JPH02218171A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH02218171A JPH02218171A JP3867689A JP3867689A JPH02218171A JP H02218171 A JPH02218171 A JP H02218171A JP 3867689 A JP3867689 A JP 3867689A JP 3867689 A JP3867689 A JP 3867689A JP H02218171 A JPH02218171 A JP H02218171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- sensor chip
- chip
- temperature compensation
- Prior art date
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- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体圧力センサに関する。
［従来の技術］
第３図は、従来の半導体圧力センサの圧力センサチップ
の断面図であり、この半導体圧力センサチップ１０は、
シリコンからなり、圧力を感知するゲージ抵抗２が埋め
込まれたダイヤフラム部３を有している。このゲージ抵
抗２は、４つ形成されており、基板内部でブリッジ回路
が構成されている。
の断面図であり、この半導体圧力センサチップ１０は、
シリコンからなり、圧力を感知するゲージ抵抗２が埋め
込まれたダイヤフラム部３を有している。このゲージ抵
抗２は、４つ形成されており、基板内部でブリッジ回路
が構成されている。
この半導体圧力センサチップ！。は、感知した圧力を対
応する電圧に変換し、第４図の回路構成図に示されるよ
うに、増幅回路６等を備えるＩＣチップ５゜に与えるよ
うにしている。従来、このＩＣチップ５゜には、半導体
圧力センサチップ１０のスパン電圧の温度特性を補償す
るためのスパン温度補償用抵抗４゜が形成されている。
応する電圧に変換し、第４図の回路構成図に示されるよ
うに、増幅回路６等を備えるＩＣチップ５゜に与えるよ
うにしている。従来、このＩＣチップ５゜には、半導体
圧力センサチップ１０のスパン電圧の温度特性を補償す
るためのスパン温度補償用抵抗４゜が形成されている。
〔発明が解決しようとする課題］
このようにＩＣチップ５゜にスパン温度補償用抵抗４゜
が形成されているために、温度補償を正確に行うために
は、半導体圧力センサチップ１゜とＩＣチップ５゜との
温度は、可及的に等しくしておく必要があり、このため
、従来では、半導体圧力センサチップ！。と、この半導
体圧力センサチップ１゜の出力電圧を増幅する増幅回路
６等を有するＩＣチップ５゜とは、出来るだけ近接した
位置に取り付けなければならないという制約があった。
が形成されているために、温度補償を正確に行うために
は、半導体圧力センサチップ１゜とＩＣチップ５゜との
温度は、可及的に等しくしておく必要があり、このため
、従来では、半導体圧力センサチップ！。と、この半導
体圧力センサチップ１゜の出力電圧を増幅する増幅回路
６等を有するＩＣチップ５゜とは、出来るだけ近接した
位置に取り付けなければならないという制約があった。
本発明は、上述の点に鑑みて為されたもめであって、半
導体圧力センサチップと増幅回路等を有するＩＣチップ
とを近接配置しなくても温度補償ができるようにした半
導体圧力センサを提供することを目的とする。
導体圧力センサチップと増幅回路等を有するＩＣチップ
とを近接配置しなくても温度補償ができるようにした半
導体圧力センサを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明では、上述の目的を達成するために、圧力を感知
するゲージ抵抗が埋め込まれたダイヤフラム部を有する
半導体圧力センサチップに、該半導体圧力センサチップ
のスパン電圧の温度特性を補償するための温度補償用抵
抗を内蔵するようにしている。
するゲージ抵抗が埋め込まれたダイヤフラム部を有する
半導体圧力センサチップに、該半導体圧力センサチップ
のスパン電圧の温度特性を補償するための温度補償用抵
抗を内蔵するようにしている。
［作用］
上記構成によれば、半導体圧力センサチップに温度補償
用抵抗を内蔵したので、半導体圧力センサチップと増幅
回路等を有するＩＣチップとを、従来例にように近接し
て取付ける必要がなく、分離して取り付けても正確に温
度補償が行えることになる。
用抵抗を内蔵したので、半導体圧力センサチップと増幅
回路等を有するＩＣチップとを、従来例にように近接し
て取付ける必要がなく、分離して取り付けても正確に温
度補償が行えることになる。
［実施例］
以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例の半導体圧力センサチップ
１の断面図であり、第３図の従来例に対応する部分には
、同一の参照符を付す。
１の断面図であり、第３図の従来例に対応する部分には
、同一の参照符を付す。
この半導体圧力センサチップｌには、圧力を感知する４
つのゲージ抵抗２が、拡散形成されており、さらに、裏
面側がエツチングされてダイヤフラム部３が形成されて
いる。４つのゲージ抵抗２は、シリコン基板内部で結線
されてブリッジ回路が構成されている。
つのゲージ抵抗２が、拡散形成されており、さらに、裏
面側がエツチングされてダイヤフラム部３が形成されて
いる。４つのゲージ抵抗２は、シリコン基板内部で結線
されてブリッジ回路が構成されている。
以上の構成は、第３図の従来例と同様である。
この実施例の半導体圧力センサチップｌでは、そのスパ
ン電圧の温度特性を補償するためのスパン温度補償用抵
抗４を、ゲージ抵抗２と同様に拡散形成している。すな
わち、この半導体圧力センサチップ■には、スパン温度
補償用抵抗４が内蔵されており、この抵抗４に対応する
図示しないリード線取り出し部も形成されている。
ン電圧の温度特性を補償するためのスパン温度補償用抵
抗４を、ゲージ抵抗２と同様に拡散形成している。すな
わち、この半導体圧力センサチップ■には、スパン温度
補償用抵抗４が内蔵されており、この抵抗４に対応する
図示しないリード線取り出し部も形成されている。
第２図は、第１図の半導体圧力センサチップＩと、この
半導体圧力センサチップｌの出力電圧を増幅する増幅回
路等を有するＩＣチップ５との回路構成図であり、第４
図の従来例に対応する部分には、同一の参照符を付す。
半導体圧力センサチップｌの出力電圧を増幅する増幅回
路等を有するＩＣチップ５との回路構成図であり、第４
図の従来例に対応する部分には、同一の参照符を付す。
この第２図に示されるように、回路構成は、第４図の従
来例と同様であるが、半導体圧力センサチップＩにスパ
ン温度補償用抵抗４が内蔵されており、したがって、Ｉ
Ｃチップ５にはスパン温度補償用抵抗４は設けられてい
ない。
来例と同様であるが、半導体圧力センサチップＩにスパ
ン温度補償用抵抗４が内蔵されており、したがって、Ｉ
Ｃチップ５にはスパン温度補償用抵抗４は設けられてい
ない。
このように半導体圧力センサチップｌ側にスパン温度補
償用抵抗４を設けたので、半導体圧力センサチップ１と
増幅回路６等を有するＩＣチップ５とを従来例のように
近接した位置に取り付けなくても温度補償が可能となる
。
償用抵抗４を設けたので、半導体圧力センサチップ１と
増幅回路６等を有するＩＣチップ５とを従来例のように
近接した位置に取り付けなくても温度補償が可能となる
。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、半導体圧力センサチップ
に、該半導体圧力センサチップのスパン電圧の温度特性
を補償するための温度補償用抵抗を内蔵したので、半導
体圧力センサチップと増幅回路等を有するＩＣチップと
を従来例のように近接して取り付けなくても正確な温度
補償を行うことが可能となる。
に、該半導体圧力センサチップのスパン電圧の温度特性
を補償するための温度補償用抵抗を内蔵したので、半導
体圧力センサチップと増幅回路等を有するＩＣチップと
を従来例のように近接して取り付けなくても正確な温度
補償を行うことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の半導体圧力センサチップの
構造を示す断面図、第２図は第１図の半導体圧力センサ
チップとＩＣチップとの回路構成図、第３図は従来例の
半導体圧力センサチップの構造を示す断面図、第４図は
従来例の半導体圧力センサチップとＩＣチップとの回路
構成図である。 ｔ ｌｏ・・・半導体圧力センサチップ、２・・・ゲ
ージ抵抗、４．４８・・・スパン温度補償用抵抗、５．
５゜・・・ＩＣチップ。
構造を示す断面図、第２図は第１図の半導体圧力センサ
チップとＩＣチップとの回路構成図、第３図は従来例の
半導体圧力センサチップの構造を示す断面図、第４図は
従来例の半導体圧力センサチップとＩＣチップとの回路
構成図である。 ｔ ｌｏ・・・半導体圧力センサチップ、２・・・ゲ
ージ抵抗、４．４８・・・スパン温度補償用抵抗、５．
５゜・・・ＩＣチップ。
Claims (1)
- （１）圧力を感知するゲージ抵抗が埋め込まれたダイヤ
フラム部を有する半導体圧力センサチップに、該半導体
圧力センサチップのスパン電圧の温度特性を補償するた
めの温度補償用抵抗を内蔵したことを特徴とする半導体
圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867689A JPH02218171A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867689A JPH02218171A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218171A true JPH02218171A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12531881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3867689A Pending JPH02218171A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218171A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138414A (en) * | 1990-08-03 | 1992-08-11 | Nissan Motor Company, Ltd. | Pressure sensitive semiconductor device with cantilevers |
| US5191237A (en) * | 1990-08-24 | 1993-03-02 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor type semiconductor sensor |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145327A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure transducer |
| JPS6323371A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
| JPS6341079A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体歪変換装置 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3867689A patent/JPH02218171A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145327A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure transducer |
| JPS6323371A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
| JPS6341079A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体歪変換装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138414A (en) * | 1990-08-03 | 1992-08-11 | Nissan Motor Company, Ltd. | Pressure sensitive semiconductor device with cantilevers |
| US5191237A (en) * | 1990-08-24 | 1993-03-02 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor type semiconductor sensor |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
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