JPH02216817A - 基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、基板の処理方法に係り、特に温度制御下で行
われる基板の処理方法に関する。

（従来の技術） 従来、大気中から処理基板を処理容器内の基板支持体上
に、あるいは大気から隔離可能な容器内に設けられた基
板支持体上に搬送し、温度制御下で基板を熱処理したり
、制御された温度および雰囲気の条件で、光、ガス、プ
ラズマ、ＣｖＤ、高周波等の処理を、単独或いは連続に
処理する場合、大気中から基板の処理条件に移行できる
ように前記容器内雰囲気を置換するに十分に長い時間を
必要としたり、或いは温度調整を行なうための処理室を
別に設けなければならないなど装置が複雑になったり、
大気中から処理条件に移行させる間に高品質の基板の処
理を不可能としたり、あるいは場合によっては容器内の
雰囲気が悪化することによって前記基板の処理そのもの
が達成できなくなる場合があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記従来の課題に鑑み成されたもので、大気中
から処理基板を所定領域に搬送して前記基板の処理を行
なうのに、大気雰囲気から、基板の処理条件に移行する
際に生じる非効率的な時間を低減し、大気中から処理条
件に移行させる間に高品質の処理を行なえないという点
を改善し、処理そのものを達成できなくなることを改善
することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記課題は、温度制御された基板支持体に設けられた少
なくとも３点以上の一定方向に移動可能な支持点上に被
処理基板を搬送し、前記基板支持体と間隔を保って基板
を保持した状態で例えば基板雰囲気を置換、或いは、制
御する第１の基板処理を施し、次いで・、上記支持点と
基板支持体との間隔を変え、前記基板と、前記基板支持
体部とを。

より近接、或いは密着させて保持し、第２の、或いは、
それに続く処理を行なうことを特徴とする基板処理方法
を提供する。

（作　　用） 前記本発明による基板処理方法であれば第１の処理によ
って３点以上の支持点上で基板を支持するようにして、
その接触を極力低減した状態で基板雰囲気を置換あるい
は制御でき、そのような前記第１の処理を経た後、引き
続き同一の処理室内の温度制御可能な基板支持体上で光
、ガス、プラズマ、ＣＶＤ等の第２の処理を行なうので
前記第２の処理への移行は容易でかつ基板雰囲気は良好
に保てるので効率的かつ高品質の基板の処理を行なうこ
とが可能である。

（実　施　例） 本発明の一実施例として半導体デバイス製造プロセスに
おけるレジストプロセスに適用した例について説明する
。

まず、被処理基板として半導体基板を用意し。

この半導体基板上にスピンコード法により１．３２μｓ
の厚さにポジ形ホトレジスト膜を設け、縮小転写装置！
　：　Ｎ５Ｒ−１５０５Ｇ５Ｄ　にコン製）を用いてパ
ターンの焼き付けを行った。

次いで、第２の処理の現像工程に先立って第１図の概略
図に示す如き基板処理装置の処理室（ト）内に前記被処
理基板を搬入する。この処理室■は、例えば１０５℃に
温度制御された基板支持体■であるホットプレートを有
している。前記処理室■内を不活性なガス雰囲気、例え
ば窒素ガス雰囲気にパージして基板雰囲気を置換又は制
御する第１の処理を行なう、前記処理室の内への被処理
基板■の搬入は、搬送系（図示せず）により、搬送して
行なう。

搬入された基板■は、第１の処理としてホットプレート
■に対して平行に基板■を保持し得る３本のビン（イ）
によって前記ホットプレート面と例えば約０．４ｍｍの
間隔を保って４５秒間前記窒素ガス雰囲気中で保持され
る。この第１の処理により基板雰囲気は良好に置換また
は制御される。ここで前記３本のビンに）は移動機構■
によって、ホットプレート面に対して垂直に移動可能と
なっている。

０はヒータであり、（１０）はパージ用ガス導入管であ
り、　（１１）は冷却用管、　（１２）は排気用管、（
１３）は熱電対である。

その後、第２図に示すようにビン（イ）を基板■がホッ
トプレート面に密着するように移動させる。

この時、基板■はホットプレート面に設けられた多数の
真空チャック用溝（０によりホットプレート■に良好に
吸着される。

ここで、第２の処理として同図に示すように処理室■の
上方に設けられた石英窓■を介して、基板全面に３２０
〜２５０ｒｖ＋の遠紫外光■を約１５０ｍＪ／ａＪ照射
し、露光の処理を行った。次いで、現像液（ＮＭＤ−Ｗ
：東京応化製）を用い６０秒のデイプ現像を行なった。

得られたレジストパターンの形状を走査型電子顕微鏡を
用いてＩｌｌ察し、レジストパターンの形状、および、
パターン寸法を測定した。

レジストパターンは従来技術では困難であった０、５−
パターンの形成が可能となっていた。また、γ値の高い
パターン形成が可能となったために従来高々±０．５μ
ｓ程度であった焦点深度余裕が±０．７５−まで向上し
ていた。

このように、本発明の実施例によればまず、従来技術に
おいては困難であった微細なパターンの形成が、可能と
なり、マスクパターン寸法に対して忠実度が高まった。

また、下地段差の厳しい基板上においてもレジストパタ
ーンの解像性が向上し、高品質の処理を行なうことがで
きた。これは、乾燥窒素ガスによる雰囲気の置換を効率
的に一つの容器で基板温度の上昇に先だって行ない、か
つ。

現像性が減じられる方法に働く熱処理時間を最少として
所定の処理温度１例えば１０５℃に保持した結果得られ
るものと考えられる。

本発明は、上記実施例に何ら限定されるものではなく１
例えば第２の基板の処理としては前記実施例のように露
光の処理に限らず、ガス、プラズマ、ＣＶＤ、高周波に
よる処理、あるいはこれらを組み合せた処理であっても
、第１の処理によって基板雰囲気は良好に置換あるいは
制限されるで。

同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、効率的かつ高品質な
基板の処理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための基板
処理装置の概略図である。 １・・・処理室、　　　　　２・・・基板支持体、３・
・・被処理基板、　　　４・・・ビン。 ８・・・遠紫外光。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　松山光之 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理室内の温度制御可能な基板支持体に設けられた一方
   向に移動可能な少なくとも３点以上の支持点上に被処理
   基板を搬送し、前記支持体と所定の間隔で前記被処理基
   板を保持し、前記処理室内を置換する第１の処理を施し
   、次いで前記基板と前記支持体がより近接あるいは密着
   するように前記支持点を移動せしめ前記処理室内での前
   記基板の第２の処理を行なうことを特徴とする基板処理
   方法。