JPH02218112A - パターン転写方法とマスク - Google Patents
パターン転写方法とマスクInfo
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- JPH02218112A JPH02218112A JP1039665A JP3966589A JPH02218112A JP H02218112 A JPH02218112 A JP H02218112A JP 1039665 A JP1039665 A JP 1039665A JP 3966589 A JP3966589 A JP 3966589A JP H02218112 A JPH02218112 A JP H02218112A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光、Ｘ線、電子線等のエネルギー線により
集積回路パターン等のパターンをウェハ上のレジスト層
に転写する方法並びにこの方法の実施に直接使用するパ
ターン転写用マスクに関するものである。
集積回路パターン等のパターンをウェハ上のレジスト層
に転写する方法並びにこの方法の実施に直接使用するパ
ターン転写用マスクに関するものである。
［発明の概要］
この発明は、パターン転写用マスクにおいて被転写パタ
ーン領域を１２角形以上の多角形状に形成すると共に、
この多角形状の被転写パターン領域を取囲むように方形
状の輪郭形状を有する透過阻止領域を形成したことによ
りスループットの向上を図ったものである。
ーン領域を１２角形以上の多角形状に形成すると共に、
この多角形状の被転写パターン領域を取囲むように方形
状の輪郭形状を有する透過阻止領域を形成したことによ
りスループットの向上を図ったものである。
［従来の技術］
従来、ステップアンドリピート型縮少投影露光装置等の
パターン転写装置にあっては、第２０図に例示するよう
なホトマスク１０が用いられている。
パターン転写装置にあっては、第２０図に例示するよう
なホトマスク１０が用いられている。
ホトマスクｌＯにおいて、例えばガラス又は石英からな
る方形状のマスク基板の表面には１例えばクロム等の金
属を被着してバターニングすることにより被露光パター
ン領域１２が形成されている。
る方形状のマスク基板の表面には１例えばクロム等の金
属を被着してバターニングすることにより被露光パター
ン領域１２が形成されている。
被露光パターン領域１２は、−例として８個のチップ内
パターン領域Ａ−Ｈを直交行列的に配置してなり、この
配置の輪郭に対応する領域１２の平面図形は、長方形を
なすようになっている。長方形状の領域１２は、その四
辺がそれぞれホトマスクｌＯの四辺と平行をなすように
配置されている。
パターン領域Ａ−Ｈを直交行列的に配置してなり、この
配置の輪郭に対応する領域１２の平面図形は、長方形を
なすようになっている。長方形状の領域１２は、その四
辺がそれぞれホトマスクｌＯの四辺と平行をなすように
配置されている。
ホトマスクｌＯには、長方形状の領域１２を取囲むよう
に帯状の遮光領域１４が形成されている。この遮光領域
１４は、後述するように絞り機構の開口端ぼけが投影さ
れる領域である。
に帯状の遮光領域１４が形成されている。この遮光領域
１４は、後述するように絞り機構の開口端ぼけが投影さ
れる領域である。
第２１図は、上記のようなホトマスクＩＯを用いる投影
露光系の一例を示すものである。ランプ２０及びミラー
２２を含む照明系から放射される光は、コンデンサレン
ズ２４、絞り機構２８、ホトマスクｌＯ１投影レンズ（
例えば５：ｌ縮少投影レンズ）２８を介してウニへステ
ージ上のウェハ３０に照射される。ウェハステージは、
Ｘ方向（左右方向）、Ｙ方向（前後方向）、Ｘ方向（上
下方向即ち光軸方向）及びθ方向（回転方向）に任意に
ウェハ位置を制御可能になっている。
露光系の一例を示すものである。ランプ２０及びミラー
２２を含む照明系から放射される光は、コンデンサレン
ズ２４、絞り機構２８、ホトマスクｌＯ１投影レンズ（
例えば５：ｌ縮少投影レンズ）２８を介してウニへステ
ージ上のウェハ３０に照射される。ウェハステージは、
Ｘ方向（左右方向）、Ｙ方向（前後方向）、Ｘ方向（上
下方向即ち光軸方向）及びθ方向（回転方向）に任意に
ウェハ位置を制御可能になっている。
絞り機構２Ｂは、第２０図に平面配置を示すようにＸ方
向に移動自在な２枚の遮光部材Ｐ、Ｑと。
向に移動自在な２枚の遮光部材Ｐ、Ｑと。
Ｙ方向に移動自在な２枚の遮光部材Ｒ，Ｓとを組合せて
方形状の絞り孔２６ａを形成するもので、この絞り孔２
８ａの開口端ぼけがホトマスクｌＯ上の遮光領域１４に
投影されるように各遮光部材の位置を制御可能になって
いる。
方形状の絞り孔２６ａを形成するもので、この絞り孔２
８ａの開口端ぼけがホトマスクｌＯ上の遮光領域１４に
投影されるように各遮光部材の位置を制御可能になって
いる。
露光処理にあたっては、ホトマスク１０をマスクステー
ジにセットした後、マスクステージのＸ、Ｙ、θ方向の
位置制御によりマスク位置合せを行なう、そして、絞り
を調節してからウェハステージにウェハをセットし、ウ
ェハステージのＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置制御によりウ
ェハ位置合せを行なう、この後、図示しないシャッタを
開いて１回目の露光を行ない、その露光が終ると、ウェ
ハステージをステップ移動させて２回目の露光を行ない
、以下同様にしてウェハ全面終了までステ・ンプ移動及
び露光を繰返す０通常、このような一連の操作はコンピ
ュータ制御の下に自動的に遂行される。
ジにセットした後、マスクステージのＸ、Ｙ、θ方向の
位置制御によりマスク位置合せを行なう、そして、絞り
を調節してからウェハステージにウェハをセットし、ウ
ェハステージのＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置制御によりウ
ェハ位置合せを行なう、この後、図示しないシャッタを
開いて１回目の露光を行ない、その露光が終ると、ウェ
ハステージをステップ移動させて２回目の露光を行ない
、以下同様にしてウェハ全面終了までステ・ンプ移動及
び露光を繰返す０通常、このような一連の操作はコンピ
ュータ制御の下に自動的に遂行される。
第２２図は、上記のような露光処理により半導体ウェハ
３０上のレジスト層に対してホトマスクｌＯの被露光パ
ターン領域１２のパターンを反復的に転写した例を示す
もので、 １２Ａは１回の露光により転写されたパター
ン転写領域を示している。ウェハ上面には、このような
パターン転写領域１２Ａがステップ移動及び露光の繰返
しに伴い二次元的に配置されるようになる。
３０上のレジスト層に対してホトマスクｌＯの被露光パ
ターン領域１２のパターンを反復的に転写した例を示す
もので、 １２Ａは１回の露光により転写されたパター
ン転写領域を示している。ウェハ上面には、このような
パターン転写領域１２Ａがステップ移動及び露光の繰返
しに伴い二次元的に配置されるようになる。
［発明が解決しようとする課題］
上記した従来技術によると、投影露光系のレンズ径等で
決まる円形状の有効露光領域１６が与えられた場合、こ
の領域１６の円にほぼ内接する長方形が被露光パターン
領域１２に相当し、この長方形状の領域１２内に配置さ
れたチップ内パターンが１回の露光処理でウェハに転写
される。
決まる円形状の有効露光領域１６が与えられた場合、こ
の領域１６の円にほぼ内接する長方形が被露光パターン
領域１２に相当し、この長方形状の領域１２内に配置さ
れたチップ内パターンが１回の露光処理でウェハに転写
される。
スルーブツトを向上させるためには、長方形状の領域１
２の面積を大きくすればよいが、このようにすると、円
形状の有効露光領域１６の面積も領域１２の長方形に外
接する程度に大きくしなければならない、このため、露
光装置としては、レンズ径が大きいものを必要とすると
共に、マスク基板においても、位置合せマーク、防塵用
のペリクル付きフレーム等の設置スペースが減少すると
いう問題点があった。
２の面積を大きくすればよいが、このようにすると、円
形状の有効露光領域１６の面積も領域１２の長方形に外
接する程度に大きくしなければならない、このため、露
光装置としては、レンズ径が大きいものを必要とすると
共に、マスク基板においても、位置合せマーク、防塵用
のペリクル付きフレーム等の設置スペースが減少すると
いう問題点があった。
この発明の目的は、有効露光領域の拡−犬を要せずして
スルーブツトの向上を可能とすることにある。
スルーブツトの向上を可能とすることにある。
［課題を解決するための手段］
この発明は、マスク基板上に被転写パターン領域を形成
して成るマスクに対して絞り機構に設けられた開口サイ
ズ可変の方形状の絞り孔を介して転写用のエネルギー線
を照射し、前記マスクを透過したエネルギー線により前
記被転写パターン領域のパターン像をウェハ上のレジス
ト層に転写することを含むパターン転写方法において、
前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被
転写パターン領域の平面図形は、行方向及び列方向につ
いて各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にそ
の両側の部分図形が該２等分線に関して対称である１２
角形以上の多角形をなしており、前記マスク基板上には
、前記エネルギー線の透過を阻止する材料を前記被転写
パターン領域を取囲むように被着して方形状の輪郭形状
を有する透過阻止領域が形成されており、前記絞り孔の
開口サイズを該絞り孔の開口端ぼけが前記透過阻止領域
内に投影されるように定めた状態でパターン転写を行な
うことを特徴とするものである。
して成るマスクに対して絞り機構に設けられた開口サイ
ズ可変の方形状の絞り孔を介して転写用のエネルギー線
を照射し、前記マスクを透過したエネルギー線により前
記被転写パターン領域のパターン像をウェハ上のレジス
ト層に転写することを含むパターン転写方法において、
前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被
転写パターン領域の平面図形は、行方向及び列方向につ
いて各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にそ
の両側の部分図形が該２等分線に関して対称である１２
角形以上の多角形をなしており、前記マスク基板上には
、前記エネルギー線の透過を阻止する材料を前記被転写
パターン領域を取囲むように被着して方形状の輪郭形状
を有する透過阻止領域が形成されており、前記絞り孔の
開口サイズを該絞り孔の開口端ぼけが前記透過阻止領域
内に投影されるように定めた状態でパターン転写を行な
うことを特徴とするものである。
［作 用］
この発明のパターン転写方法によると、被転写パターン
領域が第１図に被露光パターン領域１２として例示する
ように多角形状をなすので、有効露光領域１Ｂを拡大し
なくても、被転写パターン領域内により多くのチップ内
パターン領域を配置することができる。
領域が第１図に被露光パターン領域１２として例示する
ように多角形状をなすので、有効露光領域１Ｂを拡大し
なくても、被転写パターン領域内により多くのチップ内
パターン領域を配置することができる。
また、パターン転写は、被転写パターン領域の周囲に形
成した方形状の輪郭形状の透過阻止領域に適合するよう
に方形状の絞り孔の開口サイズを定めて行なうようにし
たので、被転写パターン領域が多角形状であっても従来
の絞り機構のままで支障なくパターン転写を行なえる。
成した方形状の輪郭形状の透過阻止領域に適合するよう
に方形状の絞り孔の開口サイズを定めて行なうようにし
たので、被転写パターン領域が多角形状であっても従来
の絞り機構のままで支障なくパターン転写を行なえる。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例によるホトマスク上方の
遮光部材配置を示すもので、第２０図のものと異なる点
は、ホトマスク１０において被露光パターン領域１２及
び遮光領域１４の形状を変更したことであり、その他の
点は第２０図及び第２１図に関して前述したものと同様
である。
遮光部材配置を示すもので、第２０図のものと異なる点
は、ホトマスク１０において被露光パターン領域１２及
び遮光領域１４の形状を変更したことであり、その他の
点は第２０図及び第２１図に関して前述したものと同様
である。
被露光パターン領域１２にあっては、各々方形状でほぼ
同一サイズの１２個のチップ内パターン領域Ａ−Ｌが直
交行列的に配置されており、この直交行列的な配置の輪
郭に対応する領域１２の平面図形は、行方向及び列方向
について各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎
にその両側の部分図形が該２等分線に関して対称である
１２角形をなしている。このような１２角形状の領域１
２を取囲むように方形状の輪郭形状を有する遮光領域１
４が形成されている。
同一サイズの１２個のチップ内パターン領域Ａ−Ｌが直
交行列的に配置されており、この直交行列的な配置の輪
郭に対応する領域１２の平面図形は、行方向及び列方向
について各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎
にその両側の部分図形が該２等分線に関して対称である
１２角形をなしている。このような１２角形状の領域１
２を取囲むように方形状の輪郭形状を有する遮光領域１
４が形成されている。
露光処理にあたっては、遮光部材Ｐ−８の配置を調整す
ることにより絞り孔２６ａ（第２１図）の開口サイズを
絞り孔２６ａの開口端ぼけが遮光領域１４内に投影され
るように定めた状態でパターン転写を行なう。
ることにより絞り孔２６ａ（第２１図）の開口サイズを
絞り孔２６ａの開口端ぼけが遮光領域１４内に投影され
るように定めた状態でパターン転写を行なう。
第２図は、このようにして半導体ウェハ３０上のレジス
ト層へパターン転写した一例を示すもので、１２Ａは１
回の露光で転写されたパターン転写領域を示している。
ト層へパターン転写した一例を示すもので、１２Ａは１
回の露光で転写されたパターン転写領域を示している。
第２図と第２２図を対比すると、第２図の場合の方が露
光１回当りに転写されるチップ内パターン数が多く、ウ
ェハ１枚当りのパターン転写回数が少なくて済むことが
明らかである。
光１回当りに転写されるチップ内パターン数が多く、ウ
ェハ１枚当りのパターン転写回数が少なくて済むことが
明らかである。
第３図は、被露光パターン領域１２の１２角形状平面図
形を示すもので、Ｘ方向（行方向）に沿う３辺の長さを
ａ、２ａ、ａとし、Ｘ方向（列方向）に沿う３辺の長さ
をｂ、２ｂ、ｂとすると、このような図形は、第４図乃
至第６図に示すようにチップ内パターン領域を配置する
ことにより構成される。すなわち、第４図の例では、短
辺及び長辺の長さがそれぞれａ及びｂである長方形状の
チップ内パターン領域Ｂ１を１２個直交行列的に配置し
たものである。また、第５図の例では、短辺及び長辺の
長さがそれぞれｂ／２及びａである長方形状のチップ内
パターン領域Ｂ２を２４個直交行列的に配置したもので
ある。さらに、第６図の例では、短辺及び長辺の長さが
それぞれａ ／ ２及びｂ／２である長方形状のチップ
内パターン領域Ｂ３を４８個直交行列的に配置したもの
である。
形を示すもので、Ｘ方向（行方向）に沿う３辺の長さを
ａ、２ａ、ａとし、Ｘ方向（列方向）に沿う３辺の長さ
をｂ、２ｂ、ｂとすると、このような図形は、第４図乃
至第６図に示すようにチップ内パターン領域を配置する
ことにより構成される。すなわち、第４図の例では、短
辺及び長辺の長さがそれぞれａ及びｂである長方形状の
チップ内パターン領域Ｂ１を１２個直交行列的に配置し
たものである。また、第５図の例では、短辺及び長辺の
長さがそれぞれｂ／２及びａである長方形状のチップ内
パターン領域Ｂ２を２４個直交行列的に配置したもので
ある。さらに、第６図の例では、短辺及び長辺の長さが
それぞれａ ／ ２及びｂ／２である長方形状のチップ
内パターン領域Ｂ３を４８個直交行列的に配置したもの
である。
第７図は、第３図の図形をステップアンドリピート方式
で転写した場合の組合せ配置を示すもので、Ｘ方向及び
Ｘ方向のいずれについても密接した配置となっている。
で転写した場合の組合せ配置を示すもので、Ｘ方向及び
Ｘ方向のいずれについても密接した配置となっている。
第８図、第１θ図、第１２図、第１４図、第１６図及び
第１８図は、いずれも被露光パターン領域１２の平面図
形の他の例を示すもので、これらの平面図形についても
各図形毎に第４図乃至第６図から類推していくつかの配
置例が容易に考えられる。
第１８図は、いずれも被露光パターン領域１２の平面図
形の他の例を示すもので、これらの平面図形についても
各図形毎に第４図乃至第６図から類推していくつかの配
置例が容易に考えられる。
第８図の１２角形状平面図形は、Ｘ方向の３辺の長さを
いずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをいずれもｂと
したもので、第９図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
いずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをいずれもｂと
したもので、第９図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
第１０図の１２角形状平面図形は、Ｘ方向の３辺の長さ
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをｂ、２ｂ、
ｂとしたもので、第１１図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをｂ、２ｂ、
ｂとしたもので、第１１図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
第１２図の１２角形状平面図形は、Ｘ方向の３辺の長さ
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをｂ、３ｂ、
ｂとしたもので、第１３図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをｂ、３ｂ、
ｂとしたもので、第１３図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
第１４図の１２角形状平面図形は、Ｘ方向の３辺の長さ
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをす、４ｂ、
ｂとしたもので、第１５図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
をいずれもａとし且つＸ方向の３辺の長さをす、４ｂ、
ｂとしたもので、第１５図に示すように密接した組合せ
配置が可能である。
第１６図の２０角形状平面図形は、Ｘ方向の５辺の長さ
をａ、ａ、２ａ、ａ、ａとし且つＸ方向の５辺の長さを
す、ｂ、２ｂ、ｂ、ｂとしたもので、第１７図に示すよ
うに密接した組合せ配置が可能である。
をａ、ａ、２ａ、ａ、ａとし且つＸ方向の５辺の長さを
す、ｂ、２ｂ、ｂ、ｂとしたもので、第１７図に示すよ
うに密接した組合せ配置が可能である。
第１８図の２８角形状平面図形は、Ｘ方向の７辺の長さ
をａ、ａ、ａ、２ａ、ａ、ａ、ａとし且つＸ方向の７辺
の長さをす、ｂ、ｂ、２ｂ、ｂ、ｂ、ｂとしたもので、
第１８図に示すように密接した組合せ配置が可能である
。
をａ、ａ、ａ、２ａ、ａ、ａ、ａとし且つＸ方向の７辺
の長さをす、ｂ、ｂ、２ｂ、ｂ、ｂ、ｂとしたもので、
第１８図に示すように密接した組合せ配置が可能である
。
第３図、第８図、第１θ図、第１２図、第１４図、第１
６図又は第１８図に示したような被露光パターン領域１
２についても、その周囲に遮光材を被着して方形状の輪
郭形状を有する遮光領域を形成し、第１図で述べたと同
様にして露光処理を行なうことができる。
６図又は第１８図に示したような被露光パターン領域１
２についても、その周囲に遮光材を被着して方形状の輪
郭形状を有する遮光領域を形成し、第１図で述べたと同
様にして露光処理を行なうことができる。
以上のように、この発明によれば、被転写パターン領域
を多角形状としてより多くのチップ内パターン領域を配
置するようにしたので、露光１回当りの転写面積が拡大
され、スループットが向上する効果が得られるものであ
る。
を多角形状としてより多くのチップ内パターン領域を配
置するようにしたので、露光１回当りの転写面積が拡大
され、スループットが向上する効果が得られるものであ
る。
また、有効露光領域は拡大しなくてよいので。
特に大口径の露光装置を用いなくてよいこと。
マスク基板では位置合せマーク、ペリクル付きフレーム
等の設置スペースを十分とれることなどの利点もある。
等の設置スペースを十分とれることなどの利点もある。
その上、被転写パターン領域の周囲に方形状の輪郭形状
の透過阻止領域を設けたので、従来の絞り機構のままで
パターン転写を行なえる利点もある。
の透過阻止領域を設けたので、従来の絞り機構のままで
パターン転写を行なえる利点もある。
第１図は、この発明の一実施例によるホトマスク上方の
遮光部材配置を示す上面図、 第２図は、第１図のマスクパターンの転写例を示すウェ
ハ上面図、 第３図は、被露光パターン領域の平面図形の一例を示す
図。 第４図乃至第６図は、被露光パターン領域内におけるチ
ップ内パターン領域の異なる配置例をそれぞれ示す平面
図、 第７図は、第３図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第８図、第１θ図、第１２図、第１４図、第１６図及び
第１８図は、被露光パターン領域の平面図形の他の例を
それぞれ示す図、 第９図、第１１図、第１３図、第１５図、第１７図及び
第１９図は、それぞれ第８図、第１Ｏ図、第１２図、第
１４図、第１６図及び第１８図の図形の組合せ配置を示
す平面図、 第２０図は、従来例によるホトマスク上方の遮光部材配
置を示す上面図、 第２１図は、投影露光系の一例を示す図、第２２図は、
第２０図のマスクパターンの転写例を示すウェハ上面図
である。 ｌＯ・・・ホトマスク、１２・・・被露光パターン領域
、１４・・・遮光領域、２０・・・ランプ、２２・・・
ミラー％２４・・・コンデンサレンズ、２６・・・絞り
機構、２８・・・投影レンズ、３０・・・ウェハ、ｐ−
ｓ・・・遮光部材、Ａ−Ｌ。 Ｂ、−Ｂ、・・・チップ内パターン領域。
遮光部材配置を示す上面図、 第２図は、第１図のマスクパターンの転写例を示すウェ
ハ上面図、 第３図は、被露光パターン領域の平面図形の一例を示す
図。 第４図乃至第６図は、被露光パターン領域内におけるチ
ップ内パターン領域の異なる配置例をそれぞれ示す平面
図、 第７図は、第３図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第８図、第１θ図、第１２図、第１４図、第１６図及び
第１８図は、被露光パターン領域の平面図形の他の例を
それぞれ示す図、 第９図、第１１図、第１３図、第１５図、第１７図及び
第１９図は、それぞれ第８図、第１Ｏ図、第１２図、第
１４図、第１６図及び第１８図の図形の組合せ配置を示
す平面図、 第２０図は、従来例によるホトマスク上方の遮光部材配
置を示す上面図、 第２１図は、投影露光系の一例を示す図、第２２図は、
第２０図のマスクパターンの転写例を示すウェハ上面図
である。 ｌＯ・・・ホトマスク、１２・・・被露光パターン領域
、１４・・・遮光領域、２０・・・ランプ、２２・・・
ミラー％２４・・・コンデンサレンズ、２６・・・絞り
機構、２８・・・投影レンズ、３０・・・ウェハ、ｐ−
ｓ・・・遮光部材、Ａ−Ｌ。 Ｂ、−Ｂ、・・・チップ内パターン領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスク基板上に被転写パターン領域を形成して成る
マスクに対して絞り機構に設けられた開口サイズ可変の
方形状の絞り孔を介して転写用のエネルギー線を照射し
、前記マスクを透過したエネルギー線により前記被転写
パターン領域のパターン像をウェハ上のレジスト層に転
写することを含むパターン転写方法において、 前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、 この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被転写パタ
ーン領域の平面図形は、行方向及び列方向について各方
向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にその両側の
部分図形が該２等分線に関して対称である１２角形以上
の多角形をなしてお前記マスク基板上には、前記エネル
ギー線の透過を阻止する材料を前記被転写パターン領域
を取囲むように被着して方形状の輪郭形状を有する透過
阻止領域が形成されており、 前記絞り孔の開口サイズを該絞り孔の開口端ぼけが前記
透過阻止領域内に投影されるように定めた状態でパター
ン転写を行なうことを特徴とするパターン転写方法。 ２、マスク基板上に被転写パターン領域を形成して成る
パターン転写用マスクにおいて、 前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、 この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被転写パタ
ーン領域の平面図形は、行方向及び列方向について各方
向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にその両側の
部分図形が該２等分線に関して対称である１２角形以上
の多角形をなしており、 前記マスク基板上には、前記エネルギー線の透過を阻止
する材料を前記被転写パターン領域を取囲むように被着
して方形状の輪郭形状を有する透過阻止領域が形成され
ていることを特徴とするパターン転写用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966589A JPH0670963B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法とマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966589A JPH0670963B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法とマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218112A true JPH02218112A (ja) | 1990-08-30 |
| JPH0670963B2 JPH0670963B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=12559382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3966589A Expired - Fee Related JPH0670963B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法とマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670963B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103019039A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 夏普株式会社 | 用于曝光的掩模版、曝光方法以及半导体晶片的生产方法 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP3966589A patent/JPH0670963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103019039A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 夏普株式会社 | 用于曝光的掩模版、曝光方法以及半导体晶片的生产方法 |
| JP2013080196A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Sharp Corp | 露光用レチクル、露光方法および半導体ウエハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670963B2 (ja) | 1994-09-07 |
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