JPH02216839A - 半導体装置 - Google Patents
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- relay
- bonding
- semiconductor device
- bonding wire
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体チップの内部電
極パッドと外部リードとをワイヤにより接続する構造に
関する。
極パッドと外部リードとをワイヤにより接続する構造に
関する。
従来、半導体チップの内部電極パッドと外部リードとの
接続をワイヤーボンディングにより行う半導体装置では
、第5図に示すように、リードフレームもしくはパッケ
ージのアイランド4に固定された半導体チップ1の内部
電極パッド2と外部リード3の2箇所にわたってボンデ
ィングワイヤ5を接続した構成となっている。
接続をワイヤーボンディングにより行う半導体装置では
、第5図に示すように、リードフレームもしくはパッケ
ージのアイランド4に固定された半導体チップ1の内部
電極パッド2と外部リード3の2箇所にわたってボンデ
ィングワイヤ5を接続した構成となっている。
ところで、最近の半導体装置にあっては、高機能化、動
作させる為のソフト設計の容易化等の理由より入出力ピ
ン数が数百ビンにも及ぶいわゆる多ピン化が必要とされ
てきている。このような状況の下で、ワイヤーボンディ
ングによって内部電極パッドと外部リードとを接続する
半導体装置の多ビン化を図る際には、次にあげる2つの
制約を受ける。
作させる為のソフト設計の容易化等の理由より入出力ピ
ン数が数百ビンにも及ぶいわゆる多ピン化が必要とされ
てきている。このような状況の下で、ワイヤーボンディ
ングによって内部電極パッドと外部リードとを接続する
半導体装置の多ビン化を図る際には、次にあげる2つの
制約を受ける。
まず第1に外部リードのピッチ及び幅である。
第6図に示す外部リード3のピッチLPおよび幅LWは
、現在最小のものでL P −0,22mm、 L
W =0.11mm程度である。外部リード3は通常金
属板をプレス加工やエツチング加工により成形している
が、リード側のボンディング性を損なうことなしにピッ
チおよび幅をこれ以上狭く加工することば事実上不可能
になってきている。
、現在最小のものでL P −0,22mm、 L
W =0.11mm程度である。外部リード3は通常金
属板をプレス加工やエツチング加工により成形している
が、リード側のボンディング性を損なうことなしにピッ
チおよび幅をこれ以上狭く加工することば事実上不可能
になってきている。
制約の第2は半導体チップのチップサイズの問題である
。チップサイズが太き(なるとシリコンウニへ当りの収
率が減りコスト高となる。このためチップサイズは、機
能を満たすに必要なだけの最小寸法にすることが望まし
い。
。チップサイズが太き(なるとシリコンウニへ当りの収
率が減りコスト高となる。このためチップサイズは、機
能を満たすに必要なだけの最小寸法にすることが望まし
い。
以上の2つの制約から、従来の半導体装置でチップサイ
ズを小さ(抑え、しかも外部リードの寸法を変えること
なく多ピン化を図る場合には、第6図に示す半導体チッ
プ1の内部電極パッド2と外部リード3との間の距離り
を長くとり、外部リードが配置される領域を広くして外
部リードの数を増やすという対策が必要になる。
ズを小さ(抑え、しかも外部リードの寸法を変えること
なく多ピン化を図る場合には、第6図に示す半導体チッ
プ1の内部電極パッド2と外部リード3との間の距離り
を長くとり、外部リードが配置される領域を広くして外
部リードの数を増やすという対策が必要になる。
ところが、この距離りが長くなるに従い、ワイヤーボン
ディングによって結線されるワイヤは第6図のAに示す
ようなカール形状やリード面よりワイヤが下方に垂れ下
がった形状になり易くなる。
ディングによって結線されるワイヤは第6図のAに示す
ようなカール形状やリード面よりワイヤが下方に垂れ下
がった形状になり易くなる。
また、ボンディング時には支障なく結線されたワイヤで
あっても、樹脂封止によって封止される半導体装置では
ワイヤが長い分圧入さ軌る樹脂によってワイヤが容易に
変形するようになる。そして、このようなワイヤの変形
は内部ショートの原因となる。
あっても、樹脂封止によって封止される半導体装置では
ワイヤが長い分圧入さ軌る樹脂によってワイヤが容易に
変形するようになる。そして、このようなワイヤの変形
は内部ショートの原因となる。
以上のように、内部電極パッドと外部リードとの距離が
長くなるとワイヤの結線不良が生じ易いため、従来の半
導体装置で多ピン化を図る場合には内部電極パッドと外
部リードとの距離が長く取れない分、チップの機能とは
無関係にチップサイズを大きくしなくてはならずコスト
高になるという問題があった。
長くなるとワイヤの結線不良が生じ易いため、従来の半
導体装置で多ピン化を図る場合には内部電極パッドと外
部リードとの距離が長く取れない分、チップの機能とは
無関係にチップサイズを大きくしなくてはならずコスト
高になるという問題があった。
本発明はチップサイズを大きくすることなく多ビン化を
実現する半導体装置を提供することを目的とする。
実現する半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、回路機能を有する半導体チップ
の外側位置に複数個の中継パッドを設けた中継チップを
配設し、半導体チップの電極パッドと外部リードとを接
続するボンディングワイヤの中間一部をこの中継パッド
に接続している。
の外側位置に複数個の中継パッドを設けた中継チップを
配設し、半導体チップの電極パッドと外部リードとを接
続するボンディングワイヤの中間一部をこの中継パッド
に接続している。
〔作用]
上述した構成では、ボンディングワイヤは中間一部が中
継パッドにより支持されるため、その機械的な強度が増
大され、ボンディングワイヤの変形による内部ショート
を防止する。
継パッドにより支持されるため、その機械的な強度が増
大され、ボンディングワイヤの変形による内部ショート
を防止する。
〔実施例]
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明の第1実施例の要部の平面図、第
1図(b)はその全体縦断面図である。
1図(b)はその全体縦断面図である。
これらの図において、主チップlは回路機能を存する従
来の半導体チップである。また、中継チップ6は、それ
自体は回路機能を持たずその内部には、相互に電気的に
絶縁されたワイヤーボンディング可能な中継パッド7の
みを有する半導体チップである。そして、リードフレー
ムのアイランド4は、主チップ1と中継チップ6を所定
の距1離して搭載可能な面積を有しており、前記主チッ
プ1をアイランド4の略中夫に、中継チップ6を主チッ
プ1の両側のアイランド4上に夫々固着している。なお
、主チップlと中継チップ6は電気的に絶縁されている
。
来の半導体チップである。また、中継チップ6は、それ
自体は回路機能を持たずその内部には、相互に電気的に
絶縁されたワイヤーボンディング可能な中継パッド7の
みを有する半導体チップである。そして、リードフレー
ムのアイランド4は、主チップ1と中継チップ6を所定
の距1離して搭載可能な面積を有しており、前記主チッ
プ1をアイランド4の略中夫に、中継チップ6を主チッ
プ1の両側のアイランド4上に夫々固着している。なお
、主チップlと中継チップ6は電気的に絶縁されている
。
一方、主チップ1の内部電極パッド2と外部リード3と
はボンディングワイヤ5によって接続されているが、こ
こではボンディングワイヤ5の中間一部を前記中継チッ
プ6の中継パッド7に接続している。
はボンディングワイヤ5によって接続されているが、こ
こではボンディングワイヤ5の中間一部を前記中継チッ
プ6の中継パッド7に接続している。
このボンディングワイヤ5の接続方法としては、例えば
第2図(a)に示すように、キャピラリ(ボンディング
ツール)Tを用いて主チップ1の内部電極バッド2にボ
ンディングワイヤ5の先端を接続した後、ボンディング
ワイヤ5を移動させて今度は中継チップ6の中継パッド
7にボンディングを行う。更に、同図(b)のように、
ボンディングワイヤ5を延長させて外部リード3にも接
続を行う。その後、同図(c)のように、ボンディング
ワイヤ5を切断し、ボンディングが完了される。
第2図(a)に示すように、キャピラリ(ボンディング
ツール)Tを用いて主チップ1の内部電極バッド2にボ
ンディングワイヤ5の先端を接続した後、ボンディング
ワイヤ5を移動させて今度は中継チップ6の中継パッド
7にボンディングを行う。更に、同図(b)のように、
ボンディングワイヤ5を延長させて外部リード3にも接
続を行う。その後、同図(c)のように、ボンディング
ワイヤ5を切断し、ボンディングが完了される。
なお、ボンディングワイヤの他の接続方法としては、第
3図(a)のように、最初に主チップ1の内部電極バッ
ド2と中継チップ6の中継パッド7とのボンディングを
行い、−旦ボンディングワイヤ5を切断する。その後、
再びボンディングボール5aを形成後、同図(b)のよ
うに、中継パッド7と外部リード3とのボンディングを
行う。
3図(a)のように、最初に主チップ1の内部電極バッ
ド2と中継チップ6の中継パッド7とのボンディングを
行い、−旦ボンディングワイヤ5を切断する。その後、
再びボンディングボール5aを形成後、同図(b)のよ
うに、中継パッド7と外部リード3とのボンディングを
行う。
その後、同図(C)ようにボンディングワイヤ5を切断
してボンディングが完了される。
してボンディングが完了される。
したがって、この構成では、ボンディングワイヤ5はそ
の中間の一部において中継チップ6により支持されるこ
とになり、ボンディングワイヤ5を長くした場合でもそ
の機械的な強度が向上される。これにより、半導体チッ
プ(主チップ)を小型化し、かつ一方で外部リードを他
ピン化して両者間の距離を大きくした場合でも、ボンデ
ィングワイヤ5の変形が防止され、内部シa −トの発
生を抑制することができる。
の中間の一部において中継チップ6により支持されるこ
とになり、ボンディングワイヤ5を長くした場合でもそ
の機械的な強度が向上される。これにより、半導体チッ
プ(主チップ)を小型化し、かつ一方で外部リードを他
ピン化して両者間の距離を大きくした場合でも、ボンデ
ィングワイヤ5の変形が防止され、内部シa −トの発
生を抑制することができる。
第4図は本発明の第2実施例を示しており、半導体装置
の内部構造の一部平面図である。
の内部構造の一部平面図である。
この実施例では、第4図(a)のように、中継チップ6
に設けた複数個の中継パッド7のうち、所定のものにつ
いては中継チップ6内に設けた内部配線8により相互に
電気接続した構成としている。ここでは、中継パッド7
aと中継パッド7bが電気接続されている。
に設けた複数個の中継パッド7のうち、所定のものにつ
いては中継チップ6内に設けた内部配線8により相互に
電気接続した構成としている。ここでは、中継パッド7
aと中継パッド7bが電気接続されている。
したがって、第2図(a)のように、ボンディングワイ
ヤ5の中間を中継パッド7aに接続し、更にこのワイヤ
5をそのまま延長して外部リード3に接続する構成とす
るのは勿論であるが、第2図(b)のように、ボンディ
ングワイヤ5で内部電極パッド2と中継パッド7aとを
接続する一方で、別のボンディングワイヤ5Aで中継パ
ッド7bと外部リード3を接続する構成とすることも可
能である。
ヤ5の中間を中継パッド7aに接続し、更にこのワイヤ
5をそのまま延長して外部リード3に接続する構成とす
るのは勿論であるが、第2図(b)のように、ボンディ
ングワイヤ5で内部電極パッド2と中継パッド7aとを
接続する一方で、別のボンディングワイヤ5Aで中継パ
ッド7bと外部リード3を接続する構成とすることも可
能である。
これにより、同一の主チップ1を異種のリードフレーム
に容易に搭載することができ、主チップ1及びリードフ
レームの汎用性を高めることができるという利点がある
。
に容易に搭載することができ、主チップ1及びリードフ
レームの汎用性を高めることができるという利点がある
。
以上説明したように本発明は、ボンディングワイヤを中
継支持する中継チップを設けることにより、電極パッド
と外部リードとの距離が長くなってもワイヤの接続不良
を防止でき、半導体チップの小型化を図る一方で他ビン
化が実現できる。また、中継チップには中継パッドのみ
を設ければよいため、製造に必要な工程数は非常に少な
くてよく、しかも半導体装置の組立に際しても特別な設
備を必要としないため、上述した他ピン化された半導体
装置を低コストで実現できる効果がある。
継支持する中継チップを設けることにより、電極パッド
と外部リードとの距離が長くなってもワイヤの接続不良
を防止でき、半導体チップの小型化を図る一方で他ビン
化が実現できる。また、中継チップには中継パッドのみ
を設ければよいため、製造に必要な工程数は非常に少な
くてよく、しかも半導体装置の組立に際しても特別な設
備を必要としないため、上述した他ピン化された半導体
装置を低コストで実現できる効果がある。
第1図(a)は本発明の半導体装置の第1実施例の一部
の平面図、第1図(b)はその全体構成の縦断面図、第
2図(a)乃至第2図(c)はワイヤのボンディング方
法を説明するための一部の縦断面図、第3図(a)乃至
第3図(C)は他のワイヤボンディング方法を説明する
ための一部の縦断面図、第4図(a)および第4図(b
)は本発明の第2実施例の夫々異なる態様を示す一部の
平面図、第5図は従来の半導体装置の縦断面図、第6図
は従来の半導体装置の問題を説明するための一部の平面
図である。 1・・・主チップ(半導体チップ)、2・・・内部電極
パッド、3・・・外部リード、4・・・アイランド、5
.5A・・・ボンディングワイヤ、5a・・・ボール、
6・・・中継チップ、7.7a、7b・・・中継パッド
、8・・・内部配線、T・・・キャピラリ(ボンディン
グツール)。 第 図 (a) (b) 第3 図 (a) (b) (C) 第2 図 (a) (C) 第4 図 (a) (b)
の平面図、第1図(b)はその全体構成の縦断面図、第
2図(a)乃至第2図(c)はワイヤのボンディング方
法を説明するための一部の縦断面図、第3図(a)乃至
第3図(C)は他のワイヤボンディング方法を説明する
ための一部の縦断面図、第4図(a)および第4図(b
)は本発明の第2実施例の夫々異なる態様を示す一部の
平面図、第5図は従来の半導体装置の縦断面図、第6図
は従来の半導体装置の問題を説明するための一部の平面
図である。 1・・・主チップ(半導体チップ)、2・・・内部電極
パッド、3・・・外部リード、4・・・アイランド、5
.5A・・・ボンディングワイヤ、5a・・・ボール、
6・・・中継チップ、7.7a、7b・・・中継パッド
、8・・・内部配線、T・・・キャピラリ(ボンディン
グツール)。 第 図 (a) (b) 第3 図 (a) (b) (C) 第2 図 (a) (C) 第4 図 (a) (b)
Claims (1)
- 1、半導体チップの電極パッドと外部リードとをボンデ
ィングワイヤにより接続する半導体装置において、回路
機能を有する半導体チップの外側位置に複数個の中継パ
ッドを設けた中継チップを配設し、前記ボンディングワ
イヤの中間一部をこの中継パッドに接続したことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037514A JPH02216839A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037514A JPH02216839A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216839A true JPH02216839A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12499647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1037514A Pending JPH02216839A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216839A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115977B2 (en) * | 2000-09-28 | 2006-10-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multi-chip package type semiconductor device |
| US8404980B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Relay board and semiconductor device having the relay board |
| WO2013140928A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイス |
| CN108269792A (zh) * | 2011-05-18 | 2018-07-10 | 晟碟半导体(上海)有限公司 | 瀑布引线键合 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1037514A patent/JPH02216839A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115977B2 (en) * | 2000-09-28 | 2006-10-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multi-chip package type semiconductor device |
| US8053278B2 (en) | 2000-09-28 | 2011-11-08 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Multi-chip package type semiconductor device |
| US8404980B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Relay board and semiconductor device having the relay board |
| CN108269792A (zh) * | 2011-05-18 | 2018-07-10 | 晟碟半导体(上海)有限公司 | 瀑布引线键合 |
| WO2013140928A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイス |
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