JPH02216826A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造装置に関し、特に窒化膜ウ
ェットエツチングを主とする半導体装置の製造装置に関
する。

〔従来の技術〕

従来の熱リン酸を用いるシリコン窒化膜のウェットエツ
チング装置を図面を参照して説明する。

第２図は従来のシリコン窒化膜ウェットエツチング装置
の一例の断面模式図である。

リン酸を用いるシリコン窒化膜ウェットエツチング装置
は、エツチング槽９にリン酸を入れ、リン酸をヒータ１
０にて１００℃以上に加熱し熱リン酸６として用いるが
、熟リン酸中の水分が蒸発し、半導体ウェーハ８に形成
されているシリコン窒化膜のエツチング速度が減少する
ため、常時蒸発する水分量に相当する常温の純水流量を
流量計１２にて設定し、純水供給管１１から適当量供給
する構造となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のシリコン窒化膜ウェットエツチング装置
は、熱リン酸のシリコン窒化膜のエツチング速度の安定
化のため、常時常温の純水を適当量供給していたが、こ
の際、リン酸の濃度管理が行なわれていないため、熱リ
ン酸の組成比の変動もしくは熱に酸の劣化によりエツチ
ング速度は、経時とともに減少するという欠点がある。

また、１００℃以上の熱リン酸を用いるため、供給した
常温の純水の一部が蒸発し気化熱を奪い、エツチング液
温が１０〜２０℃も低下してしまい、エツチング速度は
１／２以下に低下してしまうという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造装置は、エツチング液を入れ
るエツチング層と、前記エツチング液の比重を測定する
比重測定装置と、前記測定された比重の変位を算出する
比重変位算出装置と、前シ己比重変位算出値から蒸発水
分量を算出する蒸発水分算出装置と、前記蒸発水分算出
値から補給すべき水蒸気を供給制御する水蒸気供給制御
装置と、前記エツチング槽に水蒸気を供給する水蒸気供
給管とを含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例の断面模式図である。

エツチング槽９の中のヒーター１０にて１５０℃に加熱
された熱リン酸６の比重を比重測定装置５にて測定し、
その変位を比重変位算出装置４にて算出する。その変位
から蒸発する水分量を蒸発水分量算出装置３にて算出し
、最後に蒸発する水分量を水蒸気供給制御装置２に伝送
することにより、水蒸気供給管１から常時１００℃の水
蒸気をおよそ１！２／分の流量で自動供給する。

この構成にすると、従来装置に比較し、液温設定値１５
０°Ｃに対するエツチング液温の低下が見られず、約２
倍のエツチング速度が確保できた。また、エツチング速
度の減少も従来装置に比較し、１／２に抑制することが
可能となった。更に、熱リン酸の液温設定値を変更する
場合でも、水蒸気の温度及び流量を制御することにより
、エツチング液温を低下させずに、エツチング速度を安
定に保持することができた。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明は、熱リン酸中から蒸発する
水分量に相当する水蒸気を常時、自動供給することによ
り、エツチング速度を自由に制御し、かつ、安定に保持
できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面模式図、第２図は従来
のシリコン窒化膜ウェットエツチング装置の一例の断面
模式図である。 ］・・・水蒸気供給管、２・・・水蒸気供給制御装置、
３・・・蒸発水分量算出装置、４・・・比重変位算出装
置、５・・・比重測定装置、６・・・熱リン酸、７・・
・キャリア、８・・・半導体ウェーハ、９・・・エツチ
ング槽、１０・・・ヒータ、１１・・・純水供給管、１
２・・・流量計。 声　１　図 ／Ｚｉｔ前

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. エッチング液を入れるエッチング層と、前記エッチング
   液の比重を測定する比重測定装置と、前記測定された比
   重の変位を算出する比重変位算出装置と、前記比重変位
   算出値から蒸発水分量を算出する蒸発水分算出装置と、
   前記蒸発水分算出値から補給すべき水蒸気を供給制御す
   る水蒸気供給制御装置と、前記エッチング槽に水蒸気を
   供給する水蒸気供給管とを含むことを特徴とする半導体
   装置の製造装置。