROCESS.
US9234214B2 (en) 2009-10-14 2016-01-12 Purac Biochem Bv Fermentation process at reduced pressure
CN119670516A (zh) * 2024-11-21 2025-03-21 西安电子科技大学 基于高斯集成信念传播的数字孪生加速器调束方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0662250A4 (en) * 1991-12-20 1995-05-04 Grace W R & Co MULTI-LAYER BATTERY SEPARATOR AND MANUFACTURING PROCESS.
US9234214B2 (en) 2009-10-14 2016-01-12 Purac Biochem Bv Fermentation process at reduced pressure
CN119670516A (zh) * 2024-11-21 2025-03-21 西安电子科技大学 基于高斯集成信念传播的数字孪生加速器调束方法

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