JPH02216824A

JPH02216824A - 清浄化方法及びその装置

Info

Publication number: JPH02216824A
Application number: JP3763389A
Authority: JP
Inventors: Naoko Takehara; 尚子竹原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-02-17
Filing date: 1989-02-17
Publication date: 1990-08-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、現像処理などの所望の処理がなされた基板を
清浄化するための方法及びその装置に関する。

（従来の技術）例えば、ガラス基板に薄膜トランジスタ等を形成する工
程では該基板上に所望の被膜を形成し、レジスト膜の塗
布、露光、現像によりレジストパターンを形成し、該レ
ジストパターンをマスクとして下地である被膜を選択的
にエツチングして被膜パターンを形成することが行なわ
れている。また、前記現像後においては水洗等の処理を
施してレジストパターンを含む表面を清浄化することが
行なわれている。

ところで、上記清浄化は従来より第２図に示す装置を用
いて行なわれている。即ち、現像処理後のレジストパタ
ーンが形成されたガラス基板１を搬送ローラ２により水
洗室３に送り、ここで水洗水を図示しないスプレーノズ
ルから基板１表面にシャワーして水洗する。つづいて、
ガラス基板ｌを搬送ローラ２により乾燥室４内に送る。

この乾燥室４において、基板１を吸水ローラ５で搬送さ
せながら、所望の角度傾斜させたガス噴射ノズル６がら
空気を基板１表面に吹付けて付着した水洗水を除去した
後、搬送ローラ２で温風乾燥機７に送り更に乾燥して基
板１表面を清浄化にする。なお、清浄化後の基板１は次
工程に送られる。

しかしながら、上記方法にあってはガス噴射ノズルによ
りガラス基板１表面に付着した水洗水を除去する工程で
、第２図に示すように水滴（ミスト）８が生成し、この
ミストが再び基板１表面に付着するため、この後に温風
乾燥機７で温風乾燥すると、ガラス基板１に水垢が生じ
ることがあった。この水垢が次工程のドライエツチング
においてマスクとして作用するため、レジストパターン
以外の基板領域にエツチング残りが生じ、目的とするパ
ターン形成が困難となる問題があった。

（発明が解決しようとする課題）本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、現像処理等の所望の処理がなされた基板表面を極
めて高い清浄度で処理し得る清浄化方法及びその装置を
提供しようとするものである。

（課題を解決するための手段）本発明方法は、所望の処理がなされた基板を水洗する工
程と、この基板表面に向けてガスを吹付けて表面に付着
した水洗水を除去すると共に、前記基板の表面に沿って
ガスを供給し、該基板の表面を除く周囲に排出する工程
と、前記基板を温風乾燥する工程とを具備したことを特
徴とするものである。

上記所望の処理がなされた基板としては、例えば現像処
理後のレジストパターンが形成された基板、或いはウェ
ットエツチング処理を施した後のレジストパターンが残
存した基板等を挙げることができる。基板としては、ガ
ラス基板、半導体基板等を用いることができる。

上記基板表面に付着した水洗水を除去するために吹付け
るガスとしては、空気、窒素ガス等を用いることができ
る。

上記基板の表面に沿って供給するガスとしては、例えば
窒素ガス、アルゴン、ヘリウム、空気等を挙げることが
でき、かつ必要に応じて加熱して使用してもよい。

また、本発明の装置は所望の処理がなされた基板を水洗
するための水洗手段と、この水洗手段の後段側に配置さ
れ、前記基板の表面に向けてガスを吹付けるためのガス
吹付は手段と、このガス吹付は手段の後段側に配置され
、前記基板の表面に沿ってガスを供給するガス供給手段
と、この供給手段と対向する位置もしくは前記基板の上
方の位置に配置され、前記供給されたガスを吸引して排
気するための排気手段と、前記ガス供給手段の後段側に
配置され、基板を温風乾燥するための温風乾燥機とを具
備したことを特徴とするものである。

（作用）本発明方法によれば所望の処理（例えば現像処理）によ
りレジストパターンが形成された基板を水洗し、該基板
の表面に向けてガスを吹付けて表面に付着した水洗水を
除去すると共に該基板の表面に沿ってガスを供給し、該
ガスを基板の表面を除く周囲に排出することによって、
前記ガスの吹付は後の基板表面上の雰囲気を乾燥して水
滴（ミスト）の発生を抑制し、かつ発生した水滴を基板
の表面から強制的に外部に排気できる。その結果、前記
ミストが再び基板表面に付着するのを防止できるため、
この後の温風乾燥において基板表面に水垢が生じること
なく良好な清浄状態にできる。従って、次工程での前記
レジストパターンをマスクとするドライエツチングに際
し、水垢に起因するエツチング残りのない高精度のパタ
ーンを形成できる。

また、本発明の清浄化装置によれば既述したように基板
表面に水垢が生じることなく良好な清浄状態を実現でき
る。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

第１図（Ａ）は、本発明に係わる清浄化装置を示す正面
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の平面図であり、図中の１
１は水洗室である。この水洗室１１内には、基板を搬送
するための複数の搬送ローラ１２が配置されていると共
に、上方に水洗水を噴射するためのスプレーノズル（図
示せず）が配置されている。前記水洗室１１の後段側に
は、乾燥室１３が配置されている。この乾燥室１３内に
は、前記水洗室１１から搬送された基板を搬送するため
の複数の吸水ローラ１４及び搬送ローラ１２が順次配置
されている。。前記吸水ローラ１４が位置する乾燥室１
３内には、所定の角度で傾斜された２つのガス噴射ノズ
ルＩ５が基板の搬送方向に並んで配置されている。

これらガス噴射ノズル１５の後段側の乾燥室１３両側壁
内面には、ガス供給部材ＩＢ及びガス排気部材１７が互
いに対向して配置されている。これらガス供給部材１６
、ガス排気部材１７の後段側の前記乾燥室１３内には、
温風乾燥機１８が搬送ローラ１２を挟んで上下に配置さ
れている。

次に、前述した清浄化装置を用いて現像処理後のレジス
トパターンが形成されたガラス基板の清浄化方法を説明
する。

まず、現像処理後のレジストパターンが形成されたガラ
ス基板１９を搬送ローラ１２により水洗室１１に送り、
ここで水洗水を図示しないスプレーノズルから基板１９
表面にシャワーして水洗する。つづいて、ガラス基板１
９を搬送ローラ１２により乾燥室１３内に送る。この乾
燥室１３において、基板１１を吸水ローラ１４で搬送さ
せながら、所望角度に傾斜させた２台のガス噴射ノズル
１５がら空気を基板１９表面に吹付けて付着した水洗水
をすると共に該ガス噴射ノズル■５後段に配置されたガ
ス供給部材Ｉ６から加熱窒素ガスを水平方向に供給し、
これと対向して配置したガス排気部材１７で吸引排気し
た。この時、前記ガス噴射ノズル１５の後段側が前記ガ
ス供給部材ＩＢから供給された加熱ガスにより乾燥され
て水滴の発生が抑制され、かつ発生した水滴はガス供給
部材１Ｂからの窒素ガスの供給、ガス排気部材１７での
排気により強制的に乾燥機１３の外部に排出され、ガラ
ス基板１９表面への水滴の再付着が防止された。ひきつ
づき、搬送ローラ１２で温風乾燥機１８に送り温風乾燥
して基板１９表面を清浄化する。

本実施例による清浄化処理後のガラス基板表面を観察し
たところ、水滴の再付着に起因する水垢の発生は皆無で
あった。また、清浄化処理後のガラス基板を次工程のド
ライエツチング装置に搬送し、レジストパターンをマス
クとしてガラス基板上の被膜を選択的に除去したところ
、水垢の付着に起因するエツチング残りのない高精度の
被膜パターンを形成できた。

なお、上記実施例ではガス供給部材とガス排気部材を基
板の搬送方向に対して直交する方向に互いに対向して配
置した構造としたが、これに限定されない。例えば、ガ
ス供給部材を基板の搬送方向に対して直交する方向に配
置し、ガス排気部材を基板の上方に配置する構造として
もよい。

上記実施例では、現像処理後のレジストパターンが形成
されたガラス基板を対象として清浄化を行なったが、こ
れに限定されない。例えば、基板上に二層の被膜を堆積
し、上層の被膜をレジストパターンをマスクとしてウェ
ットエツチングした後の基板を対象として清浄化を行な
ってもよい。

かかる方法で清浄化された基板を次工程のドライエツチ
ング装置に搬送し、レジストパターンをマスクとして上
層の被膜パターンから露出した下層の被膜を選択的に除
去することにより、水垢の付着に起因するエツチング残
りのない高精度の下層被膜パターンを形成できる。

［発明の効果］以上詳述した如く、本発明の清浄化方法及び装置によれ
ば現像処理後のレジストパターンなどが形成された基板
表面を極めて高い清浄度で処理でき、ひいては次工程で
のレジストパターンをマスクとしたドライエツチングに
際し、水垢に起因するエツチング残りのない高精度のパ
ターンを形成できる等顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明の一実施例を示す清浄化装置を示
す正面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の平面図、第２図は
従来の清浄化方法に使用する装置を示す正面図である。１１・・・水洗室、１３・・・乾燥室、１５・・・ガス
噴射ノズル、１６・・・ガス供給部材、１７・・・ガス
排気部材、１８・・・温風乾燥機、１９・・・ガラス基
板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）．所望の処理がなされた基板を水洗する工程と、
この基板の表面に向けてガスを吹付けて表面に付着した
水洗水を除去すると共に、前記基板の表面に沿ってガス
を供給し、該基板の表面を除く周囲に排出する工程と、
前記基板を温風乾燥する工程とを具備したことを特徴と
する清浄化方法。
（２）．所望の処理がなされた基板を水洗するための水
洗手段と、この水洗手段の後段側に配置され、前記基板
の表面に向けてガスを吹付けるためのガス吹付け手段と
、このガス吹付け手段の後段側に配置され、前記基板の
表面に沿ってガスを供給するガス供給手段と、この供給
手段と対向する位置もしくは前記基板の上方の位置に配
置され、前記供給されたガスを吸引して排気するための
排気手段と、前記ガス供給手段の後段側に配置され、基
板を温風乾燥するための温風乾燥機とを具備したことを
特徴とする清浄化装置。