JPH0221614A - 赤外線ランプ炉 - Google Patents
赤外線ランプ炉Info
- Publication number
- JPH0221614A JPH0221614A JP17089588A JP17089588A JPH0221614A JP H0221614 A JPH0221614 A JP H0221614A JP 17089588 A JP17089588 A JP 17089588A JP 17089588 A JP17089588 A JP 17089588A JP H0221614 A JPH0221614 A JP H0221614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- quartz
- infrared lamp
- semiconductor substrate
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、半導体デバイス製造工程において利用される
。赤外線ランプを加熱源とする熱処理炉に関するもので
ある。
。赤外線ランプを加熱源とする熱処理炉に関するもので
ある。
〔従来の技術１
半導体デバイス製造工程に利用される赤外線ランプ炉と
しては、例えば、特公昭５７−４４００９号に見られる
ような、エピタキシャル成長装置などがあげられる。
しては、例えば、特公昭５７−４４００９号に見られる
ような、エピタキシャル成長装置などがあげられる。
従来の、−数的な赤外線ランプ炉の構造を第３図に示す
。赤外線ランプ炉は１反応室１．半導体基板２を載置す
るサセプタ３．赤外線ランプ管４とフィラメント５とか
らなる輻射熱源の赤外線ランプ、さらに、反１１４扱６
、反応ガス供給管７゜ガス排気管８等から構成されてい
る。
。赤外線ランプ炉は１反応室１．半導体基板２を載置す
るサセプタ３．赤外線ランプ管４とフィラメント５とか
らなる輻射熱源の赤外線ランプ、さらに、反１１４扱６
、反応ガス供給管７゜ガス排気管８等から構成されてい
る。
半導体基板２を加熱するための赤外線は、赤外線ランプ
管４のフィラメント５から輻射され、赤外線ランプ管４
の外被と反応室１の外壁を透過して半導体基板２に到達
する。このとき、加熱効率を向上させてエネルギー損失
を減少させるためには、赤外線ランプ管４の外被と反応
室ｌの外壁の赤外線透過率を向上させる必要がある。そ
のために、これらの壁には赤外線領域での透過率の高い
石英を使用していた。
管４のフィラメント５から輻射され、赤外線ランプ管４
の外被と反応室１の外壁を透過して半導体基板２に到達
する。このとき、加熱効率を向上させてエネルギー損失
を減少させるためには、赤外線ランプ管４の外被と反応
室ｌの外壁の赤外線透過率を向上させる必要がある。そ
のために、これらの壁には赤外線領域での透過率の高い
石英を使用していた。
［発明が解決しようとする課題］
従来技術の赤外線ランプ炉においては上述のように、赤
外線ランプ管４の外被および反応室ｌの外壁に石英を用
いることにより赤外線エネルギー損失を減少させている
が、必ずしも十分ではなかった。赤外線ランプ管４およ
び反応室ｌの石英壁の総厚みを減少させれば赤外線透過
率は向上するが、同時に機械的強度の減少を招くため各
石英壁の厚みは５ｍｍ程度以上でなければならない。
外線ランプ管４の外被および反応室ｌの外壁に石英を用
いることにより赤外線エネルギー損失を減少させている
が、必ずしも十分ではなかった。赤外線ランプ管４およ
び反応室ｌの石英壁の総厚みを減少させれば赤外線透過
率は向上するが、同時に機械的強度の減少を招くため各
石英壁の厚みは５ｍｍ程度以上でなければならない。
従って１石英壁の総厚みは少くとも１０ｍｍとなる。こ
の場合、赤外線透過率は９０％であり、赤外線エネルギ
ー損失は１０％となり、加熱効率は好ましくないもので
あった。
の場合、赤外線透過率は９０％であり、赤外線エネルギ
ー損失は１０％となり、加熱効率は好ましくないもので
あった。
本発明はこの問題を解決して、加熱効率のよい赤外線ラ
ンプ炉を提供することを課題とするものである。
ンプ炉を提供することを課題とするものである。
〔課題を解決するための手段１
本発明は上述の問題点を解決するもので、半導体基板を
載置するサセプタと、サセプタを収容する石英からなる
反応室と、反応室の外側から半導体基板を加熱する外被
に石英を用いた赤外線ランプとを備えた赤外線ランプ炉
に適用され、次の技術手段を採った。すなわち、 反応室の外壁表面に赤外線ランプのフィラメントを石英
で封止した６ 〔作用１ 本発明は、上述のように構成したので従来、赤外線ラン
プ管と反応室の各石英壁を透過していた赤外線は１反応
室の石英壁のみを透過することになる。従って、赤外線
の透過距離は１／２となるので、赤外線の加熱効率を向
上させることができる。
載置するサセプタと、サセプタを収容する石英からなる
反応室と、反応室の外側から半導体基板を加熱する外被
に石英を用いた赤外線ランプとを備えた赤外線ランプ炉
に適用され、次の技術手段を採った。すなわち、 反応室の外壁表面に赤外線ランプのフィラメントを石英
で封止した６ 〔作用１ 本発明は、上述のように構成したので従来、赤外線ラン
プ管と反応室の各石英壁を透過していた赤外線は１反応
室の石英壁のみを透過することになる。従って、赤外線
の透過距離は１／２となるので、赤外線の加熱効率を向
上させることができる。
［実施例］
本発明の一実施例の断面の説明図を第１図に示す、従来
例の第３図との相違は、第３図においては赤外線ランプ
管４は反応室ｌと独立した別個の存在であったが、第１
図においては１反応室ｌの石英壁を赤外線ランプのフィ
ラメント５を封止する赤外線ランプ室９の一部として使
用した点である。すなわち、従来の赤外線ランプ管４を
反応室ｌの表面に一体化し、フィラメント５と半導体基
板２は反応室ｌの石英壁−枚で分離されるよう構成され
ている。従って、フィラメント５から輻射された赤外線
は石英壁−枚分を透過するだけで半導体基板２に到達す
ることができるので、従来より赤外線の透過率は向上し
、加熱効率も向上する。
例の第３図との相違は、第３図においては赤外線ランプ
管４は反応室ｌと独立した別個の存在であったが、第１
図においては１反応室ｌの石英壁を赤外線ランプのフィ
ラメント５を封止する赤外線ランプ室９の一部として使
用した点である。すなわち、従来の赤外線ランプ管４を
反応室ｌの表面に一体化し、フィラメント５と半導体基
板２は反応室ｌの石英壁−枚で分離されるよう構成され
ている。従って、フィラメント５から輻射された赤外線
は石英壁−枚分を透過するだけで半導体基板２に到達す
ることができるので、従来より赤外線の透過率は向上し
、加熱効率も向上する。
本発明をＭ ＯＣＶ Ｄ （ｌＪｅｔａｌ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ ＤｅｐｏｓｉＬｉ
ｏｎｌ 装置に適用した場合の断面の説明図を第２図に
示す。
ｉｃ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ ＤｅｐｏｓｉＬｉ
ｏｎｌ 装置に適用した場合の断面の説明図を第２図に
示す。
第１図との相違点は、反応室１ａの構造と赤外線ランプ
室９ａ＋こあり、第２図においては、赤外線ランプ室９
ａを反応室１ａの両側面に配設すると共に、フィラメン
ト５を一括して赤外線ランプ室９ａに封止したことにあ
る。このように構成しても作用効果は同様である。
室９ａ＋こあり、第２図においては、赤外線ランプ室９
ａを反応室１ａの両側面に配設すると共に、フィラメン
ト５を一括して赤外線ランプ室９ａに封止したことにあ
る。このように構成しても作用効果は同様である。
第１図および第２図に示す実施例においては、赤外線は
何れも５ｍｍ厚の石英を透過し、半導体基板２を加熱す
る。このとき、石英の赤外線透過率は９５％であり、赤
外線のエネルギー損失は５％となる。
何れも５ｍｍ厚の石英を透過し、半導体基板２を加熱す
る。このとき、石英の赤外線透過率は９５％であり、赤
外線のエネルギー損失は５％となる。
〔発明の効果１
本発明によれば、赤外線のエネルギー損失を従来の１０
％から５％に半減することが可能となるので省エネルギ
ーに優れた効果を奏する。
％から５％に半減することが可能となるので省エネルギ
ーに優れた効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の断面の説明図、第２図は本
発明の他の実施例の断面の説明図、第３図は従来例の断
面の説明図である。 １、ｌａ・・・反応室 ２・・・半導体基板３・・・
サセプタ ４・・−赤外線ランプ管５・・・フィ
ラメント ６・・・反射板７・・・反応ガス供給管
８・・−反応ガス排気管９．９ａ・・・赤外線ランプ室
発明の他の実施例の断面の説明図、第３図は従来例の断
面の説明図である。 １、ｌａ・・・反応室 ２・・・半導体基板３・・・
サセプタ ４・・−赤外線ランプ管５・・・フィ
ラメント ６・・・反射板７・・・反応ガス供給管
８・・−反応ガス排気管９．９ａ・・・赤外線ランプ室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １半導体基板を載置するサセプタと、該サセプタを収容
する石英からなる反応室と、該反応室の外側から前記半
導体基板を加熱する外被に石英を用いた赤外線ランプと
を備えた赤外線ランプ炉において、 前記反応室の外壁表面に前記赤外線ランプ のフィラメントを石英で封止したことを特徴とする赤外
線ランプ炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17089588A JPH0221614A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 赤外線ランプ炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17089588A JPH0221614A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 赤外線ランプ炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221614A true JPH0221614A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15913312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17089588A Pending JPH0221614A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 赤外線ランプ炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221614A (ja) |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP17089588A patent/JPH0221614A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3862397A (en) | Cool wall radiantly heated reactor | |
| EP0393809A2 (en) | Pressure resistant thermal reactor system for semiconductor processing | |
| KR100380213B1 (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치 | |
| JPH0728963U (ja) | 化学的蒸着装置 | |
| KR910005380A (ko) | 화학기상성장장치 및 방법 | |
| US20080299313A1 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JPS60161616A (ja) | 半導体ウエハの赤外線加熱装置 | |
| JPH0221614A (ja) | 赤外線ランプ炉 | |
| JPH08274067A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS61289623A (ja) | 気相反応装置 | |
| US4856458A (en) | Photo CVD apparatus having no ultraviolet light window | |
| JPH07508860A (ja) | 薄膜熱処理装置 | |
| JPH02182883A (ja) | 紫外線励起化学気相成長装置 | |
| CN2249757Y (zh) | 一种高频感应加热化学反应腔装置 | |
| JPH0545052B2 (ja) | ||
| JPS6297324A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS62280369A (ja) | 薄膜作製装置 | |
| JPS63181414A (ja) | 半導体膜形成装置 | |
| JPS622525A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP2951769B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0621234Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04202664A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62154618A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6210302B2 (ja) | ||
| JPS61263213A (ja) | 処理装置 |