JPH02218173A - 光電導型赤外線検知素子 - Google Patents
光電導型赤外線検知素子Info
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- JPH02218173A JPH02218173A JP1038196A JP3819689A JPH02218173A JP H02218173 A JPH02218173 A JP H02218173A JP 1038196 A JP1038196 A JP 1038196A JP 3819689 A JP3819689 A JP 3819689A JP H02218173 A JPH02218173 A JP H02218173A
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- epitaxial
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
水１艮・カドミウム・テルル
ｅ）のエピタキシャル結晶を用いて構成される光電感型
の赤外線検知素子に関し、 工数を削減して、歩留りを向上できるようにすることを
目的とし、 エピタキシャル基板上に、水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層を順次積層してなり、前記カドミウ
ムと水銀の配合比（ｘ）を前記第３のエピタキシャル層
よりも前記第１のエピタキシャル層で小さく、かつ前記
第２のエピタキシャル層で大きくすることで、前記第１
、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞれ遮光用、絶
縁用、受光素子用とするように構成する。
の赤外線検知素子に関し、 工数を削減して、歩留りを向上できるようにすることを
目的とし、 エピタキシャル基板上に、水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層を順次積層してなり、前記カドミウ
ムと水銀の配合比（ｘ）を前記第３のエピタキシャル層
よりも前記第１のエピタキシャル層で小さく、かつ前記
第２のエピタキシャル層で大きくすることで、前記第１
、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞれ遮光用、絶
縁用、受光素子用とするように構成する。
本発明は、水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘＣｄ
ｘＴｅ）のエピタキシャル結晶を用いて構成される光電
感型の赤外線検知素子に関する。
ｘＴｅ）のエピタキシャル結晶を用いて構成される光電
感型の赤外線検知素子に関する。
従来、ＨｇＣｄＴｅのエピタキシャル結晶を用いた光電
導型赤外線検知素子は、第４図に示すように構成されて
いる。
導型赤外線検知素子は、第４図に示すように構成されて
いる。
同図において、サファイアでできた基板１上に遮光膜２
が設けられ、更にその上に、受光素子としてのＨｇＣｄ
Ｔｅのエピタキシャル層３が接着剤４により貼り付けら
れている。そして、上記エピタキシャル層３の表面には
、受光部５を除いて電極６が形成されている。ここで、
上記の遮光膜２を設ける必要があるのは、エピタキシャ
ル層３間にできている隙間７から素子内部に侵入した光
が基板ｌの底面で反射し、これが迷光となってエピタキ
シャル層３に吸収されることによる光学クロストーク特
性の劣化を防止するためである。
が設けられ、更にその上に、受光素子としてのＨｇＣｄ
Ｔｅのエピタキシャル層３が接着剤４により貼り付けら
れている。そして、上記エピタキシャル層３の表面には
、受光部５を除いて電極６が形成されている。ここで、
上記の遮光膜２を設ける必要があるのは、エピタキシャ
ル層３間にできている隙間７から素子内部に侵入した光
が基板ｌの底面で反射し、これが迷光となってエピタキ
シャル層３に吸収されることによる光学クロストーク特
性の劣化を防止するためである。
このような構成の赤外線検知素子を製造するには、まず
、第５図（ａ）に示すようにＣｄＴｅ （もしくはＣｄ
ＺｎＴｅ）のエピタキシャル基板８上にＨｇＣｄＴｅの
エピタキシャル層３を数十μｍ程度の厚さに成長させた
後、このエピタキシャル層３を研磨により厚さ１０μｍ
程度まで薄層化する。
、第５図（ａ）に示すようにＣｄＴｅ （もしくはＣｄ
ＺｎＴｅ）のエピタキシャル基板８上にＨｇＣｄＴｅの
エピタキシャル層３を数十μｍ程度の厚さに成長させた
後、このエピタキシャル層３を研磨により厚さ１０μｍ
程度まで薄層化する。
続いて、第５図（ｂ）に示すように、サファイアの基板
１上に真空蒸着等で薄く遮光膜２を形成した後、この上
に、上記エピタキシャル層３を下側にエピタキシャル基
板８を上側にして、接着剤４で貼り付ける。その後、最
上面にあるＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を研磨で除
去して、第５図（Ｃ）に示すようにエピタキシャル層３
を露出させ、このエピタキシャル層３に対し選択的にエ
ツチングを施すことにより、第４図に示したような形状
にパターニングする。そして最後に、エピタキシャル層
３の表面に、真空蒸着等により電極６を形成する。
１上に真空蒸着等で薄く遮光膜２を形成した後、この上
に、上記エピタキシャル層３を下側にエピタキシャル基
板８を上側にして、接着剤４で貼り付ける。その後、最
上面にあるＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を研磨で除
去して、第５図（Ｃ）に示すようにエピタキシャル層３
を露出させ、このエピタキシャル層３に対し選択的にエ
ツチングを施すことにより、第４図に示したような形状
にパターニングする。そして最後に、エピタキシャル層
３の表面に、真空蒸着等により電極６を形成する。
上記従来の赤外線検知素子では、第５図に示したエピタ
キシャル基板８をそのまま素子の基板として使用せずに
、第４図に示したように別個の基板１を用意し、この上
にエピタキシャル層３を接着した構造としている。これ
は、もしＣｄＴｅのエピタキシャル基板８をそのまま素
子の基板として使用したとすると、その上のエピタキシ
ャル層３との間に第４図に示したような遮光膜２を形成
することが不可能なので、どうしても第６図に示すよう
に素子内部で迷光ｌが生じてしまい、これが光学クロス
トーク特性を劣化させる原因となるからである。
キシャル基板８をそのまま素子の基板として使用せずに
、第４図に示したように別個の基板１を用意し、この上
にエピタキシャル層３を接着した構造としている。これ
は、もしＣｄＴｅのエピタキシャル基板８をそのまま素
子の基板として使用したとすると、その上のエピタキシ
ャル層３との間に第４図に示したような遮光膜２を形成
することが不可能なので、どうしても第６図に示すよう
に素子内部で迷光ｌが生じてしまい、これが光学クロス
トーク特性を劣化させる原因となるからである。
そのため、上記従来の検知素子を製造するためには、上
述したようにエピタキシャル層３を研磨して薄層化する
工程、サファイアの基板１上にエピタキシャル層３を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を全
て研磨で除去する工程等が必要になることから、全体の
工数が非常に多くなり、歩留り低下の原因になるという
問題点があった。
述したようにエピタキシャル層３を研磨して薄層化する
工程、サファイアの基板１上にエピタキシャル層３を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を全
て研磨で除去する工程等が必要になることから、全体の
工数が非常に多くなり、歩留り低下の原因になるという
問題点があった。
本発明は、工数を削減して、歩留りを向上させることの
できる光電導型赤外線検知素子を提供することを目的と
する。
できる光電導型赤外線検知素子を提供することを目的と
する。
（課題を解決するための手段）
本発明の赤外線検知素子は、エピタキシャル基板をその
まま素子の基板として使用できるように、遮光膜と絶縁
膜の働きをするエピタキシャル層を追加して、多層エピ
タキシャル構造としたものである。すなわち、エピタキ
シャル基板上に、水銀・カドミウム・テルルＣＨｇ＋−
ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３のエピタ
キシャル層を順次積層した構造とし、カドミウムと水銀
の配合比（ｘ）を第３のエピタキシャル層よりも第１の
エピタキシャル層で小さくし、かつ第３のエピタキシャ
ル層よりも第２のエピタキシャル層で大きくすることで
、これら第１、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞ
れ遮光用、絶縁用、受光素子用としたものである。
まま素子の基板として使用できるように、遮光膜と絶縁
膜の働きをするエピタキシャル層を追加して、多層エピ
タキシャル構造としたものである。すなわち、エピタキ
シャル基板上に、水銀・カドミウム・テルルＣＨｇ＋−
ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３のエピタ
キシャル層を順次積層した構造とし、カドミウムと水銀
の配合比（ｘ）を第３のエピタキシャル層よりも第１の
エピタキシャル層で小さくし、かつ第３のエピタキシャ
ル層よりも第２のエピタキシャル層で大きくすることで
、これら第１、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞ
れ遮光用、絶縁用、受光素子用としたものである。
水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ
）は、そのカドミウムと水銀の配合比であるＸ値を変化
させると、それに伴って応答波長と比抵抗が変化し、す
なわちＸ値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が
高くなる。本発明は、この特性を利用している。
）は、そのカドミウムと水銀の配合比であるＸ値を変化
させると、それに伴って応答波長と比抵抗が変化し、す
なわちＸ値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が
高くなる。本発明は、この特性を利用している。
上述したように、受光素子となる第３のエピタキシャル
層（最上層）よりも第１のエピタキシャル層のＸ値を小
さくすると、第１のエピタキシャル層の応答波長が第３
のエピタキシャル層よりも長くなる。すると、第１のエ
ピタキシャル層で吸収可能な光がその隙間を縫って内部
に侵入した場合であっても、この侵入光は全て第１のエ
ピタキシャル層で吸収されてしまい、迷光となることが
ない。すなわち、第１のエピタキシャル層が遮光膜とし
て作用する。
層（最上層）よりも第１のエピタキシャル層のＸ値を小
さくすると、第１のエピタキシャル層の応答波長が第３
のエピタキシャル層よりも長くなる。すると、第１のエ
ピタキシャル層で吸収可能な光がその隙間を縫って内部
に侵入した場合であっても、この侵入光は全て第１のエ
ピタキシャル層で吸収されてしまい、迷光となることが
ない。すなわち、第１のエピタキシャル層が遮光膜とし
て作用する。
このように第１のエピタキシャル層のＸ値を小さくする
と、それに伴って比抵抗が小さくなり、受光素子として
の第３のエピタキシャル層をショートさせるおそれがあ
る。そこで、第１のエピタキシャル層と第３のエピタキ
シャル層の間に第２のエピタキシャル層を設け、そのＸ
値を第３のエピタキシャル層よりも大きくしである。こ
れにより、第２のエピタキシャル層は比抵抗が大きくな
り、上記ショートを防止する絶縁膜として作用する。
と、それに伴って比抵抗が小さくなり、受光素子として
の第３のエピタキシャル層をショートさせるおそれがあ
る。そこで、第１のエピタキシャル層と第３のエピタキ
シャル層の間に第２のエピタキシャル層を設け、そのＸ
値を第３のエピタキシャル層よりも大きくしである。こ
れにより、第２のエピタキシャル層は比抵抗が大きくな
り、上記ショートを防止する絶縁膜として作用する。
以上の構成からなる赤外線検知素子によれば、あえて従
来のように遮光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶
内部で、迷光による光学クロストーク特性の劣化を防止
することができる。
来のように遮光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶
内部で、迷光による光学クロストーク特性の劣化を防止
することができる。
従って、エピタキシャル基板をそのまま素子の基板とし
て使用することができるようになり、これに伴って、従
来必要だった多（の製造工程を除去できるようになり、
歩留りの向上が実現される。
て使用することができるようになり、これに伴って、従
来必要だった多（の製造工程を除去できるようになり、
歩留りの向上が実現される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る光電導型赤外線検知
素子の斜視図である。
素子の斜視図である。
同図において、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等でできた厚さ
８００ｕｍ程度のエピタキシャル基板１０上に、いずれ
もＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅからなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層１１．１２．１３がそれぞれ厚さ１
〜３μｍ、１〜３μｍ２１０μｍ程度に順次積層された
多層エピタキシャル構造となっている。そして、第３の
エピタキシャル層１３は、受光素子として所定の形状に
パターニングされており、その表面には、５０μｍ×５
０μｍ程度の広さの受光部１４を除いて電極１５が形成
されている。
８００ｕｍ程度のエピタキシャル基板１０上に、いずれ
もＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅからなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層１１．１２．１３がそれぞれ厚さ１
〜３μｍ、１〜３μｍ２１０μｍ程度に順次積層された
多層エピタキシャル構造となっている。そして、第３の
エピタキシャル層１３は、受光素子として所定の形状に
パターニングされており、その表面には、５０μｍ×５
０μｍ程度の広さの受光部１４を除いて電極１５が形成
されている。
更に、上記第１、第２、第３のエピタキシャル層１１、
工２．１３の組成を決定するカドミウムと水銀の配合比
（ＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ ＴｅのＸ値）をそれぞれＸＩ
、Ｘｚ 、ＸＺ とすると、これらが以下の関係を満足
するように設定しである。
工２．１３の組成を決定するカドミウムと水銀の配合比
（ＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ ＴｅのＸ値）をそれぞれＸＩ
、Ｘｚ 、ＸＺ とすると、これらが以下の関係を満足
するように設定しである。
ＸＺ ＞ＸＺ＞Ｘ。
すなわち、受光素子としての第３のエピタキシャル層１
３のＸ値（ｘ３）よりも第１のエピタキシャル層１１の
Ｘ値（ｘ、）を小さ（すると共に、第３のエピタキシャ
ル層１３のＸ値（χ３）よりも第２のエピタキシャルＦ
Ｊ１２のＸ値（ｘ２）を大きくしである。例えば、Ｘｚ
＝０．２の場合は、ＸＩ ＝０．１５程度、Ｘｚ＝０．
５〜１．０程度となるようにする。
３のＸ値（ｘ３）よりも第１のエピタキシャル層１１の
Ｘ値（ｘ、）を小さ（すると共に、第３のエピタキシャ
ル層１３のＸ値（χ３）よりも第２のエピタキシャルＦ
Ｊ１２のＸ値（ｘ２）を大きくしである。例えば、Ｘｚ
＝０．２の場合は、ＸＩ ＝０．１５程度、Ｘｚ＝０．
５〜１．０程度となるようにする。
前述したように、ＨｇＩ−ｘ Ｃｄｚ Ｔｅは、そのＸ
値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が高くなる
という特性を有している。このことから、上記のように
ＸＺよりもｘ、の値を小さくすると、第１のエピタキシ
ャル層１１の応答波長が第３のエピタキシャル層１３よ
りも長くなる。すなわち、第２図に示すように波長領域
Ａ、Ｂ、Ｃ（Ａ＜Ｂ＜Ｃ）を考え、第３のエピタキシャ
ル層１３の応答波長が領域ＡまでとなるようにＸＺを設
定した場合、これに対しｘＩをｘ３よりも小さく設定す
ることにより、第１のエピタキシャル層１１の応答波長
を領域Ａよりも長い領域Ｂまでとすることができ、よっ
て第３のエピタキシャル層１３で吸収可能な全ての波長
を吸収できるようになる。例えばＸｓ ＝０．２とした
第３のエピタキシャル層１３の応答波長は１０μｍ帯ま
でであるが、Ｘ＋＝０゜１５と小さ（した第１のエピタ
キシャル層１１の応答波長は数十μｍ以上と長くなる。
値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が高くなる
という特性を有している。このことから、上記のように
ＸＺよりもｘ、の値を小さくすると、第１のエピタキシ
ャル層１１の応答波長が第３のエピタキシャル層１３よ
りも長くなる。すなわち、第２図に示すように波長領域
Ａ、Ｂ、Ｃ（Ａ＜Ｂ＜Ｃ）を考え、第３のエピタキシャ
ル層１３の応答波長が領域ＡまでとなるようにＸＺを設
定した場合、これに対しｘＩをｘ３よりも小さく設定す
ることにより、第１のエピタキシャル層１１の応答波長
を領域Ａよりも長い領域Ｂまでとすることができ、よっ
て第３のエピタキシャル層１３で吸収可能な全ての波長
を吸収できるようになる。例えばＸｓ ＝０．２とした
第３のエピタキシャル層１３の応答波長は１０μｍ帯ま
でであるが、Ｘ＋＝０゜１５と小さ（した第１のエピタ
キシャル層１１の応答波長は数十μｍ以上と長くなる。
一方、ＸＺよりもｘ２の値を大きくすると、第２のエピ
タキシャル層１２の応答波長が第３の工ピタキシャル層
１３よりも短くなる。すなわち、第２図において、ｘ２
をｘ３よりも大きく設定することにより、第２のエピタ
キシャル層１２の応答波長を領域Ａよりも短い領域まで
とすることができ、よって第３のエピタキシャル層１３
で吸収可能な全ての光を透過するようになる。
タキシャル層１２の応答波長が第３の工ピタキシャル層
１３よりも短くなる。すなわち、第２図において、ｘ２
をｘ３よりも大きく設定することにより、第２のエピタ
キシャル層１２の応答波長を領域Ａよりも短い領域まで
とすることができ、よって第３のエピタキシャル層１３
で吸収可能な全ての光を透過するようになる。
これらのことから、第１図に示すように、第３のエピタ
キシャル層１３の隙間１６を通って赤外光りが入射した
場合、第２のエピタキシャル層１２は波長領域Ａ、Ｂ、
Ｃ（第２図参照）の全ての光を透過するが、その下の第
１のエピタキシャル層１１が波長領域Ａ、Ｂの光を吸収
する遮光膜として働く。そのため、エピタキシャル基板
１０の内部には、波長領域Ｃの光のみが入射する。この
光がエピタキシャル基Ｆｉ１０の底面で反射した場合で
も、領域Ｃの光は検知素子である第３のエピタキシャル
層１３で吸収されないので、この光は迷光とならず、よ
って迷光によるクロストーク特性の劣化は防止される。
キシャル層１３の隙間１６を通って赤外光りが入射した
場合、第２のエピタキシャル層１２は波長領域Ａ、Ｂ、
Ｃ（第２図参照）の全ての光を透過するが、その下の第
１のエピタキシャル層１１が波長領域Ａ、Ｂの光を吸収
する遮光膜として働く。そのため、エピタキシャル基板
１０の内部には、波長領域Ｃの光のみが入射する。この
光がエピタキシャル基Ｆｉ１０の底面で反射した場合で
も、領域Ｃの光は検知素子である第３のエピタキシャル
層１３で吸収されないので、この光は迷光とならず、よ
って迷光によるクロストーク特性の劣化は防止される。
ここで、上記のようにＸｌの値を小さくすると、それに
伴って第１のエピタキシャル層１１の比抵抗が小さくな
るが、この第１のエピタキシャル層１１と第３のエピタ
キシャル層１３との間に、ｘ２の大きな、すなわち比抵
抗の大きな第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として
存在するので、第３のエピタキシャル層１３が第１のエ
ピタキシャル層１１によりシゴートしてしまうというこ
とはない。
伴って第１のエピタキシャル層１１の比抵抗が小さくな
るが、この第１のエピタキシャル層１１と第３のエピタ
キシャル層１３との間に、ｘ２の大きな、すなわち比抵
抗の大きな第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として
存在するので、第３のエピタキシャル層１３が第１のエ
ピタキシャル層１１によりシゴートしてしまうというこ
とはない。
以上のことから、上記構成の赤外線検知素子によれば、
受光素子としての第３のエピタキシャル層１３に対して
、第１のエピタキシャル層１１が遮光膜として作用し、
第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として作用するの
で、エピタキシャル結晶の内部において、迷光による光
学クロストーク特性の劣化を防止することができる。
受光素子としての第３のエピタキシャル層１３に対して
、第１のエピタキシャル層１１が遮光膜として作用し、
第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として作用するの
で、エピタキシャル結晶の内部において、迷光による光
学クロストーク特性の劣化を防止することができる。
よって、従来のような遮光膜を必要としなくなるので、
エピタキシャル基板１０をそのまま素子の基板として使
用することができるようになる。
エピタキシャル基板１０をそのまま素子の基板として使
用することができるようになる。
すなわち、上記構成の赤外線検知素子を製造するには、
まず第３図に示すように、ＣｄＴｅ等からなるエピタキ
シャル基板ｌＯ上に、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる第
１、第２、第３のエピタキシャル層１１．１２．１３を
、それぞれＸ値をＸＺ ＞ｘ。
まず第３図に示すように、ＣｄＴｅ等からなるエピタキ
シャル基板ｌＯ上に、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる第
１、第２、第３のエピタキシャル層１１．１２．１３を
、それぞれＸ値をＸＺ ＞ｘ。
＞Ｘ、となるように変えなから液相又は気相エピタキシ
ャル法により順次成長させていく、続いて、第３のエピ
タキシャル層１３に対してのみ選択的にエツチングを施
すことにより、第１図に示したような所定形状にパター
ニングする。最後に、第３のエピタキシャル層１３の表
面に、真空蒸着等により電極１５を形成する。
ャル法により順次成長させていく、続いて、第３のエピ
タキシャル層１３に対してのみ選択的にエツチングを施
すことにより、第１図に示したような所定形状にパター
ニングする。最後に、第３のエピタキシャル層１３の表
面に、真空蒸着等により電極１５を形成する。
このように、本実施例の赤外線検知素子を製造する場合
には、従来のようにエピタキシャル層を研磨して薄層化
する工程、サファイアの基板上にエピタキシャル層を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板を全て
研磨で除去する工程等が一切不要になることから、全体
の工数が非常に少な（なり、よって歩留りを著しく向上
させることができる。
には、従来のようにエピタキシャル層を研磨して薄層化
する工程、サファイアの基板上にエピタキシャル層を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板を全て
研磨で除去する工程等が一切不要になることから、全体
の工数が非常に少な（なり、よって歩留りを著しく向上
させることができる。
なお、エピタキシャル成長を気相成長で行う場合には、
エピタキシャル基板１０は、上述したＣｄＴｅやＣｄＺ
ｎＴｅ以外のものを使用することができる。
エピタキシャル基板１０は、上述したＣｄＴｅやＣｄＺ
ｎＴｅ以外のものを使用することができる。
また、各エピタキシャル層のＸ値は、受光素子として必
要な応答波長に対応するＸｌに対して、ＸＺ＞Ｘｌ＞Ｘ
Ｉの関係を満たす範囲内でいろいろと選択することがで
きる。
要な応答波長に対応するＸｌに対して、ＸＺ＞Ｘｌ＞Ｘ
Ｉの関係を満たす範囲内でいろいろと選択することがで
きる。
以上説明したように、本発明によれば、従来のように遮
光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶内部に遮光作
用を持たせたので、迷光による光学クロストーク特性の
劣化を防止することができる。そのため、エピタキシャ
ル基板をそのまま素子の基板として使用することができ
るようになり、これに伴って、従来必要だった多（の製
造工程を除去でき、よって、歩留りを著しく向上させる
ことができる。
光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶内部に遮光作
用を持たせたので、迷光による光学クロストーク特性の
劣化を防止することができる。そのため、エピタキシャ
ル基板をそのまま素子の基板として使用することができ
るようになり、これに伴って、従来必要だった多（の製
造工程を除去でき、よって、歩留りを著しく向上させる
ことができる。
第１図は本発明の一実施例に係る光電導型赤外線検知素
子の斜視図、 第２図は同実施例に係る各エピタキシャル層における光
波長領域に対する透過と吸収の関係を示す図、 第３図は同実施例の赤外線検知素子を製造する際の一工
程で得られる多層エピタキシャル基板の斜視図、 第４図は従来の光電導型赤外線検知素子の斜視図、 第５図（ａ）〜（Ｃ）は第４図に示した従来の赤外線検
知素子の製造工程図、 第６図はエピタキシャル基板を素子の基板として使用し
た赤外線検知素子の斜視図である。 １０・・・エピタキシャル基板、 １１・・・第１のエピタキシャル層、 １２・・・第２のエピタキシャル層、 １３・・・第３のエピタキシャル層、 １４・・・受光部、 １５・・・電極。
子の斜視図、 第２図は同実施例に係る各エピタキシャル層における光
波長領域に対する透過と吸収の関係を示す図、 第３図は同実施例の赤外線検知素子を製造する際の一工
程で得られる多層エピタキシャル基板の斜視図、 第４図は従来の光電導型赤外線検知素子の斜視図、 第５図（ａ）〜（Ｃ）は第４図に示した従来の赤外線検
知素子の製造工程図、 第６図はエピタキシャル基板を素子の基板として使用し
た赤外線検知素子の斜視図である。 １０・・・エピタキシャル基板、 １１・・・第１のエピタキシャル層、 １２・・・第２のエピタキシャル層、 １３・・・第３のエピタキシャル層、 １４・・・受光部、 １５・・・電極。
Claims (1)
- エピタキシャル基板（１０）上に、水銀・カドミウム・
テルル（Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ）からなる第１
、第２、第３のエピタキシャル層（１１、１２、１３）
を順次積層してなり、前記カドミウムと水銀の配合比（
ｘ）を前記第３のエピタキシャル層よりも前記第１のエ
ピタキシャル層で小さく、かつ前記第２のエピタキシャ
ル層で大きくすることで、前記第１、第２、第３のエピ
タキシャル層をそれぞれ遮光用、絶縁用、受光素子用と
したことを特徴とする光電導型赤外線検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038196A JPH02218173A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光電導型赤外線検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038196A JPH02218173A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光電導型赤外線検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218173A true JPH02218173A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12518602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038196A Pending JPH02218173A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光電導型赤外線検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241196A (en) * | 1991-10-15 | 1993-08-31 | Santa Barbara Research Center | Photoresponsive device including composition grading and recessed contacts for trapping minority carriers |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1038196A patent/JPH02218173A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241196A (en) * | 1991-10-15 | 1993-08-31 | Santa Barbara Research Center | Photoresponsive device including composition grading and recessed contacts for trapping minority carriers |
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