JPH03211822A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03211822A JPH03211822A JP783790A JP783790A JPH03211822A JP H03211822 A JPH03211822 A JP H03211822A JP 783790 A JP783790 A JP 783790A JP 783790 A JP783790 A JP 783790A JP H03211822 A JPH03211822 A JP H03211822A
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- JP
- Japan
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- wafer
- resistance heater
- temperature distribution
- uniform
- semiconductor manufacturing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体製造装置に関し、
ウェーハを加熱処理する際ウェーハの温度分布をほぼ均
一にして結晶欠陥を入り難くすることができ、かつ石英
窓に付着した膜を除去するようなメンテナンスをなくす
ことができ、連続成長を可能にし、スループットを向上
させることができる半導体製造装置を提供することを目
的とし、チャンバ内にウェーハと抵抗加熱し−タが対向
して配置され、該抵抗加熱ヒータと咳つェーへとの距離
を変える手段が設けられているように構成する。
一にして結晶欠陥を入り難くすることができ、かつ石英
窓に付着した膜を除去するようなメンテナンスをなくす
ことができ、連続成長を可能にし、スループットを向上
させることができる半導体製造装置を提供することを目
的とし、チャンバ内にウェーハと抵抗加熱し−タが対向
して配置され、該抵抗加熱ヒータと咳つェーへとの距離
を変える手段が設けられているように構成する。
本発明は、半導体製造装置に係り、ＬＳＩ製造工程にお
けるＣＶＤ、アニール等の熱処理をする高温熱処理装置
に適用することができ、ウェーハを加熱処理する際、ウ
ェーハの温度分布をほぼ均一にすることができる半導体
製造装置に関する。
けるＣＶＤ、アニール等の熱処理をする高温熱処理装置
に適用することができ、ウェーハを加熱処理する際、ウ
ェーハの温度分布をほぼ均一にすることができる半導体
製造装置に関する。
近年、ＣＶＤ、アニール等の熱処理をする半導体製造装
置においては、大口径化とプロセスの集約化が要求され
ている。そのため、枚葉化することができ、しかも高ス
ルーブツトにすることができる半導体製造装置が要求さ
れている。
置においては、大口径化とプロセスの集約化が要求され
ている。そのため、枚葉化することができ、しかも高ス
ルーブツトにすることができる半導体製造装置が要求さ
れている。
ところで従来、半導体やメタルの選択成長において、化
学気相成長装置としては抵抗加熱を用いたものが主流と
なっていたが、選択成長する際、ウェーハを加熱するた
めのヒータ表面等に副生物等が生じて付着し易く選択成
長が崩れてしまうことがあるため、現在ではＩＲ（赤外
）照射加熱による方法が広く用いられているが、将来プ
ロセスの低温化を考えると低温度領域でも特に温度分布
を安定に採れる抵抗加熱による方法が必要となってくる
と思われる。
学気相成長装置としては抵抗加熱を用いたものが主流と
なっていたが、選択成長する際、ウェーハを加熱するた
めのヒータ表面等に副生物等が生じて付着し易く選択成
長が崩れてしまうことがあるため、現在ではＩＲ（赤外
）照射加熱による方法が広く用いられているが、将来プ
ロセスの低温化を考えると低温度領域でも特に温度分布
を安定に採れる抵抗加熱による方法が必要となってくる
と思われる。
なお、ＩＲ照射加熱による方法が広く用いられているの
は石英等で蓄熱するが、サセプタ等を直接加熱すること
な（ウェーハだけを選択的に効率良く加熱することを容
易に行うことができるからである。
は石英等で蓄熱するが、サセプタ等を直接加熱すること
な（ウェーハだけを選択的に効率良く加熱することを容
易に行うことができるからである。
第４図は従来の半導体製造装置の概略を示す図である。
図示例の半導体製造装置はＣＶＤ、アニール等の熱処理
を行う枚葉式高温熱処理装置に適用する場合である。
を行う枚葉式高温熱処理装置に適用する場合である。
この図において、３１は例えばＳｉからなるウェーハ、
３２はウェーハ３１を支持する支持台、３３は例えば石
英からなり真空可能なチャンバ、３４はつ工−ハ３１を
加熱するためのＩＲランプ、３５はＩＲクランプ４から
の熱を反射するための反射板である。
３２はウェーハ３１を支持する支持台、３３は例えば石
英からなり真空可能なチャンバ、３４はつ工−ハ３１を
加熱するためのＩＲランプ、３５はＩＲクランプ４から
の熱を反射するための反射板である。
第４図に示すように、熱源としてはｒＲクランプ４を用
いており、ＩＲクランプ４をチャンバ３３上方及びチャ
ンバ３３下方（どちらか一方でもよい）に設置してウェ
ーハ３１を加熱していた。そして、ウェーハ３１とチャ
ンバ３３間（チャンバ３３上面、チャンバ３３下面）を
５ｃｍ程度、チャンバ３３とＩＲランプ３４間を１ ｃ
ｍ程度離し、結局ウェーハ３１とＩＲランプ３４間を６
ｃｍ程度離していた。
いており、ＩＲクランプ４をチャンバ３３上方及びチャ
ンバ３３下方（どちらか一方でもよい）に設置してウェ
ーハ３１を加熱していた。そして、ウェーハ３１とチャ
ンバ３３間（チャンバ３３上面、チャンバ３３下面）を
５ｃｍ程度、チャンバ３３とＩＲランプ３４間を１ ｃ
ｍ程度離し、結局ウェーハ３１とＩＲランプ３４間を６
ｃｍ程度離していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記した従来の半導体製造装置にあって
は、ｒＲクランプ４をチャンバ３３内に設置することが
できず、チャンバ３３上方及び下方に設置しており、ウ
ェーハ３１とＩＲランプ３４間を６ｃｍ程度離さなけれ
ばならなかった。このため、つ工−ハ３１を加熱処理す
る際ウェーハ３１の温度分布が不均一になり易く、具体
的には、ウェーハ３１の特に周辺部（スリップライン）
の熱放散が内部より大きく（表面積が大きいため）、周
辺部の温度が低くなり周辺部に結晶欠陥が入り易かった
。そして、最悪の場合、素子部ｃトもダメージを与えて
しまっていた。
は、ｒＲクランプ４をチャンバ３３内に設置することが
できず、チャンバ３３上方及び下方に設置しており、ウ
ェーハ３１とＩＲランプ３４間を６ｃｍ程度離さなけれ
ばならなかった。このため、つ工−ハ３１を加熱処理す
る際ウェーハ３１の温度分布が不均一になり易く、具体
的には、ウェーハ３１の特に周辺部（スリップライン）
の熱放散が内部より大きく（表面積が大きいため）、周
辺部の温度が低くなり周辺部に結晶欠陥が入り易かった
。そして、最悪の場合、素子部ｃトもダメージを与えて
しまっていた。
また、上記装置をＣＶＤに適用する場合、ウェーハ３１
を加熱処理すると、ＴＲランプ３４用石英窓が高温とな
り、石英窓にまで成膜してしまうため、ランプ効率が悪
化するのを避けられなかった。このため、石英窓に付着
した膜を除去するクリーニングというメンテナンスを定
期的に行わなければならず、非常に面倒であった。
を加熱処理すると、ＴＲランプ３４用石英窓が高温とな
り、石英窓にまで成膜してしまうため、ランプ効率が悪
化するのを避けられなかった。このため、石英窓に付着
した膜を除去するクリーニングというメンテナンスを定
期的に行わなければならず、非常に面倒であった。
したがって、連続成長することができず、スループント
が上がらないという問題を生じていた。
が上がらないという問題を生じていた。
そこで、本発明は、ウェーハを加熱処理する際ウェーハ
の温度分布をほぼ均一にして結晶欠陥を入り難くするこ
とができ、かつ石英窓に付着した膜を除去するようなメ
ンテナンスをなくすことができ、連続成長を可能にし、
スループントを向上させることができる半導体製造装置
を提供することを目的とする。
の温度分布をほぼ均一にして結晶欠陥を入り難くするこ
とができ、かつ石英窓に付着した膜を除去するようなメ
ンテナンスをなくすことができ、連続成長を可能にし、
スループントを向上させることができる半導体製造装置
を提供することを目的とする。
本発明による半導体製造装置は上記目的達成のため、チ
ャンバ内にウェーハと抵抗加熱ヒータが対向して配置さ
れ、該抵抗加熱ヒータと酸ウェーハとの距離を変える手
段が設けられていることを特徴とするものである。
ャンバ内にウェーハと抵抗加熱ヒータが対向して配置さ
れ、該抵抗加熱ヒータと酸ウェーハとの距離を変える手
段が設けられていることを特徴とするものである。
本発明は、第１図に示すように、チャンバ７内にウェー
ハ１と抵抗加熱ヒータ３が対向して配置され、抵抗加熱
ヒータ３とウェーハ１との距離を変える手段（ここでは
支持台２に設けられた上下駆動機構）が設けられるよう
に構成される。
ハ１と抵抗加熱ヒータ３が対向して配置され、抵抗加熱
ヒータ３とウェーハ１との距離を変える手段（ここでは
支持台２に設けられた上下駆動機構）が設けられるよう
に構成される。
したがって、温度分布のほぼ均一な抵抗加熱ヒータ３に
ウェーハ１を密着させることができるようになるため、
ウェーハ１を加熱処理する際ウェーハ１の温度分布をほ
ぼ均一にすることができるようになる。詳細については
実施例で説明する。
ウェーハ１を密着させることができるようになるため、
ウェーハ１を加熱処理する際ウェーハ１の温度分布をほ
ぼ均一にすることができるようになる。詳細については
実施例で説明する。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の一実施例の構成
を示す装置概略図である。図示例の半導体製造装置はＣ
ＶＤ装置に適用する場合である。
を示す装置概略図である。図示例の半導体製造装置はＣ
ＶＤ装置に適用する場合である。
この図において、１は例えばＳｉからなるウェハ、２は
ウェーハ１を支持する支持台で、上下駆動機構（本発明
に係る手段に該当する）により上下移動できるようにな
っている。３はウェーハｌを加熱する抵抗加熱ヒーター
で、ここではサセプターとしても機能し得るものである
。４はシャワー、５は熱電対６によってウェーハｌと抵
抗加熱ヒータ３の温度を測定する温度測定手段、７は例
えば石英からなり真空可能なヂャンバ、８はウェーハ１
をウェーハカセットから取り出して支持台２に載せたり
取り出したりするウェーハ移動装置である。
ウェーハ１を支持する支持台で、上下駆動機構（本発明
に係る手段に該当する）により上下移動できるようにな
っている。３はウェーハｌを加熱する抵抗加熱ヒーター
で、ここではサセプターとしても機能し得るものである
。４はシャワー、５は熱電対６によってウェーハｌと抵
抗加熱ヒータ３の温度を測定する温度測定手段、７は例
えば石英からなり真空可能なヂャンバ、８はウェーハ１
をウェーハカセットから取り出して支持台２に載せたり
取り出したりするウェーハ移動装置である。
次に、その動作原理について説明する。
ここでの抵抗加熱ヒータ３は電気抵抗を利用して電気を
通じて加熱するものであり、電流を流すことによって常
に加熱するようになっている。そして、ウェーハ１は抵
抗加熱ヒータ３から離れたところで熱電対６が設けられ
た４個（３個でよい）の支持台２上にウェーハ移動装置
８によって載せられる。そして、支持台２に設けられた
上下機構によりウェーハ１をゆっくりと下げていき、ウ
ェーハ１の温度を上昇させる。なお、支持台２は具体的
には抵抗加熱ヒータ３に設けられた穴を上下機構により
上下に移動できるようになっており、また、抵抗加熱ヒ
ータ３はチャンハフに固定されている。
通じて加熱するものであり、電流を流すことによって常
に加熱するようになっている。そして、ウェーハ１は抵
抗加熱ヒータ３から離れたところで熱電対６が設けられ
た４個（３個でよい）の支持台２上にウェーハ移動装置
８によって載せられる。そして、支持台２に設けられた
上下機構によりウェーハ１をゆっくりと下げていき、ウ
ェーハ１の温度を上昇させる。なお、支持台２は具体的
には抵抗加熱ヒータ３に設けられた穴を上下機構により
上下に移動できるようになっており、また、抵抗加熱ヒ
ータ３はチャンハフに固定されている。
そして、最終的にウェーハ１を温度分布のほぼ均一な抵
抗加熱し−タ３に密着させて加熱する。
抗加熱し−タ３に密着させて加熱する。
このように、温度分布のほぼ均一な抵抗加熱ヒータ３に
ウェーハ１を密着させることによって従来のランプ加熱
ヒータを用いる場合よりもウェーハ１の温度分布をほぼ
均一にすることができる。したがって、結晶欠陥を入り
難くすることができ、かつランプ加熱を用いた際の、石
英窓に付着した膜を除去するようなメンテナンスをなく
すことができ、連続成長を可能にしスルーブツトを向上
させることができる。
ウェーハ１を密着させることによって従来のランプ加熱
ヒータを用いる場合よりもウェーハ１の温度分布をほぼ
均一にすることができる。したがって、結晶欠陥を入り
難くすることができ、かつランプ加熱を用いた際の、石
英窓に付着した膜を除去するようなメンテナンスをなく
すことができ、連続成長を可能にしスルーブツトを向上
させることができる。
なお、上記実施例では、ウェーハ１と抵抗加熱ヒータ３
を密着させてウェーハ１の温度を制御する場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
ウェーハ１と抵抗加熱ヒータ３を密着させずにウェーハ
１と抵抗加熱ヒータ３を間隔をもたせて適宜配置し、ウ
ェーハ１と抵抗加熱ヒータ３の距離の変化と供給電力に
より抵抗加熱ヒータ３の温度を変化させることによりウ
ェーハ１の温度を制御する場合であってもよい。
を密着させてウェーハ１の温度を制御する場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
ウェーハ１と抵抗加熱ヒータ３を密着させずにウェーハ
１と抵抗加熱ヒータ３を間隔をもたせて適宜配置し、ウ
ェーハ１と抵抗加熱ヒータ３の距離の変化と供給電力に
より抵抗加熱ヒータ３の温度を変化させることによりウ
ェーハ１の温度を制御する場合であってもよい。
また、上記実施例は、ウェーハｌ側を移動させて抵抗加
熱ヒータ３側（固定）に近づけたり密着させたりする場
合についてを説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではな（、抵抗加熱ヒータ３側を移動させてウェーハ
１側（固定）に近づけたり密着させたりする場合であっ
てもよい。
熱ヒータ３側（固定）に近づけたり密着させたりする場
合についてを説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではな（、抵抗加熱ヒータ３側を移動させてウェーハ
１側（固定）に近づけたり密着させたりする場合であっ
てもよい。
更に、上記実施例は抵抗加熱ヒータ３をウェーハ１に対
して下側に設けた場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２図に示すように、抵
抗加熱ヒータ３をウエーノ＼１に対して上側に設ける場
合であってもよい。この場合、ウェーハ１処理面は抵抗
加熱ヒータ３とは反射側のシャワー４側の面（第２図に
示すＸ部）である。また、第３図（ａ）、（ｂ）に示す
ように、抵抗加熱ヒータ３をウェーハ１の周囲を囲むよ
うなおわん形にしてもよく、この場合、ウェーハ１周辺
部の放熱を小さくすることができる点で好ましい。
して下側に設けた場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２図に示すように、抵
抗加熱ヒータ３をウエーノ＼１に対して上側に設ける場
合であってもよい。この場合、ウェーハ１処理面は抵抗
加熱ヒータ３とは反射側のシャワー４側の面（第２図に
示すＸ部）である。また、第３図（ａ）、（ｂ）に示す
ように、抵抗加熱ヒータ３をウェーハ１の周囲を囲むよ
うなおわん形にしてもよく、この場合、ウェーハ１周辺
部の放熱を小さくすることができる点で好ましい。
（発明の効果〕
本発明によれば、ウェーハ１を加熱処理する際ウェーハ
の温度分布をほぼ均一にして結晶欠陥を入り難くするこ
とができ、かつ石英窓には付着した膜を除去するような
メンテナンスをなくすことができ、連続成長を可能にし
、スルーブツトを向上させることができる。
の温度分布をほぼ均一にして結晶欠陥を入り難くするこ
とができ、かつ石英窓には付着した膜を除去するような
メンテナンスをなくすことができ、連続成長を可能にし
、スルーブツトを向上させることができる。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の一実施例の構成
を示す装置概略図、 第２図及び第３図は他の実施例の構成を示す装置概略図
である。 第４図は従来例の構成を示す装置概略図である。 ・・・・・・ウェーハ、 ・・・・・・支持台、 ・・・・・抵抗加熱ヒータ、 ・・・・・・シャワー ・・・・・・温度測定手段、 ・・・・・・熱電対、 ・・・・・・チャンバ、 ・・・・・・ウェーハ移動装置。
を示す装置概略図、 第２図及び第３図は他の実施例の構成を示す装置概略図
である。 第４図は従来例の構成を示す装置概略図である。 ・・・・・・ウェーハ、 ・・・・・・支持台、 ・・・・・抵抗加熱ヒータ、 ・・・・・・シャワー ・・・・・・温度測定手段、 ・・・・・・熱電対、 ・・・・・・チャンバ、 ・・・・・・ウェーハ移動装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チャンバ（７）内にウェーハ（１）と抵抗加熱ヒータ（
３）が対向して配置され、 該抵抗加熱ヒータ（３）と該ウェーハ（１）との距離を
変える手段が設けられていることを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783790A JPH03211822A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783790A JPH03211822A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211822A true JPH03211822A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11676723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP783790A Pending JPH03211822A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211822A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135622A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 酸化膜除去法及び酸化膜除去のための半導体製造装置 |
| JP2004179355A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置及び加熱処理装置 |
| WO2007116851A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP2022132858A (ja) * | 2021-03-01 | 2022-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 回転テーブルの制御方法及び処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381933A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 枚葉式薄膜形成方法 |
| JPH02216817A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Toshiba Corp | 基板処理方法 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP783790A patent/JPH03211822A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381933A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 枚葉式薄膜形成方法 |
| JPH02216817A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Toshiba Corp | 基板処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135622A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 酸化膜除去法及び酸化膜除去のための半導体製造装置 |
| JP2004179355A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置及び加熱処理装置 |
| WO2007116851A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP2022132858A (ja) * | 2021-03-01 | 2022-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 回転テーブルの制御方法及び処理装置 |
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