JPH02216447A - 陰イオン,化合物,およびpH選択性電極 - Google Patents
陰イオン,化合物,およびpH選択性電極Info
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- JPH02216447A JPH02216447A JP1037796A JP3779689A JPH02216447A JP H02216447 A JPH02216447 A JP H02216447A JP 1037796 A JP1037796 A JP 1037796A JP 3779689 A JP3779689 A JP 3779689A JP H02216447 A JPH02216447 A JP H02216447A
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- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フッ素イオン、亜硝酸イオン、シアンイオン
、チオシアンイオン等の陰イオン、低級アルコール(0
4以下)等の化合物、および水酸イオン濃度をポテンシ
ョメトリーで測定するのに好適な陰イオン、化合物、お
よびpH32I択性電極に関する。
、チオシアンイオン等の陰イオン、低級アルコール(0
4以下)等の化合物、および水酸イオン濃度をポテンシ
ョメトリーで測定するのに好適な陰イオン、化合物、お
よびpH32I択性電極に関する。
従来、陰イオンを測定する選択性電極としては、固体膜
を用いたものと、液体膜を用いたものとがある。固体膜
には硫化銀等を使用することが知られている。また液体
膜としてチオシアネート(α。
を用いたものと、液体膜を用いたものとがある。固体膜
には硫化銀等を使用することが知られている。また液体
膜としてチオシアネート(α。
β、γ、δ−テトラフェニルポルフィネート)コバルト
(III)を使用することが、ケミストリイレターズ、
(1988)、ザケミカルソサイアティ オブジャパン
、第993頁がら第996頁(CHEMISTRY
LETTER8,(1988)、The Chemi
cal 5ociety of Japan、P
P993−996)において論じられている。
(III)を使用することが、ケミストリイレターズ、
(1988)、ザケミカルソサイアティ オブジャパン
、第993頁がら第996頁(CHEMISTRY
LETTER8,(1988)、The Chemi
cal 5ociety of Japan、P
P993−996)において論じられている。
また、低級アルコールを測定する選択性電極としては、
バイオ技術を応用した酵素センサーがある。
バイオ技術を応用した酵素センサーがある。
さらに、水酸イオン濃度を測定する選択性電極としては
、ポルフィリン錯体を利用したものは従来技術には該当
するものが見当たらない。
、ポルフィリン錯体を利用したものは従来技術には該当
するものが見当たらない。
しかしながら、上記従来の技術では、陰イオンを測定す
る選択性電極は、固体膜を用いたもの、および液体膜を
用いたもの、双方とも陰イオンの測定だけにしか使用で
きない、また、従来の酵素電極では、低級アルコール等
に対してはその適用範囲が限定されてしまう欠点がある
。
る選択性電極は、固体膜を用いたもの、および液体膜を
用いたもの、双方とも陰イオンの測定だけにしか使用で
きない、また、従来の酵素電極では、低級アルコール等
に対してはその適用範囲が限定されてしまう欠点がある
。
しかも、従来の選択性電極では、陰イオンの場合、第4
級アンモニウム塩類を利用しているために、血清分析に
適用した場合など電極にタンパク質が付着することがあ
り、その結果、応答速度の低下および電極寿命の低下と
いう別の問題も生じる。
級アンモニウム塩類を利用しているために、血清分析に
適用した場合など電極にタンパク質が付着することがあ
り、その結果、応答速度の低下および電極寿命の低下と
いう別の問題も生じる。
本発明の目的は、感応物質であるポルフィリン錯体の種
類を替えることで陰イオン、低級アルコールおよび水酸
イオン濃度を測定することができて汎用性が高く、かつ
その測定時間が短い陰イオン、化合物、およびpH選択
性電極を提供することである。
類を替えることで陰イオン、低級アルコールおよび水酸
イオン濃度を測定することができて汎用性が高く、かつ
その測定時間が短い陰イオン、化合物、およびpH選択
性電極を提供することである。
上記目的を達成するために1本発明の選択性電極は、テ
トラフェニルポルフィリン、テトラエチルポルフィリン
、および水不溶性プロトポルフィリン誘導体類などのポ
ルフィリン環を基本骨格とし、かつ中心金属がモリブデ
ン又は鉄からなるポルフィリン錯体を感応物質とすると
ともに、該感応物質と可塑剤と支持材とからなる膜剤を
、貴金属電極の表面に塗布したものである。
トラフェニルポルフィリン、テトラエチルポルフィリン
、および水不溶性プロトポルフィリン誘導体類などのポ
ルフィリン環を基本骨格とし、かつ中心金属がモリブデ
ン又は鉄からなるポルフィリン錯体を感応物質とすると
ともに、該感応物質と可塑剤と支持材とからなる膜剤を
、貴金属電極の表面に塗布したものである。
測定しようとする陰イオンまたは化合物または水酸イオ
ンを含む水溶液中に、上記構成の選択性電極を浸漬する
と、ポルフィリン錯体の中心金属の配位子が変わる。中
心金属の種類を替えることにより、フッ素イオン、亜硝
酸イオン、シアンイオン、チオシアンイオンなどの陰イ
オン、または低級アルコールなどの化合物、または水酸
イオンを選択的に、かつ短時間に測定することができる
。
ンを含む水溶液中に、上記構成の選択性電極を浸漬する
と、ポルフィリン錯体の中心金属の配位子が変わる。中
心金属の種類を替えることにより、フッ素イオン、亜硝
酸イオン、シアンイオン、チオシアンイオンなどの陰イ
オン、または低級アルコールなどの化合物、または水酸
イオンを選択的に、かつ短時間に測定することができる
。
以下に本発明の詳細な説明する。
(実施例1)
まず、モリブデンを中心金属としたポルフィリン錯体(
テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体;Mob(
○Et)TPP)の合成法について述べる。予め窒素ガ
スで約1時間酸素を置換したデカリン中に、メソ−テト
ラフェニルポルフィリン(2g)、モリブデンクロライ
ド(5,4g)、無水酢酸ナトリウム(12g)をこの
順に溶解し、その液を180〜190℃の窒素雰囲気中
で7時間還流した。そのときの残渣を、1%エタノール
を含むクロロホルムに溶解し、この溶液をガラスフィル
タに通して濾過した。そして、緑色の濾液が乾燥するま
で真空引きした。さらに、このときの残渣を、1%エタ
ノールを含むクロロホルムに再度溶解し、この溶液をア
ルミナカラムに通したのち、エタノールとジクロロメタ
ンの混合溶媒(容積比で、エタノール:ジクロロタン=
1:100)で溶離した。緑色バンドと赤色バンドに分
離後、1%エタノールを含むクロロホルムで緑色バンド
を溶離した。そして、溶出液を真空引きして紫色の結晶
を得たのち、この結晶を1%エタノール、ヘキサンおよ
びジクロロメタンの混合液(容積比で、1%エタノール
とヘキサン:ジクロロメタン=1:100)に溶解し、
再結晶させてテトラフェニルポルフィリンモリブデン錯
体の結晶を得た。この錯体の構造式を第1図に示す。
テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体;Mob(
○Et)TPP)の合成法について述べる。予め窒素ガ
スで約1時間酸素を置換したデカリン中に、メソ−テト
ラフェニルポルフィリン(2g)、モリブデンクロライ
ド(5,4g)、無水酢酸ナトリウム(12g)をこの
順に溶解し、その液を180〜190℃の窒素雰囲気中
で7時間還流した。そのときの残渣を、1%エタノール
を含むクロロホルムに溶解し、この溶液をガラスフィル
タに通して濾過した。そして、緑色の濾液が乾燥するま
で真空引きした。さらに、このときの残渣を、1%エタ
ノールを含むクロロホルムに再度溶解し、この溶液をア
ルミナカラムに通したのち、エタノールとジクロロメタ
ンの混合溶媒(容積比で、エタノール:ジクロロタン=
1:100)で溶離した。緑色バンドと赤色バンドに分
離後、1%エタノールを含むクロロホルムで緑色バンド
を溶離した。そして、溶出液を真空引きして紫色の結晶
を得たのち、この結晶を1%エタノール、ヘキサンおよ
びジクロロメタンの混合液(容積比で、1%エタノール
とヘキサン:ジクロロメタン=1:100)に溶解し、
再結晶させてテトラフェニルポルフィリンモリブデン錯
体の結晶を得た。この錯体の構造式を第1図に示す。
次に前述したテトラフェニルポルフィリンモリブデン錯
体を感応物質とした選択性電極について述べる。テトラ
フェニルポルフィリンモリブデン錯体0.5〜3wt%
、可塑剤としてニトロフェニルオクチルエーテル(NP
OE)50〜70wt%、支持材としてポリ塩化ビニル
(pvc>27〜49.5wt%を、テトラヒドロフラ
ン(THF)に良く溶解して膜剤を作成した。そして、
貴金属電極を膜剤に10〜15回浸漬させて、貴金属電
極の表面に膜剤を塗布して選択性電極を製作した。
体を感応物質とした選択性電極について述べる。テトラ
フェニルポルフィリンモリブデン錯体0.5〜3wt%
、可塑剤としてニトロフェニルオクチルエーテル(NP
OE)50〜70wt%、支持材としてポリ塩化ビニル
(pvc>27〜49.5wt%を、テトラヒドロフラ
ン(THF)に良く溶解して膜剤を作成した。そして、
貴金属電極を膜剤に10〜15回浸漬させて、貴金属電
極の表面に膜剤を塗布して選択性電極を製作した。
このようにして製作した選択性電極の断面図を第2図に
示す。図に示すように、白金、金、銀、銀を塩化銀とし
たもの、または白金、金、銀の合金のいずれかからなる
内部電極]、の一端には、リード線2がハンダ付は等で
固着されている。内部電極1の他端には、前述の膜剤が
塗布されて感応膜3が形成されている。また、内部電極
1の外面のうち、膜剤が塗布されていない部分には、ボ
ティ4が被覆されている。ボディ4の一端には、前記リ
ード線を挿通したキャップ5がかぶせられている。なお
、ボディ4の材質としては、ポリスチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアセタール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ボリア塩化ビニル樹脂、ポリイミド
樹脂等を使用することができる。
示す。図に示すように、白金、金、銀、銀を塩化銀とし
たもの、または白金、金、銀の合金のいずれかからなる
内部電極]、の一端には、リード線2がハンダ付は等で
固着されている。内部電極1の他端には、前述の膜剤が
塗布されて感応膜3が形成されている。また、内部電極
1の外面のうち、膜剤が塗布されていない部分には、ボ
ティ4が被覆されている。ボディ4の一端には、前記リ
ード線を挿通したキャップ5がかぶせられている。なお
、ボディ4の材質としては、ポリスチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアセタール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ボリア塩化ビニル樹脂、ポリイミド
樹脂等を使用することができる。
上記の選択性電極を用いてエタノール濃度を測定した結
果を第3図に示す。図から判るように、エタノール濃度
が10倍に増加すると、電位が約52 m、 V低下す
るこれが認められ、本実施例の選択性電極がエタノール
濃度を高感度で検出することが確認できた。
果を第3図に示す。図から判るように、エタノール濃度
が10倍に増加すると、電位が約52 m、 V低下す
るこれが認められ、本実施例の選択性電極がエタノール
濃度を高感度で検出することが確認できた。
(実施例2)
本実施例では、実施例1のモリブデンを中心金属とした
テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体M、 o○
(OEt)TPPを膜剤の感応物質としている。
テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体M、 o○
(OEt)TPPを膜剤の感応物質としている。
テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体の合成方法
は実施例1に示した方法とまったく同様である。
は実施例1に示した方法とまったく同様である。
次に上記テトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体M
、 o O(OEt)TPPを0 、5〜3 w t%
、可塑剤としてジオクチルアジペイh(DOA)50〜
70wt%、支持材としてポリ塩化ビニル(PVC)2
7〜49.5wt%をテトラヒドロフラン(THF)に
溶解して膜剤を作成し、この膜剤を貴金属電極の表面に
塗布して、前述の実施例と同じような選択性電極を製作
した。
、 o O(OEt)TPPを0 、5〜3 w t%
、可塑剤としてジオクチルアジペイh(DOA)50〜
70wt%、支持材としてポリ塩化ビニル(PVC)2
7〜49.5wt%をテトラヒドロフラン(THF)に
溶解して膜剤を作成し、この膜剤を貴金属電極の表面に
塗布して、前述の実施例と同じような選択性電極を製作
した。
上記の選択性電極を用いて水酸イオン濃度を測定した結
果を第4図に示す。図から判るように、水酸イオン濃度
が10倍に増加すると、電位が約50mV低下すること
が認められ、本実施例の選択性電極が水酸イオン濃度を
高感度で検出することが確認できた。
果を第4図に示す。図から判るように、水酸イオン濃度
が10倍に増加すると、電位が約50mV低下すること
が認められ、本実施例の選択性電極が水酸イオン濃度を
高感度で検出することが確認できた。
また上記選択性電極を用いて選択係数を測定した結果を
表−1に示す。表から判るように他のイオンに対して1
0,000倍以上の選択性を示し、選択性の良好なこと
が判る。
表−1に示す。表から判るように他のイオンに対して1
0,000倍以上の選択性を示し、選択性の良好なこと
が判る。
(以下余白)
表−1
防害イオン QogK−−0)I Y
CQO,−−4,6
NO2−−4,9
F−−6,1
SCN−’ −6
,2ド −7,4 NO,−−7,9 SO,−−8,1 B r−−8,5 SO4−−9,1 C2−はとんど影響なし CH3CO0− (実施例3) 本実施例では、鉄を中心金属としたポルフィリン錯体(
テトラフェニルポルフィリン鉄(I[I)クロライド:
FsTPPCQ)を膜剤の感応物質としている。
,2ド −7,4 NO,−−7,9 SO,−−8,1 B r−−8,5 SO4−−9,1 C2−はとんど影響なし CH3CO0− (実施例3) 本実施例では、鉄を中心金属としたポルフィリン錯体(
テトラフェニルポルフィリン鉄(I[I)クロライド:
FsTPPCQ)を膜剤の感応物質としている。
まず、その感応物質であるテトラフェニルポルフィリン
鉄(III)クロライドの合成法について述べる。塩化
鉄F e CQ・4H,○(2g)とテトラフェニルポ
ルフィリン(5g)をジメチルホルムアミド500mρ
に溶解し、約14.0 ’Cで5〜6時間加熱した。そ
して、(の混合液をステイームバス上で蒸発乾固した後
、それをクロロホルム中で溶解し、このクロロホルム溶
液に濃塩酸を数mQ加えて振盪した。さらに、その溶液
をエバポレータ中で蒸発乾固し、これを再びクロロホル
ム中で溶解した後、クロロホルムを溶雛剤として用いて
乾燥した活性アルミナカラムでクロマトグラフを行なっ
た。その結果、第1番目のフラクションはテトラフェニ
ルポルフィリン(TPP)であり、第2番目のフラクシ
ョンはテトラフェニルポルフィリン鉄(m)クロライド
であった。このテトラフェニルポルフィリン鉄(III
)クロライドはキシレンから再結晶させた。この錯体の
構造式を第5図に示す。
鉄(III)クロライドの合成法について述べる。塩化
鉄F e CQ・4H,○(2g)とテトラフェニルポ
ルフィリン(5g)をジメチルホルムアミド500mρ
に溶解し、約14.0 ’Cで5〜6時間加熱した。そ
して、(の混合液をステイームバス上で蒸発乾固した後
、それをクロロホルム中で溶解し、このクロロホルム溶
液に濃塩酸を数mQ加えて振盪した。さらに、その溶液
をエバポレータ中で蒸発乾固し、これを再びクロロホル
ム中で溶解した後、クロロホルムを溶雛剤として用いて
乾燥した活性アルミナカラムでクロマトグラフを行なっ
た。その結果、第1番目のフラクションはテトラフェニ
ルポルフィリン(TPP)であり、第2番目のフラクシ
ョンはテトラフェニルポルフィリン鉄(m)クロライド
であった。このテトラフェニルポルフィリン鉄(III
)クロライドはキシレンから再結晶させた。この錯体の
構造式を第5図に示す。
次に上記テトラフェニルポルフィリン鉄(III)クロ
ライド0.5〜3wt%、可塑剤としてジオクチルアジ
ベイト(DOA)50〜70wt%、支持材としてポリ
塩化ビニル(PVC)27〜49.5wt%を、テトラ
ヒドロフラン(THF)に溶解して膜剤を作成し、この
膜剤を貴金属電極の表面に塗布して、前述の実施例と同
じような選択性電極を製作した。
ライド0.5〜3wt%、可塑剤としてジオクチルアジ
ベイト(DOA)50〜70wt%、支持材としてポリ
塩化ビニル(PVC)27〜49.5wt%を、テトラ
ヒドロフラン(THF)に溶解して膜剤を作成し、この
膜剤を貴金属電極の表面に塗布して、前述の実施例と同
じような選択性電極を製作した。
上記の選択性電極を用いてCNイオンおよびSCNイオ
ン濃度を測定した結果を第6図に示す。
ン濃度を測定した結果を第6図に示す。
図から判るように、CNイオンおよびSCNイオン濃度
が10倍に増加すると、電位が約55mV低下すること
が認められ、本実施例の選択性電極がCNイオンおよび
SCNイオン濃度を高ヴ度で反応することが確認できた
。
が10倍に増加すると、電位が約55mV低下すること
が認められ、本実施例の選択性電極がCNイオンおよび
SCNイオン濃度を高ヴ度で反応することが確認できた
。
以上説明したように、本発明の選択性電極は、陰イオン
、低級アルコールおよび水酸イオン濃度を測定すること
ができ、その汎用性は非常に高い。
、低級アルコールおよび水酸イオン濃度を測定すること
ができ、その汎用性は非常に高い。
また血清分析などの場合、電極表面にタンパク質等が付
着することがないため、測定の応答速度が速く、かつ電
極の寿命も長い。
着することがないため、測定の応答速度が速く、かつ電
極の寿命も長い。
第1図はテトラフェニルポルフィリンモリブデン錯体の
構造式を示す図、第2図は本発明に係る選択性電極の断
面図、第3図は第1図に示すポルフィリン錯体を感応物
質としてエタノール濃度を測定した実数結果を示す線図
、第4図は第1図に示すポルフィリン錯体を感応物質と
して水酸イオン濃度を?1I11定した実験結果を示す
線図、第5回はテトラフェニルポルフィリンM (1)
クロライドの構造式を示す図、第6図は第5図に示すポ
ルフィリン錯体を感応物質としてCNイオンおよびSC
Nイオン濃度を測定した実験結果を示す線図である。 1・・・内部電極、2・・リード線、3・・・感応膜、
4・・・ボディ、5・・・キャップ。 第3図 第 2 図 ・内ぐIr士
構造式を示す図、第2図は本発明に係る選択性電極の断
面図、第3図は第1図に示すポルフィリン錯体を感応物
質としてエタノール濃度を測定した実数結果を示す線図
、第4図は第1図に示すポルフィリン錯体を感応物質と
して水酸イオン濃度を?1I11定した実験結果を示す
線図、第5回はテトラフェニルポルフィリンM (1)
クロライドの構造式を示す図、第6図は第5図に示すポ
ルフィリン錯体を感応物質としてCNイオンおよびSC
Nイオン濃度を測定した実験結果を示す線図である。 1・・・内部電極、2・・リード線、3・・・感応膜、
4・・・ボディ、5・・・キャップ。 第3図 第 2 図 ・内ぐIr士
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テトラフェニルポルフィリン、テトラエチルポルフ
ィリン、および水不溶性プロトポルフィリン誘導体類な
どのポルフィリン環を基本骨格とし、かつ中心金属がモ
リブデン又は鉄からなるポルフィリン錯体を感応物質と
するとともに、該感応物質と可塑剤と支持材とからなる
膜剤を、貴金属電極の表面に塗布したことを特徴とする
陰イオン、化合物、およびpH選択性電極。 2、請求項1記載の陰イオン、化合物、およびpH選択
性電極において、前記貴金属電極は、白金、金、銀、塩
化銀、又は白金と金と銀の合金のいずれかで形成されて
いることを特徴とする陰イオン、化合物、およびpH選
択性電極。 3、請求項1記載の陰イオン、化合物、およびpH選択
性電極において、前記膜剤は、前記ポルフィリン錯体を
0.2〜3wt%、前記可塑剤を50〜70wt%それ
ぞれ含有していることを特徴とする陰イオン、化合物、
およびpH選択性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037796A JPH02216447A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 陰イオン,化合物,およびpH選択性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037796A JPH02216447A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 陰イオン,化合物,およびpH選択性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216447A true JPH02216447A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12507462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1037796A Pending JPH02216447A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 陰イオン,化合物,およびpH選択性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994002845A1 (en) * | 1992-07-22 | 1994-02-03 | The United States Of America, Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | Nitric oxide-specific electrode |
| US5603820A (en) * | 1992-04-21 | 1997-02-18 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Nitric oxide sensor |
| JP2012512392A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一酸化窒素用電子センサ |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1037796A patent/JPH02216447A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5603820A (en) * | 1992-04-21 | 1997-02-18 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Nitric oxide sensor |
| WO1994002845A1 (en) * | 1992-07-22 | 1994-02-03 | The United States Of America, Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | Nitric oxide-specific electrode |
| JP2012512392A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一酸化窒素用電子センサ |
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