JPH0221626A - 半導体素子塔載用セラミック基板 - Google Patents
半導体素子塔載用セラミック基板Info
- Publication number
- JPH0221626A JPH0221626A JP63171395A JP17139588A JPH0221626A JP H0221626 A JPH0221626 A JP H0221626A JP 63171395 A JP63171395 A JP 63171395A JP 17139588 A JP17139588 A JP 17139588A JP H0221626 A JPH0221626 A JP H0221626A
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- JP
- Japan
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- ceramic substrate
- semiconductor element
- mounting semiconductor
- mounting
- adhesive
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ００発明目的
［産業上の利用分野］
この発明は半導体素子搭載用セラミック基板に関する。
［従来の技術］
従来、半導体素子をセラミック基板に接着、搭載する方
式はＡｕ−Ｓｔ共晶法が主流であった。しかし、コスト
面や半導体素子の大型化に伴って最近では金属−ガラス
、金属−樹脂等の複合材料を主体としたペースト状の接
着剤を用いて、半導体素子を接着、搭載する方法がとら
れるようになってきた。このような方法を採用する場合
は工程中において、ガラスの場合では温度を上げてガラ
スを軟化させて素子を搭載するとか、また樹脂の場合で
は温度を上げてキユアリングすることを必要とする。
式はＡｕ−Ｓｔ共晶法が主流であった。しかし、コスト
面や半導体素子の大型化に伴って最近では金属−ガラス
、金属−樹脂等の複合材料を主体としたペースト状の接
着剤を用いて、半導体素子を接着、搭載する方法がとら
れるようになってきた。このような方法を採用する場合
は工程中において、ガラスの場合では温度を上げてガラ
スを軟化させて素子を搭載するとか、また樹脂の場合で
は温度を上げてキユアリングすることを必要とする。
［発明が解決しようとする課題］
上記の課題として、それぞれの場合において、温度の昇
温時に接着剤中の金属粒子がガラスまたは樹脂と共に拡
がって行き、ブリード現象を引き起こす。また、キャビ
ティの場合でも接着剤はワイヤボンド部にまで達して、
ワイヤボンド性を損なったり、配線をショートさせる等
の問題点があった。
温時に接着剤中の金属粒子がガラスまたは樹脂と共に拡
がって行き、ブリード現象を引き起こす。また、キャビ
ティの場合でも接着剤はワイヤボンド部にまで達して、
ワイヤボンド性を損なったり、配線をショートさせる等
の問題点があった。
この発明はブリード現象を改良して、上述の問題点を取
り除くことを目的とする。
り除くことを目的とする。
口１発明の構成
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明はセラミック基板の
半導体素子を接着、搭載する部分をカツブリング剤もし
くはアルキルアミン脂肪酸により表面処理することを特
徴とする半導体搭載用セラミック基板である。
半導体素子を接着、搭載する部分をカツブリング剤もし
くはアルキルアミン脂肪酸により表面処理することを特
徴とする半導体搭載用セラミック基板である。
［作用］
カップリング剤はＲ−３ｉ（ＯＲｈで表されるアルコキ
シル基をもつ表面処理剤であり、有機官能基であるＲは
反応性希釈剤やエポキシ樹脂と化学結合するため、また
無機官能基ＯＲはアルミナ、シリカ等や金、銀等の金属
面と化学結合するため、反応性希釈剤を含んだ樹脂マト
リックスの粘度が低下しても、接着剤の拡がり現象を押
さえる性能をもっている。また、アルキルアミン脂肪酸
は０ ヶ。
シル基をもつ表面処理剤であり、有機官能基であるＲは
反応性希釈剤やエポキシ樹脂と化学結合するため、また
無機官能基ＯＲはアルミナ、シリカ等や金、銀等の金属
面と化学結合するため、反応性希釈剤を含んだ樹脂マト
リックスの粘度が低下しても、接着剤の拡がり現象を押
さえる性能をもっている。また、アルキルアミン脂肪酸
は０ ヶ。
Ｃ１□−＋５−ＮＨ−０−Ｃ−Ｃ８−＋ｓ−Ｃｉ１
で表され、カップリング剤と同様の作用がある。
そのため、この表面処理剤を半導体素子搭載面の処理に
用いることによって、接着剤の昇温時の拡がりを防止す
る。
用いることによって、接着剤の昇温時の拡がりを防止す
る。
［実施例］
以下実施例を説明する。
火藷］ユ
表面処理液［カップリング剤Ｒ−３ｉ（ｏＲ）］を調整
する。すなわち、イソプロピルアルコール中にその濃度
が０．５重量％になるようにシラン系カップリング剤（
例えば商品名ＫＢＭ−４０３）を加えてよく混合して表
面処理液とする。
する。すなわち、イソプロピルアルコール中にその濃度
が０．５重量％になるようにシラン系カップリング剤（
例えば商品名ＫＢＭ−４０３）を加えてよく混合して表
面処理液とする。
次に、サンプルとしてピングリッドアレイ（以下ＰＧＡ
という）を用いて、次の３種類の半導体素子搭載部が■
表面粗度０７μｍＲａのＡｕメツキを施した試料、■表
面粗度１．２μｍＲａのＡｇを焼き付けた試料、■表面
粗度０．４〜０．５μｍＲａのアルミナセラミックその
ままの試料に、前記表面処理液を施して１００’Ｃ１３
０分間乾燥させた。これ等の試料を用いて接着剤の拡が
り具合を調べた。
という）を用いて、次の３種類の半導体素子搭載部が■
表面粗度０７μｍＲａのＡｕメツキを施した試料、■表
面粗度１．２μｍＲａのＡｇを焼き付けた試料、■表面
粗度０．４〜０．５μｍＲａのアルミナセラミックその
ままの試料に、前記表面処理液を施して１００’Ｃ１３
０分間乾燥させた。これ等の試料を用いて接着剤の拡が
り具合を調べた。
用いた接着剤は金属−樹脂複合材料のＡｇ−エポキシペ
ーストを選び、約１０ｍｇｒを滴下して滴下面積がそれ
以上拡大しない平衡状態時のペーストの径（Ａとする）
を測定し、１５０°Ｃ１３０分間キユアリングを行い、
キュアー後の径（Ｂとする）を測定し、その比率（Ｂ／
Ａ）をブリード値（拡がり値）として、その結果を第１
表に示した。
ーストを選び、約１０ｍｇｒを滴下して滴下面積がそれ
以上拡大しない平衡状態時のペーストの径（Ａとする）
を測定し、１５０°Ｃ１３０分間キユアリングを行い、
キュアー後の径（Ｂとする）を測定し、その比率（Ｂ／
Ａ）をブリード値（拡がり値）として、その結果を第１
表に示した。
第１表
第２表
火」Ｌ匹ス
表面処理液［アルキルアミン脂肪酸系１を調整する。ず
なわち、フロンまたは石油系溶剤にその濃度が０．０１
．０．１ 、０．５重量％になるようにして表面処理液
とする。
なわち、フロンまたは石油系溶剤にその濃度が０．０１
．０．１ 、０．５重量％になるようにして表面処理液
とする。
そのほかは、実施例１と同様の方法で行い、その結果を
第２表に示した。
第２表に示した。
（以下余白）
なお、アルキルアミン脂肪酸の添加量は０．０１重！ｉ
％未満では効果が少なく、また０、５重量％を越えると
シミとなる。
％未満では効果が少なく、また０、５重量％を越えると
シミとなる。
ハ１発明の効果
本発明は、以上説明したように、カップリング剤もしく
はアルキルアミン脂肪酸により表面処理したセラミック
基板を用いれば半導体素子搭載面の表面エネルギーを下
げキユアリング時点での接着剤の拡がりを防ぎブリード
現象を押さえることができ、その結果ワイヤボンド性も
維持でき、ワイヤボンド部のショート等も避けることが
できるため、半導体装置の品買に好結果を及ぼす優れた
効果がある。
はアルキルアミン脂肪酸により表面処理したセラミック
基板を用いれば半導体素子搭載面の表面エネルギーを下
げキユアリング時点での接着剤の拡がりを防ぎブリード
現象を押さえることができ、その結果ワイヤボンド性も
維持でき、ワイヤボンド部のショート等も避けることが
できるため、半導体装置の品買に好結果を及ぼす優れた
効果がある。
Claims (1)
- セラミック基板の半導体素子を接着、搭載する部分をカ
ップリング剤もしくはアルキルアミン脂肪酸により表面
処理することを特徴とする半導体搭載用セラミック基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171395A JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171395A JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221626A true JPH0221626A (ja) | 1990-01-24 |
| JPH07101696B2 JPH07101696B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=15922363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171395A Expired - Lifetime JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101696B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083538A1 (ja) * | 2006-01-17 | 2007-07-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エポキシブリードアウト防止剤 |
| WO2020085372A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂組成物および半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63171395A patent/JPH07101696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083538A1 (ja) * | 2006-01-17 | 2007-07-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エポキシブリードアウト防止剤 |
| KR100953008B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2010-04-14 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 에폭시 블리드 아웃 방지제 |
| WO2020085372A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂組成物および半導体装置 |
| JPWO2020085372A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2021-09-02 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2022115943A (ja) * | 2018-10-24 | 2022-08-09 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂組成物および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101696B2 (ja) | 1995-11-01 |
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