JPH0221658B2 - - Google Patents
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- JPH0221658B2 JPH0221658B2 JP57502002A JP50200282A JPH0221658B2 JP H0221658 B2 JPH0221658 B2 JP H0221658B2 JP 57502002 A JP57502002 A JP 57502002A JP 50200282 A JP50200282 A JP 50200282A JP H0221658 B2 JPH0221658 B2 JP H0221658B2
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- Japan
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- semiconductor
- synthetic resin
- rectifier
- cooling plate
- semiconductor board
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/22—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
- H10W40/226—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections characterised by projecting parts, e.g. fins to increase surface area
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/136—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections perpendicular to the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
請求の範囲
1 1つの半導体板10と2つの接続導体11,
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実の金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第1接続導体11の第2部分11bが整流器
の冷却のために働く冷却板14内に押込まれてお
り、該冷却板は該第2部分11bの範囲で貫通し
ぼり出し部14aを形成し、該貫通しぼり出し部
は第2部分11b全体にわたり延在し、その際貫
通しぼり出し部14aの自由端部14bは第2部
分11bの第1部分11aに接続する部分を覆
い、さらに半径方向において合成樹脂材13を制
限するためにシリンダ筒状に形成されたスリーブ
15が設けられており、該スリーブが嵌合により
貫通しぼり出し部14aに被せられていることを
特徴とする半導体整流器。
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実の金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第1接続導体11の第2部分11bが整流器
の冷却のために働く冷却板14内に押込まれてお
り、該冷却板は該第2部分11bの範囲で貫通し
ぼり出し部14aを形成し、該貫通しぼり出し部
は第2部分11b全体にわたり延在し、その際貫
通しぼり出し部14aの自由端部14bは第2部
分11bの第1部分11aに接続する部分を覆
い、さらに半径方向において合成樹脂材13を制
限するためにシリンダ筒状に形成されたスリーブ
15が設けられており、該スリーブが嵌合により
貫通しぼり出し部14aに被せられていることを
特徴とする半導体整流器。
2 1つの半導体板10と2つの接続導体11,
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実な金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第1接続導体11の第2部分11bが第1部
分11aよりも大きい直径を有し、第2部分11
bが半導体整流器を冷却するための冷却板14の
貫通しぼり出し部14a内に押込まれており、該
貫通しぼり出し部は冷却板14の構成部分であ
り、貫通しぼり出し部14aが第2部分11bを
越して第1部分11aの方向へ突出して合成樹脂
材13を半径方向において制限するため用いられ
ることを特徴とする半導体整流器。
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実な金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第1接続導体11の第2部分11bが第1部
分11aよりも大きい直径を有し、第2部分11
bが半導体整流器を冷却するための冷却板14の
貫通しぼり出し部14a内に押込まれており、該
貫通しぼり出し部は冷却板14の構成部分であ
り、貫通しぼり出し部14aが第2部分11bを
越して第1部分11aの方向へ突出して合成樹脂
材13を半径方向において制限するため用いられ
ることを特徴とする半導体整流器。
3 1つの半導体板10と2つの接続導体11,
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実な金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第2部分11bが第1部分11aよりも大き
い直径を有しかつ整流器を冷却するために働く冷
却板114内に押込まれており、該冷却板が第2
部分11bの範囲においてシリンダ筒114aを
形成し、合成樹脂材13に対する周縁を制限する
のに役立つ円錐状に開かれた部分範囲に移行し、
第1屈曲部115および第2屈曲部116の後平
坦な範囲114cに移行することを特徴とする半
導体整流器。
12を有し、該2つの接続導体は半導体板の2つ
の主表面のそれぞれ1つにろう付けされており、
該2つの接続導体のうちの第1接続導体11がボ
ルト状の中実な金属ソケツトを形成し、該金属ソ
ケツトが半導体板10にろう付けされた第1部分
11aとローレツト加工された第2部分11bと
から成り、また半導体板10の縁、第1接続導体
11の第1部分11a、および第2接続導体12
の部分を被覆する合成樹脂材13を有する、実質
的に回転対称に形成された半導体整流器におい
て、第2部分11bが第1部分11aよりも大き
い直径を有しかつ整流器を冷却するために働く冷
却板114内に押込まれており、該冷却板が第2
部分11bの範囲においてシリンダ筒114aを
形成し、合成樹脂材13に対する周縁を制限する
のに役立つ円錐状に開かれた部分範囲に移行し、
第1屈曲部115および第2屈曲部116の後平
坦な範囲114cに移行することを特徴とする半
導体整流器。
技術分野
本発明は半導体整流器に関する。
従来技術
この種の半導体整流器はドイツ連邦共和国特許
出願第1589555号明細書から公知であり、この種
の半導体整流器においては、第1接続導体の第2
部分は第1部分よりも相当大きい直径を有し、合
成樹脂材が外部外筒を形成しかつ截頭円錐の形を
有する。このような半導体整流器は、合成樹脂外
筒をトランスフア成形により製造しなければなら
ないという欠点がある。
出願第1589555号明細書から公知であり、この種
の半導体整流器においては、第1接続導体の第2
部分は第1部分よりも相当大きい直径を有し、合
成樹脂材が外部外筒を形成しかつ截頭円錐の形を
有する。このような半導体整流器は、合成樹脂外
筒をトランスフア成形により製造しなければなら
ないという欠点がある。
発明の目的
本発明の目的は合成樹脂を円筒状に形成された
スリーブ又は冷却板の第1の接続導体の第2の部
分を越えて突出する貫通しぼり出し部分又は冷却
板の円錐形に開いた部分へ合成樹脂を流し込める
ようにして、一定形状の均一に形の整つた半導体
整流器を容易に製造できるようにすることであ
る。
スリーブ又は冷却板の第1の接続導体の第2の部
分を越えて突出する貫通しぼり出し部分又は冷却
板の円錐形に開いた部分へ合成樹脂を流し込める
ようにして、一定形状の均一に形の整つた半導体
整流器を容易に製造できるようにすることであ
る。
発明の開示
1つの半導体板と2つの接続導体を有し、該2
つの接続導体は半導体板の2つの主表面のそれぞ
れ1つにろう付けされており、2つの接続導体の
うちの第1接続導体がボルト状の中実な金属ソケ
ツトを形成し、金属ソケツトが半導体板にろう付
けされた第1部分とローレツト加工された第2部
分とから成り、また半導体板の縁、第1接続導体
の第1部分、および第2接続導体の部分を被覆す
る合成樹脂材を有する、実質的に回転対称に形成
された半導体整流器において、第1発明において
は、第1接続導体の第2部分が整流器の冷却ため
の冷却板内に押込まれており、冷却板は第2部分
の範囲で貫通しぼり出し部を形成し、貫通しぼり
出し部は第2部分全体にわたり延在し、その際貫
通しぼり出し部の自由端部は第2部分の第1部分
に接続する部分を覆い、さらに半径方向において
合成樹脂材を制限するためにシリンダ筒状に形成
されたスリーブが設けられており、該スリーブが
嵌合により貫通しぼり出し部に被せられている構
成を有する。
つの接続導体は半導体板の2つの主表面のそれぞ
れ1つにろう付けされており、2つの接続導体の
うちの第1接続導体がボルト状の中実な金属ソケ
ツトを形成し、金属ソケツトが半導体板にろう付
けされた第1部分とローレツト加工された第2部
分とから成り、また半導体板の縁、第1接続導体
の第1部分、および第2接続導体の部分を被覆す
る合成樹脂材を有する、実質的に回転対称に形成
された半導体整流器において、第1発明において
は、第1接続導体の第2部分が整流器の冷却ため
の冷却板内に押込まれており、冷却板は第2部分
の範囲で貫通しぼり出し部を形成し、貫通しぼり
出し部は第2部分全体にわたり延在し、その際貫
通しぼり出し部の自由端部は第2部分の第1部分
に接続する部分を覆い、さらに半径方向において
合成樹脂材を制限するためにシリンダ筒状に形成
されたスリーブが設けられており、該スリーブが
嵌合により貫通しぼり出し部に被せられている構
成を有する。
また第2発明においては第1接続導体の第2部
分が第1部分よりも大きい直径を有し、第2部分
が半導体整流器を冷却するための冷却板の貫通し
ぼり出し部内に押込まれており、貫通しぼり出し
部は冷却板の構成部分であり、貫通しぼり出し部
が第2部分を越して第1部分の方向へ突出して合
成樹脂材を半径方向において制限するため用いら
れるようにした構成を有する。
分が第1部分よりも大きい直径を有し、第2部分
が半導体整流器を冷却するための冷却板の貫通し
ぼり出し部内に押込まれており、貫通しぼり出し
部は冷却板の構成部分であり、貫通しぼり出し部
が第2部分を越して第1部分の方向へ突出して合
成樹脂材を半径方向において制限するため用いら
れるようにした構成を有する。
さらに第3発明においては第2部分が第1部分
よりも大きい直径を有しかつ整流器を冷却するた
めに働く冷却板内に押込まれており、該冷却板が
第2部分の範囲においてシリンダ筒を形成し、合
成樹脂材に対する周縁を制限するのに役立つ円錐
状に開かれた部分範囲に移行し、第1屈曲部およ
び第2屈曲部の後平坦な範囲に移行する構成を有
している。
よりも大きい直径を有しかつ整流器を冷却するた
めに働く冷却板内に押込まれており、該冷却板が
第2部分の範囲においてシリンダ筒を形成し、合
成樹脂材に対する周縁を制限するのに役立つ円錐
状に開かれた部分範囲に移行し、第1屈曲部およ
び第2屈曲部の後平坦な範囲に移行する構成を有
している。
第1図は半導体整流器の第1発明の実施例の軸
方向の断面図、第2図は第2発明の実施例の軸方
向の断面図、第3図は第3発明の実施例の断面図
を示す。
方向の断面図、第2図は第2発明の実施例の軸方
向の断面図、第3図は第3発明の実施例の断面図
を示す。
発明を実施するための最良の形態
本発明を詳述するために添付の図面に従つてこ
れを説明する。
れを説明する。
第1図は1つの半導体板10と2つの接続導体
11,12を有する第1発明に対する実施例を示
す、実質的に回転対称に形成された半導体整流器
を示し、2つの接続導体は半導体板10の2つの
主表面のそれぞれ一方にろう付けされている。第
1接続導体11はその際ボルト状の中実な金属ソ
ケツトを形成し、この金属ソケツトは半導体板1
0にろう付けされた第1部分11aとローレツト
加工された第2部分11bとから成る。第2接続
導体12はヘツド付線として形成されている。こ
のヘツド付線のヘツド部分12aはその際半導体
板10にろう付けされている。さらに、半導体板
10の縁、第1接続導体11の第1部分11a、
および第2接続導体12の部分を覆う合成樹脂材
13が設けられている。第1接続導体11のロー
レツト加工された第2部分11bは整流器を冷却
するために働く冷却板14内に押込まれており、
この冷却板は第2部分11bの範囲において貫通
しぼり出し部14aを形成し、この貫通しぼり出
し部は第2部分11b全体にわたつて延在してい
る。貫通しぼり出し部14aの自由端部14bは
その際、第2部分11bの第1部分11aに接続
する部分を覆つている。半径方向において合成樹
脂材13を制限するためにシリンダ筒状に形成さ
れたスリーブ15が設けられており、このスリー
ブは嵌合により貫通しぼり出し部14aに被せら
れている。合成樹脂材13はその際第2接続導体
12のヘツド部分12aを介して軸方向に延びて
いる。第2接続導体12の線状部分12bは引張
り応力軽減部12cを有している。
11,12を有する第1発明に対する実施例を示
す、実質的に回転対称に形成された半導体整流器
を示し、2つの接続導体は半導体板10の2つの
主表面のそれぞれ一方にろう付けされている。第
1接続導体11はその際ボルト状の中実な金属ソ
ケツトを形成し、この金属ソケツトは半導体板1
0にろう付けされた第1部分11aとローレツト
加工された第2部分11bとから成る。第2接続
導体12はヘツド付線として形成されている。こ
のヘツド付線のヘツド部分12aはその際半導体
板10にろう付けされている。さらに、半導体板
10の縁、第1接続導体11の第1部分11a、
および第2接続導体12の部分を覆う合成樹脂材
13が設けられている。第1接続導体11のロー
レツト加工された第2部分11bは整流器を冷却
するために働く冷却板14内に押込まれており、
この冷却板は第2部分11bの範囲において貫通
しぼり出し部14aを形成し、この貫通しぼり出
し部は第2部分11b全体にわたつて延在してい
る。貫通しぼり出し部14aの自由端部14bは
その際、第2部分11bの第1部分11aに接続
する部分を覆つている。半径方向において合成樹
脂材13を制限するためにシリンダ筒状に形成さ
れたスリーブ15が設けられており、このスリー
ブは嵌合により貫通しぼり出し部14aに被せら
れている。合成樹脂材13はその際第2接続導体
12のヘツド部分12aを介して軸方向に延びて
いる。第2接続導体12の線状部分12bは引張
り応力軽減部12cを有している。
第2図に第2発明に対する実施例が示されてい
る。その際実質的に回転対称に形成されている半
導体整流器は1つの半導体板10と2つの接続導
体11,12を有しており、2つの接続導体は半
導体板10の2つの主表面のそれぞれにろう付け
されており、またこの2つの接続導体のうちの第
1接続導体がボルト状の中実な金属ソケツト11
を形成している。第1接続導体11はここでも再
び、半導体板10にろう付けされている第1部分
11aとローレツト加工されている第2部分11
bとから成る。第2部分11bはしかし、第1図
の実施例に比べると、第1部分11aよりも相当
大きい直径を有する。第2接続端子はここでも再
びヘツド付き線として形成されている。このヘツ
ド付き線のヘツド部分12aはその際半導体板1
0にろう付けされている。さらに再び、半導体板
10の縁、第1接続導体11の第1部分11a、
および第2接続導体12の部分を覆う合成樹脂材
13が設けられている。ローレツト加工された第
2部分11bはここでも貫通しぼり出し部14a
に押込まれており、この貫通しぼり出し部は整流
器を冷却するために働く冷却板14の構成部分で
ある。貫通しぼり出し部14aは第2部分11b
を越して第1部分11aの方向へ突出しており、
また同時に半径方向における合成樹脂13を制限
するのに役立つ。合成樹脂13および貫通しぼり
出し部14aはここで第2接続導体12のヘツド
部分12aを介して軸方向に延在している。第2
接続導体12の線状部分12bは引張り応力軽減
部12cを有している。
る。その際実質的に回転対称に形成されている半
導体整流器は1つの半導体板10と2つの接続導
体11,12を有しており、2つの接続導体は半
導体板10の2つの主表面のそれぞれにろう付け
されており、またこの2つの接続導体のうちの第
1接続導体がボルト状の中実な金属ソケツト11
を形成している。第1接続導体11はここでも再
び、半導体板10にろう付けされている第1部分
11aとローレツト加工されている第2部分11
bとから成る。第2部分11bはしかし、第1図
の実施例に比べると、第1部分11aよりも相当
大きい直径を有する。第2接続端子はここでも再
びヘツド付き線として形成されている。このヘツ
ド付き線のヘツド部分12aはその際半導体板1
0にろう付けされている。さらに再び、半導体板
10の縁、第1接続導体11の第1部分11a、
および第2接続導体12の部分を覆う合成樹脂材
13が設けられている。ローレツト加工された第
2部分11bはここでも貫通しぼり出し部14a
に押込まれており、この貫通しぼり出し部は整流
器を冷却するために働く冷却板14の構成部分で
ある。貫通しぼり出し部14aは第2部分11b
を越して第1部分11aの方向へ突出しており、
また同時に半径方向における合成樹脂13を制限
するのに役立つ。合成樹脂13および貫通しぼり
出し部14aはここで第2接続導体12のヘツド
部分12aを介して軸方向に延在している。第2
接続導体12の線状部分12bは引張り応力軽減
部12cを有している。
第3図に示す第3発明に対する実施例において
回転対称に形成された半導体整流器は1つの半導
体板10と2つの接続導体11,12を含み、2
つの接続導体は半導体板10の2つの主表面のそ
れぞれ1つにろう付けされている。第1接続導体
11はその際のボルト状の中実な金属ソケツトを
形成しており、この金属ソケツトは半導体板10
にろう付けされている第1部分11aとローレツ
ト加工されている第2部分11bとから成る。第
2部分11bはその際第1部分11aより大きい
直径を有する。さらに半導体板10の縁、第1接
続導体11の第1部分11a、および第2接続導
体12を覆う合成樹脂材13が設けられている。
本発明によると第2部分11bは整流器の冷却の
ために働く冷却板114内に押込まれており、こ
の冷却板は第2部分11bの範囲においてシリン
ダ筒を形成し、そして円錐形に開かれた、合成樹
脂材13に対する周縁を制限するのに役立つ部分
範囲114bに移行し、第1屈曲部115と第2
屈曲部116の後平らな範囲114cに移行す
る。第2接続導体12はヘツド付き線として形成
されており、その際このヘツド付き線のヘツド部
分12aは半導体板10にろう付けされている。
合成樹脂材13は接続導体12のヘツド部分12
aを介して軸方向に延びている。
回転対称に形成された半導体整流器は1つの半導
体板10と2つの接続導体11,12を含み、2
つの接続導体は半導体板10の2つの主表面のそ
れぞれ1つにろう付けされている。第1接続導体
11はその際のボルト状の中実な金属ソケツトを
形成しており、この金属ソケツトは半導体板10
にろう付けされている第1部分11aとローレツ
ト加工されている第2部分11bとから成る。第
2部分11bはその際第1部分11aより大きい
直径を有する。さらに半導体板10の縁、第1接
続導体11の第1部分11a、および第2接続導
体12を覆う合成樹脂材13が設けられている。
本発明によると第2部分11bは整流器の冷却の
ために働く冷却板114内に押込まれており、こ
の冷却板は第2部分11bの範囲においてシリン
ダ筒を形成し、そして円錐形に開かれた、合成樹
脂材13に対する周縁を制限するのに役立つ部分
範囲114bに移行し、第1屈曲部115と第2
屈曲部116の後平らな範囲114cに移行す
る。第2接続導体12はヘツド付き線として形成
されており、その際このヘツド付き線のヘツド部
分12aは半導体板10にろう付けされている。
合成樹脂材13は接続導体12のヘツド部分12
aを介して軸方向に延びている。
すべて3つの発明において、半導体板10に隣
接する2つの接続導体11,12の表面範囲と半
導体板10の縁とに、合成樹脂材13により被覆
され、被覆ラツカから成る表面保護層を設けるこ
とができる。
接する2つの接続導体11,12の表面範囲と半
導体板10の縁とに、合成樹脂材13により被覆
され、被覆ラツカから成る表面保護層を設けるこ
とができる。
発明の効果
第1発明では冷却板14は半導体ケーシングの
一部をなしている、何故なら貫通しぼり出し部1
4aはスリーブ15の当接面を形成し、かつ半導
体整流器のケーシングの一部を形成している。し
かもスリーブ15は合成樹脂13を取巻く円筒体
となつているので合成樹脂が他の部分へ流れるこ
とがなく一定形状の均一な製品を容易に製作する
ことができる。さらにこの発明によれば半導体整
流器に対するスペースが従来の製品より少なくな
り、構造も小さくなる利点を有する。第2の発明
では同様に冷却板14のしぼり出し部14a自体
が合成樹脂13を取巻く円筒体を形成し、冷却板
14が半導体ケーシングの一部を形成しているの
で合成樹脂が他の部分へ流れることがなく一定形
状の均一な製品を容易に製作することができる。
この場合は第1発明よりも一層半導体整流器に対
するスペースがなくなり、構造も一層小さくなる
利点を有する。
一部をなしている、何故なら貫通しぼり出し部1
4aはスリーブ15の当接面を形成し、かつ半導
体整流器のケーシングの一部を形成している。し
かもスリーブ15は合成樹脂13を取巻く円筒体
となつているので合成樹脂が他の部分へ流れるこ
とがなく一定形状の均一な製品を容易に製作する
ことができる。さらにこの発明によれば半導体整
流器に対するスペースが従来の製品より少なくな
り、構造も小さくなる利点を有する。第2の発明
では同様に冷却板14のしぼり出し部14a自体
が合成樹脂13を取巻く円筒体を形成し、冷却板
14が半導体ケーシングの一部を形成しているの
で合成樹脂が他の部分へ流れることがなく一定形
状の均一な製品を容易に製作することができる。
この場合は第1発明よりも一層半導体整流器に対
するスペースがなくなり、構造も一層小さくなる
利点を有する。
第3の発明では冷却板114が半導体整流器の
ケーシングの一部を形成しており、かつ半導体整
流器の領域で合成樹脂が円錐形に成形されるよう
に冷却板を形成にしているので合成樹脂が他の部
分へ流れ出すことがなく、一定形状の均一な製品
を容易に製作することができる。また従来の製品
に比して構造も小さくなる利点を有する。
ケーシングの一部を形成しており、かつ半導体整
流器の領域で合成樹脂が円錐形に成形されるよう
に冷却板を形成にしているので合成樹脂が他の部
分へ流れ出すことがなく、一定形状の均一な製品
を容易に製作することができる。また従来の製品
に比して構造も小さくなる利点を有する。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3124692.3 | 1981-06-24 | ||
| DE19813124692 DE3124692A1 (de) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | "halbleitergleichrichter" |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58501013A JPS58501013A (ja) | 1983-06-23 |
| JPH0221658B2 true JPH0221658B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=6135221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57502002A Granted JPS58501013A (ja) | 1981-06-24 | 1982-06-16 | 半導体整流器 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586075A (ja) |
| EP (1) | EP0082167B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58501013A (ja) |
| DE (2) | DE3124692A1 (ja) |
| WO (1) | WO1983000074A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3315583A1 (de) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ein elektrisches bauteil tragendes, gut kuehlbares schaltungsmodul |
| GB2196178B (en) * | 1986-10-09 | 1990-04-11 | Amp Inc | Semiconductor chip carrier system |
| US4987476A (en) * | 1988-02-01 | 1991-01-22 | General Instrument Corporation | Brazed glass pre-passivated chip rectifier |
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| US6433370B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-08-13 | Vram Technologies, Llc | Method and apparatus for cylindrical semiconductor diodes |
| US6580150B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-06-17 | Vram Technologies, Llc | Vertical junction field effect semiconductor diodes |
| DE10057630A1 (de) | 2000-11-21 | 2002-05-23 | Bosch Gmbh Robert | Brennkraftmaschine mit wenigstens einem Zylinder und einem in diesem beweglichen Hubkolben |
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| JP2004195567A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Denso Corp | 圧入材、整流素子の圧入方法および整流装置 |
| US6958275B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-25 | Integrated Discrete Devices, Llc | MOSFET power transistors and methods |
| US7009223B1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-07 | Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. | Rectification chip terminal structure |
| DE102011081687A1 (de) * | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauelement mit einem Kühlkörper |
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| FR1436843A (fr) * | 1965-03-20 | 1966-04-29 | Radiotechnique | Dispositif semi-conducteur, notamment pour hautes tensions, et son procédé de fabrication |
| US3412788A (en) * | 1966-03-11 | 1968-11-26 | Mallory & Co Inc P R | Semiconductor device package |
| DE1944515A1 (de) * | 1969-09-02 | 1971-03-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung |
| US3896480A (en) * | 1971-10-22 | 1975-07-22 | Gen Electric | Semiconductor device with housing of varistor material |
| DE2158188A1 (de) * | 1971-11-24 | 1973-06-07 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Kaltpresschweissbare und kaltpressloetbare druckglasdurchfuehrungen |
| GB1489603A (en) * | 1974-01-18 | 1977-10-26 | Lucas Electrical Ltd | Semi-conductor assemblies |
| FR2421465A1 (fr) * | 1978-03-30 | 1979-10-26 | Sev Marchal | Diode de puissance a element semi-conducteur destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur |
| US4330790A (en) * | 1980-03-24 | 1982-05-18 | National Semiconductor Corporation | Tape operated semiconductor device packaging |
-
1981
- 1981-06-24 DE DE19813124692 patent/DE3124692A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-06-16 EP EP82901960A patent/EP0082167B1/de not_active Expired
- 1982-06-16 DE DE8282901960T patent/DE3266915D1/de not_active Expired
- 1982-06-16 JP JP57502002A patent/JPS58501013A/ja active Granted
- 1982-06-16 WO PCT/DE1982/000128 patent/WO1983000074A1/de not_active Ceased
- 1982-06-16 US US06/716,472 patent/US4586075A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58501013A (ja) | 1983-06-23 |
| US4586075A (en) | 1986-04-29 |
| EP0082167A1 (de) | 1983-06-29 |
| DE3124692A1 (de) | 1983-01-13 |
| DE3266915D1 (de) | 1985-11-21 |
| EP0082167B1 (de) | 1985-10-16 |
| WO1983000074A1 (fr) | 1983-01-06 |
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