JPS63195537A - 絶対圧形半導体圧力センサ - Google Patents
絶対圧形半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS63195537A JPS63195537A JP2790387A JP2790387A JPS63195537A JP S63195537 A JPS63195537 A JP S63195537A JP 2790387 A JP2790387 A JP 2790387A JP 2790387 A JP2790387 A JP 2790387A JP S63195537 A JPS63195537 A JP S63195537A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- substrate
- sensing chip
- pressure sensing
- silicon
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン板のゲージ抵抗が形成されたダイヤ
フラム部の一面に基準圧力、他面に測定圧力を加える絶
対圧形半導体圧力センサに関する。
フラム部の一面に基準圧力、他面に測定圧力を加える絶
対圧形半導体圧力センサに関する。
従来の絶対圧形半導体圧力センサの一般的構造は、第２
図に示すようにゲージ抵抗を形成したダイヤフラム部を
有するシリコン感圧チップ１が、シリコンに近似した熱
膨張係数をもつ耐熱ガラスあるいはシリコン等からなる
台座１１を介して測定圧力が導かれる導圧管２に固定さ
れ、その導圧管が気密に貫通する底部１２と蓋部１３か
らなり、内部空間３が圧力基準室となる容器内に収容さ
れている。これは、例えば−４０〜１２０℃の範囲の温
度変化において、感圧チップとそれを支持する支持体と
の間の熱膨張係数の相違による応力がダイヤフラム部に
加わり、ダイヤフラムを変形させてあたかも測定圧力が
加わり変形させた場合と同様の結果となるのを防ぐもの
である。さらに、容器内には増幅回路などの制御回路を
構成する厚膜配線回路４を形成したり２０３などのセラ
ミック基板１４が収容され、その厚膜配線回路はチップ
ｌの端子とり、＾りなどの細＆ｊ１５のボンディングに
より接続されている。
図に示すようにゲージ抵抗を形成したダイヤフラム部を
有するシリコン感圧チップ１が、シリコンに近似した熱
膨張係数をもつ耐熱ガラスあるいはシリコン等からなる
台座１１を介して測定圧力が導かれる導圧管２に固定さ
れ、その導圧管が気密に貫通する底部１２と蓋部１３か
らなり、内部空間３が圧力基準室となる容器内に収容さ
れている。これは、例えば−４０〜１２０℃の範囲の温
度変化において、感圧チップとそれを支持する支持体と
の間の熱膨張係数の相違による応力がダイヤフラム部に
加わり、ダイヤフラムを変形させてあたかも測定圧力が
加わり変形させた場合と同様の結果となるのを防ぐもの
である。さらに、容器内には増幅回路などの制御回路を
構成する厚膜配線回路４を形成したり２０３などのセラ
ミック基板１４が収容され、その厚膜配線回路はチップ
ｌの端子とり、＾りなどの細＆ｊ１５のボンディングに
より接続されている。
しかし、上記の構造では特別な材料からなり、細孔を開
ける必要がある台座１１が用いられるので費用がかかり
、また感圧チップ１と台座１１および台座１１と導圧管
２との気密な接着が必要で、高度の技術を必要とするな
どコスト高の要因を含んでいる。
ける必要がある台座１１が用いられるので費用がかかり
、また感圧チップ１と台座１１および台座１１と導圧管
２との気密な接着が必要で、高度の技術を必要とするな
どコスト高の要因を含んでいる。
本発明の目的は、上述の問題を解決して、部品点数が少
なく加工、固着等に高度の技術を必要としない絶対圧形
半導体圧力センサを提供することにある。
なく加工、固着等に高度の技術を必要としない絶対圧形
半導体圧力センサを提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、一面側の中央
に凹部を形成してなるダイヤフラム部にゲージ抵抗を備
えたシリコン感圧チップが窒化アルミニウム ＩＮ）か
らなる基板上に凹部を基板側にして固着され、その基板
は感圧口を有する蓋体と気密に結合されてかつ基板面上
に厚膜配線回路が形成されるものとする。
に凹部を形成してなるダイヤフラム部にゲージ抵抗を備
えたシリコン感圧チップが窒化アルミニウム ＩＮ）か
らなる基板上に凹部を基板側にして固着され、その基板
は感圧口を有する蓋体と気密に結合されてかつ基板面上
に厚膜配線回路が形成されるものとする。
（作用〕
上記のような構造とすることにより、感圧チップのダイ
ヤフラム部とＭＮ基板との間の空間が基準圧力室となり
、基板と蓋体との間の空間に蓋体の導圧口から測定圧力
を導くことによりダイヤフラム部が変形し、圧力を検知
することができる。
ヤフラム部とＭＮ基板との間の空間が基準圧力室となり
、基板と蓋体との間の空間に蓋体の導圧口から測定圧力
を導くことによりダイヤフラム部が変形し、圧力を検知
することができる。
ＡＺＮは熱膨張係数がシリコンに近似しているため、温
度変化の際にも感圧チップに応力が加わることがない。
度変化の際にも感圧チップに応力が加わることがない。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合はシリコン感
圧チップ１がＡＺＮ基板６の上に固着されている。 Ａ
ＺＮは熱膨張係数が４．５ Ｘ １０−” ／にでＶｚ
Ｑ、の７． ＯＸ １０−’／ Ｋより小さく、３．５
×１０−”／にであるＳｔの熱膨張係数に近似している
。
には同一の符号が付されている。この場合はシリコン感
圧チップ１がＡＺＮ基板６の上に固着されている。 Ａ
ＺＮは熱膨張係数が４．５ Ｘ １０−” ／にでＶｚ
Ｑ、の７． ＯＸ １０−’／ Ｋより小さく、３．５
×１０−”／にであるＳｔの熱膨張係数に近似している
。
基板６の周囲は樹脂成形によって作成され、導圧管部２
が一体となった蓋体７と気密に結合される。
が一体となった蓋体７と気密に結合される。
この結果、容器の内部空間３の圧力は導圧管部２から導
入される測定圧力に保た。れる。これに対し、感圧チッ
プ１のダイヤフラム部と基板６との間の空間８が圧力基
準室となり、真空にされるか一定圧のガスが封入される
。 Ａ７Ｎ基板６の面上には印刷厚膜による厚膜配線回
路４が形成され、増幅回路等を構成しており、感圧チッ
プ１の端子と細線５により接続されている。この厚膜配
線回路４は、図示のように基板６の外面にも設けられる
。例えばチップ１と制御回路とを接続後調整される抵抗
などをこの外面側に設ければ有効であり、調整後表面保
護のための樹脂層９で被覆する。
入される測定圧力に保た。れる。これに対し、感圧チッ
プ１のダイヤフラム部と基板６との間の空間８が圧力基
準室となり、真空にされるか一定圧のガスが封入される
。 Ａ７Ｎ基板６の面上には印刷厚膜による厚膜配線回
路４が形成され、増幅回路等を構成しており、感圧チッ
プ１の端子と細線５により接続されている。この厚膜配
線回路４は、図示のように基板６の外面にも設けられる
。例えばチップ１と制御回路とを接続後調整される抵抗
などをこの外面側に設ければ有効であり、調整後表面保
護のための樹脂層９で被覆する。
本発明によれば、感圧チップ材料のシリコンと近似的に
等しい熱膨張係数をもつＡ７Ｎ基板主に感圧チップを固
着し、さらにこの基板を容器の一部ならびに厚膜配線回
路の基板と兼用させることにより台座、別個の回路基板
が省略され、部品点数が減少する。さらに容器の一部に
導圧口を形成して容器内部空間を測定圧力室とし、感圧
チップのダイヤフラム部と基板との間の空間を圧力基準
室とすることにより、構造簡単で高度の製造技術を必要
とせず、信転性の高い小形高精度の絶対圧形半導体圧力
センサを低い製造コストで得ることができる。
等しい熱膨張係数をもつＡ７Ｎ基板主に感圧チップを固
着し、さらにこの基板を容器の一部ならびに厚膜配線回
路の基板と兼用させることにより台座、別個の回路基板
が省略され、部品点数が減少する。さらに容器の一部に
導圧口を形成して容器内部空間を測定圧力室とし、感圧
チップのダイヤフラム部と基板との間の空間を圧力基準
室とすることにより、構造簡単で高度の製造技術を必要
とせず、信転性の高い小形高精度の絶対圧形半導体圧力
センサを低い製造コストで得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図である。 １：感圧チップ、２：導圧管部、４：厚膜配線回路、６
：Ａ７Ｎ基板、７：蓋体。
断面図である。 １：感圧チップ、２：導圧管部、４：厚膜配線回路、６
：Ａ７Ｎ基板、７：蓋体。
Claims (1)
- １）一面側の中央に凹部を形成してなるダイヤフラム部
にゲージ抵抗を備えたシリコン感圧チップが窒化アルミ
ニウムからなる基板上に凹部を基板側にして固着され、
該基板は導圧口を有する蓋体と気密に結合され、かつ該
基板面上に厚膜配線回路が形成されたことを特徴とする
絶対圧形半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2790387A JPS63195537A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2790387A JPS63195537A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195537A true JPS63195537A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0567168B2 JPH0567168B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12233845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2790387A Granted JPS63195537A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195537A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167441A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-06-27 | Terumo Corp | 使い捨て圧力変換器及び使い捨て圧力変換装置 |
| JPH02131639U (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | ||
| JPH0465643A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| CN111003683A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-14 | 武汉大学 | 一种SiC高温压力传感器及其封装方法 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP2790387A patent/JPS63195537A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167441A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-06-27 | Terumo Corp | 使い捨て圧力変換器及び使い捨て圧力変換装置 |
| JPH02131639U (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | ||
| JPH0465643A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| CN111003683A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-14 | 武汉大学 | 一种SiC高温压力传感器及其封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567168B2 (ja) | 1993-09-24 |
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